Дисертації з теми "FeSiB"
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Henninger, Georg [Verfasser]. "Die strukturellen und physikalischen Eigenschaften weichmagnetischer dünner Einzel- und Multilagenschichten des FeSiB-CuNb-Legierungssystems / Georg Henninger." Aachen : Shaker, 2003. http://d-nb.info/1172610908/34.
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Mattingley, Andrew David. "Sputter growth and characterisation of amorphous FeSiBC films." Thesis, University of Sheffield, 1997. http://ethos.bl.uk/OrderDetails.do?uin=uk.bl.ethos.268267.
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Hamrit, Oussama. "Etude des pertes magnétiques dans les matériaux magnétiques destinés aux applications de transport en haute fréquence et sous champ bidirectionnel." Thesis, Université Paris-Saclay (ComUE), 2015. http://www.theses.fr/2015SACLN003/document.
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Les pertes fer dans une machine électrique sont d'importance capitale, une estimation approximative de ces pertes peu mener à des solutions non viable sur le plan thermique, c'est dans ce contexte qu'il est indispensable d'avoir les caractéristiques les plus précises des matériaux magnétiques utilisés, de plus avec l'engouement récent pour les machines électriques haute vitesse (donc haute fréquence), il est important de caractériser les matériaux à haute fréquence. Dans les travaux de cette thèse, un système de mesure haute fréquence (1 T - 10 kHz) en champ unidirectionnel a été mis en place et des modèles de pertes magnétiques hautes fréquences ont été étudiés et discutés. Les champs magnétiques circulant dans une machine électrique sont de type alternatifs dans une direction donnée ou des champs elliptiques et tournants. C'est dans ce contexte qu'une caractérisation et un modèle en champ tournant ont été proposés. Enfin, dans le cas où le stator d'une machine électrique est découpé d'un seul tenant, la direction de découpe par rapport àla direction de laminage change d'un pas dentaire à un autre, pour cela une étude sur l'anisotropie des matériaux FeSi non orientés a été menéeIron losses in electrical machine applications are of paramount importance, an approximate estimation of these losses can easily lead to a thermally unsustainable solution, in this context, it is essential to get exactly the magnetic characteristics of the magnetic materials used, moreover, with the recent interest for high speed electrical machines (high frequency), It is important to characterize magnetic materials at high frequency. In this work, a high frequency characterizing system (1 T - 10 kHz) under unidirectional field has been proposed and magnetic losses models has been studied and discussed. Magnetic fields in electrical machines could be alternative in one direction, elliptical or circular. In this context, a characterization under rotating field and a magnetic loss model has been proposed. Finally, when stator steel sheets are cut all in one piece, the cutting direction with regard to the rolling direction will change from one tooth pitch to another, for that a study of the FeSi non oriented anisotropy has been performed
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McKinty, Colin N. "Characterisation of beta-FeSi2 fabricated by ion beam assisted deposition." Thesis, University of Surrey, 2001. http://epubs.surrey.ac.uk/842704/.
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beta-FeSi2 has been shown to have a minimum direct band gap of 0.87 eV, which leads to the opportunity of Si based opto-electronics. One of the many applications that beta-FeSi2 has been linked with is solar cells. Its proposed suitability for solar cell applications originates from a large absorption coefficient above the fundamental edge (105 cm-1), predicted solar cell efficiencies as high as 23% and photoelectric properties with a quantum efficiency of 32%. Ion beam assisted deposition represent a technique that is suitable for producing low cost material over large areas, thus making it suitable for solar cell fabrication. The work reported here represents an in-depth optical characterisation of the effects of fabrication and post-fabrication processing on ion beam assisted deposited FeSi layers on Si substrates. Two different sets of substrates have been investigated; the first were deposited with layers of Fe and Si in the ratios between (40%:60%) and (29%:71%), and the second were deposited in stoichiometric ratios (1:2). A range of post-fabrication processes have been investigated, these have included studying the effects of annealing time (10 minutes to 18 hours) and temperature (100°C to 900°C) on the band gap and defects underneath the fundamental absorption edge. A study of the effect of annealing regime on the measurement temperature dependency of the band gap was also completed. The results have shown that annealing temperature has a stronger effect on the band gap rather than annealing time, while both affect the absorption underneath the fundamental edge. Optical evidence for the formation of beta-FeSi2 was found for annealing temperatures as low as 425°C. Increasing the annealing temperature/time also results in structural changes in the material, which are dependent on the as-deposited composition of the FeSi layer. beta-FeSi2/Si(n-type) solar cell devices have been fabricating, showing rectifying I-V characteristics, and a photo-voltage spectral response that indicated two distinct regions; 0.72 eV to 1.1 eV and 1.1 eV and above.
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Davies, Mark James. "The cytopathology of familial encephalopathy with neuroserpin inclusion bodies (FENIB)." Thesis, University of Cambridge, 2007. http://ethos.bl.uk/OrderDetails.do?uin=uk.bl.ethos.598334.
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Neuroserpin is a 55 kDa glycoprotein that is secreted from axons of the central and peripheral nervous system. Point mutations within the neuroserpin gene underlie the novel inclusion body dementia Familial Encephalopathy with the Neuroserpin Inclusion Bodies (FENIB). These point mutations destabilise the molecule resulting in the formation of intracellular polymers by sequential insertion of the reactive centre loop of one molecule into β-sheet A of another. Here I postulate that endoplasmic reticulum (ER) inclusions of mutant serpins contribute to the molecular pathogenesis by directing a novel ER stress response. To assess this hypothesis I generated conditional PC-12 Tet-on cell lines expressing wild type neuroserpin, the Ser52Arg and Gly392Glu mutants that underlie FENIB and a novel-misfolding mutant (DeltaNS) predicted to stimulate the unfolded protein response (UPR). The mutants that cause FENIB accumulate within the ER as polymers that I can demonstrate by Western blot analysis and fluorescence confocal microscopy with novel monoclonal antibodies that detect the polymeric conformer of neuroserpin. Despite accumulating, the mutant neuroserpin does not elicit a UPR. However I demonstrate that the ER accumulation of mutant neuroserpin elicits an ER stress response resulting in activation of NF-κB, and this activation is calcium dependent. Taken together, I have used the disease-related neuroserpin inclusions to define and characterise a novel ER derived signalling cascade involved in sensing protein accumulation within the ER.
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HUET, SARAH D. P. "Estudo de interações hiperfinas em nanopartículas de Fesub(3)Osub(4) e Fesub(3)Osub(4) dopadas com gadolínio pela espectroscopia de correlação angular perturbada." reponame:Repositório Institucional do IPEN, 2014. http://repositorio.ipen.br:8080/xmlui/handle/123456789/10616.
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Dissertação (Mestrado)
IPEN/D
Instituto de Pesquisas Energeticas e Nucleares - IPEN-CNEN/SP
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Gallo, Ivan Braga. "Estudo espectroscópico de filmes de SiFe." Universidade de São Paulo, 2010. http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/76/76132/tde-14072010-150129/.
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Na busca por novos materiais opto-eletrônicos, vários têm sido os compostos estudados. Dentre os mais interessantes destacam-se aqueles que apresentam compatibilidade com a atual indústria (micro-) eletrônica e/ou de tele-comunicações. Dentro deste contexto ocupam posição privilegiada compostos à base de silício e sob a forma de filmes finos de modo a possibilitar sua integração e aplicação em larga escala. Motivado por estes aspectos, o presente trabalho diz respeito à investigação de filmes finos do sistema Si+Fe com emissão na região do infravermelho. Assim sendo, filmes de silício amorfo hidrogenado (a-Si:H) e não-hidrogenado (a-Si), dopados com diferentes concentrações de Fe, foram depositados pela técnica de sputtering de rádio frequência. Após o processo de deposição, os filmes foram submetidos a tratamentos térmicos (em atmosfera de argônio) a 300, 450, 600, 750, e 900 oC por 15min (cumulativo), e a 800 oC por 2h (não-cumulativo). As amostras assim obtidas foram sistematicamente investigadas por intermédio de diferentes técnicas espectroscópicas: composicional (EDS - Energy Dispersive X-Ray Spectroscopy), de transmissão óptica na região do visível-infravermelho próximo (VIS-NIR), de espalhamento Raman, e de fotoluminescência (PL). As medidas de EDS revelaram que, em função das condições de preparo das amostras, a concentração de Fe no a-SiFe:H foi ~ 10 vezes menor que a presente nas amostras de a-SiFe. Os espectros de transmissão óptica indicaram variações no bandgap óptico associadas à concentração de Fe e à realização dos tratamentos térmicos. A partir das medidas de espalhamento Raman foi possível verificar que todos os filmes conforme depositados (AD- as deposited) e tratados até 600 oC por 15min possuem estrutura amorfa. Tratamentos térmicos a temperaturas maiores induzem a cristalização do silício e o aparecimento da fase β-FeSi2 que é opticamente ativa na região do infravermelho. Por fim, medidas de fotoluminescência mostraram que apenas as amostras tratadas a 800 oC por 2h (a-SiFe:H dopada com 0.08 at.% de Fe e a-SiFe dopada com 0.79 at.% de Fe) apresentam emissão na região do infravermelho (~ 1500 nm). Dentre as prováveis causas para a atividade óptica destas amostras devemos considerar o efeito combinado da concentração de Fe (e de cristalitos de β-FeSi2) e das suas características ópticas-estruturais.Many compounds have been studied, in order to find new optoelectronic materials. Within the most interesting are those which show compatibility with the actual (micro)-electronic and/or telecommunications industry. In this context, silicon based compounds under thin films form have advantages to allow its integration and application on large scale. Motivated by these aspects, the present work reports the investigation of Si+Fe thin film system with emission in the infrared region. At this way, hydrogenated (a-Si:H) and hydrogen-free (a-Si) amorphous silicon films, doped with different iron concentrations, were deposited by the radio frequency sputtering technique. After the deposition process, the films were submitted to thermal annealing treatments (in an argon atmosphere) at 300, 450, 600, 750 and 900oC for 15min (cumulative), and at 800oC for 2h (not cumulative). The obtained samples were systematically investigated through different spectroscopic techniques: compositional (EDS Energy Dispersive X-Ray Spectroscopy), optical transmission in the visible-near infrared region (VIS NIR), Raman scattering and photoluminescence. The EDS measurements showed that, depending on the deposition conditions of the samples, the iron concentration in a-SiFe:H was ~ 10 times smaller than the present in the samples of a-SiFe. The optical transmission spectra indicated variations in the optical bandgap associated to Fe concentration and thermal annealing treatments. From Raman scattering measurements it was possible to verify that all films as deposited (AD) and annealed till 600oC for 15min have an amorphous structure. Thermal treatments at higher temperatures induce the silicon crystallization and the appearance of β-FeSi2 phase which is optically active in the infrared region. Finally, photoluminescence measurements showed that only the samples annealed at 800 ºC for 2h (a-SiFe:H doped with 0.08 at.% of Fe and a-SiFe doped with 0.79 at.% of Fe) have emission in the infrared region (~ 1500 nm). Among the probable reasons for the optic activity of these samples we have to take into account the combined effect of Fe concentration (and of β-FeSi2 crystallites) and its optic-structural characteristics.
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Ali, Mannan. "Growth and study of magnetostrictive FeSiBC thin films for device applications." Thesis, University of Sheffield, 1999. http://ethos.bl.uk/OrderDetails.do?uin=uk.bl.ethos.310759.
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Younsi, Abdelaziz. "Elaboration et étude de l'épitaxie de beta-FeSi2 sur Si(111)." Aix-Marseille 2, 1993. http://www.theses.fr/1993AIX22053.
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Cette etude comporte la croissance et les caracteristiques structurales et physico-chimiques des interfaces fe/si(111) dans l'optique de realiser l'epitaxie du disiliciure semiconducteur beta-fesi#2 sur substrat de silicium(111). Dans un premier volet, nous avons etudie la croissance du fer sur le silicium(111) a temperature ambiante et nous avons montre pour les faibles depots, qu'elle suit un mode de croissance de type couche par couche. L'interface est alors abrupte, un film de siliciure mince (inferieur a 4 a fe) dont la composition chimique est proche de celle de fesi#2 se forme alors au-dessus du substrat de silicium. Le recuit de ce systeme a revele suivant la temperature la formation de 2 phases distinctes: fesi et fesi#2. L'epitaxie de la phase beta-fesi#2 sur le si(111) apparait apres le recuit a 500-550c. Le depot du fer sur un substrat de si(111) porte a 500-540c conduit egalement a l'epitaxie de beta-fesi#2-si(111). Le decapage ionique associe a l'analyse auger a revele une homogeneite dans la composition chimique du film de fesi#2 sur toute son epaisseur. Les avantages et les limites des methodes de croissance sont discutes dans ce memoire
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Teichert, Steffen. "Elektrischer Transport und allgemeine Charakterisierung der halbleitenden Silicide Beta-FeSi2 und MnSi1,73." Doctoral thesis, Universitätsbibliothek Chemnitz, 1996. http://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:bsz:ch1-199600235.
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Die elektrische Leitfähigkeit und der Hall-Effekt der halbleitenden Silicide
Beta-FeSi2 und MnSi1,73 werden im Temperaturbereich zwischen 4,2 und 300 K
untersucht. In ergänzenden Untersuchungen werden strukturelle und optische
Eigenschaften dieser Materialien bestimmt.
Die Ergebnisse der Messungen an MnSi1,73 - Schichten werden im Rahmen der
Boltzmann-Gleichung in Relaxationszeitnäherung interpretiert. Die Temperatur-
abhängigkeit der elektrischen Leitfähigkeit und der Hall-Beweglichkeit der
Mangansilicid-Schichten kann unter Einbeziehung der Ladungsträgerstreuung an
Korngrenzen und akustischen Phononen erklärt werden. In einer kritischen
Diskussion werden die Grenzen des verwendeten Transportmodells aufgezeigt.
Den Schwerpunkt der Untersuchungen an Beta-FeSi2 bildet die Analyse des
Hall-Koeffizienten in Abhängigkeit von der Temperatur und dem Magnetfeld.
Mit einem neuen dynamischen Meßverfahren werden umfassende Ergebnisse für den
Hall-Koeffizienten in dünnen Schichten und Einkristallen erhalten, die eine
herkömmliche Interpretation des Hall-Effekts in Beta-FeSi2 in Frage stellen.
Unter Einbeziehung eines wesentlichen Einflusses des anomalen Hall-Effekts in
die Interpretation, können die Eigenschaften des Hall-Effekts in Beta-FeSi2
verstanden werden.
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Sharp, Lynda Karen. "The biochemical characterisation of mutants of neuroserpin that cause the dementia FENIB." Thesis, University of Cambridge, 2006. http://ethos.bl.uk/OrderDetails.do?uin=uk.bl.ethos.614202.
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Li, Fangfei [Verfasser], та Hartmut [Akademischer Betreuer] Wiggers. "Charge Storage Behavior of β-FeSi2 Nanoparticles / Fangfei Li ; Betreuer: Hartmut Wiggers". Duisburg, 2021. http://d-nb.info/123904870X/34.
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Feng, Xiaohua. "Etude des propriétés thermoélectriques des revêtements de matériaux de type β-FeSi2". Thesis, Belfort-Montbéliard, 2016. http://www.theses.fr/2016BELF0288/document.
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L'incertitude de l'énergie mondiale avec l'augmentation constante de la demande d'énergie déclenche la recherche de technologies de conversion d'énergie à haut rendement. Les dispositifs thermoélectriques (TE) peuvent jouer un rôle très important dans la collecte et la valorisation de l'énergie car ils peuvent être employés pour récupérer la chaleur résiduelle. Par exemple, la quantité de chaleur émise sous forme de déchets par les différents moteurs thermiques est évaluée en centaines de millions de MWh /an.Cette thèse vise à démontrer la faisabilité de fabrication des systèmes de récupération de la chaleur issue des déchets à l'échelle industrielle en utilisant des générateurs thermoélectriques (TE). Les techniques de fabrication proposées sont basées sur l'utilisation de technologies avancées comme le frittage par spark plasma, le broyage, la fusion laser sélective et la technologie de projection thermique. Ces techniques rendent possible l'élaboration de revêtements de matériau thermoélectrique avec des performances thermoélectriques supérieures et une flexibilité forte liées aux choix multiples de tailles, de formes et de matériaux.Nous nous sommes intéressés à l'étude du matériau semi-conducteur ß-FeSi2 car il présente un coefficient de mérite fort dans une plage de température de 300-800oC qui est la température des gaz en sortie de moteur voiture.Les techniques de SLM (Selective Laser Melting), de broyage, de frittage et de frittage flash (SPS) ont été successivement utilisées pour aboutir à l'élaboration de l'alliage ¿-FeSi2. Les revêtements ont ensuite été obtenus par la technique de projection plasma sous basse pression.Concernant le revêtement formé à partir de l'alliage par procédé LPPS, la transformation de phase de la phase cubique -ferrosilicium et de la phase quadratique ¿-Fe2Si5 en phase orthorhombique ß-FeSi2 se produit en obéissant aux réactions péritectique et eutectique. Après recuit sous température et temps appropriés, les revêtements présentent une phase complète ß-FeSi2 sur le substrat céramique.En outre pour une application à grande échelle, il est nécessaire de déposer ce type de revêtement sur un substrat en acier inoxydable et il convient dans ce cas d'utiliser un masque approprié pour fabriquer le dispositif thermoélectriqueThe uncertainty in the global energy with the constant increase in energy demand triggers the search for energyconversion technologies with high efficiency. The thermoeletrical devices (TE) can play a relevant role in thecollection and recovery of energy because they can be used to recover waste heat. For example, the amount of heatemitted as waste by different ombustion engines is evaluated hundreds of millions of MWh / year.This thesis aims to demonstrate the feasibility of anufacturing heat recovery systems from waste on an industrialscale using thermoelectric generators (TE). The proposed manufacturing techniques are based on the use ofadvanced technologies such as spark plasma sintering, crushing, selective laser melting and thermal spraytechnology. These techniques make possible the development of thermoelectric material coatings with superiorthermoelectric performance and high flexibility related to multiple choices of sizes, shapes and materials.The study of semiconductor ß-FeSi2 material was conducted in this goal because it has a strong merit coefficient(ZT) in the temperature range of 300-800°C which is the temperature of the output gas of the cars.Selective Laser Melting, sintering and spark plasma sintering (SPS) were successively used to lead to themanufacture of ¿-FeSi2 alloy. The coatings were then obtained by low pressure plasma spraying.Concerning the coating formed from the alloy, the phase transformation of the cubic phase ¿-ferro-silicon and thetetragonal phase ¿-Fe2Si5 in the orthorhombic phase ß-FeSi2 is produced by obeying the eritectic and eutecticreactions. After annealing under suitable temperature and time, the coatings sprayed on the ceramic bstratepresent a complete phase ß-FeSi2.In view of a large-scale application, it is necessary to spray this type of coating on a stainless steel substrate and inthis case to use a suitable mask for making the appropriate thermoelectric device
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Karlsson, Li Susanna Monika. "Structural characterisation of the conformational transitions of neuroserpin that underlie the dementia FENIB." Thesis, University of Cambridge, 2009. http://ethos.bl.uk/OrderDetails.do?uin=uk.bl.ethos.611426.
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Rix, Wolfgang. "Über Eisensilicide Züchtung von b-FeSi2-Einkristallen durch chemischen Transport, strukturelle und physikalische Charakterisierung /." [S.l.] : [s.n.], 2001. http://deposit.ddb.de/cgi-bin/dokserv?idn=963796453.
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Rix, Wolfgang. "Über Eisensilicide Züchtung von [beta]-FeSi2-Einkristallen durch chemischen Transport, strukturelle und physikalische Charakterisierung /." [S.l. : s.n.], 2001. http://deposit.ddb.de/cgi-bin/dokserv?idn=963796453.
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Ingwersen, Thies Frieder [Verfasser]. "Using small chemical compounds to inhibit polymerization of neuroserpin in FENIB / Thies Frieder Ingwersen." Hamburg : Staats- und Universitätsbibliothek Hamburg Carl von Ossietzky, 2020. http://d-nb.info/122853778X/34.
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Rix, Wolfgang. "Über Eisensilicide: Züchtung von ß-FeSi2-Einkristallen durch chemischen Transport, strukturelle und physikalische Charakterisierung." [S.l. : s.n.], 2001. http://www.bsz-bw.de/cgi-bin/xvms.cgi?SWB9403097.
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Walnum, Andreas. "Hurtigkobling for staketruck : Underlettelse av redskapsbytte for trucker benyttet i Ferrosilisiumsproduksjon hos Fesil Rana Metall." Thesis, Umeå universitet, Institutionen för tillämpad fysik och elektronik, 2013. http://urn.kb.se/resolve?urn=urn:nbn:se:umu:diva-72673.
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Staketrucken er en truck som benyttes i Fesil Rana Metalls produksjon av ferrosilisium, et viktig legeringsemne for stålindustrien. Staketrucken benyttes av ovnsoperatørene til å fordele masse i ovnens øvre sjikt for å holde høy og jevn kvalitet på smelten. Staketrucken er en spesialombygd motvektstruck som er designet for å tåle det tøffe miljøet i et smelteverk. En 5,5meter lang todelt arm er staketruckens verktøy for arbeid i ovnen. Selv med sitt snevre bruksområde er staketrucken en viktig del av produksjonsprosessen. Staketrucken har en begrensning, redskapsbytte. Staketruckens utforming gjør at den per i dag ikke kan bytte redskap, en såkalt stakearm uten hjelp av støttefunksjoner. Dagens støttefunksjon er å benytte en gaffeltruck ved bytte av stakearm, en løsning som er tidskrevende og ikke minst legger beslag på to operatører i løpet av byttet. Fesil Rana Metall ønsker derfor å utrede mulighetene for en enklere metode for stakearmsbytter. I hovedsak er det vurdert ny design på koblingen mellom stakearmens indre og ytre del og ulike stativløsninger for lagring av stakearmer som ikke er i bruk. Metoden for å vurdere behovet og utforming av en ny løsning for bytte av stakearmer har i stor grad vært basert på faktainnsamling fra en brukergruppe ved FRM som daglig har kontakt med utstyret. Skisser fra forundersøkelsen blir presentert og det blir presentert en komplett løsning som baserer seg på å beholde dagens koblingstype og oppmuntre til hyppigere bytter av redskap ved hjelp av et roterbart stativ. Noe som vil forenkle bytte av stakearmer betraktelig. Den ferdige løsningen inneholder FEM-beregninger samt enkle beregninger for å dimensjonere hydraulikk og sveiser.
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Rouve, Laure-Line. "Prise en compte du comportement magnétique fréquentiel des tôles FeSi en modélisation électrotechnique." Grenoble INPG, 1996. http://www.theses.fr/1996INPG0027.
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La bonne description du flux magnétique à travers les tôles magnétiques Fesi couramment utilisées en électrotechnique nécessite la prise en compte de l'hystérésis et des courants induits qui se développent dans l'épaisseur des tôles avec la fréquence. Le calcul des grandeurs magnétiques dans la section des tôles par résolution numérique de l'équation de la diffusion montre qu'un modèle de Preisach dynamique donne une bonne représentation du comportement magnétique local. Ce modèle permet en effet de décrire le comportement systématique du matériau ainsi que l'effet d'amortissement des courants induits sur le mouvement des parois. Grâce et ce modèle, l'induction moyenne sur la section et les pertes dissipées dans la tôle sont approchées de façon très satisfaisante gour un champ en surface sinusoïdal et des fréquences supérieures à la fréquence de travail habituelle des tôles. Pour les mêmes conditions de travail, une méthode est proposée pour résoudre analytiquement l'équation de la diffusion magnétique. Cette méthode repose sur l'utilisation du modèle de Preisach dynamique et des hypothèses simplificatrices concernant les variations de perméabilité différentielle dans le temps et l'espace dues à l'hystérésis. Elle donne des résultats très proches de ceux de la méthode numérique. Ainsi, ce travail présente-t'il les bacs d'un modèle reliant l'induction moyenne sur la section d'une tôle au champ appliqué en surface. Ce modèle, supposé scalaire (induction et champ colinéaires), permet également d'approcher les pertes dans les structures électrotechniques
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Le, Thanh Vinh. "Hétéroépitaxie du disiliciure semiconducteur de fer, beta-fesI#2, sur substrat silicum(111)." Aix-Marseille 2, 1992. http://www.theses.fr/1992AIX22014.
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Cette these presente une etude systematique de la croissance epitaxiale de beta-fesi#2 sur silicium(111) par jet moleculaire (mbe). Deux techniques de croissance epitaxiales ont ete exploitees: solid phase epitaxy (spe) et reactive deposition epitaxy (rde). Les caracterisations in situ ont ete effectuees par rheed, xps, ups, auxquelles sont associees des mesures ex-situ de diffraction des rayons x, microscopie electronique a transmission, microprofilometre auger. Les resultats obtenus ont montre que l'epaisseur initiale de fer depose est un parametre tres sensible a la cinetique de croissance et a la morphologie du film de beta-fesi#2. Outre la confirmation des relations d'epitaxie de beta-fesi#2 sur silicium, nous avons revele l'existence d'une phase hors d'equilibre de fesi#2 epitaxiee et contrainte sur la face (111) du silicium. Contrairement a la phase semiconductrice, orthorhombique beta-fesi#2, cette phase possede des proprietes metalliques et cristalline dans une structure cubique. Le domaine d'existence de cette phase est caracterise par une epaisseur critique et une temperature critique. Au-dela de ces valeurs critiques, cette phase relaxe vers la phase semiconductrice beta-fesi#2. Nous avons aussi montre, pour la premiere fois, deux types de transition de phases differentes: l'une est la transition de la phase contrainte fesi#2 vers le mono-siliciure fesi observee dans la gamme de temperature 300-350c, l'autre est la relation de la phase contrainte fesi#2 a beta-fesi#2 observee dans la gamme 400-450c
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Yang, Zuoya. "An optical and structural study of ion beam synthesised Si/beta-FeSi2/Si (100) layered structures." Thesis, University of Surrey, 1996. http://epubs.surrey.ac.uk/843270/.
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The structural and optical properties of Ion Beam Synthesised (IBS) semiconducting FeSi2 (beta-FeSi2) have been studied by transmission electron microscopy and optical transmission measurements. A number of different orientation relationships between the beta grains and the silicon substrate have been observed, which can be attributed to the existence of a variety of parallel plane pairs with the available small lattice mismatches. It is suggested that the IBS beta-FeSi2 is incoherent with the silicon matrix. The internal streaking contrast of the beta grains results from the interfaces between coexistent beta order domains which are 90° related to one another around [200]beta. The interface of the adjacent order domains is (200)beta. The mechanism for the formation of these order domain boundaries has been investigated. Face-centred cubic gamma-FeSi2 was observed in the as-implanted sample and the samples annealed at temperatures up to 600°C. It is suggested that the formation of the equilibrium beta-phase is preceded via the transition gamma-phase due to the better lattice match with the silicon substrate. Photon energy dependence of the absorption coefficient has indicated the existence of a minimum direct band gap in the IBS beta-FeSi2 with an energy of 0.847eV at room temperature. The absorption below the fundamental edge can be mainly attributed to the presence of an exponential Urbach tail with the width of ~47meV at room temperature. Measurement temperature dependence of both the direct band gap energy and the Urbach tail width has been analyzed using the Einstein Model, demonstrating the effect of thermal disorder on the band edge parameters. The variation of the band edge parameters with annealing temperature reflects the influence of structural disorder including bond distortion at the grain boundaries in the IBS beta-FeSi2. Fe+ dose dependence of the band edge parameters has revealed the existence of the metallic FeSi phase in the samples with doses higher than 4x1017 Fe+/cm 2, leading to the slightly small direct band gap energy and relatively large Urbach tail width.
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Viala, Bernard. "Propriétés mécaniques et magnétiques des rubans d'alliage FeSi6. 5% élaborés par solidification rapide sous atmosphère contrôlée." Toulouse, INSA, 1994. http://www.theses.fr/1994ISAT0035.
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Le procede de solidification rapide sur roue par ecoulement planaire sous atmosphere controlee permet d'elaborer des rubans d'alliage fer-silicium avec exces de silicium, totalement flexibles et aux caracteristiques morphologiques bien maitrisees. Nous etudions les mecanismes de croissance cristalline associes, controles par des vitesses de solidification elevees. L'amelioration des proprietes magnetiques douces reposant sur la recristallisation du materiau, nous verifions que la croissance des grains (100) et (110) peut etre controlee grace a la teneur en oxygene residuel de l'atmosphere de traitement. Nous observons alors un caractere fragile apres recristallisation resultant d'une augmentation du niveau des contraintes internes due au developpement des phases ordonnees, au cours du refroidissement. Nous montrons ensuite que la minimisation des pertes magnetiques passe par l'augmentation du degre de purete de l'alliage et par la croissance preferentielle des grains (100). Nous etablissons des conditions conciliant performance magnetique et bonne tenue mecanique grace notamment au traitement thermique par chauffage infrarouge suivi d'une vitesse de refroidissement relativement elevee qui permet de preserver un comportement ductile aux rubans recristallises en limitant la formation des phases ordonnees. Enfin, grace a l'analyse associee a la separation des pertes magnetiques, nous verifions que la composante hysteretique domine nettement, les pertes classiques etant peu importantes en raison de la faible epaisseur et de la resistivite relativement elevee de l'alliage et les pertes en exces restant faibles du fait d'un comportement cooperatif des parois de bloch. Ces materiaux sont alors les plus performants du marche, pour des frequences allant jusqu'au khz. Cette etude a ete menee dans le cadre d'un contrat brite-euram
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Thabethe, Sibongiseni Stanley. "Growth and characterization of FeSi nanowires by chemical vapor deposition for gas sensing applications." Thesis, University of the Western Cape, 2014. http://hdl.handle.net/11394/4239.
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>Magister Scientiae - MScFeSi nanowires were synthesized via a chemical vapor deposition method. Anhydrous FeCl3 powder in this case served as the Fe source and was evaporated at a temperature of 1100oC to interact with silicon substrates which served as the silicon source. The nanowires followed the vapor solid (VS) growth mechanism, which does not require the use of a metal catalyst; the native silicon oxide layer on the silicon substrates played the role of the catalyst in the growth of these nanostructures. A second growth mechanism, involving the use of a metal catalyst to assist in the growth of the nanowires was attempted by depositing a thin film of gold on silicon substrates. The reaction yielded SiOx nanowires; these results are discussed in detail in Chapter 5. All the nanostructures were characterized by X-ray diffraction (XRD), Transmission Electron Microscopy (TEM), Scanning Electron Microscopy (SEM), Photoluminescence Spectroscopy (PL), Raman Spectroscopy and Fourier Transform Infrared Spectroscopy (FTIR).
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Teichert, Steffen. "Elektrischer Transport und allgemeine Charakterisierung der halbleitenden Silicide Beta-FeSi 2 und MnSi 1,73." [S.l. : s.n.], 1996. http://www.bsz-bw.de/cgi-bin/xvms.cgi?SWB10324503.
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DEMUNER, A. S. "O Efeito Magnetocalórico nos Compostos [(La,TR)FeSi]13, onde TR=Y ou Gd." Universidade Federal do Espírito Santo, 2008. http://repositorio.ufes.br/handle/10/4760.
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Previous issue date: 2008-05-30Neste trabalho, verificou-se experimentalmente o Efeito Magnetocalórico (EMC) (por quantificação da variação de entropia magnética (ΔSM)) nos compostos La(1-x)(TR)x[Fe0,88Si0,12]13, com 0,05 ≤ x ≤ 0,20, substituindo-se parcialmente os átomos de La por átomos de Y ou Gd (TR). As amostras obtidas foram caracterizadas por difração de raios-X (DRX), espectroscopia Mössbauer e medidas de magnetização em função da temperatura e do campo magnético. Estas últimas permitiram o cálculo do EMC, que foi avaliado em função da concentração x de Y ou Gd. Os resultados de DRX e de espectroscopia Mössbauer indicaram que as amostras se estabilizam na estrutura do tipo NaZn13, porém, acompanhadas pela formação de outras fases ricas em Fe (α-(Fe,Si) e LaFeSi). As medidas de magnetização em função da temperatura realizadas em campos baixos (0,05T) mostraram que, em todo o intervalo composicional estudado (0,05 ≤ x ≤ 0,20), os compostos (La,TR)[Fe0,88Si0,12]13 (TR= Y ou Gd) apresentam uma transição magnética (Ferromagnético → Paramagnético) a uma temperatura, TC, abaixo da temperatura ambiente. Por outro lado, observou-se nas medidas de magnetização em função do campo magnético aplicado, que para certas concentrações de Y ou Gd (x= 0,05 (Y); x= 0,05 e 0,20 (Gd)), as curvas passam a apresentar um comportamento característico de uma transição metamagnética induzida por campo. Na série do composto La(1-x)Yx[Fe0,88Si0,12]13, o valor máximo da ΔSM encontrado, para um campo de 5T, foi de -20,2 J/kg.K a uma faixa de temperatura T= 18,3 K, referente à amostra com x=0,05. Com relação à série do composto La(1-x)Gdx[Fe0,88Si0,12]13, o valor encontrado foi de ΔSM= -21,0 J/kg.K a uma faixa de temperatura T= 19,1 K, referente à amostra com x=0,20. Esses resultados (ΔSM) são atribuídos à transição metamagnética induzida pelo campo, conforme observado nos gráficos de Arrot (M2 em função de H/M).
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Lefki, Karim. "Propriétés optiques, électriques et photoélectriques de couches minces de siliciure de fer semiconducteur [bêta]-FeSi2 sur silicium." Grenoble 1, 1992. http://www.theses.fr/1992GRE10077.
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Le disiliciure de fer dans sa phase beta est un materiau semiconducteur. Nous avons etudie quelques proprietes optiques, electriques et photoelectriques de divers echantillons, generalement en couches minces. Les mesures electriques effectues sur des echantillons deposes sur silicium montrent que ce siliciure est un semiconducteur de type p. Elles mettent egalement en evidence la presence de defauts electriquement actifs dans la structure metal/siliciure/silicium. La bande interdite de ce materiau est obtenue par mesure de reflexion-transmission d'un bicouche siliciure-silicium. Cette bande interdite est directe, de valeur 0. 89 ev. Les spectroscopies infrarouges et raman ont donne acces aux vibrations du reseau. Ces resultats ont pu etre correles a la structure cristallographique de ce materiau. En comparant plusieurs echantillons prepares differemment, un decalage des raies infrarouges et raman a egalement ete mis en evidence. Le durcissement des modes de vibration va de pair avec l'augmentation des parametres de reseau, ce qui est interprete par la presence de defauts de stchiometrie differents suivant les echantillons et correle avec la nature du substrats. Des mesures de photoemission interne ont montre l'existence de transitions d'energies inferieures a la bande interdite. La variation du seuil de photoemission en fonction de la temperature nous permet de suivre l'evolution de la bande interdite du semiconducteur en accord avec d'autres auteurs. La synthese de l'ensemble de ces resultats experimentaux permet de proposer un diagramme d'energie de l'heterojonction siliciure-silicium
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LEBOURG, CYRIL. "Alliages fesi (3 a 7,8%) rapidement solidifies : contribution a l'etude des proprietes mecaniques et magnetiques." Toulouse, INSA, 1999. http://www.theses.fr/1999ISAT0013.
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Le traitement thermique des rubans fesi rapidement solidifies engendre une fragilisation mecanique, suite a l'etablissement de phases ordonnees. L'augmentation de la concentration en silicium fait apparaitre une transition ductile-fragile, en elevant la resistance mecanique. L'optimisation magnetique passe par l'obtention de grande taille de grain associee a une composante (100)<0vw> de la texture. La composition fesi 6,5% offre le meilleures proprietes magnetiques. L'importance de l'effet de la restauration, apres ecrouissage, sur l'amelioration du comportement magnetique varie avec la composition. Par contre la diminution de la densite de joints de grain presente une influence comparable pour l'ensemble des teneurs etudiees.
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ORLIONNET-RESZETKO, VERONIQUE. "Possibilites de formation de la texture de goss dans des materiaux fesi elabores par solidification rapide*." Paris 6, 1991. http://www.theses.fr/1991PA066708.
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Nous avons etudie les possibilites de formation de la texture de goss sur des rubans de fesi elabores par flot planaire et par trempe entre cyclindres. Les echantillons possedent une microstructure de solidification telle que leur texture est du type 100
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Lang, Rossano. "Nanoestruturas luminescentes ß-FeSi 2 produzidas pela técnica de implantação e irradiação iônica : caracterização estrutural e óptica." reponame:Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da UFRGS, 2009. http://hdl.handle.net/10183/28174.
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Neste trabalho, apresentamos um estudo sistemático das propriedades estruturais e ópticas de nanopartículas FeSi2, sintetizadas em matriz SiO2/Si por implantação iônica, seguida de cristalização epitaxial induzida por feixe de íons (IBIEC) e tratamentos térmicos em atmosfera 95 % N2 - 5 % H2. A cada etapa do processo de síntese, a formação e crescimento de nanopartículas FeSi2, bem como a produção de defeitos, foi caracterizada estruturalmente e correlacionada com as propriedades de emissão de luz. Para fins de interpretação dos resultados, um conjunto de amostras contendo Ni foi sintetizado nas mesmas condições experimentais que as amostras de Fe e suas propriedades estruturais e ópticas também foram estudadas. Através do processo de recristalização IBIEC obtivemos importantes informações sobre as propriedades vibracionais da fase metálica γ-FeSi2 e sua metaestabilidade quando formada a baixa concentração de Fe. Em particular, a transição desta fase via temperatura de recozimento para a fase semicondutora β-FeSi2 foi investigada detalhadamente. A natureza do gap fundamental de energia do composto semicondutor também foi avaliada. Em experimentos em função da temperatura de tratamento térmico, observou-se que concomitantemente à formação e crescimento de nanopartículas semicondutoras, existe uma complexa evolução de defeitos opticamente ativos. De acordo com a temperatura de recozimento, bandas de fotoluminescência (PL) na região espectral do infravermelho próximo (0.7 eV - 0.9 eV) com diferentes intensidades e morfologias foram detectadas a 2 K. Baseado nos resultados das caracterizações estruturais e ópticas do sistema SiO2/Si + nanopartículas FeSi2, juntamente com resultados PL experimentais comparativos da formação do composto metálico NiSi2, as origens físicas das distintas luminescências observadas foram discriminadas em termos de emissões intrínsecas do semicondutor β-FeSi2 e de específicos tipos de defeitos na matriz de Silício que atuam como centros de recombinação radiativa.In this work, we present a systematic study of the structural and optical properties of FeSi2 nanoparticles, synthesized in SiO2/Si matrix by ion implantation, followed by ion beam induced epitaxial crystallization (IBIEC) and several thermal treatments under 95 % N2 - 5 % H2 atmosphere. Each step of the syntheses process, the formation and growth of the FeSi2 nanoparticles, as well as the damage production, were structurally characterized and correlated with their light emission properties. For purposes of interpreting the results, a set of samples containing Ni was synthesized in the same experimental conditions that the Fe samples and their structural and optical properties were also studied. Through IBIEC recrystallization process, important informations were obtained about vibrational properties of the metallic γ-FeSi2 phase and its metastability when formed at low Fe concentration. In particular, the phase transition from γ-FeSi2 to semiconducting β-FeSi2 via annealing treatment was investigated in detail. Furthermore, the nature of the energy fundamental gap of the semiconductor compound was also evaluated. Thermal treatment experiments at different temperatures showed that concomitantly to the formation and growth of the semiconducting nanoparticles, there is a complex evolution of the optically active defects. According to the annealing temperature, photoluminescence (PL) bands in the near-infrared spectral region (0.7 eV - 0.9 eV) with different intensities and morphologies were detected at 2 K. Based on the structural and optical characterization results of the SiO2/Si + FeSi2 nanoparticles, combined with the comparative experimental PL results of the metallic NiSi2 compound formation, the physical origin of the distinct observed luminescence were discriminated in terms of intrinsic emissions of the semiconducting β-FeSi2 and specific types of defects in the Si matrix, that acts as radiative recombination centers.
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Maltez, Rogério Luis. "Estudos da formação, estabilidade e ordenamento da fase gamma FeSi 2 produzida pela técnica de implantação iônica." reponame:Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da UFRGS, 1996. http://hdl.handle.net/10183/31455.
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No presente trabalho implantamos íons de Fe em amostras de Si que são subseqüentemente recristalizadas pela técnica Cristalização Epitaxial Induzida por Feixe de íons (IBIEC). Quatro técnicas de análise (RBS, Canalização, Mõssbauer e TEM) foram utilizadas a fim de estudar os seguintes aspectos: a) fases formadas pela técnica IBIEC em função da concentração de Fe implantado; b) estabilidade térmica dos precipitados -y-FeSi2; c) caracterização da fase -y-FeSi2 pela técnica Mõssbauer e a existência ou não de um carácter magnético para esta fase. Nossos experimentos mostraram os seguintes resultados. Em baixa concentração de Fe (C
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ANDRIAMIFIDY, JEAN-LUC. "Contribution a l'etude de l'influence de l'heterogeneite du champ magnetique sur les pertes dans les toles fesi." Paris, CNAM, 1995. http://www.theses.fr/1995CNAM0210.
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Dans un premier temps, nous avons etabli une methode de predetermination de pertes dans les machines electriques en se basant sur les methodes numeriques classiquement utilisees. L'ordre de grandeur de l'ecart entre les resultats de notre predetermination est d'environ 30% par rapport aux pertes reelles. Cet ecart est du a des sources de pertes supplementaires dont on n'a pas tenu compte dans les calculs. Parmi ces sources de pertes nous avons choisi d'etudier l'influence de l'heterogeneite de l'induction sur les pertes. Dans une deuxieme partie, nous avons modelise une tole magnetique soumis a un gradient d'induction a l'aide d'un logiciel de calcul de champ. La structure geometrique d'une machine etant complexe, un echantillon de forme trapezoidale est choisie. Cette etude a montre que la contribution de l'effet de forme de l'echantillon sur les pertes peut atteindre 15% des pertes totales. Enfin, dans la derniere partie, nous avons essaye de mettre au point dispositif de caracterisation d'une tole soumise a un gradient d'induction. Cette etude a permis de soulever certains nombres de problemes sur le choix des capteurs et la preparation de l'echantillon. Nous avons aussi predetermine les caracteristiques magnetiques de l'echantillon de forme trapezoidale a partir des caracteristiques magnetiques des toles standards
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GUILHERME, ENEIDA da G. "Estudo do processo de obtencao da liga magnetica NDsub(15) FEsub(77) Bsub(8) por reducao-difusao (R/D) calciotermica." reponame:Repositório Institucional do IPEN, 1992. http://repositorio.ipen.br:8080/xmlui/handle/123456789/10285.
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Disserta‡ao (Mestrado)
IPEN/D
Instituto de Pesquisas Energeticas e Nucleares - IPEN/CNEN-SP
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Abou, Mourad Houssam. "Metallic to insulating transition in disordered pulsed laser deposited silicide thin films." [Tampa, Fla.] : University of South Florida, 2005. http://purl.fcla.edu/fcla/etd/SFE0001000.
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Nencib, Nadim. "Conception et validation d'un dispositif de caractérisation magnétique sous excitation bidimensionnelle : comportement des toles FeSi en champ tournant." Grenoble INPG, 1994. http://www.theses.fr/1994INPG0109.
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On s'intéresse à caractériser et comprendre le comportement des tôles magnétiques fonctionnant sous un champ d'excitation bidimensionnel. Un dispositif de mesure performant a été développé. Il permet de déterminer les propriétés magnétiques d'échantillons de 300 x 300 mm2 de dimension en régime d'enduction tournante, d'une part, en régime unidirectionnel d'orientation quelconque dans le plan de la tôle, d'autre part. Il a été optimisé suite à des simulations bidimensionnelle et tridimensionnelle utilisant les logiciels FLUX2D et FLUX3D dans lesquelles l'influence de nombreux paramètres physiques et géométriques ont été analysées. Des tôles FeSi GO et Fe Si NO ont été caractérisées en champ tournant et en champ uniaxial. Les pertes et les courbes B(H) obtenues sont analysées en termes d'anisotropie. Enfin, une représentation géométrique des pertes en champ tournant équivalente au cycle d'hystérésis en champ uniaxial est proposée
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Thoumire, Olivier. "Influence de la nitruration en lit fluidisé sur les propriétés structurales, mécaniques et magnétiques d'alliages FeSi et FeSiAl." Rouen, 1999. http://www.theses.fr/1999ROUES003.
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Cette thèse porte sur l'étude des propriétés structurales, mécaniques et magnétiques de tôles FeSi et FeSiAl soumises à des traitements thermiques conventionnels et des traitements thermochimiques de nitruration. La surface des échantillons nitrures révèle la présence d'une couche biphasée de nitrures de fer. Une microstructure en aiguilles, accompagnée d'une évolution de la taille des grains est également observée à l'intérieur de la matrice des échantillons nitrurés en lit fluidisé. Cette morphologie est fonction de la température, du temps de nitruration et du débit de gaz. Une analyse fine de la composition des couches de combinaison et de diffusion révèle la présence de fer et d'oxydes de fer en extrême surface. Par ailleurs, les mesures mécaniques locales montrent comment la microdureté évolue avec les paramètres de nitruration. Des mesures magnétiques (aimantation, cycle d'hystérésis) sur des échantillons nitrurés ont montré une augmentation du champ coercitif et des pertes par hystérésis en relation avec la présence des couches de nitrures de fer en surface. Ces couches de nitrures présentent des propriétés magnétiques semi-dures qui pourraient être exploitables en technologie de l'électrotechnique.
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Oberhauser, Felix [Verfasser], and Markus [Akademischer Betreuer] Glatzel. "Beteiligung von OS-9 an der ER-assoziierten Degradation (ERAD) bei familiärer Enzephalopathie mit Neuroserpin-Einschlüssen (FENIB) / Felix Oberhauser. Betreuer: Markus Glatzel." Hamburg : Staats- und Universitätsbibliothek Hamburg, 2014. http://d-nb.info/1055040323/34.
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Jursic, Ivan [Verfasser], and J. [Akademischer Betreuer] Schoenes. "Mikro-Raman Untersuchungen an FeSi unter Druck bis 34GPa sowie an SmFeAsO0,8F0,2 und EuFe2As2 unter Normaldruck / Ivan Jursic ; Betreuer: J. Schoenes." Braunschweig : Technische Universität Braunschweig, 2014. http://d-nb.info/1175820245/34.
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Schipanski, Angela [Verfasser], and Markus [Akademischer Betreuer] Glatzel. "Mechanism of neuronal death in familial encephalopathy with neuroserpin inclusion bodies (FENIB) : Implications for mutant neuroserpin degradation ; a study in mus musculus / Angela Schipanski. Betreuer: Markus Glatzel." Hamburg : Staats- und Universitätsbibliothek Hamburg, 2011. http://d-nb.info/1020458119/34.
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TACCOEN, ALAIN. "Caracterisation des premiers stades de croissance du fer et du -fesi#2 sur la surface (111) du silicium par ondes stationnaires de rayons x et microscopie electronique en transmission." Paris 6, 1993. http://www.theses.fr/1993PA066252.
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Ce travail prote sur les interfaces entre d'une part, le fer et d'autre part, le -fesi#2, semi-conducteur potentiellement prometteur et le silicium (111). Le depot de fer sur du silicium est une etape dans l'elaboration de couches minces de -fesi#2 par la methode d'epitaxie en phase solide. Les techniques d'analyse utilisees ici sont les ondes stationnaires de rayons x (interface fe/si(111)) et la microscopie electronique en transmission (interface -fesi#2/si(111)). L'interface fe/si(111) a ete caracterisee jusqu'a un depot de trois monocouches: les atomes de fer de la premiere couche se deposent sur les sites t#4, les trois premieres couches croissent en ilots avec une orientation privilegiee par rapport au substrat et se remplissent completement avant toute croissance ulterieure. La structure de l'interface -fesi#2 presente theoriquement deux relations d'epitaxie: -fesi#2(110)/si(111) ou -fesi#2(101)/si(111) avec, en outre, pour chaque possibilite, deux types d'orientations de croissance. La microscopie electronique a permis de montrer l'existence d'une structure maclee des films de -fesi#2 qui alterne les plans (110) et (101) au sein d'un meme grain monocristallin. Par ailleurs, seul un des deux types d'orientation de croissance du -fesi#2 apparait. La symetrie ternaire de la surface du silicium donne, en outre, trois possibilites de croissance
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Giedigkeit, Rainer. "Strukturelle Ordnung und Unordnung in binären und ternären Verbindungen des Galliums mit Ytterbium und Palladium." Doctoral thesis, Saechsische Landesbibliothek- Staats- und Universitaetsbibliothek Dresden, 2008. http://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:bsz:14-ds-1201464467941-38198.
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Um einen besseren Zugang zum Verständnis struktureller Eigenschaften von den ternären Verbindungen des Systems Yb–Pd–Ga zu bekommen, wurden zunächst die Ordnungs- und Unordnungsbeziehungen sowie die chemische Bindung in den Kristallstrukturen binärer Pd–Ga- bzw. Yb–Ga-Verbindungen analysiert. Im Rahmen der phasenanalytischen Untersuchungen des binären Systems Yb–Ga konnte eine neue Verbindung charakterisiert werden (Ytterbiumpentagallid). Für den galliumreichen Teil des ternären Phasendiagramms Yb–Pd–Ga wurde ein isothermer Schnitt bei 600 °C erstellt (> 50 At.-% Ga). Die Homogenitätsbereiche der untersuchten Verbindungen wurden metallographisch bzw. röntgenographisch bestimmt. Die Kristallstrukturen wurden aus Röntgen-Einkristalldaten bestimmt. In den Kristallstrukturen wurden drei unterschiedliche Arten von Unordnung beobachtet (Substitutionsunordnung, Symmetrie-Brechung, Positionsunordnung). Für eine Reihe von Verbindungen des Systems Yb–Pd–Ga wurde der elektronische Zustand von Yb bestimmt. Dies gelang mit Hilfe von Messungen der magnetischen Suszeptibilität bzw. mit der Röntgen-Absorptionsnahkantenspektroskopie.
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Giedigkeit, Rainer. "Strukturelle Ordnung und Unordnung in binären und ternären Verbindungen des Galliums mit Ytterbium und Palladium." Doctoral thesis, Technische Universität Dresden, 2007. https://tud.qucosa.de/id/qucosa%3A24059.
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Um einen besseren Zugang zum Verständnis struktureller Eigenschaften von den ternären Verbindungen des Systems Yb–Pd–Ga zu bekommen, wurden zunächst die Ordnungs- und Unordnungsbeziehungen sowie die chemische Bindung in den Kristallstrukturen binärer Pd–Ga- bzw. Yb–Ga-Verbindungen analysiert. Im Rahmen der phasenanalytischen Untersuchungen des binären Systems Yb–Ga konnte eine neue Verbindung charakterisiert werden (Ytterbiumpentagallid). Für den galliumreichen Teil des ternären Phasendiagramms Yb–Pd–Ga wurde ein isothermer Schnitt bei 600 °C erstellt (> 50 At.-% Ga). Die Homogenitätsbereiche der untersuchten Verbindungen wurden metallographisch bzw. röntgenographisch bestimmt. Die Kristallstrukturen wurden aus Röntgen-Einkristalldaten bestimmt. In den Kristallstrukturen wurden drei unterschiedliche Arten von Unordnung beobachtet (Substitutionsunordnung, Symmetrie-Brechung, Positionsunordnung). Für eine Reihe von Verbindungen des Systems Yb–Pd–Ga wurde der elektronische Zustand von Yb bestimmt. Dies gelang mit Hilfe von Messungen der magnetischen Suszeptibilität bzw. mit der Röntgen-Absorptionsnahkantenspektroskopie.
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Lippi, Silvio. "Analysis of rotor eddy-current losses in synchronous motors." Master's thesis, Alma Mater Studiorum - Università di Bologna, 2022.
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La stima delle perdite rotoriche per correnti parassite (Eddy currents) è cruciale nella progettazione dei moderni motori SPM. Poichè le loro prestazioni dipendono fortemente da esse. I motori devo essere progettati in modo da prevenire eccessive perdite rotoriche, le quali possono portare alla demagnetizzazione dei magneti e ad un deterioramento delle performance generali della macchina. Nel capitolo 1 sono illustati i principi fisici che descrivono il comportamento dei motori elettrici e delle perdite rotoriche per correnti parassite. Sono poi discusse le proprietà dei materiali impiegati nell'ambito della costruzione di macchine elettriche ed infine sono presentate le tecniche al momento più diffuse per la stima delle correnti parassite. Dopo di che nel capitolo 2 è analizzato un modello semplificato di un SPM, in cui il rotore è sostituito con un cilindro solido. In particolare è stata investigata la dipendenza dalla resistività del materiale impiegato per il rotore. Una tecnica basata sul current sheet per la stima delle perdite rotoriche è presentata in dettaglio e implementata. Infine è riportata la validazione della procedura basata sul current sheet. Nel capitolo 3 l'analisi è estesa a un reale motore SPM, in particolare sono investigate le perdite nei magneti. Sono quindi illustrate le criticità di tale analisi e i limiti del modello. Per finire nel capitolo 4 sono riportati i risultati dei test effettuati, e sono discussi possibili futuri sviluppi del metodo illustrato.
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Maijó, Ferré Irene. "Preconcentration strategies in capillary electrophoresis for the determination of pharmaceutical and personal care products." Doctoral thesis, Universitat Rovira i Virgili, 2012. http://hdl.handle.net/10803/84043.
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L'objectiu principal d'aquestaTesi Doctoral és el desenvolupament de diferents estratègies per disminuir els límits de detecció de l’electroforesicapil•lar per a la determinació de compostos farmacèutics i els productes de cura personal. Aquestes estratègies es basen en les tècniques de preconcentració electroforètiques i cromatogràfiques, i l'ús de l’espectrometria de masses com a sistema de detecció. Com a tècniques de preconcentració electroforètiques s'han estudiat les tècniques de samplestacking i sweeping, i com a tècnica de preconcentració cromatogràficas’ha avaluat l'acoblament en línia entre l'extracció en fase sòlida i l'electroforesicapil•lar (In-line SPE-CE). Entre elsPPCPs, aquesta tesi doctoral es centra específicament en els antiinflamatoris no esteroïdals(AINE), els parabens i els filtres ultraviolats.
Un altre dels objectius d'aquestaTesi Doctoral és estudiarl’aplicabilitat de les metodologies desenvolupades per a l'anàlisi de mostres ambientals per determinar PPCP.The main objective of this Doctoral Thesis is the development of different strategies to decrease the detection limits of capillary electrophoresis for the determination of pharmaceutical and personal care products. These strategies are based on electrophoretic and chromatographic preconcentration techniques, and the use of mass spectrometry as a detection system. The electrophoretic preconcentration techniques studied included sample stacking techniques and sweeping while the chromatographic preconcentration technique evaluated was in-line coupling between solid phase extraction and capillary electrophoresis. With respect to PPCPs, this Doctoral Thesis focuses specifically on non-steroidal anti-inflammatory drugs (NSAIDs), parabens and UV-filters. Another objective of this Doctoral Thesis is to study the suitability of the developed methodologies for the determination of PPCPs in environmental samples.
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Wei-JieHuang та 黃韋傑. "Synthesis and properties of morphology-improved single crystalline FeSi and β-FeSi2 nanowires". Thesis, 2014. http://ndltd.ncl.edu.tw/handle/qn6j62.
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Chen, Chih-Wei, та 陳志偉. "Synthesis and Properties of the β-FeSi2 and ε-FeSi Nanowires by Oxide Assisted Growth Method". Thesis, 2011. http://ndltd.ncl.edu.tw/handle/59550264757787925877.
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碩士國立清華大學
材料科學工程學系
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Transition metal silicide nanowires compose a highly broad set of refractory materials that are promising materials that are currently used for many applications including CMOS devices, thin film coatings, bulk structural components, electrical heating elements, photovoltaics, thermoelectric and spintronics. Semiconducting silicides have been extensively investigated for silicon-based optoelectronics such as LEDs and IR detectors. The narrow bandgap semiconducting silicides, in particular CrSi2, β-FeSi2, MnSi1.8, and ReSi1.75, have been targeted and used for robust, stable, and inexpensive thermoelectric materials, and have shown potential for photovoltaic applications. β-FeSi2 is a silicon-rich phase with a orthorhombic structure (space group Cmca) that has direct-bandgap . It allows for making light-emitting devices which operate at 1.5mm that incorporate β-FeSi2 into a conventional silicon bipolar junction. ε-FeSi is a metallic material with a cubic structure (space group P213) that has been classified as a Kondo insulator. It has attracted interest for over half a century, mainly because of its unusual magnetic behavior. β-FeSi2 and ε-FeSi nanowires were produced on silicon substrates covered with a thick layer of silicon oxide through the decomposition of the double-source precursor FeCl3 and SiO in a Oxygen Assisted Growth (OAG) process. Unlike typical Vapor-Liquid-Solid (VLS) NWs growth, The NWs form without the addition of metal catalysts had no catalyst tips. The morphologies and structure of NWs were confirmed by X-ray diffraction (XRD), scanning electron microscopy (SEM), and transmission electron microscopy (TEM). SEM shows that the diameter of the NWs is below 100nm and the length of NWs is tens of micrometers. XRD reveals that samples can grow in single phase or in double phase NWs depending on the growth temperature. Energy spectroscopy for chemical analysis (ESCA) shows the NWs are covered a thick SiO2 layer. TEM results indicate that the NWs growth is along the low index plane. We also have fabricated two-terminal electrical devices of β-FeSi2 and ε-FeSi NWs, and they exhibited average resistivity about 2000μΩ．cm and 250μΩ．cm. We found that the resistivity decreases stepwise as the NWs is thinned in semiconducting nanowires. In conclusion, we have successfully synthesized freestanding single-crystalline nanowires of β-FeSi2 and ε-FeSi by OAG method. This shows that semiconducting and metallic NWs will prove to be promising materials in future nanotechnology.
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Tsai, Feng-Tsai, and 蔡豐在. "Design and Analysis of -FeSi2 Quantum Dots." Thesis, 2004. http://ndltd.ncl.edu.tw/handle/90971686264837426058.
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碩士義守大學
電子工程學系
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With a direct band gap of ~0.87 eV, β-FeSi2 possesses a great potential for the realization of integrated Si optoelectronic devices. Thus, using β-FeSi2 quantum dots as light emitting materials in the active layer and Si-based layered media as cavity reflectors to design the RCLED and RC2LED device structures are proposed in this thesis. The extraction efficiency is the key performance figure for high-efficiency LEDs. The spontaneous emission is modeled as an electric dipole. In this thesis, the extraction efficiency is calculated by using E-field reflection coefficients for both TE and TM modes. A simulation program has been developed to analyze device structure (such as active layer thickness, source positions, and reflector structures) and calculate the optimal cavity thickness correction and extraction efficiency. The extraction efficiency about 51% can be obtained by using β-FeSi2 quantum dots as the active layer and poly-Si/Si3N4 DBR as cavity reflectors and about 48% for the RC2LED structure.
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Wu, Geng-Tong, та 吳耿同. "Simulation and Analysis of β-FeSi2 LED". Thesis, 2006. http://ndltd.ncl.edu.tw/handle/24482201414219379794.
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碩士義守大學
電子工程學系碩士班
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The light-emitting devices are all fabricated by using Ⅲ-Ⅴ compound materials at the present day. However, the lattice constants of Ⅲ-Ⅴcompound materials are different from Si material, therefore the light-emitting devices can not integrate with Si chips. Recently, light emission from Si has been showed to be possible when the Si in the from of a low-dimensional system or when selected active impurities (such as erbium) and/or new phases (such as β-FeSi2). So far the studies of β-FeSi2 by many scholars have been focused on the investigation of its optical and electrical properties to find out the optimum thin film growth conditions. The theoretical investigation of β-FeSi2 light-emitting devices has not been reported. Thus, various laser diode structures (such as edge-emitting diode and surface-emitting diode) by using β-FeSi2 film as the action layer will be designed and analyzed in this proposal. First, the gain of β-FeSi2 /Si double heterostructure laser will be calculated. Then, the steady state solution of the rate equations will be solved to investigate the threshold characteristics and output power of β-FeSi2 /Si laser. The transient solutions of the rate equations will be calculated by using Analytic Solution to analyze the dynamic effects, frequency response and turn-on delay behavior of β-FeSi2 /Si laser, The analysis of rate equations can investigate the key factors that dominate the β-FeSi2/Si laser performances, These results can be used to fabricate the optimum β-FeSi2/Si laser structures.
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"Phase and microstructure of FeSi₂ thin films." 2006. http://library.cuhk.edu.hk/record=b5892816.
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Chong Yuen Tung = 硅化鐵薄膜的相和微觀結構 / 莊宛曈.Thesis (M.Phil.)--Chinese University of Hong Kong, 2006.
Includes bibliographical references (leaves 63-65).
Text in English; abstracts in English and Chinese.
Chong Yuen Tung = Gui hua tie bo mo de xiang he wei guan jie gou / Zhuang Wantong.
Abstract --- p.i
摘要 --- p.ii
Acknowledgment --- p.iii
Table of contents --- p.iv
List of Figures --- p.viii
List of Tables --- p.x
Chapter CHAPTER 1: --- Introduction --- p.1
Chapter CHAPTER 2: --- Background --- p.4
Chapter 2.1 --- Phases of crystalline FeSi2 --- p.4
Chapter 2.2 --- Electronic structure of β-FeSi2 --- p.7
Chapter 2.3 --- Orientation relationship between β-FeSi2 and Si --- p.8
Chapter CHAPTER 3: --- Instrumentation --- p.10
Chapter 3.1 --- Metal vapor vacuum arc ion source implantation --- p.10
Chapter 3.2 --- Rutherford backscattering --- p.12
Chapter 3.3 --- Transmission Electron Microscopy (TEM) --- p.13
Chapter 3.3.1 --- Principles of TEM --- p.13
Chapter 3.3.2 --- Electron specimen interaction and contrast --- p.14
Chapter 3.3.3 --- Electron Diffraction --- p.15
Chapter 3.3.4 --- Sample Preparation --- p.17
Chapter 3.3.4.1 --- Plan-view sample --- p.17
Chapter 3.3.4.2 --- Cross-section sample --- p.17
Chapter CHAPTER 4: --- FeSi2 films fabricated by ion implantation --- p.18
Chapter 4.1 --- Introduction --- p.18
Chapter 4.2 --- Experimental details --- p.18
Chapter 4.3 --- Ion energy series --- p.19
Chapter 4.3.1 --- As-implanted sample --- p.19
Chapter 4.3.1.1 --- Results --- p.20
Chapter 4.3.1.2 --- Discussions --- p.20
Chapter 4.3.2 --- Annealed samples --- p.24
Chapter 4.3.2.1 --- Morphology of the annealed samples and the damage on Si substrate --- p.24
Chapter 4.3.2.2 --- Identification of the FeSi2 phase and their orientation relationship with the Si matrix --- p.24
Chapter 4.3.2.3 --- Photoluminescence of the samples --- p.26
Chapter 4.3.2.4 --- Discussions --- p.26
Chapter 4.4 --- Ion dosage series --- p.31
Chapter 4.4.1 --- Results --- p.31
Chapter 4.4.2 --- Discussions --- p.32
Chapter 4.5 --- Summary --- p.36
Chapter CHAPTER 5: --- Effect of post annealing on the phase and microstructure of FeSi2 --- p.37
Chapter 5.1 --- Introduction --- p.37
Chapter 5.2 --- Experimental details --- p.37
Chapter 5.3 --- The correlation between microstructure of FeSi2 synthesized under different annealing conditions and their PL --- p.38
Chapter 5.3.1 --- RTA series --- p.38
Chapter 5.3.1.1 --- Results --- p.38
Chapter 5.3.1.2 --- Discussions --- p.39
Chapter 5.3.2 --- FA series --- p.42
Chapter 5.3.2.1 --- Results --- p.42
Chapter 5.3.2.2 --- Discussions --- p.44
Chapter 5.3.3 --- RTAFA series --- p.45
Chapter 5.3.3.1 --- Results --- p.45
Chapter 5.3.3.2 --- Discussions --- p.45
Chapter 5.4 --- The existence of alpha phase and its special shape --- p.51
Chapter 5.4.1 --- Results --- p.51
Chapter 5.4.2 --- Discussions --- p.52
Chapter 5.5 --- The existence of gamma phase in 1050°C furnace annealed sample
Chapter 5.5.1 --- Results --- p.56
Chapter 5.5.2 --- Discussions --- p.57
Chapter 5.6 --- Summary --- p.59
Chapter CHAPTER 6: --- Conclusions --- p.61
References --- p.63
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Chih-YungYang та 楊智詠. "Synthesis and properties of single-crystalline β-FeSi2 nanowires". Thesis, 2013. http://ndltd.ncl.edu.tw/handle/7z2fyj.
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碩士國立成功大學
材料科學及工程學系碩博士班
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In this study, self-catalyzed β-FeSi2 nanowires were synthesized via chemical vapor deposition method where the fabrication of β-FeSi2 nanowires occurred on Si(100) substrates through the decomposition of the single-source precursor of anhydrous FeCl3 powders. We carefully varied temperatures, duration time and the flow rates of carrier gases to control and investigate the growth of the nanowires. we can find that β-FeSi2 nanowires grow at about 750 ℃~ 850 ℃ and they are longer and thinner with increasing temperature . The number of nanowires was found fewer at higher gas flow rate, and the flow is less than 50sccm may have different phases appear. It is found that the longer duration time makes longer nanowires. β-FeSi2 in the PL IR spectra test can be found that there is a peak at 1380nm, it can be used as a light-emitting diode applications.The magnetism of β-FeSi2 nanowires is interesting as the result of various dimensions with different futures. β-FeSi2 bulk is non-magnetic,thin film ferromagnetic only below 100K, and in the magnetic analysis , there are room temperature ferromagnetic properties at the β-FeSi2 nanowires. In the field emission measurements, β-FeSi2 were good field emission materials.