Добірка наукової літератури з теми "Esaki Tunneling"
Оформте джерело за APA, MLA, Chicago, Harvard та іншими стилями
Ознайомтеся зі списками актуальних статей, книг, дисертацій, тез та інших наукових джерел на тему "Esaki Tunneling".
Біля кожної праці в переліку літератури доступна кнопка «Додати до бібліографії». Скористайтеся нею – і ми автоматично оформимо бібліографічне посилання на обрану працю в потрібному вам стилі цитування: APA, MLA, «Гарвард», «Чикаго», «Ванкувер» тощо.
Також ви можете завантажити повний текст наукової публікації у форматі «.pdf» та прочитати онлайн анотацію до роботи, якщо відповідні параметри наявні в метаданих.
Статті в журналах з теми "Esaki Tunneling"
Wang, Peng-Fei, Thomas Nirschl, Doris Schmitt-Landsiedel, and Walter Hansch. "Simulation of the Esaki-tunneling FET." Solid-State Electronics 47, no. 7 (July 2003): 1187–92. http://dx.doi.org/10.1016/s0038-1101(03)00045-5.
Повний текст джерелаLee, Jun-Ho, Inchul Choi, Nae Bong Jeong, Minjeong Kim, Jaeho Yu, Sung Ho Jhang, and Hyun-Jong Chung. "Simulation of Figures of Merit for Barristor Based on Graphene/Insulator Junction." Nanomaterials 12, no. 17 (August 31, 2022): 3029. http://dx.doi.org/10.3390/nano12173029.
Повний текст джерелаPerraud, S., C. David, and Z. Z. Wang. "Nanomeasure of Esaki Negative Resistance on p-Type GaAs(110) Surfaces." Solid State Phenomena 121-123 (March 2007): 835–38. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/ssp.121-123.835.
Повний текст джерелаHansch, W., C. Fink, J. Schulze, and I. Eisele. "A vertical MOS-gated Esaki tunneling transistor in silicon." Thin Solid Films 369, no. 1-2 (July 2000): 387–89. http://dx.doi.org/10.1016/s0040-6090(00)00896-8.
Повний текст джерелаBandara, K. M. S. V., and D. D. Coon. "Derivation and correction of the Tsu–Esaki tunneling current formula." Journal of Applied Physics 66, no. 2 (July 15, 1989): 693–96. http://dx.doi.org/10.1063/1.343539.
Повний текст джерелаTuomisto, Noora, Sebastiaan van Dijken, and Martti Puska. "Tsu-Esaki modeling of tunneling currents in ferroelectric tunnel junctions." Journal of Applied Physics 122, no. 23 (December 21, 2017): 234301. http://dx.doi.org/10.1063/1.5001823.
Повний текст джерелаBandara, K. M. S. V., and D. D. Coon. "Analytic techniques and corrections to the Tsu-Esaki tunneling current." Superlattices and Microstructures 4, no. 6 (January 1988): 697–700. http://dx.doi.org/10.1016/0749-6036(88)90197-8.
Повний текст джерелаWillatzen, Morten, and Zhong Lin Wang. "Contact Electrification by Quantum-Mechanical Tunneling." Research 2019 (August 4, 2019): 1–11. http://dx.doi.org/10.34133/2019/6528689.
Повний текст джерелаR. Celino, Daniel, Adelcio M de Souza, Caio Luiz Machado Pereira Plazas, Regiane Ragi, and Murilo A Romero. "Physics Based RTD Model Accounting for Space Charge and Phonon Scattering Effects." Journal of Integrated Circuits and Systems 17, no. 1 (April 30, 2022): 1–8. http://dx.doi.org/10.29292/jics.v17i1.545.
Повний текст джерелаBizindavyi, Jasper, Anne S. Verhulst, Quentin Smets, Devin Verreck, Bart Soree, and Guido Groeseneken. "Band-Tails Tunneling Resolving the Theory-Experiment Discrepancy in Esaki Diodes." IEEE Journal of the Electron Devices Society 6 (2018): 633–41. http://dx.doi.org/10.1109/jeds.2018.2834825.
Повний текст джерелаЧастини книг з теми "Esaki Tunneling"
Capasso, Federico, Fabio Beltram, Deborah L. Sivco, Albert L. Hutchinson, Sung-Nee G. Chu, and Alfred Y. Cho. "Transport in Superlattices: Observation of Negative Differential Conductance by Field Induced Localization and Its Equivalence with the Esaki-Tsu Mechanism; Scattering Controlled Resonances in Superlattices." In Resonant Tunneling in Semiconductors, 377–86. Boston, MA: Springer US, 1991. http://dx.doi.org/10.1007/978-1-4615-3846-2_35.
Повний текст джерелаТези доповідей конференцій з теми "Esaki Tunneling"
Özbay, E., and D. M. Bloom. "Triggering with Subpicosecond Jitter Using Resonant Tunneling Diodes." In Picosecond Electronics and Optoelectronics. Washington, D.C.: Optica Publishing Group, 1991. http://dx.doi.org/10.1364/peo.1991.fb1.
Повний текст джерелаKOGA, Junji, and Akira TORIUMI. "Three-Terminal Silicon Esaki Tunneling Device." In 1996 International Conference on Solid State Devices and Materials. The Japan Society of Applied Physics, 1996. http://dx.doi.org/10.7567/ssdm.1996.a-2-4.
Повний текст джерелаShah, Jagdeep. "Ultrafast Optical Studies of Tunneling and Perpendicular Transport in Semiconductor Microstructures." In Quantum Wells for Optics and Opto-Electronics. Washington, D.C.: Optica Publishing Group, 1989. http://dx.doi.org/10.1364/qwoe.1989.wc1.
Повний текст джерелаOberli, D. Y., J. Shah, T. C. Damen, C. W. Tu, and D. A. B. Miller. "Electron Tunneling Times in Coupled Quantum Wells." In Quantum Wells for Optics and Opto-Electronics. Washington, D.C.: Optica Publishing Group, 1989. http://dx.doi.org/10.1364/qwoe.1989.wd3.
Повний текст джерелаCahay, Marc M., T. Dichiaro, P. Thanikasalam, and Ramasubraman Venkatasubramanian. "Quantum-mechanical tunneling time and its relation to the Tsu-Esaki formula." In Semiconductors '92, edited by Gottfried H. Doehler and Emil S. Koteles. SPIE, 1992. http://dx.doi.org/10.1117/12.137589.
Повний текст джерелаBizindavyi, Jasper, Anne S. Verhulst, Quentin Smets, Devin Verreck, Nadine Collaert, Anda Mocuta, Bart Soree, and Guido Groeseneken. "Calibration of the high-doping induced ballistic band-tails tunneling current with In0.53Ga0.47As Esaki diodes." In 2017 Fifth Berkeley Symposium on Energy Efficient Electronic Systems & Steep Transistors Workshop (E3S). IEEE, 2017. http://dx.doi.org/10.1109/e3s.2017.8246161.
Повний текст джерелаMoraru, D., H. N. Tan, L. T. Anh, M. Manoharan, T. Mizuno, R. Nuryadi, H. Mizuta, and M. Tabe. "Enhancement of inter-band tunneling due to low-dimensionality of lateral 2D Silicon Esaki diodes." In 2016 IEEE Silicon Nanoelectronics Workshop (SNW). IEEE, 2016. http://dx.doi.org/10.1109/snw.2016.7577965.
Повний текст джерелаLiu, C. Y., P. Y. Chiu, Y. Chuang, and J. Y. Li. "Indirect-to-Direct Bandgap Transition of GeSn by Phonon-assisted Tunneling Spectra in Esaki Diodes." In 2019 International Conference on Solid State Devices and Materials. The Japan Society of Applied Physics, 2019. http://dx.doi.org/10.7567/ssdm.2019.ps-9-11.
Повний текст джерелаPrabhudesai, G., K. Yamaguchi, M. Tabe, and D. Moraru. "Coulomb-Blockade Charge-Transport Mechanism in Band-to-Band Tunneling in Heavily-Doped Low-Dimensional Silicon Esaki Diodes." In 2020 IEEE Silicon Nanoelectronics Workshop (SNW). IEEE, 2020. http://dx.doi.org/10.1109/snw50361.2020.9131628.
Повний текст джерела