Статті в журналах з теми "GaN Diodes"
Оформте джерело за APA, MLA, Chicago, Harvard та іншими стилями
Ознайомтеся з топ-50 статей у журналах для дослідження на тему "GaN Diodes".
Біля кожної праці в переліку літератури доступна кнопка «Додати до бібліографії». Скористайтеся нею – і ми автоматично оформимо бібліографічне посилання на обрану працю в потрібному вам стилі цитування: APA, MLA, «Гарвард», «Чикаго», «Ванкувер» тощо.
Також ви можете завантажити повний текст наукової публікації у форматі «.pdf» та прочитати онлайн анотацію до роботи, якщо відповідні параметри наявні в метаданих.
Переглядайте статті в журналах для різних дисциплін та оформлюйте правильно вашу бібліографію.
RAZEGHI, MANIJEH. "GaN-BASED LASER DIODES." International Journal of High Speed Electronics and Systems 09, no. 04 (December 1998): 1007–80. http://dx.doi.org/10.1142/s0129156498000415.
Повний текст джерелаShashikala, B. N., and B. S. Nagabhushana. "Reduction of reverse leakage current at the TiO2/GaN interface in field plate Ni/Au/n-GaN Schottky diodes." Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics 24, no. 04 (November 23, 2021): 399–406. http://dx.doi.org/10.15407/spqeo24.04.399.
Повний текст джерелаShugurov K.Yu., Mozharov A.M., Sapunov G.A., Fedorov V.V., Moiseev E.I., Blokhin S.A., Kuzmenkov A.G., and Mukhin I.S. "Microwave Schottky diodes based on single GaN nanowires." Technical Physics Letters 48, no. 8 (2022): 18. http://dx.doi.org/10.21883/tpl.2022.08.55053.19229.
Повний текст джерелаPolyntsev, Egor, Evgeny Erofeev, and Igor Yunusov. "The Influence of Design on Electrical Performance of AlGaN/GaN Lateral Schottky Barrier Diodes for Energy-Efficient Power Applications." Electronics 10, no. 22 (November 15, 2021): 2802. http://dx.doi.org/10.3390/electronics10222802.
Повний текст джерелаMatys, Maciej, Kazuki Kitagawa, Tetsuo Narita, Tsutomu Uesugi, Jun Suda, and Tetsu Kachi. "Mg-implanted vertical GaN junction barrier Schottky rectifiers with low on resistance, low turn-on voltage, and nearly ideal nondestructive breakdown voltage." Applied Physics Letters 121, no. 20 (November 14, 2022): 203507. http://dx.doi.org/10.1063/5.0106321.
Повний текст джерелаШугуров, К. Ю., А. М. Можаров, Г. А. Сапунов, В. В. Фёдоров, Э. И. Моисеев, С. А. Блохин, А. Г. Кузьменков та И. С. Мухин. "Сверхвысокочастотные диоды Шоттки на основе одиночных нитевидных нанокристаллов GaN". Письма в журнал технической физики 48, № 15 (2022): 22. http://dx.doi.org/10.21883/pjtf.2022.15.53127.19229.
Повний текст джерелаNomoto, Kazuki, Tohru Nakamura, Naoki Kaneda, Toshihiro Kawano, Tadayoshi Tsuchiya, and Tomoyoshi Mishima. "Large GaN p-n Junction Diodes of 3 mm in Diameter on Free-Standing GaN Substrates with High Breakdown Voltage." Materials Science Forum 717-720 (May 2012): 1299–302. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.717-720.1299.
Повний текст джерелаLee, Wen Zhao, Duu Sheng Ong, Kan Yeep Choo, Oktay Yilmazoglu, and Hans L. Hartnagel. "Monte Carlo evaluation of GaN THz Gunn diodes." Semiconductor Science and Technology 36, no. 12 (November 4, 2021): 125009. http://dx.doi.org/10.1088/1361-6641/ac2b4d.
Повний текст джерелаN’Dohi, Atse Julien Eric, Camille Sonneville, Soufiane Saidi, Thi Huong Ngo, Philippe De Mierry, Eric Frayssinet, Yvon Cordier, et al. "Micro-Raman Spectroscopy Study of Vertical GaN Schottky Diode." Crystals 13, no. 5 (April 22, 2023): 713. http://dx.doi.org/10.3390/cryst13050713.
Повний текст джерелаVostokov N. V., Drozdov M. N., Kraev S. A., Khrykin O. I., and Yunin P. A. "Effect of thermal annealing on the transport properties of Ti/AlGaN/GaN low-barrier Mott diodes." Semiconductors 56, no. 7 (2022): 455. http://dx.doi.org/10.21883/sc.2022.07.54641.04.
Повний текст джерелаCao, X. A., M. Larsen, H. Lu, and Steve Arthur. "Structural Properties and Electrical Characteristics of Homoepitaxial GaN PiN Diodes." Materials Science Forum 527-529 (October 2006): 1541–44. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.527-529.1541.
Повний текст джерелаHierro, A., D. Kwon, S. A. Ringel, M. Hansen, U. K. Mishra, S. P. DenBaars, and J. S. Speck. "Deep levels in n-type Schottky and p+-n homojunction GaN diodes." MRS Internet Journal of Nitride Semiconductor Research 5, S1 (2000): 922–28. http://dx.doi.org/10.1557/s1092578300005275.
Повний текст джерелаKrishnamoorthy, Sriram, Digbijoy N. Nath, Fatih Akyol, Pil Sung Park, Michele Esposto, and Siddharth Rajan. "Polarization-engineered GaN/InGaN/GaN tunnel diodes." Applied Physics Letters 97, no. 20 (November 15, 2010): 203502. http://dx.doi.org/10.1063/1.3517481.
Повний текст джерелаTompkins, R. P., J. R. Smith, S. Zhou, K. W. Kirchner, M. A. Derenge, K. A. Jones, J. H. Leach, et al. "GaN Power Schottky Diodes." ECS Transactions 45, no. 7 (April 27, 2012): 17–25. http://dx.doi.org/10.1149/1.3701521.
Повний текст джерелаKim, Seongjun, Tae Hoon Seo, Myung Jong Kim, Keun Man Song, Eun-Kyung Suh, and Hyunsoo Kim. "Graphene-GaN Schottky diodes." Nano Research 8, no. 4 (November 28, 2014): 1327–38. http://dx.doi.org/10.1007/s12274-014-0624-7.
Повний текст джерелаMa, Hao, Xiaoling Duan, Shulong Wang, Shijie Liu, Jincheng Zhang, and Yue Hao. "GaN JBS Diode Device Performance Prediction Method Based on Neural Network." Micromachines 14, no. 1 (January 12, 2023): 188. http://dx.doi.org/10.3390/mi14010188.
Повний текст джерелаBumai, Yurii, Aleh Vaskou, and Valerii Kononenko. "Measurement and Analysis of Thermal Parameters and Efficiency of Laser Heterostructures and Light-Emitting Diodes." Metrology and Measurement Systems 17, no. 1 (January 1, 2010): 39–45. http://dx.doi.org/10.2478/v10178-010-0004-x.
Повний текст джерелаHo, Wen-Chieh, Yao-Hsing Liu, Wen-Hsuan Wu, Sung-Wen Huang Chen, Jerry Tzou, Hao-Chung Kuo, and Chia-Wei Sun. "The Study of High Breakdown Voltage Vertical GaN-on-GaN p-i-n Diode with Modified Mesa Structure." Crystals 10, no. 8 (August 18, 2020): 712. http://dx.doi.org/10.3390/cryst10080712.
Повний текст джерелаTang, Yongjun, Meixin Feng, Jianxun Liu, Shizhao Fan, Xiujian Sun, Qian Sun, Shuming Zhang, et al. "Narrow-Linewidth GaN-on-Si Laser Diode with Slot Gratings." Nanomaterials 11, no. 11 (November 16, 2021): 3092. http://dx.doi.org/10.3390/nano11113092.
Повний текст джерелаKuball, M., E. S. Jeon, Y. K. Song, A. V. Nurmikko, P. Kozodoy, A. Abare, S. Keller, et al. "Gain spectroscopy on InGaN/GaN quantum well diodes." Applied Physics Letters 70, no. 19 (May 12, 1997): 2580–82. http://dx.doi.org/10.1063/1.118925.
Повний текст джерелаSu, Xinran. "The Retrospect and Prospect of GaN-Based Schottky Diode." Journal of Physics: Conference Series 2381, no. 1 (December 1, 2022): 012119. http://dx.doi.org/10.1088/1742-6596/2381/1/012119.
Повний текст джерелаCheng, Liwen, Zhenwei Li, Jiayi Zhang, Xingyu Lin, Da Yang, Haitao Chen, Shudong Wu, and Shun Yao. "Advantages of InGaN–GaN–InGaN Delta Barriers for InGaN-Based Laser Diodes." Nanomaterials 11, no. 8 (August 15, 2021): 2070. http://dx.doi.org/10.3390/nano11082070.
Повний текст джерелаSabui, Gourab, Vitaly Z. Zubialevich, Mary White, Pietro Pampili, Peter J. Parbrook, Mathew McLaren, Miryam Arredondo-Arechavala, and Z. John Shen. "GaN Nanowire Schottky Barrier Diodes." IEEE Transactions on Electron Devices 64, no. 5 (May 2017): 2283–90. http://dx.doi.org/10.1109/ted.2017.2679727.
Повний текст джерелаJiang, Lingrong, Jianping Liu, Aiqin Tian, Yang Cheng, Zengcheng Li, Liqun Zhang, Shuming Zhang, Deyao Li, M. Ikeda, and Hui Yang. "GaN-based green laser diodes." Journal of Semiconductors 37, no. 11 (November 2016): 111001. http://dx.doi.org/10.1088/1674-4926/37/11/111001.
Повний текст джерелаKim, Jihyun, B. P. Gila, G. Y. Chung, C. R. Abernathy, S. J. Pearton, and F. Ren. "Hydrogen-sensitive GaN Schottky diodes." Solid-State Electronics 47, no. 6 (June 2003): 1069–73. http://dx.doi.org/10.1016/s0038-1101(02)00485-9.
Повний текст джерелаJin, S. X., J. Li, J. Z. Li, J. Y. Lin, and H. X. Jiang. "GaN microdisk light emitting diodes." Applied Physics Letters 76, no. 5 (January 31, 2000): 631–33. http://dx.doi.org/10.1063/1.125841.
Повний текст джерелаNagatomo, Takao, and H. Saitou. "Electroluminescence of GaN pn Diodes." Materials Science Forum 264-268 (February 1998): 1429–32. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.264-268.1429.
Повний текст джерелаMiyajima, Takao, Tsuyoshi Tojyo, Takeharu Asano, Katsunori Yanashima, Satoru Kijima, Tomonori Hino, Motonobu Takeya, et al. "GaN-based blue laser diodes." Journal of Physics: Condensed Matter 13, no. 32 (July 26, 2001): 7099–114. http://dx.doi.org/10.1088/0953-8984/13/32/315.
Повний текст джерелаTan, C. K., Azlan Abdul Aziz, F. K. Yam, C. W. Lim, Hassan Zainuriah, and A. Y. Hudeish. "Effect of Thermal Treatment for Pd and PdSi Schottky Contacts on p-GaN." Materials Science Forum 517 (June 2006): 242–46. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.517.242.
Повний текст джерелаWang, Lei, M. I. Nathan, T‐H Lim, M. A. Khan, and Q. Chen. "High barrier height GaN Schottky diodes: Pt/GaN and Pd/GaN." Applied Physics Letters 68, no. 9 (February 26, 1996): 1267–69. http://dx.doi.org/10.1063/1.115948.
Повний текст джерелаGórecki, Krzysztof, and Paweł Górecki. "Compact electrothermal model of laboratory made GaN Schottky diodes." Microelectronics International 37, no. 2 (January 17, 2020): 95–102. http://dx.doi.org/10.1108/mi-11-2019-0068.
Повний текст джерелаKoike, Masayoshi, Shiro Yamasaki, Yuta Tezen, Seiji Nagai, Sho Iwayama, and Akira Kojima. "Room Temperature CW Operation of GaN-based Blue Laser Diodes by GaInN/GaN optical guiding layers." MRS Internet Journal of Nitride Semiconductor Research 5, S1 (2000): 1–7. http://dx.doi.org/10.1557/s1092578300004002.
Повний текст джерелаRackauskas, B., S. Dalcanale, M. J. Uren, T. Kachi, and M. Kuball. "Leakage mechanisms in GaN-on-GaN vertical pn diodes." Applied Physics Letters 112, no. 23 (June 4, 2018): 233501. http://dx.doi.org/10.1063/1.5033436.
Повний текст джерелаLiu, Xinke, Hong Gu, Kuilong Li, Jianfeng Wang, Lei Wang, Hao-Chung Kuo, Wenjun Liu, et al. "GaN Schottky Barrier Diodes on Free-Standing GaN Wafer." ECS Journal of Solid State Science and Technology 6, no. 10 (2017): N216—N220. http://dx.doi.org/10.1149/2.0261710jss.
Повний текст джерелаPeri, Prudhvi, Kai Fu, Yuji Zhao, and David J. Smith. "Characterization of Etched and Grown GaN-GaN Schottky Diodes." Microscopy and Microanalysis 25, S2 (August 2019): 2240–41. http://dx.doi.org/10.1017/s1431927619011930.
Повний текст джерелаKhachariya, Dolar, Dennis Szymanski, Pramod Reddy, Erhard Kohn, Zlatko Sitar, Ramón Collazo, and Spyridon Pavlidis. "Schottky contacts to N-polar GaN with SiN interlayer for elevated temperature operation." Applied Physics Letters 120, no. 17 (April 25, 2022): 172109. http://dx.doi.org/10.1063/5.0083588.
Повний текст джерелаKey, Daryl, Edward Letts, Chuan-Wei Tsou, Mi-Hee Ji, Marzieh Bakhtiary-Noodeh, Theeradetch Detchprohm, Shyh-Chiang Shen, Russell Dupuis, and Tadao Hashimoto. "Structural and Electrical Characterization of 2” Ammonothermal Free-Standing GaN Wafers. Progress toward Pilot Production." Materials 12, no. 12 (June 14, 2019): 1925. http://dx.doi.org/10.3390/ma12121925.
Повний текст джерелаDeguchi, T., T. Azuhata, T. Sota, S. Chichibu, and S. Nakamura. "Gain spectra in cw InGaN/GaN MQW laser diodes." Materials Science and Engineering: B 50, no. 1-3 (December 1997): 251–55. http://dx.doi.org/10.1016/s0921-5107(97)00186-4.
Повний текст джерелаMohs, G., T. Aoki, R. Shimano, M. Kuwata-Gonokami, and S. Nakamura. "On the gain mechanism in GaN based laser diodes." Solid State Communications 108, no. 2 (August 1998): 105–9. http://dx.doi.org/10.1016/s0038-1098(98)00309-3.
Повний текст джерелаCHUAH, L. S., Z. HASSAN, H. ABU HASSAN, F. K. YAM, C. W. CHIN, and S. M. THAHAB. "BARRIER HEIGHT ENHANCED GaN SCHOTTKY DIODES USING A THIN AlN SURFACE LAYER." International Journal of Modern Physics B 22, no. 29 (November 20, 2008): 5167–73. http://dx.doi.org/10.1142/s0217979208048711.
Повний текст джерелаYatskiv, Roman, Karel Zdansky, and Jan Grym. "Hydrogen Detection with Semimetal Graphite-ZnO (InP,GaN) Schottky Diodes." Key Engineering Materials 543 (March 2013): 159–62. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/kem.543.159.
Повний текст джерелаZhou, Yuhao, Qianshu Wu, Qi Zhang, Chengzhang Li, Jinwei Zhang, Zhenxing Liu, Ke Zhang, and Yang Liu. "Numerical analysis of the GaN trench MIS barrier Schottky diodes with high dielectric reliability and surge current capability." AIP Advances 12, no. 6 (June 1, 2022): 065117. http://dx.doi.org/10.1063/5.0098669.
Повний текст джерелаHansen, Monica, Paul Fini, Lijie Zhao, Amber Abare, Larry A. Coldren, James S. Speck, and Steven P. DenBaars. "Improved Characteristics of InGaN Multi-Quantum-Well Laser Diodes Grown on Laterally Epitaxially Overgrown GaN on Sapphire." MRS Internet Journal of Nitride Semiconductor Research 5, S1 (2000): 8–13. http://dx.doi.org/10.1557/s1092578300004014.
Повний текст джерелаDIDUCK, QUENTIN, IAN WALSH, DUBRAVKO BABIĆ, and LESTER F. EASTMAN. "NOVEL HIGH TEMPERATURE ANNEALED SCHOTTKY METAL FOR GaN DEVICES." International Journal of High Speed Electronics and Systems 20, no. 03 (September 2011): 417–22. http://dx.doi.org/10.1142/s0129156411006702.
Повний текст джерелаPanda, Pranati, Satya Narayan Padhi, and Gana Nath Dash. "Comparative Assessment of GaN as a Microwave Source with Si and SiC for Mixed Mode Operation at Submillimetre Wave Band of Frequency." International Journal of Microwave Science and Technology 2016 (February 14, 2016): 1–9. http://dx.doi.org/10.1155/2016/4370345.
Повний текст джерелаHatakoshi, Gen-ichi, Masaaki Onomura, Masahiro Yamamoto, Shin-ya Nunoue, Kazuhiko Itaya, and Masayuki Ishikawa. "Thermal Analysis for GaN Laser Diodes." Japanese Journal of Applied Physics 38, Part 1, No. 5A (May 15, 1999): 2764–68. http://dx.doi.org/10.1143/jjap.38.2764.
Повний текст джерелаYang, Hui, L. X. Zheng, J. B. Li, X. J. Wang, D. P. Xu, Y. T. Wang, X. W. Hu, and P. D. Han. "Cubic-phase GaN light-emitting diodes." Applied Physics Letters 74, no. 17 (April 26, 1999): 2498–500. http://dx.doi.org/10.1063/1.123019.
Повний текст джерелаKoehler, Andrew D., Travis J. Anderson, Marko J. Tadjer, Anindya Nath, Boris N. Feigelson, David I. Shahin, Karl D. Hobart, and Francis J. Kub. "Vertical GaN Junction Barrier Schottky Diodes." ECS Journal of Solid State Science and Technology 6, no. 1 (December 14, 2016): Q10—Q12. http://dx.doi.org/10.1149/2.0041701jss.
Повний текст джерелаMohammad, S. N., Z. Fan, A. E. Botchkarev, W. Kim, O. Aktas, A. Salvador, and H. Morkoç. "Near-ideal platinum-GaN Schottky diodes." Electronics Letters 32, no. 6 (1996): 598. http://dx.doi.org/10.1049/el:19960354.
Повний текст джерелаKizilyalli, Isik C., Andrew P. Edwards, Hui Nie, Dave Bour, Thomas Prunty, and Don Disney. "3.7 kV Vertical GaN PN Diodes." IEEE Electron Device Letters 35, no. 2 (February 2014): 247–49. http://dx.doi.org/10.1109/led.2013.2294175.
Повний текст джерела