Добірка наукової літератури з теми "Epitaxial stack design"
Оформте джерело за APA, MLA, Chicago, Harvard та іншими стилями
Ознайомтеся зі списками актуальних статей, книг, дисертацій, тез та інших наукових джерел на тему "Epitaxial stack design".
Біля кожної праці в переліку літератури доступна кнопка «Додати до бібліографії». Скористайтеся нею – і ми автоматично оформимо бібліографічне посилання на обрану працю в потрібному вам стилі цитування: APA, MLA, «Гарвард», «Чикаго», «Ванкувер» тощо.
Також ви можете завантажити повний текст наукової публікації у форматі «.pdf» та прочитати онлайн анотацію до роботи, якщо відповідні параметри наявні в метаданих.
Статті в журналах з теми "Epitaxial stack design"
Roy, Francois, Andrej Suler, Thomas Dalleau, Romain Duru, Daniel Benoit, Jihane Arnaud, Yvon Cazaux, et al. "Fully Depleted, Trench-Pinned Photo Gate for CMOS Image Sensor Applications." Sensors 20, no. 3 (January 28, 2020): 727. http://dx.doi.org/10.3390/s20030727.
Повний текст джерелаRoger, Frederic, Ingrid Jonak-Auer, Olesia Synooka, Filip Segmanovic, Joni Mellin, and Helmut Hofstaetter. "Systematic Electro-Optical Study of Photodiodes in Intrinsic Material (Lowly Doped) with Backend Stack Optimization." Proceedings 2, no. 13 (November 26, 2018): 909. http://dx.doi.org/10.3390/proceedings2130909.
Повний текст джерелаLoo, Roger, Nicolas Gosset, Megumi Isaji, Yumi Kawamura, Andriy Yakovitch Hikavyy, Erik Rosseel, Clement Porret, Ankit Nalin Mehta, and Jean-Marc Girard. "(Digital Presentation) Selective SiGe Vapor Etching Using Br2 in View of Nanosheet Device Isolation." ECS Transactions 109, no. 4 (September 30, 2022): 135–40. http://dx.doi.org/10.1149/10904.0135ecst.
Повний текст джерелаXie, Lu, Huilong Zhu, Yongkui Zhang, Xuezheng Ai, Guilei Wang, Junjie Li, Anyan Du, et al. "Strained Si0.2Ge0.8/Ge multilayer Stacks Epitaxially Grown on a Low-/High-Temperature Ge Buffer Layer and Selective Wet-Etching of Germanium." Nanomaterials 10, no. 9 (August 29, 2020): 1715. http://dx.doi.org/10.3390/nano10091715.
Повний текст джерелаSchulz, Michal, Timna Orland, Alexander Mehlmann, Avner Rothschild, and Holger Fritze. "Oxygen transport in epitaxial SrTiO<sub>3</sub>/SrTi<sub>1 − <i>x</i></sub>Fe<sub><i>x</i></sub>O<sub>3</sub> multilayer stacks." Journal of Sensors and Sensor Systems 6, no. 1 (February 28, 2017): 107–19. http://dx.doi.org/10.5194/jsss-6-107-2017.
Повний текст джерелаMohapatra, Eleena, Devika Jena, Sanghamitra Das, C. K. Maiti, and Taraprasanna Dash. "Design and Optimization of Stress/Strain in GAA Nanosheet FETs for Improved FOMs at Sub-7nm Nodes." Physica Scripta, April 24, 2023. http://dx.doi.org/10.1088/1402-4896/accfcc.
Повний текст джерелаCallahan, William A., Edwin Supple, David Ginley, Michael Sanders, Brian P. Gorman, Ryan O’Hayre та Andriy Zakutayev. "Ultrathin stable Ohmic contacts for high-temperature operation of β-Ga2O3 devices". Journal of Vacuum Science & Technology A 41, № 4 (28 червня 2023). http://dx.doi.org/10.1116/6.0002645.
Повний текст джерелаNadtochiy, Andriy, Vasyl Kuryliuk, Viktor Strelchuk, Oleg Korotchenkov, Pei-Wen Li, and Sheng-Wei Lee. "Enhancing the Seebeck effect in Ge/Si through the combination of interfacial design features." Scientific Reports 9, no. 1 (November 8, 2019). http://dx.doi.org/10.1038/s41598-019-52654-z.
Повний текст джерелаLu, Shiqiang, Jinchai Li, Kai Huang, Guozhen Liu, Yinghui Zhou, Duanjun Cai, Rong Zhang, and Junyong Kang. "Designs of InGaN Micro-LED Structure for Improving Quantum Efficiency at Low Current Density." Nanoscale Research Letters 16, no. 1 (June 3, 2021). http://dx.doi.org/10.1186/s11671-021-03557-4.
Повний текст джерелаVisser, Dennis, Yohan Désières, Marcin Swillo, Eleonora De Luca, and Srinivasan Anand. "GaInP nanowire arrays for color conversion applications." Scientific Reports 10, no. 1 (December 2020). http://dx.doi.org/10.1038/s41598-020-79498-2.
Повний текст джерелаДисертації з теми "Epitaxial stack design"
Satter, Md Mahbub. "Design and theoretical study of Wurtzite III-N deep ultraviolet edge emitting laser diodes." Diss., Georgia Institute of Technology, 2014. http://hdl.handle.net/1853/53042.
Повний текст джерелаRemesh, Nayana. "Investigation of Buffer Design and Carbon doping in AlGaN/GaN HEMTs for High Breakdown Voltages." Thesis, 2021. https://etd.iisc.ac.in/handle/2005/5463.
Повний текст джерелаТези доповідей конференцій з теми "Epitaxial stack design"
Yang, Gye Mo, Michael H. MacDougal, and P. Daniel Dapkus. "Low threshold current vertical-cavity surface-emitting lasers with enhanced resistance to heating." In Semiconductor Lasers: Advanced Devices and Applications. Washington, D.C.: Optica Publishing Group, 1995. http://dx.doi.org/10.1364/slada.1995.tud.4.
Повний текст джерела