Книги з теми "III-Nitride Materials"
Оформте джерело за APA, MLA, Chicago, Harvard та іншими стилями
Ознайомтеся з топ-30 книг для дослідження на тему "III-Nitride Materials".
Біля кожної праці в переліку літератури доступна кнопка «Додати до бібліографії». Скористайтеся нею – і ми автоматично оформимо бібліографічне посилання на обрану працю в потрібному вам стилі цитування: APA, MLA, «Гарвард», «Чикаго», «Ванкувер» тощо.
Також ви можете завантажити повний текст наукової публікації у форматі «.pdf» та прочитати онлайн анотацію до роботи, якщо відповідні параметри наявні в метаданих.
Переглядайте книги для різних дисциплін та оформлюйте правильно вашу бібліографію.
Chuan, Feng Zhe, ed. III-nitride: Semiconductor materials. London: Imperial College Press, 2006.
Знайти повний текст джерелаOmar, Manasreh Mahmoud, and Ferguson Ian T, eds. III-nitride semiconductor: Growth. New York: Taylor & Francis, 2003.
Знайти повний текст джерелаChuan, Feng Zhe, ed. III-nitride devices and nanoengineering. London: Imperial College Press, 2008.
Знайти повний текст джерелаT, Yu E., and Manasreh Mahmoud Omar, eds. III-V nitride semiconductors: Applications & devices. New York: Taylor & Francis, 2003.
Знайти повний текст джерелаAyşe, Erol, ed. Dilute III-V nitride semiconductors and material systems: Physics and technology. Berlin: Springer, 2008.
Знайти повний текст джерелаAyşe, Erol, ed. Dilute III-V nitride semiconductors and material systems: Physics and technology. Berlin: Springer, 2008.
Знайти повний текст джерелаErol, Ayşe. Dilute III-V nitride semiconductors and material systems: Physics and technology. Berlin: Springer, 2008.
Знайти повний текст джерелаSymposium, on III-V. Nitride Materials and Processes (2nd 1997 Paris France). Proceedings of the Second Symposium on III-V Nitride Materials and Processes. Pennington, NJ: Electrochemical Society, 1998.
Знайти повний текст джерелаSymposium, on III-V. Nitride Materials and Processes (1st 1996 Los Angeles Calif ). Proceedings of the First Symposium on III-V Nitride Materials and Processes. Pennington, NJ: Electrochemical Society, 1996.
Знайти повний текст джерелаSymposium on III-V Nitride Materials and Processes (3rd 1998 Boston, Mass.). Proceedings of the Third Symposium on III-V Nitride Materials and Processes. Edited by Moustakas T. D, Mohney S. E, Pearton S. J, Electrochemical Society. Dielectric Science and Technology Division., Electrochemical Society Electronics Division, and Electrochemical Society. High Temperature Materials Division. Pennington, N.J: Electrochemical Society, Inc., 1999.
Знайти повний текст джерелаMorkoç, Hadis. Gallium nitride materials and devices III: 21-24 January 2008, San Jose, California, USA. Edited by Society of Photo-optical Instrumentation Engineers. Bellingham, Wash: SPIE, 2008.
Знайти повний текст джерелаKurt, Gaskill D., Brandt Charles D, Nemanich R. J, and Materials Research Society Meeting, eds. III-Nitride, SiC, and diamond materials for electronic devices: Symposium held April, 1996, San Francisco, California, U.S.A. Pittsburgh, Pa: Materials Research Society, 1996.
Знайти повний текст джерелаShangjr, Gwo, ed. III-nitride materials for sensing, energy conversion and controlled light-matter interactions: Symposium held November 29-December 3, 2009, Boston, Massachusetts, U.S.A. Warrendale, Penn: Materials Research Society, 2010.
Знайти повний текст джерелаSymposium on III-Nitride Based Semiconductor Electronic and Optical Devices (2001 Washington, D.C.). III-nitride based semiconductor electronics and optical devices: And, thirty-fourth state-of-the-art-program on compound semiconductors (SOTAPOCS XXXIV) : proceedings of the international symposia. Edited by Ren F, Electrochemical Society Meeting, and State-of-the-Art Program on Compound Semiconductors (34th : 2001 : Washington, D.C.). Pennington, NJ: Electrochemical society, 2001.
Знайти повний текст джерелаErol, Ayşe, ed. Dilute III-V Nitride Semiconductors and Material Systems. Berlin, Heidelberg: Springer Berlin Heidelberg, 2008. http://dx.doi.org/10.1007/978-3-540-74529-7.
Повний текст джерелаRare earth doped III-nitrides for optoelectronic and spintronic applications. Dordrecht, the Netherlands: Springer, 2010.
Знайти повний текст джерелаFeng, Zhe Chuan. III-Nitride Semiconductor Materials. PUBLISHED BY IMPERIAL COLLEGE PRESS AND DISTRIBUTED BY WORLD SCIENTIFIC PUBLISHING CO., 2006. http://dx.doi.org/10.1142/p437.
Повний текст джерелаFeng, Zhe Chuan. Iii-nitride Semiconductor Materials. World Scientific Publishing Company, 2006.
Знайти повний текст джерелаFeng, Zhe Chuan. III-Nitride Materials Devices. World Scientific Publishing Co Pte Ltd, 2017.
Знайти повний текст джерелаMoustakas, T. D. Iii-V Nitride Materials & Processes III (Electrochemical Society Proceedings). Electrochemical Society, 1998.
Знайти повний текст джерелаFeng, Zhe Chuan. III-Nitride Materials, Devices and Nano-Structures. WORLD SCIENTIFIC (EUROPE), 2016. http://dx.doi.org/10.1142/q0092.
Повний текст джерелаManasreh, M. O. III-Nitride Semiconductors: Electrical, Structural and Defects Properties. Elsevier Science, 2000.
Знайти повний текст джерелаOmar, Manasreh Mahmoud, ed. III-nitride semiconductors: Electrical, structural, and defects properties. Amsterdam: Elsevier, 2000.
Знайти повний текст джерелаGroup III nitride semiconductor compounds: Physics and applications. Oxford: Clarendon Press, 1998.
Знайти повний текст джерелаYu, Edward T. III-V Nitride Semiconductors: Applications and Devices (Optoelectronic Properties of Semiconductors and Superlattices, 16). CRC, 2002.
Знайти повний текст джерелаRen, Fan, Shangjr Gwo, Ager Joel W. III, Oliver Ambacher, and Leo Schowalter. III-Nitride Materials for Sensing, Energy Conversion and Controlled Light-Matter Interactions: Volume 1202. University of Cambridge ESOL Examinations, 2014.
Знайти повний текст джерелаGil, Bernard. Group III Nitride Semiconductor Compounds: Physics and Applications (Series on Semiconductor Science and Technology, 6). Oxford University Press, USA, 1998.
Знайти повний текст джерела(Editor), D. Kurt Gaskill, Charles D. Brandt (Editor), and Robert J. Nemanich (Editor), eds. Iii-Nitride, Sic and Diamond Materials for Electronic Devices: Symposium Held April 8-12, 1996, San Francisco, California, U.S.A. (Materials Research Society Symposium Proceedings). Materials Research Society, 1996.
Знайти повний текст джерелаErol, Ayse. Dilute III-V Nitride Semiconductors and Material Systems. Springer, 2008.
Знайти повний текст джерелаErol, Ayse. Dilute III-V Nitride Semiconductors and Material Systems: Physics and Technology. Springer, 2010.
Знайти повний текст джерела