Статті в журналах з теми "GaAs solar cells"
Оформте джерело за APA, MLA, Chicago, Harvard та іншими стилями
Ознайомтеся з топ-50 статей у журналах для дослідження на тему "GaAs solar cells".
Біля кожної праці в переліку літератури доступна кнопка «Додати до бібліографії». Скористайтеся нею – і ми автоматично оформимо бібліографічне посилання на обрану працю в потрібному вам стилі цитування: APA, MLA, «Гарвард», «Чикаго», «Ванкувер» тощо.
Також ви можете завантажити повний текст наукової публікації у форматі «.pdf» та прочитати онлайн анотацію до роботи, якщо відповідні параметри наявні в метаданих.
Переглядайте статті в журналах для різних дисциплін та оформлюйте правильно вашу бібліографію.
Jones, K. M., R. J. Matson, M. M. Al-Jassim, and S. M. Vernon. "Defect generation and propagation in GaAs solar cells." Proceedings, annual meeting, Electron Microscopy Society of America 46 (1988): 926–27. http://dx.doi.org/10.1017/s0424820100106697.
Повний текст джерелаSteiner, Myles A., Collin D. Barraugh, Chase W. Aldridge, Isabel Barraza Alvarez, Daniel J. Friedman, Nicholas J. Ekins-Daukes, Todd G. Deutsch, and James L. Young. "Photoelectrochemical water splitting using strain-balanced multiple quantum well photovoltaic cells." Sustainable Energy & Fuels 3, no. 10 (2019): 2837–44. http://dx.doi.org/10.1039/c9se00276f.
Повний текст джерелаTomasulo, Stephanie, Kevin Nay Yaung, and Minjoo Larry Lee. "Metamorphic GaAsP and InGaP Solar Cells on GaAs." IEEE Journal of Photovoltaics 2, no. 1 (January 2012): 56–61. http://dx.doi.org/10.1109/jphotov.2011.2177640.
Повний текст джерелаWu, Shao-Hua, and Michelle L. Povinelli. "Solar heating of GaAs nanowire solar cells." Optics Express 23, no. 24 (September 25, 2015): A1363. http://dx.doi.org/10.1364/oe.23.0a1363.
Повний текст джерелаOlson, J. M., A. Kibbler, and T. Gessert. "GaInP/GaAs multijunction solar cells." Solar Cells 21, no. 1-4 (June 1987): 450–51. http://dx.doi.org/10.1016/0379-6787(87)90147-5.
Повний текст джерелаCourel, Maykel, Julio C. Rimada, and Luis Hernández. "AlGaAs/GaAs superlattice solar cells." Progress in Photovoltaics: Research and Applications 21, no. 3 (October 9, 2011): 276–82. http://dx.doi.org/10.1002/pip.1178.
Повний текст джерелаWoo, Seungwan, Geunhwan Ryu, Taesoo Kim, Namgi Hong, Jae-Hoon Han, Rafael Jumar Chu, Jinho Bae, et al. "Growth and Fabrication of GaAs Thin-Film Solar Cells on a Si Substrate via Hetero Epitaxial Lift-Off." Applied Sciences 12, no. 2 (January 14, 2022): 820. http://dx.doi.org/10.3390/app12020820.
Повний текст джерелаHorng, Ray-Hua, Ming-Chun Tseng, and Shui-Yang Lien. "Reliability Analysis of III-V Solar Cells Grown on Recycled GaAs Substrates and an Electroplated Nickel Substrate." International Journal of Photoenergy 2013 (2013): 1–9. http://dx.doi.org/10.1155/2013/108696.
Повний текст джерелаSimon, John, Christiane Frank-Rotsch, Karoline Stolze, Matthew Young, Myles A. Steiner, and Aaron J. Ptak. "GaAs solar cells grown on intentionally contaminated GaAs substrates." Journal of Crystal Growth 541 (July 2020): 125668. http://dx.doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2020.125668.
Повний текст джерелаHorng, Ray-Hua, Yu-Cheng Kao, Apoorva Sood, Po-Liang Liu, Wei-Cheng Wang, and Yen-Jui Teseng. "GaInP/GaAs/poly-Si Multi-Junction Solar Cells by in Metal Balls Bonding." Crystals 11, no. 7 (June 24, 2021): 726. http://dx.doi.org/10.3390/cryst11070726.
Повний текст джерелаFrance, Ryan M., Jennifer Selvidge, Kunal Mukherjee, and Myles A. Steiner. "Optically thick GaInAs/GaAsP strain-balanced quantum-well tandem solar cells with 29.2% efficiency under the AM0 space spectrum." Journal of Applied Physics 132, no. 18 (November 14, 2022): 184502. http://dx.doi.org/10.1063/5.0125998.
Повний текст джерелаTrojnar, Anna H., Christopher E. Valdivia, Ray R. LaPierre, Karin Hinzer, and Jacob J. Krich. "Optimizations of GaAs Nanowire Solar Cells." IEEE Journal of Photovoltaics 6, no. 6 (November 2016): 1494–501. http://dx.doi.org/10.1109/jphotov.2016.2600339.
Повний текст джерелаAraújo, G. L., A. Martí, and C. Algora. "Back‐contacted emitter GaAs solar cells." Applied Physics Letters 56, no. 26 (June 25, 1990): 2633–35. http://dx.doi.org/10.1063/1.102859.
Повний текст джерелаAraujo, G. L., and A. Marti. "Limiting efficiencies of GaAs solar cells." IEEE Transactions on Electron Devices 37, no. 5 (May 1990): 1402–5. http://dx.doi.org/10.1109/16.108204.
Повний текст джерелаMariani, Giacomo, Ping-Show Wong, Aaron M. Katzenmeyer, Francois Léonard, Joshua Shapiro, and Diana L. Huffaker. "Patterned Radial GaAs Nanopillar Solar Cells." Nano Letters 11, no. 6 (June 8, 2011): 2490–94. http://dx.doi.org/10.1021/nl200965j.
Повний текст джерелаTakamoto, Tatsuya, Minoru Kaneiwa, Mitsuru Imaizumi, and Masafumi Yamaguchi. "InGaP/GaAs-based multijunction solar cells." Progress in Photovoltaics: Research and Applications 13, no. 6 (2005): 495–511. http://dx.doi.org/10.1002/pip.642.
Повний текст джерелаGupta, Nikhil Deep. "Comparison of Light Trapping Limits Derived Using Various Methods for Thin Film GaAs Solar Cells." Journal of Nanoscience and Nanotechnology 20, no. 6 (June 1, 2020): 3939–42. http://dx.doi.org/10.1166/jnn.2020.17504.
Повний текст джерелаKim, Kangho, Hoang Duy Nguyen, Sunil Mho, and Jaejin Lee. "Enhanced Efficiency of GaAs Single-Junction Solar Cells with Inverted-Cone-Shaped Nanoholes Fabricated Using Anodic Aluminum Oxide Masks." International Journal of Photoenergy 2013 (2013): 1–5. http://dx.doi.org/10.1155/2013/539765.
Повний текст джерелаMintairov M. A., Evstropov V. V., Mintairov S. A., Nakhimovich M. V., Salii R.A., Shvarts M.Z., and Kalyuzhnyy N. A. "Increasing the efficiency of triple-junction solar cells due to the metamorphic InGaAs subcell." Technical Physics Letters 48, no. 13 (2022): 26. http://dx.doi.org/10.21883/tpl.2022.13.53388.18888.
Повний текст джерелаJones, K. M., M. M. Al-Jassim, J. M. Olson, S. R. Kurtz, A. E. Kibbler, and S. M. Vernon. "The characterization of Ga0.5In0.5P/GaAs solar cells grown on Si substrates." Proceedings, annual meeting, Electron Microscopy Society of America 48, no. 4 (August 1990): 732–33. http://dx.doi.org/10.1017/s0424820100176794.
Повний текст джерелаZayan, Ahmed, and Thomas E. Vandervelde. "GaTlAs Quantum Well Solar Cells for Sub-band Gap Absorption." MRS Advances 4, no. 36 (2019): 2015–21. http://dx.doi.org/10.1557/adv.2019.334.
Повний текст джерелаTorres-Jaramillo, Santiago, Roberto Bernal-Correa, and Arturo Morales-Acevedo. "Improved design of InGaP/GaAs//Si tandem solar cells." EPJ Photovoltaics 12 (2021): 1. http://dx.doi.org/10.1051/epjpv/2021001.
Повний текст джерелаLi, Miao Miao, Xiao Ping Su, De Shen Feng, Jian Long Zuo, Nan Li, and Xue Wu Wang. "The Study of Flower-Shaped Structure Dislocation in 4 Inch <100> Germanium Single Crystal." Materials Science Forum 685 (June 2011): 141–46. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.685.141.
Повний текст джерелаМинтаиров, М. А., В. В. Евстропов, С. А. Минтаиров, М. В. Нахимович, Р. А. Салий, М. З. Шварц та Н. А. Калюжный. "Увеличение эффективности трехпереходных солнечных элементов за счет метаморфного InGaAs-субэлемента". Письма в журнал технической физики 47, № 18 (2021): 51. http://dx.doi.org/10.21883/pjtf.2021.18.51475.18888.
Повний текст джерелаHalverson, Adam F., and Loucas Tsakalakos. "Junction Operation of GaAs Wire Array Solar Cells." MRS Proceedings 1493 (2013): 253–59. http://dx.doi.org/10.1557/opl.2013.403.
Повний текст джерелаPapež, Nikola, Rashid Dallaev, Ştefan Ţălu, and Jaroslav Kaštyl. "Overview of the Current State of Gallium Arsenide-Based Solar Cells." Materials 14, no. 11 (June 4, 2021): 3075. http://dx.doi.org/10.3390/ma14113075.
Повний текст джерелаAlekseev, Prokhor A., Vladislav A. Sharov, Bogdan R. Borodin, Mikhail S. Dunaevskiy, Rodion R. Reznik, and George E. Cirlin. "Effect of the Uniaxial Compression on the GaAs Nanowire Solar Cell." Micromachines 11, no. 6 (June 10, 2020): 581. http://dx.doi.org/10.3390/mi11060581.
Повний текст джерелаRaj, Vidur, Tuomas Haggren, Julie Tournet, Hark Hoe Tan, and Chennupati Jagadish. "Electron-Selective Contact for GaAs Solar Cells." ACS Applied Energy Materials 4, no. 2 (February 9, 2021): 1356–64. http://dx.doi.org/10.1021/acsaem.0c02616.
Повний текст джерелаBertness, K. A., D. J. Friedman, Sarah R. Kurtz, A. E. Kibbler, C. Kramer, and J. M. Olson. "High-efficiency GaInP/GaAs tandem solar cells." Journal of Propulsion and Power 12, no. 5 (September 1996): 842–46. http://dx.doi.org/10.2514/3.24112.
Повний текст джерелаVaisman, Michelle, Nikhil Jain, Qiang Li, Kei May Lau, Emily Makoutz, Theresa Saenz, Willian E. McMahon, Adele C. Tamboli, and Emily L. Warren. "GaAs Solar Cells on Nanopatterned Si Substrates." IEEE Journal of Photovoltaics 8, no. 6 (November 2018): 1635–40. http://dx.doi.org/10.1109/jphotov.2018.2871423.
Повний текст джерелаBertness, K. A., Sarah R. Kurtz, D. J. Friedman, A. E. Kibbler, C. Kramer, and J. M. Olson. "29.5%‐efficient GaInP/GaAs tandem solar cells." Applied Physics Letters 65, no. 8 (August 22, 1994): 989–91. http://dx.doi.org/10.1063/1.112171.
Повний текст джерелаvan Leest, R. H., P. Mulder, G. J. Bauhuis, H. Cheun, H. Lee, W. Yoon, R. van der Heijden, E. Bongers, E. Vlieg, and J. J. Schermer. "Metal diffusion barriers for GaAs solar cells." Physical Chemistry Chemical Physics 19, no. 11 (2017): 7607–16. http://dx.doi.org/10.1039/c6cp08755h.
Повний текст джерелаHu, Y., R. R. LaPierre, M. Li, K. Chen, and J. J. He. "Optical characteristics of GaAs nanowire solar cells." Journal of Applied Physics 112, no. 10 (November 15, 2012): 104311. http://dx.doi.org/10.1063/1.4764927.
Повний текст джерелаLiang, Dong, Yangsen Kang, Yijie Huo, Yusi Chen, Yi Cui, and James S. Harris. "High-Efficiency Nanostructured Window GaAs Solar Cells." Nano Letters 13, no. 10 (September 16, 2013): 4850–56. http://dx.doi.org/10.1021/nl402680g.
Повний текст джерелаHorowitz, G., and F. Garnier. "Polythiophene-GaAs p-n heterojunction solar cells." Solar Energy Materials 13, no. 1 (January 1986): 47–55. http://dx.doi.org/10.1016/0165-1633(86)90027-4.
Повний текст джерелаLam, Phu, Jiang Wu, Mingchu Tang, Qi Jiang, Sabina Hatch, Richard Beanland, James Wilson, Rebecca Allison, and Huiyun Liu. "Submonolayer InGaAs/GaAs quantum dot solar cells." Solar Energy Materials and Solar Cells 126 (July 2014): 83–87. http://dx.doi.org/10.1016/j.solmat.2014.03.046.
Повний текст джерелаShen, Jingman, Lijie Sun, Kaijian Chen, Wei Zhang, and Xunchun Wang. "Direct-bonded four-junction GaAs solar cells." Journal of Semiconductors 36, no. 6 (June 2015): 064012. http://dx.doi.org/10.1088/1674-4926/36/6/064012.
Повний текст джерелаBertness, K. A., D. J. Friedman, S. R. Kurtz, A. E. Kibbler, C. Kramer, and J. M. Olson. "High-efficiency GaInP/GaAs tandem solar cells." IEEE Aerospace and Electronic Systems Magazine 9, no. 12 (December 1994): 12–17. http://dx.doi.org/10.1109/62.334755.
Повний текст джерелаWoodall, J. M., and H. J. Hovel. "High-efficiency Ga1-xAlxAs-GaAs solar cells." Solar Cells 29, no. 2-3 (August 1990): 167–72. http://dx.doi.org/10.1016/0379-6787(90)90024-y.
Повний текст джерелаÜrmös, Antal, Zoltán Farkas, László Dobos, Szilvia Nagy, and Ákos Nemcsics. "Contact Problems in GaAs-based Solar Cells." Acta Polytechnica Hungarica 15, no. 6 (2018): 99–124. http://dx.doi.org/10.12700/aph.15.6.2018.6.6.
Повний текст джерелаYang, M. D., S. W. Wu, G. W. Shu, J. S. Wang, J. L. Shen, C. H. Wu, C. A. J. Lin, et al. "Improving Performance of InGaN/GaN Light-Emitting Diodes and GaAs Solar Cells Using Luminescent Gold Nanoclusters." Journal of Nanomaterials 2009 (2009): 1–5. http://dx.doi.org/10.1155/2009/840791.
Повний текст джерелаSin, Yongkun, Stephen LaLumondiere, Nathan Wells, Zachary Lingley, Nathan Presser, William Lotshaw, Steven C. Moss, et al. "Carrier Dynamics in MOVPE-Grown Bulk InGaAsNSb Materials and Epitaxial Lift-Off GaAs Double Heterostructures for Multi-junction Solar Cells." MRS Proceedings 1635 (2014): 55–62. http://dx.doi.org/10.1557/opl.2014.370.
Повний текст джерелаKim, Chae-Won, Gwang-Yeol Park, Jae-Cheol Shin, and Hyo-Jin Kim. "Efficiency Enhancement of GaAs Single-Junction Solar Cell by Nanotextured Window Layer." Applied Sciences 12, no. 2 (January 8, 2022): 601. http://dx.doi.org/10.3390/app12020601.
Повний текст джерелаBradshaw, Geoffrey K., Joshua P. Samberg, C. Zachary Carlin, Peter C. Colter, Kenneth M. Edmondson, William Hong, Chris Fetzer, Nasser Karam, and Salah M. Bedair. "GaInP/GaAs Tandem Solar Cells With InGaAs/GaAsP Multiple Quantum Wells." IEEE Journal of Photovoltaics 4, no. 2 (March 2014): 614–19. http://dx.doi.org/10.1109/jphotov.2013.2294750.
Повний текст джерелаOshima, Ryuji, Akio Ogura, Yasushi Shoji, Kikuo Makita, Akinori Ubukata, Shuuichi Koseki, Mitsuru Imaizumi, and Takeyoshi Sugaya. "Ultra-High-Speed Growth of GaAs Solar Cells by Triple-Chamber Hydride Vapor Phase Epitaxy." Crystals 13, no. 3 (February 21, 2023): 370. http://dx.doi.org/10.3390/cryst13030370.
Повний текст джерелаvan Leest, R. H., K. de Kleijne, G. J. Bauhuis, P. Mulder, H. Cheun, H. Lee, W. Yoon, et al. "Degradation mechanism(s) of GaAs solar cells with Cu contacts." Physical Chemistry Chemical Physics 18, no. 15 (2016): 10232–40. http://dx.doi.org/10.1039/c6cp01428c.
Повний текст джерелаYamaguchi, Masafumi, Frank Dimroth, Nicholas J. Ekins-Daukes, Nobuaki Kojima, and Yoshio Ohshita. "Overview and loss analysis of III–V single-junction and multi-junction solar cells." EPJ Photovoltaics 13 (2022): 22. http://dx.doi.org/10.1051/epjpv/2022020.
Повний текст джерелаDutta, P., M. Rathi, D. Khatiwada, S. Sun, Y. Yao, B. Yu, S. Reed, et al. "Flexible GaAs solar cells on roll-to-roll processed epitaxial Ge films on metal foils: a route towards low-cost and high-performance III–V photovoltaics." Energy & Environmental Science 12, no. 2 (2019): 756–66. http://dx.doi.org/10.1039/c8ee02553c.
Повний текст джерелаXu, Jing, Gang Yan, and Ming Lu. "Evaluation of the Minority-Carrier Lifetime of IMM3J Solar Cells under Proton Irradiation Based on Electroluminescence." Crystals 13, no. 2 (February 10, 2023): 297. http://dx.doi.org/10.3390/cryst13020297.
Повний текст джерелаKamdem, Cedrik Fotcha, Ariel Teyou Ngoupo, François Xavier Abomo Abega, Aimé Magloire Ntouga Abena, and Jean-Marie Bienvenu Ndjaka. "Design and Performance Enhancement of a GaAs-Based Homojunction Solar Cell Using Ga0.5In0.5P as a Back Surface Field (BSF): A Simulation Approach." International Journal of Photoenergy 2023 (June 14, 2023): 1–17. http://dx.doi.org/10.1155/2023/6204891.
Повний текст джерела