Увійти

Готові списки джерел за темами / HBTD / Книги

Книги з теми "HBTD"

Щоб переглянути інші типи публікацій з цієї теми, перейдіть за посиланням: HBTD.

Автор: Grafiati

Опубліковано: 27 липня 2024

Оновлено: 28 липня 2024

Оформте джерело за APA, MLA, Chicago, Harvard та іншими стилями

Оберіть тип джерела:

Ознайомтеся з топ-50 книг для дослідження на тему "HBTD".

Біля кожної праці в переліку літератури доступна кнопка «Додати до бібліографії». Скористайтеся нею – і ми автоматично оформимо бібліографічне посилання на обрану працю в потрібному вам стилі цитування: APA, MLA, «Гарвард», «Чикаго», «Ванкувер» тощо.

Також ви можете завантажити повний текст наукової публікації у форматі «.pdf» та прочитати онлайн анотацію до роботи, якщо відповідні параметри наявні в метаданих.

Переглядайте книги для різних дисциплін та оформлюйте правильно вашу бібліографію.

1

Jalali, B. InP HBTs: Growth, processing, and applications. Edited by Pearton S. J. Boston: Artech House, 1995.

Знайти повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

2

Parikas, Dodo. HBT speglat i litteraturen. Lund: BTJ förlag, 2009.

Знайти повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

3

Russell, Ian Adrian David. Electro-thermal modelling of AlGaAs/GaAs HBTs. Birmingham: University of Birmingham, 1995.

Знайти повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

4

Fazal, Ali, and Gupta Aditya Kumar 1952-, eds. HEMTs and HBTs: Devices, fabrication, and circuits. Boston: Artech House, 1991.

Знайти повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

5

1962-, Norrhem Svante, ed. Undantagsmänniskor: En svensk HBT-historia. Stockholm: Norstedts Akademiska Förlag, 2008.

Знайти повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

6

Hedvig, Nathorst-Böös, and Jarl-Åberg Cecilia, eds. HBT & heder: En intervjustudie om unga HBT-personer som lever i familjer med hedersnormer. Stockholm]: ALMAeuropa, 2011.

Знайти повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

7

D, Cressler John, ed. Fabrication of SiGe HBT BiCMOS technology. Boca Raton, FL: CRC Press, 2008.

Знайти повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

8

Angelini, Sarah. High-Speed Videography on HBT-EP. [New York, N.Y.?]: [publisher not identified], 2014.

Знайти повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

9

Ian, Stewart. Transport Barrier Formation on HBT-EP. [New York, N.Y.?]: [publisher not identified], 2021.

Знайти повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

10

Anholt, Robert. Electrical and thermal characterization of MESFETs, HEMTs, and HBTs. Boston: Artech House, 1995.

Знайти повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

11

Haro, Fernando Ampudia de. O processo civilizacional da tourada: Guerreiros, cortesãos, profissionais... e bárbaros? Lisbon: Imprensa de História Contemporânea, 2020.

Знайти повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

12

Sola, F. I. Suarez. Switched capacitor filter implemented in HBT/FET technology. Manchester: UMIST, 1997.

Знайти повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

13

Adojutelegan, Adewole O. Cointegration of GaAs/AIGaAs HBTs and GaAs MESFETs on MBE grown layers. Manchester: UMIST, 1997.

Знайти повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

14

Huber, Alex. Noise characterization and modeling of InP/InGaAs HBTs for RF circuit design. Konstanz: Hartung-Gorre, 2000.

Знайти повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

15

Norton, Mark E. Nonlinear modelling of GaAs HBTs applied to spectral regrowth analysis of power amplifiers. Dublin: University College Dublin, 1997.

Знайти повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

16

Sun, Yabin. Research on the Radiation Effects and Compact Model of SiGe HBT. Singapore: Springer Singapore, 2018. http://dx.doi.org/10.1007/978-981-10-4612-4.

Повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

17

McAlister, S. An investigation into PA HBT unit cell layout utilizing high efficiency conduction modes. [s.l: The Author], 2004.

Знайти повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

18

Ulnicane, Inga. Chapter 11 Governance of Dual Use Research in the EU: The Case of Neuroscience. Abingdon: Taylor & Francis, 2020.

Знайти повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

19

Kumar, Awasthi Shailendra, ed. Energy conservation in the chemical and allied industries: Proceedings of national seminar held at HBTI, Kanpur, India, 22-23 Nov., 1986. New Delhi: South Asian Publishers, 1989.

Знайти повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

20

Vrolijk, H. W. Samenwerking verplicht: Veranderingen in het verplichtende karakter van samenwerking tussen 1980 en 1994 : verslag van een onderzoek in opdracht van het Hoofdbedrijfschap Detailhandel (HBD). Den Haag: Hoofdbedrijfschap Detailhandel, 1998.

Знайти повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

21

Vrolijk, H. W. Samenwerking verplicht: Veranderingen in het verplichtende karakter van samenwerking tussen 1980 en 1994 : verslag van een onderzoek in opdracht van het Hoofdbedrijfschap Detailhandel (HBD). Den Haag: Hoofdbedrijfschap Detailhandel, 1998.

Знайти повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

22

Bitter, Martin. InP/InGaAs pin-photodiode arrays for parallel optical interconnects and monolithic InP/InGaAs pin/HBT optical receivers for 10-Gb/s and 40-Gb/s. Konstanz: Hartung-Gorre, 2001.

Знайти повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

23

Pantun. Peranan dan fungsi program HPH bina desa (HBD) hutan dalam rangka pembangunan wilayah pedesaan: Studi kasus wilayah Kecamatan Tungkal Ulu, Kabupaten Tanjung Jabung, Propinsi Jambi. [Bogor]: Program Pascasarjana, Institut Pertanian Bogor, 1994.

Знайти повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

24

United States. National Aeronautics and Space Administration., ed. Fabrication and characterization of a long wavelength InP HBT-based optical receiver: A final report to the National Aeronautics and Space Administration, NASA grant NAG3-1757, project period--June 1, 1996 - December 31, 1996. [Washington, DC: National Aeronautics and Space Administration, 1997.

Знайти повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

25

Calcara, Antonio. Emerging Security Technologies and EU Governance: Actors, Practices and Processes. Abingdon: Taylor & Francis, 2020.

Знайти повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

26

Gay, lesbian, bisexual, and transgender aging: Challenges in research, practice, and policy. Baltimore: Johns Hopkins University Press, 2011.

Знайти повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

27

Thompson, Guy. Hbt. Independently Published, 2017.

Знайти повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

28

Ravenshear, Petronella. HBD Cookbook. HarperCollins Publishers Limited, 2023.

Знайти повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

29

Holder, Ryan. Hbd Grandpa. Lulu Press, Inc., 2023.

Знайти повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

30

Tso, Bendi, and Marnyi Gyatso. Shépa: The Tibetan Oral Tradition in Choné. Open Book Publishers, 2023.

Знайти повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

31

Rudolph, Matthias. Introduction to Modeling HBTs. Artech House Publishers, 2006.

Знайти повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

32

Pearton, S. J. InP HBTs: Growth, Processing, and Applications. Artech House Publishers, 1994.

Знайти повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

33

Halstead, C. M. Hbd: Here Be Dragons. Halstead, C. M., 2021.

Знайти повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

34

Halstead, C. M. Hbd: Here Be Dragons. Halstead, C. M., 2021.

Знайти повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

35

Folktales of Mayotte, an African Island. Open Book Publishers, 2023.

Знайти повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

36

Studies in the Masoretic Tradition of the Hebrew Bible. Open Book Publishers, 2022.

Знайти повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

37

Cressler, John D. Fabrication of SiGe HBT BiCMOS Technology. CRC Press, 2007. http://dx.doi.org/10.1201/9781315218892.

Повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

38

Cressler, John D. Fabrication of Sige HBT BiCMOS Technology. Taylor & Francis Group, 2018.

Знайти повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

39

Cressler, John D. Fabrication of Sige HBT BiCMOS Technology. Taylor & Francis Group, 2018.

Знайти повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

40

Cressler, John D. Fabrication of Sige HBT BiCMOS Technology. Taylor & Francis Group, 2018.

Знайти повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

41

Cressler, John D. Fabrication of Sige HBT BICMOS Technology. Taylor & Francis Group, 2007.

Знайти повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

42

Cressler, John D. Fabrication of Sige HBT BiCMOS Technology. Taylor & Francis Group, 2018.

Знайти повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

43

Fabrication of SiGe HBT BiCMOS Technology. CRC, 2007.

Знайти повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

44

Lüttmann, Holger. Untersuchungen zur Expression der [beta]-defensine HBD-1 und HBD-2 in Plattenepithelkarzinomen des Oropharynx und Larynx. Kiel, 2007.

Знайти повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

45

Paul, Douglas J. Si/SiGe heterostructures in nanoelectronics. Edited by A. V. Narlikar and Y. Y. Fu. Oxford University Press, 2017. http://dx.doi.org/10.1093/oxfordhb/9780199533060.013.5.

Повний текст джерела

Анотація:

This article describes the applications of Si/SiGe heterostructures in nanoelectronics. Silicon-germanium is now a mature field with heterojunction bipolar transistors (HBTs) and complementary metal oxide semiconductors (CMOS) products in the market place. In the research field there are many areas where Si/SiGe heterostructures are being used to bandgap engineer nanoelectronic devices resulting in significant improvements in device performance. A number of these areas have good potential for eventually reaching production, while thereare also many that allow fundamental research on the physics of materials anddevices. This article begins with an overview of the growth of silicon-germanium alloys, followed by a discussion of the effect of strain on the band structure and properties of Si/SiGe devices. It then considers two mainstream nanoelectronic applications of Si/SiGe heterostructures, namely HBTs and CMOS. It also looks at resonant tunnelling diodes and SiGe quantum cascade emitters.

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

46

Liu, William. Fundamentals of III-V Devices: HBTs, MESFETs, and HFETs/HEMTs. Wiley & Sons, Incorporated, John, 2008.

Знайти повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

47

Fundamentals of III-V devices: HBTs, MESFETs, and HFETs/HEMTs. New York: Wiley, 1999.

Знайти повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

48

Journals, Beng. Hbd Notebook: Birthday Gift Notebook Journal - - 120 Pages -. Independently Published, 2020.

Знайти повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

49

A Study on Characteristics of HBT Device Parameters. LAP LAMBERT Academic Publishing, 2013.

Знайти повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

50

Namo, Igor-Melissa, and Therese-Åsa Karl Lynx Namo. Tina och Vinterns värld: En värmande HBTQ+ saga för hela familjen. Books on Demand, 2022.

Знайти повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

Ми пропонуємо знижки на всі преміум-плани для авторів, чиї праці увійшли до тематичних добірок літератури. Зв'яжіться з нами, щоб отримати унікальний промокод!