Книги з теми "Énergie de la bande interdite"

Щоб переглянути інші типи публікацій з цієї теми, перейдіть за посиланням: Énergie de la bande interdite.

Оформте джерело за APA, MLA, Chicago, Harvard та іншими стилями

Оберіть тип джерела:

Ознайомтеся з топ-19 книг для дослідження на тему "Énergie de la bande interdite".

Біля кожної праці в переліку літератури доступна кнопка «Додати до бібліографії». Скористайтеся нею – і ми автоматично оформимо бібліографічне посилання на обрану працю в потрібному вам стилі цитування: APA, MLA, «Гарвард», «Чикаго», «Ванкувер» тощо.

Також ви можете завантажити повний текст наукової публікації у форматі «.pdf» та прочитати онлайн анотацію до роботи, якщо відповідні параметри наявні в метаданих.

Переглядайте книги для різних дисциплін та оформлюйте правильно вашу бібліографію.

1

1921-, Bhargava Rameshwar Nath, ed. Properties of wide bandgap II-VI semiconductors. London, U.K: INSPEC, Institute of Electrical Engineers, 1997.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
2

J, Pearton S., ed. Wide bandgap semiconductors: Growth, processing and applications. Park Ridge, N.J: Noyes Publications, 2000.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
3

1936-1984, McMillan William L., Hutiray Gy, So lyom J, and International Conference on Charge Density Waves in Solids (1984 : Budapest, Hungary)., eds. Charge density waves in solids: Proceedings of the International Conference held in Budapest, Hungary, September 3-7, 1984. Berlin: Springer-Verlag, 1985.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
4

F, Mott N. Conduction in non-crystalline materials. Oxford: Clarendon Press, 1987.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
5

F, Mott N. Conduction in non-crystalline materials. 2nd ed. Oxford: Clarendon Press, 1993.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
6

NATO Advanced Research Workshop on Narrow-Band Phenomena--Influence of Electrons with Both Band and Localized Character (1987 Staverden, Netherlands). Narrow-band phenomena--influence of electrons with both band and localized character. New York: Plenum Press, 1988.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
7

Reno, J. L. Narrow Gap Semiconductors 1995: Proceedings of the Seventh International Conference on Narrow Gap Semiconductors, Santa Fe, New Mexico, 8-12 January 1995 (Institute of Physics Conference Series). Taylor & Francis, 1995.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
8

Bhargava, Ramesh. Properties of Wide Bandgap Ii-VI Semiconductors (E M I S Datareviews Series). Institution of Electrical Engineers, 1997.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
9

Litvinov, Vladimir. Wide Bandgap Semiconductor Spintronics. Jenny Stanford Publishing, 2016.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
10

Litvinov, Vladimir. Wide Bandgap Semiconductor Spintronics. Taylor & Francis Group, 2016.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
11

Litvinov, Vladimir. Wide Bandgap Semiconductor Spintronics. Jenny Stanford Publishing, 2016.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
12

Hodgson, John Noel. Optical Absorption and Dispersion in Solids. Springer London, Limited, 2012.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
13

Hodgson, John Noel. Optical Absorption and Dispersion in Solids. Springer, 2013.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
14

(Assistant), R. Dornhaus, G. Nimtz (Assistant), and B. Schlicht (Assistant), eds. Narrow-Gap Semiconductors (Springer Tracts in Modern Physics). Springer, 1985.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
15

(Editor), J. C. Fuggle, G. A. Sawatzky (Editor), and J. Allen (Editor), eds. Narrow-Band Phenomena: Influence of Elections With Both Band and Localized Character (NATO Science Series: B:). Springer, 1988.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
16

Wang, Fei, Zheyu Zhang, and Edward A. Jones. Characterization of Wide Bandgap Power Semiconductor Devices. Institution of Engineering & Technology, 2018.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
17

Wang, Fei, Zheyu Zhang, and Edward A. Jones. Characterization of Wide Bandgap Power Semiconductor Devices. Institution of Engineering & Technology, 2018.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
18

Ohshima, Takeshi, Hiroshi Yano, Kazuma Eto, Shinsuke Harada, and Takeshi Mitani. Silicon Carbide and Related Materials 2019. Trans Tech Publications, Limited, 2020.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
19

Ohshima, Takeshi, Hiroshi Yano, Kazuma Eto, Shinsuke Harada, and Takeshi Mitani. Silicon Carbide and Related Materials 2019. Trans Tech Publications, Limited, 2020.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

До бібліографії