Готові списки джерел за темами / III-V compound semiconductor nanostructures / Книги

Книги з теми "III-V compound semiconductor nanostructures"

Щоб переглянути інші типи публікацій з цієї теми, перейдіть за посиланням: III-V compound semiconductor nanostructures.
Автор: Grafiati
Опубліковано: 6 вересня 2023

Оформте джерело за APA, MLA, Chicago, Harvard та іншими стилями

Оберіть тип джерела:

Ознайомтеся з топ-21 книг для дослідження на тему "III-V compound semiconductor nanostructures".

Біля кожної праці в переліку літератури доступна кнопка «Додати до бібліографії». Скористайтеся нею – і ми автоматично оформимо бібліографічне посилання на обрану працю в потрібному вам стилі цитування: APA, MLA, «Гарвард», «Чикаго», «Ванкувер» тощо.

Також ви можете завантажити повний текст наукової публікації у форматі «.pdf» та прочитати онлайн анотацію до роботи, якщо відповідні параметри наявні в метаданих.

Переглядайте книги для різних дисциплін та оформлюйте правильно вашу бібліографію.

1

Yates, Martin John. Electron microscopy of compound III-V semiconductor layers. Birmingham: University ofBirmingham, 1987.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
2

Wilmsen, Carl W., ed. Physics and Chemistry of III-V Compound Semiconductor Interfaces. Boston, MA: Springer US, 1985. http://dx.doi.org/10.1007/978-1-4684-4835-1.

Повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
3

W, Wilmsen Carl, ed. Physics and chemistry of III-V compound semiconductor interfaces. New York: Plenum Press, 1985.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
4

Doping in III-V semiconductors. Cambridge [England]: Cambridge University Press, 1993.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
5

Liquid-phase epitaxial growth of III-V compound semiconductor materials and their device applications. Bristol: A. Hilger, 1990.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
6

V, Swaminathan, Pearton S. J, Manasreh Mahmoud Omar, and Materials Research Society, eds. Degradation mechanisms in III-V compound semiconductor devices and structures: Symposium held April 17-18, 1990, San Francisco, California, U.S.A. Pittsburgh, Pa: Materials Research Society, 1990.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
7

Wilmsen, Carl. Physics and Chemistry of III-V Compound Semiconductor Interfaces. Springer London, Limited, 2013.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
8

Wilmsen, Carl W. Physics and Chemistry of III-V Compound Semiconductor Interfaces. Springer, 2012.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
9

III-V Compound Semiconductors and Semiconductor Properties of Superionic Materials. Elsevier, 1988. http://dx.doi.org/10.1016/s0080-8784(08)x6008-9.

Повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
10

Chang, Kow-Ming. Thermodynamics of groups III-V and II-VI compound semiconductors. 1985.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
11

Pearton, S. J., D. K. Sadana, and J. M. Zavada. Advanced III-V Compound Semiconductor Growth, Processing and Devices: Volume 240. University of Cambridge ESOL Examinations, 2014.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
12

Schubert, E. F. Doping in III-V Semiconductors (Cambridge Studies in Semiconductor Physics and Microelectronic Engineering). Cambridge University Press, 2005.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
13

Pearton, S. J., M. O. Manasreh, and V. Swaminathan. Degradation Mechanisms in III-V Compound Semiconductor Devices and Structures: Volume 184. University of Cambridge ESOL Examinations, 2014.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
14

J, Pearton S., Sadana Devendra K, and Zavada J. M, eds. Advanced III-V compound semiconductor growth, processing and devices: Symposium held December 2-5, 1991, Boston, Massachusetts, U.S.A. Pittsburgh, Pa: Materials Research Society, 1992.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
15

Willardson, R. K. Semiconductors and Semimetals: Iii-V Compound Semiconductors Semiconductor Properties of Superionic Materials (Semiconductors and Semimetals). Academic Press, 1988.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
16

Schulte, Donald W. Growth and characterization of III-V compound semiconductor materials for use in novel MODFET structures and related devices. 1995.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
17

(Editor), Philippe Max Fauchet, Jillian M. Buriak (Editor), Leigh T. Canham (Editor), Mobuyoshi Koshida (Editor), and Burce E. White (Editor), eds. Microcrystalline and Nanocrystalline Semiconductors--2000: Symposium Held November 27-30, 2000, Boston, Massachusetts, U.S.A. (Materials Research Society Symposia Proceedings, V. 638.). Materials Research Society, 2001.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
18

Pearton, S. J., and V. Swaminathan. Degradation Mechanisms in Iii-V Compound Semiconductor Devices and Structures: Symposium Held April 17-18, 1990, San Francisco (Materials Research Society Symposium Proceedings). Materials Research Society, 1990.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
19

Vvedensky, Dimitri D. Quantum dots: Self-organized and self-limiting assembly. Edited by A. V. Narlikar and Y. Y. Fu. Oxford University Press, 2017. http://dx.doi.org/10.1093/oxfordhb/9780199533060.013.6.

Повний текст джерела
Анотація:
This article describes the self-organized and self-limiting assembly of quantum dots, with particular emphasis on III–V semiconductor quantum dots. It begins with a background on the second industrial revolution, highlighted by advances in information technology and which paved the way for the era of ‘quantum nanostructures’. It then considers the science and technology of quantum dots, followed by a discussion on methods of epitaxial growth and fabrication methodologies of semiconductor quantum dots and other supported nanostructures, including molecular beam epitaxy and metalorganic vapor-phase epitaxy. It also examines self-organization in Stranski–Krastanov systems, site control of quantum dots on patterned substrates, nanophotonics with quantum dots, and arrays of quantum dots.
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
20

Li, Jing, and Xiao-Ying Huang. Nanostructured crystals: An unprecedented class of hybrid semiconductors exhibiting structure-induced quantum confinement effect and systematically tunable properties. Edited by A. V. Narlikar and Y. Y. Fu. Oxford University Press, 2017. http://dx.doi.org/10.1093/oxfordhb/9780199533053.013.16.

Повний текст джерела
Анотація:
This article describes the structure-induced quantum confinement effect in nanostructured crystals, a unique class of hybrid semiconductors that incorporate organic and inorganic components into a single-crystal lattice via covalent (coordinative) bonds to form extended one-, two- and three-dimensional network structures. These structures are comprised of subnanometer-sized II-VI semiconductor segments (inorganic component) and amine molecules (organic component) arranged into perfectly ordered arrays. The article first provides an overview of II-VI and III-V semiconductors, II-VI colloidal quantum dots, inorganic-organic hybrid materials before discussing the design and synthesis of I-VI-based inorganic-organic hybrid nanostructures. It also considers the crystal structures, quantum confinement effect, bandgaps, and optical properties, thermal properties, thermal expansion behavior of nanostructured crystals.
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
21

Glazov, M. M. Hyperfine Interaction of Electron and Nuclear Spins. Oxford University Press, 2018. http://dx.doi.org/10.1093/oso/9780198807308.003.0004.

Повний текст джерела
Анотація:
This chapter discusses the key interaction–hyperfine coupling–which underlies most of phenomena in the field of electron and nuclear spin dynamics. This interaction originates from magnetic interaction between the nuclear and electron spins. For conduction band electrons in III–V or II–VI semiconductors, it is reduced to a Fermi contact interaction whose strength is proportional to the probability of finding an electron at the nucleus. A more complex situation is realized for valence band holes where hole Bloch functions vanish at the nuclei. Here the hyperfine interaction is of the dipole–dipole type. The modification of the hyperfine coupling Hamiltonian in nanosystems is also analyzed. The chapter contains also an overview of experimental data aimed at determination of the hyperfine interaction parameters in semiconductors and semiconductor nanostructures.
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
Також вас можуть зацікавити добірки на тему "III-V compound semiconductor nanostructures" для інших типів джерел:
Статті в журналах Дисертації
Ми пропонуємо знижки на всі преміум-плани для авторів, чиї праці увійшли до тематичних добірок літератури. Зв'яжіться з нами, щоб отримати унікальний промокод!

До бібліографії