Добірка наукової літератури з теми "GaN hetero-junctions"
Оформте джерело за APA, MLA, Chicago, Harvard та іншими стилями
Зміст
Ознайомтеся зі списками актуальних статей, книг, дисертацій, тез та інших наукових джерел на тему "GaN hetero-junctions".
Біля кожної праці в переліку літератури доступна кнопка «Додати до бібліографії». Скористайтеся нею – і ми автоматично оформимо бібліографічне посилання на обрану працю в потрібному вам стилі цитування: APA, MLA, «Гарвард», «Чикаго», «Ванкувер» тощо.
Також ви можете завантажити повний текст наукової публікації у форматі «.pdf» та прочитати онлайн анотацію до роботи, якщо відповідні параметри наявні в метаданих.
Статті в журналах з теми "GaN hetero-junctions"
Ikebuchi, Tatsuya, Norihiro Tetsuyama, Mitsuhiro Higashihata, Hiroshi Ikenoue, Daisuke Nakamura, and Tatsuo Okada. "Hybrid Hetero p-n Junction between ZnO Microspheres and p-Type Materials." Advanced Materials Research 1119 (July 2015): 184–88. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/amr.1119.184.
Повний текст джерелаKhan, Ruby, Ajay Kumar Visvkarma, Kapil Narang, Rajesh Kumar Bag, M. V. G. Padmavati, Renu Tyagi, and Ufana Riaz. "Comparative study of polymer based novel organic–inorganic hetero-junctions with n-GaN and AlGaN/GaN epi-structures." Materials Science and Engineering: B 272 (October 2021): 115364. http://dx.doi.org/10.1016/j.mseb.2021.115364.
Повний текст джерелаRahbardar Mojaver, Hassan, Farzin Manouchehri, and Pouya Valizadeh. "Theoretical evaluation of two dimensional electron gas characteristics of quaternary AlxInyGa1–x–yN/GaN hetero-junctions." Journal of Applied Physics 119, no. 15 (April 21, 2016): 154502. http://dx.doi.org/10.1063/1.4946842.
Повний текст джерелаLu, Jing, Dan Denninghoff, Ramya Yeluri, Shalini Lal, Geetak Gupta, Matthew Laurent, Stacia Keller, Steven P. DenBaars, and Umesh K. Mishra. "Very high channel conductivity in ultra-thin channel N-polar GaN/(AlN, InAlN, AlGaN) high electron mobility hetero-junctions grown by metalorganic chemical vapor deposition." Applied Physics Letters 102, no. 23 (June 10, 2013): 232104. http://dx.doi.org/10.1063/1.4809997.
Повний текст джерелаTuan, Thi Tran Anh, Dong-Hau Kuo, Kaifan Lin, and Guan-Zhang Li. "Temperature dependence of electrical characteristics of n-In Ga1−N/p-Si hetero-junctions made totally by RF magnetron sputtering." Thin Solid Films 589 (August 2015): 182–87. http://dx.doi.org/10.1016/j.tsf.2015.05.018.
Повний текст джерелаAlbanesi, E. A., W. R. L. Lambrecht, and B. Segall. "Band-Offsets Between Group-III-Nitrides." MRS Proceedings 339 (1994). http://dx.doi.org/10.1557/proc-339-607.
Повний текст джерелаДисертації з теми "GaN hetero-junctions"
Zado, Alexander [Verfasser]. "Metal-insulator-semiconductor structures and AlGaN/GaN hetero-junctions based on cubic group-III nitrides / Alexander Zado." Paderborn : Universitätsbibliothek, 2015. http://d-nb.info/1066728232/34.
Повний текст джерелаKumar, Sagnik. "AlGaN/GaN Heterojunction Based Hall Sensors for Magnetic Field Sensing over Wide Temperature Range." Thesis, 2020. https://etd.iisc.ac.in/handle/2005/4590.
Повний текст джерелаSoman, Rohith. "Normally off AlxGa(1-x)N/GaN devices: Materials, process and device architecture innovations." Thesis, 2018. https://etd.iisc.ac.in/handle/2005/5479.
Повний текст джерела