Добірка наукової літератури з теми "Fröhlich interaction"

Оформте джерело за APA, MLA, Chicago, Harvard та іншими стилями

Оберіть тип джерела:

Ознайомтеся зі списками актуальних статей, книг, дисертацій, тез та інших наукових джерел на тему "Fröhlich interaction".

Біля кожної праці в переліку літератури доступна кнопка «Додати до бібліографії». Скористайтеся нею – і ми автоматично оформимо бібліографічне посилання на обрану працю в потрібному вам стилі цитування: APA, MLA, «Гарвард», «Чикаго», «Ванкувер» тощо.

Також ви можете завантажити повний текст наукової публікації у форматі «.pdf» та прочитати онлайн анотацію до роботи, якщо відповідні параметри наявні в метаданих.

Статті в журналах з теми "Fröhlich interaction"

1

Polland, H. J., W. W. Rühle, K. Ploog, and C. W. Tu. "Fröhlich interaction in two-dimensionalGaAs/AlxGa1−xAssystems." Physical Review B 36, no. 14 (November 15, 1987): 7722–25. http://dx.doi.org/10.1103/physrevb.36.7722.

Повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
2

Abrashev, M. V., A. P. Litvinchuk, C. Thomsen, and V. N. Popov. "Fröhlich-interaction-induced multiphonon Raman scattering inSrCuO2sandSr0.5Ca0.5CuO2s." Physical Review B 55, no. 14 (April 1, 1997): R8638—R8641. http://dx.doi.org/10.1103/physrevb.55.r8638.

Повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
3

Spagnolo, V., G. Ventruti, G. Scamarcio, M. Lugarà, and G. C. Righini. "Fröhlich electron-phonon interaction in CdSxSe1-xnanocrystals." Superlattices and Microstructures 18, no. 2 (September 1995): 113–20. http://dx.doi.org/10.1006/spmi.1995.1095.

Повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
4

Huang, Kun, and Bangfen Zhu. "Dielectric continuum model and Fröhlich interaction in superlattices." Physical Review B 38, no. 18 (December 15, 1988): 13377–86. http://dx.doi.org/10.1103/physrevb.38.13377.

Повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
5

Trallero-Giner, C., A. Cantarero, and M. Cardona. "One-phonon resonant Raman scattering: Fröhlich exciton-phonon interaction." Physical Review B 40, no. 6 (August 15, 1989): 4030–36. http://dx.doi.org/10.1103/physrevb.40.4030.

Повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
6

BOGOLUBOV, N. N., and A. V. SOLDATOV. "UNIFORM UPPER BOUNDS IN THE FRÖHLICH POLARON THEORY." Modern Physics Letters B 07, no. 27 (November 20, 1993): 1773–79. http://dx.doi.org/10.1142/s0217984993001806.

Повний текст джерела
Анотація:
We present a very simple method to derive the upper bound of the ground-state energy for the Fröhlich polaron theory. The obtained bounds are proved to be uniform for all values of the interaction parameter.
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
7

Kash, J. A., S. S. Jha, and J. C. Tsang. "Picosecond Raman studies of the Fröhlich interaction in semiconductor alloys." Physical Review Letters 58, no. 18 (May 4, 1987): 1869–72. http://dx.doi.org/10.1103/physrevlett.58.1869.

Повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
8

Kainth, D. S., M. N. Khalid, and H. P. Hughes. "Direct verification of the q-dependence of the Fröhlich interaction." Solid State Communications 122, no. 7-8 (June 2002): 351–54. http://dx.doi.org/10.1016/s0038-1098(02)00175-8.

Повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
9

Nash, K. J., and M. S. Skolnick. "Picosecond Raman studies of the Fröhlich interaction in semiconductor alloys." Physical Review Letters 60, no. 9 (February 29, 1988): 863. http://dx.doi.org/10.1103/physrevlett.60.863.

Повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
10

Pokorný, J., and J. Fiala. "Heat bath coupling effects on interaction between Fröhlich vibration systems." Czechoslovak Journal of Physics 44, no. 1 (January 1994): 67–78. http://dx.doi.org/10.1007/bf01691751.

Повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

Дисертації з теми "Fröhlich interaction"

1

Moehring, Mathias [Verfasser], Bernd [Akademischer Betreuer] [Gutachter] Fröhlich, and Gabriel [Gutachter] Zachmann. "Realistic Interaction with Virtual Objects within Arm's Reach / Mathias Moehring ; Gutachter: Bernd Fröhlich, Gabriel Zachmann ; Betreuer: Bernd Fröhlich." Weimar : Professur Systeme der Virtuellen Realität, 2013. http://d-nb.info/1116094479/34.

Повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
2

Bruneau, Gwendoline. "Interaction de Fröhlich dans les structures de semiconducteurs à dimension réduite." Thesis, National Library of Canada = Bibliothèque nationale du Canada, 2001. http://www.collectionscanada.ca/obj/s4/f2/dsk3/ftp05/NQ65336.pdf.

Повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
3

Kunert, André [Verfasser], Bernd [Akademischer Betreuer] Fröhlich, Bernd [Gutachter] Fröhlich, and Frank [Gutachter] Steinicke. "3D Interaction Techniques in Multi-User Virtual Reality : towards scalable templates and implementation patterns for cooperative interfaces / André Kunert ; Gutachter: Bernd Fröhlich, Frank Steinicke ; Betreuer: Bernd Fröhlich." Weimar : Bauhaus-Universität Weimar, 2020. http://d-nb.info/1223373355/34.

Повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
4

Tschisgale, Silvio [Verfasser], J. [Gutachter] Fröhlich, and V. [Gutachter] Ulbricht. "A numerical method for fluid-structure interactions of slender rods in turbulent flow / Silvio Tschisgale ; Gutachter: J. Fröhlich, V. Ulbricht." Dresden : TUDpress - Thelem Universitätsverlag, 2020. http://d-nb.info/1227833687/34.

Повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

Частини книг з теми "Fröhlich interaction"

1

Shields, A. J., V. A. Haisler, C. Trallero-Giner, and M. Cardona. "Fröhlich Exciton-Phonon Interaction in Quantum Wells: Resonant Raman Spectroscopy under Electric Fields." In Phonons in Semiconductor Nanostructures, 233–41. Dordrecht: Springer Netherlands, 1993. http://dx.doi.org/10.1007/978-94-011-1683-1_23.

Повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
2

Maki, Kazumi, and Attila Virosztek. "Fröhlich Conduction of Spin Density Waves in Quasi-Two Dimensional Systems." In Interacting Electrons in Reduced Dimensions, 303–14. Boston, MA: Springer US, 1989. http://dx.doi.org/10.1007/978-1-4613-0565-1_34.

Повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
3

Huang, Kun, and Bangfen Zhu. "Dielectric continuum model and Fröhlich interaction in superlattices." In Selected Papers of Kun Huang, 166–75. WORLD SCIENTIFIC, 2000. http://dx.doi.org/10.1142/9789812793720_0015.

Повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
4

Tiwari, Sandip. "High permittivity dielectrics." In Semiconductor Physics, 618–31. Oxford University Press, 2020. http://dx.doi.org/10.1093/oso/9780198759867.003.0018.

Повний текст джерела
Анотація:
This chapter discusses high permittivity dielectrics such as hafnium oxide and zirconium oxide and how the phonons of such materials, their band and polarization behavior and silicon interact. High permittivity materials are used as dielectrics with semiconductors. A prominent use for these materials is in suppressing tunneling while enhancing the field effect. High permittivity arises strongly from ionic polarization. So, the low frequency response for high permittivity materials is very different from that of silicon dioxide. Transition metal oxides’ high permittivity comes together with soft phonons. With phonons soft, that is of low phonon energy, the interactions and transport behavior of semiconductors can change significantly through a modified Fröhlich interaction, because of the presence of high permittivity materials nearby. These various issues are analyzed.
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
Ми пропонуємо знижки на всі преміум-плани для авторів, чиї праці увійшли до тематичних добірок літератури. Зв'яжіться з нами, щоб отримати унікальний промокод!

До бібліографії