Добірка наукової літератури з теми "IET-devices"
Оформте джерело за APA, MLA, Chicago, Harvard та іншими стилями
Ознайомтеся зі списками актуальних статей, книг, дисертацій, тез та інших наукових джерел на тему "IET-devices".
Біля кожної праці в переліку літератури доступна кнопка «Додати до бібліографії». Скористайтеся нею – і ми автоматично оформимо бібліографічне посилання на обрану працю в потрібному вам стилі цитування: APA, MLA, «Гарвард», «Чикаго», «Ванкувер» тощо.
Також ви можете завантажити повний текст наукової публікації у форматі «.pdf» та прочитати онлайн анотацію до роботи, якщо відповідні параметри наявні в метаданих.
Статті в журналах з теми "IET-devices"
Schmid, Simone M., Wolfgang Büscher, and Julia Steinhoff-Wagner. "PSII-9 Body core and skin temperatures in suckling piglets measured by infrared thermography and thermometry methods." Journal of Animal Science 97, Supplement_3 (December 2019): 234–35. http://dx.doi.org/10.1093/jas/skz258.477.
Повний текст джерелаKim, Youngsang, Safa G. Bahoosh, Dmytro Sysoiev, Thomas Huhn, Fabian Pauly, and Elke Scheer. "Inelastic electron tunneling spectroscopy of difurylethene-based photochromic single-molecule junctions." Beilstein Journal of Nanotechnology 8 (December 6, 2017): 2606–14. http://dx.doi.org/10.3762/bjnano.8.261.
Повний текст джерелаMongkolrattanothai, Kanokporn, Leslie Stach, and Regina Orbach. "519. Multidrug-resistant Gram-Negative Bacteremia in Pediatric Patients: Is It Time to Change to Empiric Meropenem?" Open Forum Infectious Diseases 6, Supplement_2 (October 2019): S250. http://dx.doi.org/10.1093/ofid/ofz360.588.
Повний текст джерелаDanmanee, Tanapoom, Kulit Na Nakorn, and Kultida Rojviboonchai. "CU-MAC: A Duty-Cycle MAC Protocol for Internet of Things in Wireless Sensor Networks." ECTI Transactions on Electrical Engineering, Electronics, and Communications 16, no. 2 (April 9, 2018): 30–43. http://dx.doi.org/10.37936/ecti-eec.2018162.171332.
Повний текст джерелаZhang, Li, Geng Liu, Bing Han, Zhe Wang, Yuzhou Yan, Jianbing Ma, and Pingping Wei. "Knee Joint Biomechanics in Physiological Conditions and How Pathologies Can Affect It: A Systematic Review." Applied Bionics and Biomechanics 2020 (April 4, 2020): 1–22. http://dx.doi.org/10.1155/2020/7451683.
Повний текст джерелаSmith, P. A., G. Dolman, T. W. Button, and M. Holker. "Ferrite helical devices." IET Microwaves, Antennas & Propagation 1, no. 4 (2007): 839. http://dx.doi.org/10.1049/iet-map:20060057.
Повний текст джерелаSaber, Md Ghulam, Luhua Xu, Rakibul Hasan Sagor, Yun Wang, Amar Kumar, Deng Mao, Eslam El-Fiky, et al. "Integrated polarisation handling devices." IET Optoelectronics 14, no. 3 (June 1, 2020): 109–19. http://dx.doi.org/10.1049/iet-opt.2019.0057.
Повний текст джерелаTrimberger, Steve. "Defect avoidance in programmable devices." IET Computers & Digital Techniques 9, no. 4 (July 2015): 188–89. http://dx.doi.org/10.1049/iet-cdt.2014.0155.
Повний текст джерелаMillán, J. "Wide band-gap power semiconductor devices." IET Circuits, Devices & Systems 1, no. 5 (2007): 372. http://dx.doi.org/10.1049/iet-cds:20070005.
Повний текст джерелаJamal Deen, M., B. Bandyopadhyay, and Pradip Kumar Saha. "Editorial: Computers and devices for communication." IET Circuits, Devices & Systems 2, no. 1 (2008): 121. http://dx.doi.org/10.1049/iet-cds:20089002.
Повний текст джерелаДисертації з теми "IET-devices"
Дмитрієв, Вадим Сергійович. "Омічні та інжектуючі бар’єрні переходи до арсеніду галію". Doctoral thesis, Київ, 2019. https://ela.kpi.ua/handle/123456789/29304.
Повний текст джерелаДисертація на здобуття наукового ступеня кандидата технічних наук за спеціальністю 05.27.06 - Технологія, обладнання та виробництво електронної техніки. – Інженерний інститут Запорізького національного університету, Національний технічний університет України «Київський політехнічний інститут імені Ігоря Сікорського», 2019. Дисертаційну роботу присвячено розробці технології відтворюваного отримання омічних та інжектуючих бар’єрних переходів на основі срібла до арсеніду галію n-типу провідності. Розроблено технологію відтворюваного отримання омічних контактів Ag-Ge-In/n-n+GaAs, яка забезпечує лінійну ВАХ, коефіцієнт інжекції γ=0,07…0,00, контактний опір (5…7)∙10-5 Ом∙см2. Розроблено технологію відтворюваного отримання інжектуючих бар`єрних переходів Ag/n-n+GaAs з висотою потенційного бар’єру 0,98 В, коефіцієнтом інжекції γ =10-8, коефіцієнтом неідеальності η=1,087. Розроблені технології нанесення контактного матеріалу та режимів термообробки при створенні омічних та інжектуючих бар’єрних переходів рекомендуються до використання при виготовленні багатоелектродного МЕП-приладу з розширеними функціональними можливостями, до складу якого входять керуючі електроди, розташовані над областю розповсюдження біжучої хвилі.
Частини книг з теми "IET-devices"
"Electrical Machines – Basic Operating Principles 3-117 Polyphase i.e. Three-Phase a.c. Supplies 3-120 Circuit Protective Devices 3-124 Circuit Protective Devices and Earth Fault Protection 3-125 Worksheet 1–8 (MC Questions) 3-127 Answers to Worksheets 1 to 8 3-133 4 Occupational Unit 4 (Level 2) Electrical Installation (Buildings and Structures) 4-135 EAW Regulations and Codes of Practice 4-136 IET Regulations (BS 7671) 4-144 Part 1. Deals with the Scope, Object and Fundamental Requirements for Safety 4-144 Part 2. Deals with Definition 4-144 Part 3. Deals with the Assessment of General Characteristics 4-144 Part 4. Deals with the Protection for Safety 4-145 Part 5. Deals with the Selection and Erection of Equipment 4-145 Part 6. Deals with Special Installations or Locations 4-145 Part 7. Deals with Inspection and Testing 4-146 IET Regulations (BS 7671) 4-147 Special Locations 4-150 Communication on Site 4-153 Choosing a Wiring System 4-154 Electrical Components used in Electrotechnical Systems 4-156 Secure Electrical Isolation 4-158 Measuring and Marking Out 4-159 Fixing and Installing Equipment 4-161 Tools and Equipment used for Electrical Installations 4-162 Correct Disposal of Waste Material 4-164 Worksheet 12 (MC Questions) 4-167 Answers to Worksheets 1 to 12 4-173 Level 3 Certificate in Electrotechnical Technology." In Electrical Installation Work Curriculum Support Pack, 4. Routledge, 2006. http://dx.doi.org/10.4324/9780080505145-2.
Повний текст джерелаТези доповідей конференцій з теми "IET-devices"
Prokhorov, E. D., and D. V. Pavlenko. "Two-dimensional simulation of devices with IET and allowing impact ionization." In 2005 15th International Crimean Conference Microwave and Telecommunication Technology. IEEE, 2005. http://dx.doi.org/10.1109/crmico.2005.1565001.
Повний текст джерелаProkhorov, E. D., and D. V. Pavlenko. "Modeling of the semiconductor devices with the IET and involving the impact ionization." In Proceedings of LFNM 2005. 7th International Conference on Laser and Optical-Fiber Networks Modeling. IEEE, 2005. http://dx.doi.org/10.1109/lfnm.2005.1553251.
Повний текст джерелаMajed, M. "Application of risk management for medical devices." In IET Seminar on Software for Medical Devices. IEE, 2006. http://dx.doi.org/10.1049/ic:20060140.
Повний текст джерелаJarvis, L. "Placing UK health in perspective." In IET Seminar on Software for Medical Devices. IEE, 2006. http://dx.doi.org/10.1049/ic:20060139.
Повний текст джерелаJordan, P. "Standard IEC 62304 - Medical device software - Software lifecycle processes." In IET Seminar on Software for Medical Devices. IEE, 2006. http://dx.doi.org/10.1049/ic:20060141.
Повний текст джерелаMankovich, N. "Medical device security in hospital networks incorporating medical devices." In IET Seminar on Software for Medical Devices. IEE, 2006. http://dx.doi.org/10.1049/ic:20060142.
Повний текст джерелаLindsey, D. "Proactively stopping the evolving threat to NHS trusts and medical devices." In IET Seminar on Software for Medical Devices. IEE, 2006. http://dx.doi.org/10.1049/ic:20060143.
Повний текст джерелаCusick, G. "Medical software standards and the NHS." In IET Seminar on Software for Medical Devices. IEE, 2006. http://dx.doi.org/10.1049/ic:20060144.
Повний текст джерелаMcElhinney, P., A. W. Cross, C. R. Donaldson, W. He, and I. Zhang. "W-Band Quasi-Optical Mode Converters for Gyro-Devices." In 2nd IET Annual Active and Passive RF Devices Seminar. Institution of Engineering and Technology, 2014. http://dx.doi.org/10.1049/ic.2014.0183.
Повний текст джерелаDonaldson, C. R., W. He, K. Ronald, A. D. R. Phelps, A. W. Cross, and L. Zhang. "Optimization of a Cusp Electron Gun for Millimeter Wave Gyro-Devices." In 2nd IET Annual Active and Passive RF Devices Seminar. Institution of Engineering and Technology, 2014. http://dx.doi.org/10.1049/ic.2014.0182.
Повний текст джерела