Статті в журналах з теми "GaN/AlN/Si"
Оформте джерело за APA, MLA, Chicago, Harvard та іншими стилями
Ознайомтеся з топ-50 статей у журналах для дослідження на тему "GaN/AlN/Si".
Біля кожної праці в переліку літератури доступна кнопка «Додати до бібліографії». Скористайтеся нею – і ми автоматично оформимо бібліографічне посилання на обрану працю в потрібному вам стилі цитування: APA, MLA, «Гарвард», «Чикаго», «Ванкувер» тощо.
Також ви можете завантажити повний текст наукової публікації у форматі «.pdf» та прочитати онлайн анотацію до роботи, якщо відповідні параметри наявні в метаданих.
Переглядайте статті в журналах для різних дисциплін та оформлюйте правильно вашу бібліографію.
Середин, П. В., К. А. Барков, Д. Л. Голощапов, А. С. Леньшин, Ю. Ю. Худяков, И. Н. Арсентьев, А. А. Лебедев та ін. "Влияние предобработки подложки кремния на свойства пленок GaN, выращенных методом хлорид-гидридной газофазной эпитаксии". Физика и техника полупроводников 55, № 8 (2021): 704. http://dx.doi.org/10.21883/ftp.2021.08.51144.9660.
Повний текст джерелаYang, Yibin, Lingxia Zhang, and Yu Zhao. "Light Output Enhancement of GaN-Based Light-Emitting Diodes Based on AlN/GaN Distributed Bragg Reflectors Grown on Si (111) Substrates." Crystals 10, no. 9 (September 1, 2020): 772. http://dx.doi.org/10.3390/cryst10090772.
Повний текст джерелаКукушкин, С. А., А. В. Осипов, В. Н. Бессолов, Е. В. Коненкова та В. Н. Пантелеев. "Остановка и разворот дислокаций несоответствия при росте нитрида галлия на подложках SiC/Si". Физика твердого тела 59, № 4 (2017): 660. http://dx.doi.org/10.21883/ftt.2017.04.44266.287.
Повний текст джерелаБессолов, В. Н., Е. В. Гущина, Е. В. Коненкова, С. Д. Коненков, Т. В. Львова, В. Н. Пантелеев та М. П. Щеглов. "Синтез гексагональных слоев AlN и GaN на Si(100)-подложке методом хлоридной газофазной эпитаксии". Журнал технической физики 89, № 4 (2019): 574. http://dx.doi.org/10.21883/jtf.2019.04.47315.152-18.
Повний текст джерелаGoswami, Ramasis, Syed Qadri, Neeraj Nepal, and Charles Eddy. "Microstructure and Interfaces of Ultra-Thin Epitaxial AlN Films Grown by Plasma-Enhanced Atomic Layer Deposition at Relatively Low Temperatures." Coatings 11, no. 4 (April 20, 2021): 482. http://dx.doi.org/10.3390/coatings11040482.
Повний текст джерелаNikishin, Sergey A., Nikolai N. Faleev, Vladimir G. Antipov, Sebastien Francoeur, Luis Grave de Peralta, George A. Seryogin, Mark Holtz, et al. "High Quality AlN and GaN Grown on Si(111) by Gas Source Molecular Beam Epitaxy with Ammonia." MRS Internet Journal of Nitride Semiconductor Research 5, S1 (2000): 467–73. http://dx.doi.org/10.1557/s1092578300004658.
Повний текст джерелаTajalli, Alaleh, Matteo Borga, Matteo Meneghini, Carlo De Santi, Davide Benazzi, Sven Besendörfer, Roland Püsche, et al. "Vertical Leakage in GaN-on-Si Stacks Investigated by a Buffer Decomposition Experiment." Micromachines 11, no. 1 (January 17, 2020): 101. http://dx.doi.org/10.3390/mi11010101.
Повний текст джерелаFollstaedt, D. M., J. Han, P. Provencio, and J. G. Fleming. "Microstructure of GaN Grown on (111) Si by MOCVD." MRS Internet Journal of Nitride Semiconductor Research 4, S1 (1999): 397–402. http://dx.doi.org/10.1557/s1092578300002787.
Повний текст джерелаVashishtha, Pargam, Pukhraj Prajapat, Lalit Goswami, Aditya Yadav, Akhilesh Pandey, and Govind Gupta. "Stress-Relaxed AlN-Buffer-Oriented GaN-Nano-Obelisks-Based High-Performance UV Photodetector." Electronic Materials 3, no. 4 (December 9, 2022): 357–67. http://dx.doi.org/10.3390/electronicmat3040029.
Повний текст джерелаМизеров, А. М., С. А. Кукушкин, Ш. Ш. Шарофидинов, А. В. Осипов, С. Н. Тимошнев, К. Ю. Шубина, Т. Н. Березовская, Д. В. Мохов та А. Д. Буравлев. "Метод управления полярностью слоев GaN при эпитаксиальном синтезе GaN/AlN гетероструктур на гибридных подложках SiC/Si". Физика твердого тела 61, № 12 (2019): 2289. http://dx.doi.org/10.21883/ftt.2019.12.48535.06ks.
Повний текст джерелаYamaoka, Yuya, Kazuhiro Ito, Akinori Ubukata, Toshiya Tabuchi, Koh Matsumoto, and Takashi Egawa. "Effect of the formation temperature of the AlN/Si interface on the vertical-direction breakdown voltages of AlGaN/GaN HEMTs on Si substrates." MRS Advances 1, no. 50 (2016): 3415–20. http://dx.doi.org/10.1557/adv.2016.431.
Повний текст джерелаMao, Zhigang, Stuart McKernan, C. Barry Carter, Wei Yang, and Scott A. McPherson. "Defects in GaN Pyramids Grown on Si(111) Substrates by Selective Lateral Overgrowth." MRS Internet Journal of Nitride Semiconductor Research 4, S1 (1999): 179–84. http://dx.doi.org/10.1557/s1092578300002428.
Повний текст джерелаSerban, Andreea, Vladimir Ene, Doru Dinescu, Iulia Zai, Nikolay Djourelov, Bogdan Vasile, and Victor Leca. "Studies of Defect Structure in Epitaxial AlN/GaN Films Grown on (111) 3C-SiC." Nanomaterials 11, no. 5 (May 14, 2021): 1299. http://dx.doi.org/10.3390/nano11051299.
Повний текст джерелаAbe, Yoshihisa, Jun Komiyama, Toshiyuki Isshiki, Shunichi Suzuki, Akira Yoshida, Hiroshi Ohishi, and Hideo Nakanishi. "Semipolar Nitrides Grown on Si(001) Offcut Substrates with 3C-SiC Buffer Layers." Materials Science Forum 600-603 (September 2008): 1281–84. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.600-603.1281.
Повний текст джерелаZhang, Kang, Tai Ping Lu, and Shu Ti Li. "Influence of the Quality of AlN Buffer Layer on the Quality of GaN Epitaxial Layer on Silicon Substrate." Advanced Materials Research 306-307 (August 2011): 201–5. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/amr.306-307.201.
Повний текст джерелаБессолов, В. Н., Е. В. Коненкова, С. Н. Родин, Д. С. Кибалов та В. К. Смирнов. "Образование полуполярных III-нитридных слоев на поверхности Si(100), структурированной с помощью самоформирующейся наномаски". Физика и техника полупроводников 55, № 4 (2021): 356. http://dx.doi.org/10.21883/ftp.2021.04.50740.9562.
Повний текст джерелаБессолов, В. Н., Е. В. Коненкова, С. Н. Родин, Д. С. Кибалов та В. К. Смирнов. "Образование полуполярных III-нитридных слоев на поверхности Si(100), структурированной с помощью самоформирующейся наномаски". Физика и техника полупроводников 55, № 4 (2021): 356. http://dx.doi.org/10.21883/ftp.2021.04.50740.9562.
Повний текст джерелаAbgaryan, Karine, Ilya Mutigullin, and Dmitriy Bazhanov. "Multiscale Computational Model of Nitride Semiconductor Nanostructures." Advanced Materials Research 560-561 (August 2012): 1133–37. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/amr.560-561.1133.
Повний текст джерелаКукушкин, С. А., та Ш. Ш. Шарофидинов. "Новый метод получения объемных кристаллов AlN, GaN и AlGaN с использованием гибридных подложек SiC/Si". Физика твердого тела 61, № 12 (2019): 2338. http://dx.doi.org/10.21883/ftt.2019.12.48549.51ks.
Повний текст джерелаCHUAH, L. S., Z. HASSAN, and H. ABU HASSAN. "ELECTRICAL RESISTANCE OF CRACK-FREE GaN/AlN HETEROSTRUCTURE GROWN ON Si(111)." Journal of Nonlinear Optical Physics & Materials 17, no. 03 (September 2008): 299–304. http://dx.doi.org/10.1142/s021886350800424x.
Повний текст джерелаDavis, Robert F., T. Gehrke, K. J. Linthicum, T. S. Zheleva, P. Rajagopal, C. A. Zorman, and M. Mehregany. "Pendeo-epitaxial Growth and Characterization of GaN and related Materials on 6H-SiC(0001) and Si(111) Substrates." MRS Internet Journal of Nitride Semiconductor Research 5, S1 (2000): 49–61. http://dx.doi.org/10.1557/s1092578300004075.
Повний текст джерелаMahyuddin, A., A. Azrina, M. Z. Mohd Yusoff, and Z. Hassan. "Fabrication and characterization of AlN metal–insulator–semiconductor grown Si substrate." Modern Physics Letters B 31, no. 33 (November 27, 2017): 1750313. http://dx.doi.org/10.1142/s0217984917503134.
Повний текст джерелаKim, Sang-Jo, Semi Oh, Kwang-Jae Lee, Sohyeon Kim, and Kyoung-Kook Kim. "Improved Performance of GaN-Based Light-Emitting Diodes Grown on Si (111) Substrates with NH3 Growth Interruption." Micromachines 12, no. 4 (April 5, 2021): 399. http://dx.doi.org/10.3390/mi12040399.
Повний текст джерелаShen, Xu-Qiang, Tokio Takahashi, Hirofumi Matsuhata, Toshihide Ide, and Mitsuaki Shimizu. "Self-generated microcracks in an ultra-thin AlN/GaN superlattice interlayer and their influences on the GaN epilayer grown on Si(110) substrates by metal–organic chemical vapor deposition." CrystEngComm 17, no. 27 (2015): 5014–18. http://dx.doi.org/10.1039/c5ce00929d.
Повний текст джерелаБессолов, В. Н., Е. В. Коненкова та С. Н. Родин. "Начальные стадии роста слоя GaN(11\=22) на наноструктурированной подложке Si(113)". Физика и техника полупроводников 57, № 1 (2023): 3. http://dx.doi.org/10.21883/ftp.2023.01.54923.3994.
Повний текст джерелаArifin, Pepen, Heri Sutanto, Sugianto, and Agus Subagio. "Plasma-Assisted MOCVD Growth of Non-Polar GaN and AlGaN on Si(111) Substrates Utilizing GaN-AlN Buffer Layer." Coatings 12, no. 1 (January 14, 2022): 94. http://dx.doi.org/10.3390/coatings12010094.
Повний текст джерелаZhang, Zhenzhuo, Jing Yang, Degang Zhao, Baibin Wang, Yuheng Zhang, Feng Liang, Ping Chen, Zongshun Liu, and Yuhao Ben. "The melt-back etching effect of the residual Ga in the reactor for GaN grown on (111) Si." AIP Advances 12, no. 9 (September 1, 2022): 095106. http://dx.doi.org/10.1063/5.0105524.
Повний текст джерелаLiu, Wei-Sheng, Balaji Gururajan, Sui-Hua Wu, Li-Cheng Huang, Chung-Kai Chi, Yu-Lun Jiang, and Hsing-Chun Kuo. "Optimal Growth Conditions for Forming c-Axis (002) Aluminum Nitride Thin Films as a Buffer Layer for Hexagonal Gallium Nitride Thin Films Produced with In Situ Continual Radio Frequency Sputtering." Micromachines 13, no. 9 (September 17, 2022): 1546. http://dx.doi.org/10.3390/mi13091546.
Повний текст джерелаXie, Hanlin, Zhihong Liu, Wenrui Hu, Yu Gao, Hui Teng Tan, Kenneth E. Lee, Yong-Xin Guo, Jincheng Zhang, Yue Hao, and Geok Ing Ng. "AlN/GaN MISHEMTs on Si with in-situ SiN as a gate dielectric for power amplifiers in mobile SoCs." Applied Physics Express 15, no. 1 (December 22, 2021): 016503. http://dx.doi.org/10.35848/1882-0786/ac428b.
Повний текст джерелаWang, Wenliang, Yunhao Lin, Yuan Li, Xiaochan Li, Liegen Huang, Yulin Zheng, Zhiting Lin, Haiyan Wang, and Guoqiang Li. "High-efficiency vertical-structure GaN-based light-emitting diodes on Si substrates." Journal of Materials Chemistry C 6, no. 7 (2018): 1642–50. http://dx.doi.org/10.1039/c7tc04478j.
Повний текст джерелаTiwari, Ashutosh, M. Park, C. Jin, H. Wang, D. Kumar, and J. Narayan. "Epitaxial growth of ZnO films on Si(111)." Journal of Materials Research 17, no. 10 (October 2002): 2480–83. http://dx.doi.org/10.1557/jmr.2002.0361.
Повний текст джерелаCHUAH, L. S., Z. HASSAN, and H. ABU HASSAN. "INFLUENCE OF Al MONOLAYERS ON THE PROPERTIES OF AlN LAYERS ON Si (111)." Surface Review and Letters 16, no. 01 (February 2009): 99–103. http://dx.doi.org/10.1142/s0218625x09012354.
Повний текст джерелаRoshko, Alexana, Matt Brubaker, Paul Blanchard, Todd Harvey, and Kris Bertness. "Selective Area Growth and Structural Characterization of GaN Nanostructures on Si(111) Substrates." Crystals 8, no. 9 (September 16, 2018): 366. http://dx.doi.org/10.3390/cryst8090366.
Повний текст джерелаMOHD YUSOFF, M. Z., Z. HASSAN, C. W. CHIN, H. ABU HASSAN, M. J. ABDULLAH, N. N. MOHAMMAD, M. A. AHMAD, and Y. YUSOF. "THE STUDY OF Al0.29Ga0.71N-BASED SCHOTTKY PHOTODIODES GROWN ON SILICON BY PLASMA-ASSISTED MOLECULAR BEAM EPITAXY." Modern Physics Letters B 27, no. 12 (April 22, 2013): 1350085. http://dx.doi.org/10.1142/s0217984913500851.
Повний текст джерелаBlumberg, C., F. Wefers, F. J. Tegude, N. Weimann, and W. Prost. "Mask-less MOVPE of arrayed n-GaN nanowires on site- and polarity-controlled AlN/Si templates." CrystEngComm 21, no. 48 (2019): 7476–88. http://dx.doi.org/10.1039/c9ce01151j.
Повний текст джерелаCHUAH, L. S., S. M. THAHAB, and Z. HASSAN. "GaN ON SILICON SUBSTRATE WITH AlN BUFFER LAYER FOR UV PHOTODIODE." Journal of Nonlinear Optical Physics & Materials 21, no. 01 (March 2012): 1250014. http://dx.doi.org/10.1142/s0218863512500142.
Повний текст джерелаDugar, Palak, Mahesh Kumar, Shibin Krishna T. C., Neha Aggarwal, and Govind Gupta. "Carrier relaxation dynamics in defect states of epitaxial GaN/AlN/Si using ultrafast transient absorption spectroscopy." RSC Advances 5, no. 102 (2015): 83969–75. http://dx.doi.org/10.1039/c5ra10877b.
Повний текст джерелаBessolov V. N., Konenkova E. V., and Rodin S. N. "Initial stages of growth of the GaN(11\=22) layer on a nano-structured Si(113) substrate." Semiconductors 57, no. 1 (2023): 3. http://dx.doi.org/10.21883/sc.2023.01.55614.3994.
Повний текст джерелаCao, X. A., S. J. Pearton, R. K. Singh, C. R. Abernathy, J. Han, R. J. Shul, D. J. Rieger, et al. "Rapid Thermal Processing of Implanted GaN up to 1500°C." MRS Internet Journal of Nitride Semiconductor Research 4, S1 (1999): 671–77. http://dx.doi.org/10.1557/s1092578300003239.
Повний текст джерелаSong, Chunyan, Xuelin Yang, Panfeng Ji, Jun Tang, Shan Wu, Yue Xu, Ali Imran, et al. "Impact of Silicon Substrate with Low Resistivity on Vertical Leakage Current in AlGaN/GaN HEMTs." Applied Sciences 9, no. 11 (June 11, 2019): 2373. http://dx.doi.org/10.3390/app9112373.
Повний текст джерелаPiner, E. L., D. M. Keogh, J. S. Flynn, and J. M. Redwing. "AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistor Structure Design and Effects on Electrical Properties." MRS Internet Journal of Nitride Semiconductor Research 5, S1 (2000): 349–54. http://dx.doi.org/10.1557/s109257830000449x.
Повний текст джерелаPezoldt, Jörg, Rolf Grieseler, Thorsten Schupp, Donat J. As, and Peter Schaaf. "Mechanical Properties of Cubic SiC, GaN and AlN Thin Films." Materials Science Forum 717-720 (May 2012): 513–16. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.717-720.513.
Повний текст джерелаZhang, Wenli, Zhengyang Liu, Fred Lee, Shuojie She, Xiucheng Huang, and Qiang Li. "A Gallium Nitride-Based Power Module for Totem-Pole Bridgeless Power Factor Correction Rectifier." International Symposium on Microelectronics 2015, no. 1 (October 1, 2015): 000324–29. http://dx.doi.org/10.4071/isom-2015-wp11.
Повний текст джерелаWośko, Mateusz, Bogdan Paszkiewicz, Andrej Vincze, Tomasz Szymański, and Regina Paszkiewicz. "GaN/AlN superlattice high electron mobility transistor heterostructures on GaN/Si(111)." physica status solidi (b) 252, no. 5 (January 21, 2015): 1195–200. http://dx.doi.org/10.1002/pssb.201451596.
Повний текст джерелаHsu, Lung-Hsing, Yung-Yu Lai, Po-Tsung Tu, Catherine Langpoklakpam, Ya-Ting Chang, Yu-Wen Huang, Wen-Chung Lee, et al. "Development of GaN HEMTs Fabricated on Silicon, Silicon-on-Insulator, and Engineered Substrates and the Heterogeneous Integration." Micromachines 12, no. 10 (September 27, 2021): 1159. http://dx.doi.org/10.3390/mi12101159.
Повний текст джерелаLee, Jae-Hoon, and Jung-Hee Lee. "Growth and Device Performance of AlGaN/GaN Heterostructure with AlSiC Precoverage on Silicon Substrate." Advances in Materials Science and Engineering 2014 (2014): 1–6. http://dx.doi.org/10.1155/2014/290646.
Повний текст джерелаBolshakov, Alexey D., Alexey M. Mozharov, Georgiy A. Sapunov, Igor V. Shtrom, Nickolay V. Sibirev, Vladimir V. Fedorov, Evgeniy V. Ubyivovk, Maria Tchernycheva, George E. Cirlin, and Ivan S. Mukhin. "Dopant-stimulated growth of GaN nanotube-like nanostructures on Si(111) by molecular beam epitaxy." Beilstein Journal of Nanotechnology 9 (January 15, 2018): 146–54. http://dx.doi.org/10.3762/bjnano.9.17.
Повний текст джерелаEne, Vladimir Lucian, Doru Dinescu, Nikolay Djourelov, Iulia Zai, Bogdan Stefan Vasile, Andreea Bianca Serban, Victor Leca, and Ecaterina Andronescu. "Defect Structure Determination of GaN Films in GaN/AlN/Si Heterostructures by HR-TEM, XRD, and Slow Positrons Experiments." Nanomaterials 10, no. 2 (January 23, 2020): 197. http://dx.doi.org/10.3390/nano10020197.
Повний текст джерелаMohd Yusoff, M. Z., A. Mahyuddin, Z. Hassan, Y. Yusof, M. A. Ahmad, C. W. Chin, H. Abu Hassan, and M. J. Abdullah. "Plasma-assisted MBE growth of AlN/GaN/AlN heterostructures on Si (111) substrate." Superlattices and Microstructures 60 (August 2013): 500–507. http://dx.doi.org/10.1016/j.spmi.2013.05.034.
Повний текст джерелаSánchez, A. M., F. J. Pacheco, S. I. Molina, P. Ruterana, F. Calle, T. A. Palacios, M. A. Sánchez-Garcı́a, E. Calleja, and R. Garcı́a. "AlN buffer layer thickness influence on inversion domains in GaN/AlN/Si(111)." Materials Science and Engineering: B 93, no. 1-3 (May 2002): 181–84. http://dx.doi.org/10.1016/s0921-5107(02)00030-2.
Повний текст джерела