Книги з теми "Gallium nitrate"
Оформте джерело за APA, MLA, Chicago, Harvard та іншими стилями
Ознайомтеся з топ-50 книг для дослідження на тему "Gallium nitrate".
Біля кожної праці в переліку літератури доступна кнопка «Додати до бібліографії». Скористайтеся нею – і ми автоматично оформимо бібліографічне посилання на обрану працю в потрібному вам стилі цитування: APA, MLA, «Гарвард», «Чикаго», «Ванкувер» тощо.
Також ви можете завантажити повний текст наукової публікації у форматі «.pdf» та прочитати онлайн анотацію до роботи, якщо відповідні параметри наявні в метаданих.
Переглядайте книги для різних дисциплін та оформлюйте правильно вашу бібліографію.
Gallium nitride electronics. Berlin: Springer, 2008.
Знайти повний текст джерела1922-, Pankove Jacques I., Moustakas T. D, and Willardson Robert K, eds. Gallium nitride (GaN) II. San Diego: Academic Press, 1999.
Знайти повний текст джерелаTechnology of gallium nitride crystal growth. Heidelberg: Springer, 2010.
Знайти повний текст джерелаFeenstra, Randall M., and Colin E. C. Wood, eds. Porous Silicon Carbide and Gallium Nitride. Chichester, UK: John Wiley & Sons, Ltd, 2008. http://dx.doi.org/10.1002/9780470751817.
Повний текст джерелаEhrentraut, Dirk, Elke Meissner, and Michal Bockowski, eds. Technology of Gallium Nitride Crystal Growth. Berlin, Heidelberg: Springer Berlin Heidelberg, 2010. http://dx.doi.org/10.1007/978-3-642-04830-2.
Повний текст джерелаInternational Conference on Nitride Semiconductors (4th 2001 Denver, Colo.). ICNS-4: Fourth International Conference on Nitride Semiconductors, Denver, Colorado, USA, 2001 : proceedings. Berlin: Wiley-VCH, 2002.
Знайти повний текст джерелаConference on Semiconducting and Insulating Materials (9th 1996 Toulouse, France). Semiconducting and insulating materials 1996: Proceedings of the 9th Conference on Semiconducting and Insulating Materials (SIMC'9), April 29/May 3, 1996, Toulouse, France. New York: Institute of Electrical and Electronics Engineers, 1996.
Знайти повний текст джерелаB, Gil, ed. Low-dimensional nitride semiconductors. Oxford: Oxford University Press, 2002.
Знайти повний текст джерелаInternational, Workshop on Nitride Semiconductors (2000 Nagoya Japan). IWN Nagoya 2000: International Workshop on Nitride Semiconductors : IWN2000 : September 24-27, 2000, Nagoya Congress Center, Nagoya, Japan. Tokyo: Institute of Pure and Applied Physics, 2000.
Знайти повний текст джерелаA, Ponce Fernando, ed. Gallium nitride and related materials: The First International Symposium on Gallium Nitride and Related Materials held November 27-December 1, 1995, Boston, Massachusetts, U.S.A. Pittsburgh, Pa: Materials Research Society, 1996.
Знайти повний текст джерелаTingkai, Li, ed. Advances in GaN, GaAs, SiC and related alloys on silicon substrates: Symposium held March 24-28, 2008, San Francisco, California, U.S.A. Warrendale, Pa: Materials Research Society, 2008.
Знайти повний текст джерелаVserossiĭskoe soveshchanie "Nitridy gallii︠a︡, indii︠a︡ i ali︠u︡minii︠a︡--struktury i pribory" (2nd 1998 St. Petersburg, Russia). Nitridy gallii︠a︡, indii︠a︡ i ali︠u︡minii︠a︡--struktury i pribory: Materialy 2-go vserossiĭskogo soveshchanii︠a︡, 2 ii︠u︡nii︠a︡ 1998 g., Sankt-Peterburgskiĭ gosudarstvennyĭ tekhnicheskiĭ universitet = Gallium nitride, indium nitride, aluminum nitride--structures and devices : technical digest : the 2nd Russian Workshop, June 2, 1998, St.-Petersburg State Technical University. Sankt-Peterburg: Sankt-Peterburgskiĭ gos. tekhn. universitet, 1998.
Знайти повний текст джерелаOxide and nitride semiconductors: Processing, properties, and applications. Berlin: Springer, 2009.
Знайти повний текст джерелаMeneghesso, Gaudenzio, Matteo Meneghini, and Enrico Zanoni, eds. Gallium Nitride-enabled High Frequency and High Efficiency Power Conversion. Cham: Springer International Publishing, 2018. http://dx.doi.org/10.1007/978-3-319-77994-2.
Повний текст джерелаC, Wood Colin E., ed. Porous silicon carbide and gallium nitride: Epitaxy, catalysis, and biotechnology applications. Chichester, England: John Wiley & Sons, 2008.
Знайти повний текст джерелаSymposium on GaN, AIN, InN and Related Materials (2005 Boston, Mass.). GaN, AIN, InN and related materials: Symposium held November 28-December 2, 2005, Boston, Massachusetts, U.S.A. Edited by Kuball Martin and Materials Research Society Meeting. Warrendale, Pa: Materials Research Society, 2006.
Знайти повний текст джерелаW, Litton Cole, and Society of Photo-optical Instrumentation Engineers., eds. Gallium nitride materials and devices: 23-25 January 2006, San Jose, California, USA. Bellingham, Wash: SPIE, 2006.
Знайти повний текст джерелаKorbutowicz, Ryszard. Epitaksja grubych warstw azotku galu. Wrocław: Oficyna Wydawnicza Politechniki Wrocławskiej, 2008.
Знайти повний текст джерелаKorbutowicz, Ryszard. Epitaksja grubych warstw azotku galu. Wrocław: Oficyna Wydawnicza Politechniki Wrocławskiej, 2008.
Знайти повний текст джерелаConference on Semiconducting and Insulating Materials (11th 2000 Canberra, A.C.T.). SIMC-XI: 2000 International Semiconducting and Insulating Materials Conference : 3-7 July, 2000, the Australian National University, Canberra, Australia. Edited by Jagadish C and Welham N. J. Piscataway, NJ: IEEE, 2000.
Знайти повний текст джерелаEuropean GaN Workshop (1st 1996 Rigi-Kaltbad, Switzerland). EGW-1 proceedings: The First European GaN Workshop held June 2-4, 1996, Rigi, Switzerland. Edited by Hellman Eric Sven, Kamp Markus, and Strite Toby. [S.l.]: Materials Research Society, 1997.
Знайти повний текст джерелаEuropean, GaN Workshop (2nd 1997 Sophia-Antipolis France). EGW-2 proceedings: The Second European GaN Workshop, June 11-13, 1997, Valbonne Sophia-Antipolis, France. [S.l.]: Materials Research Society, 1997.
Знайти повний текст джерелаEuropean GaN Workshop (3rd 1998 Jadwisin, Poland). EGW-3 proceedings: The Third European GaN Workshop, held June 22-24 June 1998, Jadwisin, Poland. Edited by Krukowski Stanisław. Warrendale, PA: Materials Research Society, 1999.
Знайти повний текст джерелаRussell, D. The preparation and characterisation of gallium nitride and group III-V related compounds. Leicester: De Montfort University, 2003.
Знайти повний текст джерелаSzweda, Roy. Gallium nitride & related wide bandgap materials & devices: A market & technology overview 1996-2001. Oxford, UK: Elsevier Advanced Technology, 1997.
Знайти повний текст джерелаGaN transistors for efficient power conversion: The eGaN FET journey continues. El Segundo, CA: Power Conversion Publications, 2012.
Знайти повний текст джерелаFriedhelm, Bechstedt, Meyer B. K, Stutzmann M, and Deutsche Forschungsgemeinschaft, eds. Group III-nitrides and their heterostructures: Growth, characterization and applications. Weinheim: Wiley-VCH, 2003.
Знайти повний текст джерелаQuay, Rüdiger. Gallium Nitride Electronics. Springer, 2010.
Знайти повний текст джерелаGallium Nitride Electronics. Berlin, Heidelberg: Springer Berlin Heidelberg, 2008. http://dx.doi.org/10.1007/978-3-540-71892-5.
Повний текст джерела1922-, Pankove Jacques I., and Moustakas T. D, eds. Gallium nitride (GaN). San Diego: Academic Press, 1998.
Знайти повний текст джерелаGallium Nitride Power Devices. Taylor & Francis Group, 2017.
Знайти повний текст джерелаWillardson, Robert K., Theodore D. Moustakas, Eicke R. Weber, and Jacques I. Pankove. Gallium Nitride (GaN) I. Elsevier Science & Technology Books, 1998.
Знайти повний текст джерелаWillardson, R. K., Theodore D. Moustakas, Eicke R. Weber, and Jacques I. Pankove. Gallium-Nitride (GaN) II. Elsevier Science & Technology Books, 1998.
Знайти повний текст джерелаYu, HongYu, and Tianli Duan. Gallium Nitride Power Devices. Jenny Stanford Publishing, 2017.
Знайти повний текст джерелаYu, Hongyu, and Tianli Duan, eds. Gallium Nitride Power Devices. Jenny Stanford Publishing, 2017. http://dx.doi.org/10.1201/9781315196626.
Повний текст джерелаGallium Nitride (GaN) I. Elsevier, 1997. http://dx.doi.org/10.1016/s0080-8784(08)x6082-x.
Повний текст джерелаYu, HongYu, and Tianli Duan. Gallium Nitride Power Devices. Jenny Stanford Publishing, 2017.
Знайти повний текст джерелаLuminescence Studies of Ion-Implanted Gallium Nitride and Aluminum Gallium Nitride. Storming Media, 2003.
Знайти повний текст джерела(Editor), Jacques I. Pankove, and Theodore D. Moustakas (Editor), eds. Gallium Nitride 1,2 (Semiconductors & Semimetals). Academic Press, 1999.
Знайти повний текст джерелаTwo-Dimensional Modeling of Aluminum Gallium Nitride/Gallium Nitride High Electron Mobility Transistor. Storming Media, 2002.
Знайти повний текст джерелаTadjer, Marko, and Travis J. Anderson. Thermal Management of Gallium Nitride Electronics. Elsevier Science & Technology, 2021.
Знайти повний текст джерелаChyi, Jen-Inn. Gallium Nitride Materials and Devices XI. SPIE, 2016.
Знайти повний текст джерелаMedjdoub, Farid. Gallium Nitride: Physics, Devices, and Technology. Taylor & Francis Group, 2017.
Знайти повний текст джерелаMorkoç, Hadis, Jen-Inn Chyi, and Yasushi Nanishi. Gallium Nitride Materials and Devices IX. SPIE, 2014.
Знайти повний текст джерелаTadjer, Marko, and Travis J. Anderson. Thermal Management of Gallium Nitride Electronics. Elsevier Science & Technology, 2022.
Знайти повний текст джерелаMorkoç, Hadis. Gallium Nitride Materials and Devices X. SPIE, 2015.
Знайти повний текст джерелаMedjdoub, Farid. Gallium Nitride: Physics, Devices, and Technology. Taylor & Francis Group, 2017.
Знайти повний текст джерелаMedjdoub, Farid. Gallium Nitride: Physics, Devices, and Technology. Taylor & Francis Group, 2017.
Знайти повний текст джерелаMedjdoub, Farid. Gallium Nitride: Physics, Devices, and Technology. Taylor & Francis Group, 2017.
Знайти повний текст джерелаGallium Nitride: Physics, Devices, and Technology. Taylor & Francis Group, 2015.
Знайти повний текст джерела