Дисертації з теми "Electronique verte"
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El, Habchi Nguyen Sarah. "Transistors organiques à effet de champ pour une électronique flexible et écoresponsable : étude et optimisation d'OFET de type N sur substrats biosourcés." Electronic Thesis or Diss., Rennes 1, 2022. http://www.theses.fr/2022REN1S091.
Повний текст джерелаThe use of organic materials allows the fabrication of electronic devices at low temperature and on different types of substrates. Organic field effect transistors (OFETs) are one of them, their encouraging electrical performances allow the realization of complex integrated circuits. However, these performances and the electrical and air stability of OFETs still need to be improved. This thesis was part of this context, and consist of two main parts: 1) the achievement of OFETs on rigid substrate at very low temperature 2) the technology transfer to OFETs on flexible biosourced substrate in order to consider new low-cost, portable and even aiming at green and ecoresponsible electronics. For the first part, the objectives were the following : 1) the optimization, the characterization of N-type OFETs and the analysis of their electrical performances, 2) the study of their electrical stability under the effect of a continuous bias, and 3) the improvement of the stability to the ambient environment of these OFETs. For the second part, different objectives were targeted: 1) the optimization of an agar-based film for the fabrication of a biosourced substrate, 2) to ensure the resistance of the film to the different steps of the OFET fabrication, and 3) to study the feasibility of the agar-based OFET to evaluate its electrical stability and to compare its performances to those of the OFET on glass. The obtained results are very encouraging and demonstrated the feasibility of OFET fabricated on these soft biosourced substrates with a field effect mobility µFElin = 7.10-2 cm2/V.s, a threshold voltage VTH = 7 V and a current ratio IDON/ IDOFF = 7.103
ALLAIS, MIREILLE. "Nanocristaux semi-conducteurs cd(s,se) en matrice de verre silicate : aspect structural et croissance. microscopie electronique en transmission a haute resolution (methr)." Paris 6, 1992. http://www.theses.fr/1992PA066006.
Повний текст джерелаProst, Anne. "Etude des relations entre les proprietes microstructurales et les proprietes electroniques des couches minces d'oxyde d'indium dope a l'etain pyrolysees sur verre." Paris 11, 1994. http://www.theses.fr/1994PA112357.
Повний текст джерелаMartel, Laura. "Etude de la séparation de phase dans des verres silicatés par résonance magnétique nucléaire haute résolution solide et microscopie electronique." Phd thesis, Université d'Orléans, 2011. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-01065654.
Повний текст джерелаRamos, Aline. "Nucleation et croissance cristallines dans un verre sio::(2)-al::(2)o::(3)-li::(2)o : etude par microscopie electronique a haute resolution et absorption des rayons x." Paris 6, 1988. http://www.theses.fr/1988PA066504.
Повний текст джерелаSanchez, Perez Célia. "Dispositifs optiques intègrés hybrides, verre / polymère électro-optique : applicationà un polariseur et à un modulateur de phase." Grenoble INPG, 2000. http://www.theses.fr/2000INPG0159.
Повний текст джерелаMorand, Alain. "Conception et réalisation d'un commutateur et d'un polariseur en optique intégrée sur verre avec un polymère électro-optique." Université Joseph Fourier (Grenoble ; 1971-2015), 1998. http://www.theses.fr/1998GRE10262.
Повний текст джерелаLang, Thiemo. "Étude des effets de polarisation dans des guides d'optique intégrée sur verre : application : convertisseur de polarisation." Grenoble INPG, 1997. http://www.theses.fr/1997INPG0182.
Повний текст джерелаVisconti, Catherine. "Étude de la biréfringence dans des guides optiques fabriques par échange d'ions sur substrat de verre : séparateur de polarisations." Grenoble INPG, 1990. http://www.theses.fr/1990INPG0144.
Повний текст джерелаMocuta, Cristian. "Croissance, structure et magnétisme de films métalliques supportés par des oxydes polaires." Université Joseph Fourier (Grenoble ; 1971-2015), 2000. http://www.theses.fr/2000GRE10213.
Повний текст джерелаBerretil, Slimane. "Proprietes electroniques des semi-conducteurs magnetiques gamo : :(4)s::(8), gamo::(4)se::(8), gamo::(4)se::(4)te::(4) et ganb::(4)s::(8)." Paris 6, 1987. http://www.theses.fr/1987PA066262.
Повний текст джерелаBroquin, Jean-Emmanuel. "Étude de guides d'onde dopés terres rares en optique intégrée sur verre en vue de réaliser un amplificateur optique." Grenoble INPG, 1997. http://www.theses.fr/1997INPG0202.
Повний текст джерелаRehouma, Ferhat. "Étude de l'échange d'ions a l'argent dans un verre aluminoborosilicate : application a un procède d'enterrage sélectif des guides." Grenoble INPG, 1994. http://www.theses.fr/1994INPG0093.
Повний текст джерелаStaresinic, Damir. "Contribution à l'étude des excitations de basse énergie dans les systèmes quasi-unidimensionels." Université Joseph Fourier (Grenoble), 2000. http://www.theses.fr/2000GRE10221.
Повний текст джерелаZhang, Liang. "Development of a CMOS pixel sensor for the outer layers of the ILC vertex detector." Phd thesis, Université de Strasbourg, 2013. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-01068494.
Повний текст джерелаMear, François. "Etude de mousses de verres issus de Tubes à Rayons Cathodiques (TRC) en fin de vie contenant de l'oxyde de plomb : Elaboration, caractérisations physicochimiques et applications." Phd thesis, Université Montpellier II - Sciences et Techniques du Languedoc, 2004. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00011189.
Повний текст джерелаLa filière la plus prometteuse semble celle du verre expansé, matériau déjà commercialisé et qui permettrait d'écouler la quasi-totalité du gisement. Le verre expansé est obtenu après traitement thermique d'un mélange de poudre de verre de TRC et d'un réducteur qui peut être le nitrure de titane ou le carbure de silicium. La réaction entre le réducteur et l'oxyde de plomb présent dans la matrice donne lieu à un dégagement gazeux à l'origine de la structure cellulaire.
Une faible densité justifiée par une forte porosité, autour de 80%, ainsi qu'une distribution de taille d'accès aux pores unique et centrée autour de 0,3 à 0,5 µm suivant le réducteur utilisé ont été obtenues.
La présence de plomb métal sous forme de bille en surface de pores a pu être mis en évidence.
Les mousses obtenues possèdent une conductivité thermique faible (<0,25 W.m-1.K-1), ce qui les classe dans la catégorie des isolants thermiques tout en possédant des propriétés mécaniques satisfaisantes : contrainte moyenne à la rupture variant de 4 à 250 MPa suivant le procédé de synthèse. Les propriétés d'isolation électrique sont conservées.
L'ensemble de ces propriétés permet d'envisager des applications industrielles comme la réalisation de panneau d'isolation, en accord avec les réglementations environnementales.
Une dépollution partielle du matériau par extraction mécanique des billes de plomb formées après traitement thermique est par ailleurs envisageable.
Misat, Sylvain. "The vortex-related phase transition in YBa2Cu3O(7-[delta]) thin films." Université Joseph Fourier (Grenoble), 1999. http://www.theses.fr/1999GRE10199.
Повний текст джерелаMondelli, Claudia. "Fluctuations, frustration and dilution in the SrCrxGa(12-x)O19 compounds : neutron scattering investigation in a broad dynamical range." Université Joseph Fourier (Grenoble), 2000. http://www.theses.fr/2000GRE10250.
Повний текст джерелаHelmers, Hakon. "Optique intégrée appliquée à la détection de variation d'indice optique par onde évanescente." Grenoble INPG, 1996. http://www.theses.fr/1996INPG0033.
Повний текст джерелаJouanno, Jean-Marc. "Amplification optique dans des guides d'ondes réalises par échange d'ions dans des verres phosphates dopes par des terres rares." Grenoble INPG, 1995. http://www.theses.fr/1995INPG0013.
Повний текст джерелаHamad, Hassan. "Détermination des coefficients d'ionisation de matériaux à grand gap par génération multi-photonique." Thesis, Lyon, INSA, 2015. http://www.theses.fr/2015ISAL0017/document.
Повний текст джерелаIn the last few decades, the use of wide bandgap (WBG) semiconductors (silicon carbide SiC, gallium nitride GaN, diamond, etc…) has become popular in the domain of power electronics. Their electronic and mechanical characteristics made of the WBGs a good alternative to the traditional silicon. However, additional studies are mandatory to improve the breakdown voltage, static and dynamic losses, and the performance at high temperature of the WBG devices. In this context, two specific experimental benches OBIC (Optical Beam Induced Current) -under development- are set up during this thesis. OBIC method consists to generate free charge carriers in a reverse biased junction by illuminating the device with an appropriate wavelength. An OBIC signal is measured if the charge carriers are generated in the space charge region. After a first phase of preparation and adaptation of the experimental environment, OBIC measurements led to demonstrate the multi-photonic generation by illuminating a SiC junction with a green laser (532 nm). OBIC measurements allowed giving an image of the electric field at the surface of the diode: OBIC presents a non-destructive analysis to study the efficiency of the peripheral protection and to detect the defects in the semi-conductor. Minority carrier lifetime was also deduced by studying the OBIC decrease at the edge of the space charge region. Ionization rates were extracted using OBIC method; these coefficients are key parameters to predict the breakdown voltage of the devices. OBIC measurements were also realized on the GaN, and two-photon generation was highlighted by measuring an OBIC current in the diamond when illuminating it with a UV laser beam (349 nm)