Книги з теми "Gallium nitride"

Щоб переглянути інші типи публікацій з цієї теми, перейдіть за посиланням: Gallium nitride.

Оформте джерело за APA, MLA, Chicago, Harvard та іншими стилями

Оберіть тип джерела:

Ознайомтеся з топ-50 книг для дослідження на тему "Gallium nitride".

Біля кожної праці в переліку літератури доступна кнопка «Додати до бібліографії». Скористайтеся нею – і ми автоматично оформимо бібліографічне посилання на обрану працю в потрібному вам стилі цитування: APA, MLA, «Гарвард», «Чикаго», «Ванкувер» тощо.

Також ви можете завантажити повний текст наукової публікації у форматі «.pdf» та прочитати онлайн анотацію до роботи, якщо відповідні параметри наявні в метаданих.

Переглядайте книги для різних дисциплін та оформлюйте правильно вашу бібліографію.

1

Quay, Rüdiger. Gallium nitride electronics. Berlin: Springer, 2008.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
2

1922-, Pankove Jacques I., and Moustakas T. D, eds. Gallium nitride (GaN). San Diego: Academic Press, 1998.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
3

1922-, Pankove Jacques I., Moustakas T. D, and Willardson Robert K, eds. Gallium nitride (GaN) II. San Diego: Academic Press, 1999.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
4

Feenstra, Randall M., and Colin E. C. Wood, eds. Porous Silicon Carbide and Gallium Nitride. Chichester, UK: John Wiley & Sons, Ltd, 2008. http://dx.doi.org/10.1002/9780470751817.

Повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
5

Ehrentraut, Dirk, Elke Meissner, and Michal Bockowski, eds. Technology of Gallium Nitride Crystal Growth. Berlin, Heidelberg: Springer Berlin Heidelberg, 2010. http://dx.doi.org/10.1007/978-3-642-04830-2.

Повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
6

Ehrentraut, Dirk, Elke Meissner, and Michal Bockowski. Technology of gallium nitride crystal growth. Heidelberg: Springer, 2010.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
7

Michael, Shur, and Davis Robert F. 1942-, eds. GaN-based materials and devices: Growth, fabrication, characterization and performance. Singapore: World Scientific, 2004.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
8

Chuan, Feng Zhe, ed. III-nitride devices and nanoengineering. London: Imperial College Press, 2008.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
9

B, Gil, ed. Low-dimensional nitride semiconductors. Oxford: Oxford University Press, 2002.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
10

International Conference on Nitride Semiconductors (4th 2001 Denver, Colo.). ICNS-4: Fourth International Conference on Nitride Semiconductors, Denver, Colorado, USA, 2001 : proceedings. Berlin: Wiley-VCH, 2002.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
11

Vserossiĭskoe soveshchanie "Nitridy gallii︠a︡, indii︠a︡ i ali︠u︡minii︠a︡--struktury i pribory" (2nd 1998 St. Petersburg, Russia). Nitridy gallii︠a︡, indii︠a︡ i ali︠u︡minii︠a︡--struktury i pribory: Materialy 2-go vserossiĭskogo soveshchanii︠a︡, 2 ii︠u︡nii︠a︡ 1998 g., Sankt-Peterburgskiĭ gosudarstvennyĭ tekhnicheskiĭ universitet = Gallium nitride, indium nitride, aluminum nitride--structures and devices : technical digest : the 2nd Russian Workshop, June 2, 1998, St.-Petersburg State Technical University. Sankt-Peterburg: Sankt-Peterburgskiĭ gos. tekhn. universitet, 1998.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
12

International, Workshop on Nitride Semiconductors (2000 Nagoya Japan). IWN Nagoya 2000: International Workshop on Nitride Semiconductors : IWN2000 : September 24-27, 2000, Nagoya Congress Center, Nagoya, Japan. Tokyo: Institute of Pure and Applied Physics, 2000.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
13

Conference on Semiconducting and Insulating Materials (9th 1996 Toulouse, France). Semiconducting and insulating materials 1996: Proceedings of the 9th Conference on Semiconducting and Insulating Materials (SIMC'9), April 29/May 3, 1996, Toulouse, France. New York: Institute of Electrical and Electronics Engineers, 1996.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
14

International Symposium on Gallium Nitride and Related Materials (1st 1995 Boston, Mass.). Gallium nitride and related materials: The First International Symposium on Gallium Nitride and Related Materials held November 27-December 1, 1995, Boston, Massachusetts, U.S.A. Edited by Ponce Fernando A. Pittsburgh, Pa: Materials Research Society, 1996.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
15

Yao, Takafumi. Oxide and nitride semiconductors: Processing, properties, and applications. Berlin: Springer, 2009.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
16

Materials Research Society. Meeting Symposium C. Advances in GaN, GaAs, SiC and related alloys on silicon substrates: Symposium held March 24-28, 2008, San Francisco, California, U.S.A. Edited by Li Tingkai. Warrendale, Pa: Materials Research Society, 2008.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
17

Fong, Chee Yong. Sol-gel spin coating growth of gallium nitride thin films: A simple, safe, and cheap approach. Pulau Pinang: Penerbit Universiti Sains Malaysia, 2018.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
18

Meneghesso, Gaudenzio, Matteo Meneghini, and Enrico Zanoni, eds. Gallium Nitride-enabled High Frequency and High Efficiency Power Conversion. Cham: Springer International Publishing, 2018. http://dx.doi.org/10.1007/978-3-319-77994-2.

Повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
19

H, Edgar James, ed. Properties, processing and applications of gallium nitride and related semiconductors. London: INSPEC, 1999.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
20

Feenstra, Randall M. Porous silicon carbide and gallium nitride: Epitaxy, catalysis, and biotechnology applications. Chichester, England: John Wiley & Sons, 2008.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
21

Korbutowicz, Ryszard. Epitaksja grubych warstw azotku galu. Wrocław: Oficyna Wydawnicza Politechniki Wrocławskiej, 2008.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
22

Korbutowicz, Ryszard. Epitaksja grubych warstw azotku galu. Wrocław: Oficyna Wydawnicza Politechniki Wrocławskiej, 2008.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
23

W, Litton Cole, and Society of Photo-optical Instrumentation Engineers., eds. Gallium nitride materials and devices: 23-25 January 2006, San Jose, California, USA. Bellingham, Wash: SPIE, 2006.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
24

Symposium on GaN, AIN, InN and Related Materials (2005 Boston, Mass.). GaN, AIN, InN and related materials: Symposium held November 28-December 2, 2005, Boston, Massachusetts, U.S.A. Edited by Kuball Martin and Materials Research Society Meeting. Warrendale, Pa: Materials Research Society, 2006.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
25

Christian, Wetzel, ed. GaN and related alloys--2002: Symposium held December 2-6, 2002, Boston, Massachusetts, U.S.A. Warrendale, Pa: Materials Research Society, 2003.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
26

Conference on Semiconducting and Insulating Materials (11th 2000 Canberra, A.C.T.). SIMC-XI: 2000 International Semiconducting and Insulating Materials Conference : 3-7 July, 2000, the Australian National University, Canberra, Australia. Edited by Jagadish C and Welham N. J. Piscataway, NJ: IEEE, 2000.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
27

European, GaN Workshop (2nd 1997 Sophia-Antipolis France). EGW-2 proceedings: The Second European GaN Workshop, June 11-13, 1997, Valbonne Sophia-Antipolis, France. [S.l.]: Materials Research Society, 1997.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
28

European GaN Workshop (1st 1996 Rigi-Kaltbad, Switzerland). EGW-1 proceedings: The First European GaN Workshop held June 2-4, 1996, Rigi, Switzerland. Edited by Hellman Eric Sven, Kamp Markus, and Strite Toby. [S.l.]: Materials Research Society, 1997.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
29

European GaN Workshop (3rd 1998 Jadwisin, Poland). EGW-3 proceedings: The Third European GaN Workshop, held June 22-24 June 1998, Jadwisin, Poland. Edited by Krukowski Stanisław. Warrendale, PA: Materials Research Society, 1999.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
30

R, Abernathy C., Amano H, and Zolper J. C, eds. Gallium nitride and related materials II: Symposium held April 1-4, 1997, San Francisco, California, U.S.A. Pittsburgh, Pa: Materials Research Society, 1997.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
31

Szweda, Roy. Gallium nitride & related wide bandgap materials & devices: A market & technology overview 1996-2001. Oxford, UK: Elsevier Advanced Technology, 1997.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
32

Russell, D. The preparation and characterisation of gallium nitride and group III-V related compounds. Leicester: De Montfort University, 2003.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
33

Friedhelm, Bechstedt, Meyer B. K, Stutzmann M, and Deutsche Forschungsgemeinschaft, eds. Group III-nitrides and their heterostructures: Growth, characterization and applications. Weinheim: Wiley-VCH, 2003.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
34

Gallium Nitride Electronics. Berlin, Heidelberg: Springer Berlin Heidelberg, 2008. http://dx.doi.org/10.1007/978-3-540-71892-5.

Повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
35

Quay, Rüdiger. Gallium Nitride Electronics. Springer, 2010.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
36

Luminescence Studies of Ion-Implanted Gallium Nitride and Aluminum Gallium Nitride. Storming Media, 2003.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
37

Willardson, Robert K., Theodore D. Moustakas, Eicke R. Weber, and Jacques I. Pankove. Gallium Nitride (GaN) I. Elsevier Science & Technology Books, 1998.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
38

Yu, Hongyu, and Tianli Duan, eds. Gallium Nitride Power Devices. Jenny Stanford Publishing, 2017. http://dx.doi.org/10.1201/9781315196626.

Повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
39

Gallium Nitride (GaN) I. Elsevier, 1997. http://dx.doi.org/10.1016/s0080-8784(08)x6082-x.

Повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
40

Yu, HongYu, and Tianli Duan. Gallium Nitride Power Devices. Jenny Stanford Publishing, 2017.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
41

Yu, HongYu, and Tianli Duan. Gallium Nitride Power Devices. Taylor & Francis Group, 2017.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
42

Willardson, R. K., Theodore D. Moustakas, Eicke R. Weber, and Jacques I. Pankove. Gallium-Nitride (GaN) II. Elsevier Science & Technology Books, 1998.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
43

Yu, HongYu, and Tianli Duan. Gallium Nitride Power Devices. Jenny Stanford Publishing, 2017.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
44

Two-Dimensional Modeling of Aluminum Gallium Nitride/Gallium Nitride High Electron Mobility Transistor. Storming Media, 2002.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
45

(Editor), Jacques I. Pankove, and Theodore D. Moustakas (Editor), eds. Gallium Nitride 1,2 (Semiconductors & Semimetals). Academic Press, 1999.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
46

Medjdoub, Farid. Gallium Nitride: Physics, Devices, and Technology. Taylor & Francis Group, 2017.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
47

Medjdoub, Farid. Gallium Nitride: Physics, Devices, and Technology. Taylor & Francis Group, 2017.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
48

Tadjer, Marko, and Travis J. Anderson. Thermal Management of Gallium Nitride Electronics. Elsevier Science & Technology, 2022.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
49

Medjdoub, Farid. Gallium Nitride: Physics, Devices, and Technology. Taylor & Francis Group, 2017.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
50

Medjdoub, Farid. Gallium Nitride: Physics, Devices, and Technology. Taylor & Francis Group, 2017.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

До бібліографії