Добірка наукової літератури з теми "Électronique de puissance – Innovations technologiques"

Afin d'expliquer les performances exceptionnelles (croissance soutenue, faible niveau de chômage et de l’inflation, forte accélération de la productivité) de l’économie américaine durant la décennie passée, plusieurs économistes ont évoqué l'émergence d'une "Nouvelle Economie", faisant référence au développement fulgurant des nouvelles technologies de l'information et des communications (TIC). Les partisans de la "Nouvelle Economie" estiment en effet que ces nouvelles technologies ont modifié de façon profonde le fonctionnement de l'économie et que, à l’instar d'autres innovations technologiques importantes au début du siècle passé, elles sont le vecteur d’une nouvelle ère de croissance et de prospérité. Mais est-ce vraiment le cas ? Malgré de fort nombreux aménagements de la comptabilité nationale américaine visant à mieux tenir compte des effets de l’usage des TIC sur la croissance de la productivité, les dernières études statistiques publiées à la fin du premier trimestre 2002, dressent un tableau mitigé de la situation. En particulier, l’impact de l’usage des TIC sur la croissance de la productivité dans les services ayant le plus investi en TIC est parfois même négatif ! De quoi susciter de réelles interrogations sur les mesures effectuées mais aussi et surtout sur les vertus de l’informatisation. Sur la base de certains enseignements récents de la théorie économique, l'article de Regards Economiques revient sur cette dernière question pour tirer quelques conclusions utiles sur le cas d’un "petit" pays comme la Belgique ! A l’évidence, les nouvelles technologies ont créé de réelles opportunités, mais transformer ces opportunités en croissance économique soutenable et créatrice d’emplois nouveaux et stables n’est pas sans coût. La nécessité de réorganiser le travail pour accompagner l’informatisation n’est qu’un défi parmi d’autres pour en assurer le succès et la pérennité. De fait, une informatisation réussie repose au moins sur deux piliers fondamentaux : réorganisation du travail (vers plus d’autonomie notamment) et modernisation soutenue par un effort constant en R&D et/ou d’adoption maîtrisée des avances technologiques. Pour un "petit" pays comme la Belgique et vu le niveau actuel des ressources dévolues à la recherche comme en atteste le dernier rapport sur la R&D en Belgique, l’effort de modernisation ne consiste évidemment pas à lancer des plans de R&D à même de concurrencer Intel ou Microsoft mais à assurer une diffusion rapide des TIC et à développer les qualifications à même de faciliter cette diffusion. Les niveaux actuels de diffusion en Belgique sont de toute évidence trop faibles pour espérer un gain significatif et durable en terme de productivité ou de croissance de PIB et de l’emploi. Mais même si le niveau de diffusion est élevé, l’expérience américaine nous apprend que cela ne garantit pas à coup sûr une augmentation généralisée du taux de croissance de la productivité. Il semble de plus en plus avéré que l’investissement en TIC n’est décisif en termes de gains de productivité que s’il est accompagné d’un changement organisationnel vers plus d’autonomie et de polyvalence notamment. Un troisième pilier sur lequel doit reposer tout processus d’informatisation concerne le volet institutionnel. L’effondrement de très nombreuses start-ups américaines et européennes entre 2000 et 2002 (la dernière à déposer son bilan n’est pas des moindres : Napster) et le procès Microsoft sont autant d’indicateurs des problèmes institutionnels inhérents à la "Nouvelle Economie" et notamment à son volet commerce électronique. Le problème est bien connu : les start-ups vendent un bien particulier, l’information, qui s’avère très facile à copier alors même que sa production est en général coûteuse. Par ailleurs, l’utilisation d’Internet permet aux consommateurs de comparer les prix, ce qui tend à rogner considérablement les profits des entreprises. Mais en même temps, la valeur de nombreux biens d’information, comme par exemple les softwares, augmente avec le nombre d’utilisateurs (c’est la notion d’externalités de réseau), donnant lieu à des monopoles naturels. Dans cette configuration, le démantèlement des monopoles peut avoir des effets négatifs sur le bien-être des consommateurs, sans compter les effets désastreux que cela peut engendrer sur le financement de la R&D, aspect si essentiel dans la viabilité d’un régime de croissance tiré par les TIC.

Afin d'expliquer les performances exceptionnelles (croissance soutenue, faible niveau de chômage et de l’inflation, forte accélération de la productivité) de l’économie américaine durant la décennie passée, plusieurs économistes ont évoqué l'émergence d'une "Nouvelle Economie", faisant référence au développement fulgurant des nouvelles technologies de l'information et des communications (TIC). Les partisans de la "Nouvelle Economie" estiment en effet que ces nouvelles technologies ont modifié de façon profonde le fonctionnement de l'économie et que, à l’instar d'autres innovations technologiques importantes au début du siècle passé, elles sont le vecteur d’une nouvelle ère de croissance et de prospérité. Mais est-ce vraiment le cas ? Malgré de fort nombreux aménagements de la comptabilité nationale américaine visant à mieux tenir compte des effets de l’usage des TIC sur la croissance de la productivité, les dernières études statistiques publiées à la fin du premier trimestre 2002, dressent un tableau mitigé de la situation. En particulier, l’impact de l’usage des TIC sur la croissance de la productivité dans les services ayant le plus investi en TIC est parfois même négatif ! De quoi susciter de réelles interrogations sur les mesures effectuées mais aussi et surtout sur les vertus de l’informatisation. Sur la base de certains enseignements récents de la théorie économique, l'article de Regards Economiques revient sur cette dernière question pour tirer quelques conclusions utiles sur le cas d’un "petit" pays comme la Belgique ! A l’évidence, les nouvelles technologies ont créé de réelles opportunités, mais transformer ces opportunités en croissance économique soutenable et créatrice d’emplois nouveaux et stables n’est pas sans coût. La nécessité de réorganiser le travail pour accompagner l’informatisation n’est qu’un défi parmi d’autres pour en assurer le succès et la pérennité. De fait, une informatisation réussie repose au moins sur deux piliers fondamentaux : réorganisation du travail (vers plus d’autonomie notamment) et modernisation soutenue par un effort constant en R&D et/ou d’adoption maîtrisée des avances technologiques. Pour un "petit" pays comme la Belgique et vu le niveau actuel des ressources dévolues à la recherche comme en atteste le dernier rapport sur la R&D en Belgique, l’effort de modernisation ne consiste évidemment pas à lancer des plans de R&D à même de concurrencer Intel ou Microsoft mais à assurer une diffusion rapide des TIC et à développer les qualifications à même de faciliter cette diffusion. Les niveaux actuels de diffusion en Belgique sont de toute évidence trop faibles pour espérer un gain significatif et durable en terme de productivité ou de croissance de PIB et de l’emploi. Mais même si le niveau de diffusion est élevé, l’expérience américaine nous apprend que cela ne garantit pas à coup sûr une augmentation généralisée du taux de croissance de la productivité. Il semble de plus en plus avéré que l’investissement en TIC n’est décisif en termes de gains de productivité que s’il est accompagné d’un changement organisationnel vers plus d’autonomie et de polyvalence notamment. Un troisième pilier sur lequel doit reposer tout processus d’informatisation concerne le volet institutionnel. L’effondrement de très nombreuses start-ups américaines et européennes entre 2000 et 2002 (la dernière à déposer son bilan n’est pas des moindres : Napster) et le procès Microsoft sont autant d’indicateurs des problèmes institutionnels inhérents à la "Nouvelle Economie" et notamment à son volet commerce électronique. Le problème est bien connu : les start-ups vendent un bien particulier, l’information, qui s’avère très facile à copier alors même que sa production est en général coûteuse. Par ailleurs, l’utilisation d’Internet permet aux consommateurs de comparer les prix, ce qui tend à rogner considérablement les profits des entreprises. Mais en même temps, la valeur de nombreux biens d’information, comme par exemple les softwares, augmente avec le nombre d’utilisateurs (c’est la notion d’externalités de réseau), donnant lieu à des monopoles naturels. Dans cette configuration, le démantèlement des monopoles peut avoir des effets négatifs sur le bien-être des consommateurs, sans compter les effets désastreux que cela peut engendrer sur le financement de la R&D, aspect si essentiel dans la viabilité d’un régime de croissance tiré par les TIC.

L'utilisation des systèmes de paiement électronique s'est fortement développée depuis deux décennies dans presque tous les pays. Cette tendance a encouragé des acteurs variés à proposer des systèmes de paiement électronique (SP-e) orientés vers de nouveaux usages, tels que le paiement en ligne, le paiement mobile, ou le micro paiement. Ces nouveaus SP-e tardent cependant à s'imposer. Parmi les facteurs qui expliquent les difficultés de ces nouveaux SP-e, le problème de l'assimilation de ces technologies par le consommateur apparaît comme central. Les modèles destinés à expliquer l'assimilation des technologies, traditionnelement utilisés en SI et développés dans un contexte organisationnel, ne peuvent cependant qu'apporter des réponses partielles aux praticiens. En effet, ces modèles ne permettent pas de capter les spécificités des SP-e. En particulier, ces modèle ignorent l'influence des effets de réseau sur l'assimilation des technologies. L'objectif de cette thèse est de proposer et de valider un modèle permettant une meilleure appréhension de l'assimilation des SP-e. Ce travail de recherche, basé sur une analyse préalable des corpus théoriques et sur une approche quantitative par équations structurelles (227 porteurs d'une solution de micro-paiement), propose d'expliquer l'échec ou le succès d'un SP-e en accordant une importance particulière aux notions d'effet de réseau (référent/global),de norme sociale et de risques, au sein des marchés particuliers que sont les machés bifaces. Cette recherche permet notamment de clarifier l'offre de SP-e en proposant une typologie qui met l'accent sur le prescripteur plus que sur l'utilisateur final
The use of electronic payment systems has developed considerably over the past two decades in almost every country. That trend has encouraged various actors to offer electronic payment systems (e-PS)-oriented new uses, such as online-payment or micro-payment. However, the new e-PS is slow to to take hold. Among the factors that explain the difficulties of those new e-PS, the problem of assimilation of such technologies by consumers is seen as central. The models explaining technology assimilation, traditionally used in IS have been developed in an organizational context and can only bring partial answers to practicioners. Indeed, those models fail to capture the specificities of e-PS. In particular, those models ignore the influence of network effects on technology assimilation. The objectives of the this thesis is to propose and validate a model for better understanding of the assimilation of e-PS. This research, based upon a preliminary analysis of theorethical literature and a quantitative approach using structural equation models (227 carriers of a solution of micro-payment), proposes to explain the failure or success of an e-PS, giving special importance to the concept of network effects (referent / global), social norm and risks in the specific markets that are two-sided markets. This research hepls to clarify the offer of e-PS, proposing a typology that focuses on the prescriber rather than on the end user

Pour répondre aux demandes de développement de nouveaux produits dans les domaines des convertisseurs électroniques de puissance pour les voitures électriques, des panneaux solaires, des éoliennes et des nouvelles technologies d'éclairage à base de LED ou de composants RF, la recherche s'est concentrée sur les matériaux à large bande interdite directe, dont le nitrure de gallium (GaN). Le GaN a suscité un grand intérêt en raison de ses propriétés exceptionnelles pour les dispositifs électroniques de puissance de la prochaine génération. Avec une vitesse de saturation élevée et une tension de fonctionnement élevée, les dispositifs à base de GaN peuvent fonctionner à haute fréquence et avec un excellent rendement, ce qui fait du GaN un matériau de choix dans les applications de puissance. Cependant, le développement des matériaux III-N est encore immature, notamment en ce qui concerne le contrôle de la qualité des différentes interfaces au sein des dispositifs. La présence d'une forte densité d'états d'interfaces peut être à l'origine de dysfonctionnements du dispositif. Par conséquent, la compréhension et le contrôle de la surface du GaN constituent un défi pour une éventuelle intégration industrielle future. Aujourd'hui, il n'existe pas de préparation de surface standard appropriée et efficace pour le GaN. Afin d'étudier ce problème, ce projet de thèse a été réalisé dans le cadre d'une collaboration entre le CEA-LETI (Grenoble), le LTM (Grenoble) et les laboratoires CP2M (Catalyse, Polymérisation, Procédés et Matériaux, Lyon). Les principaux objectifs de ce projet sont, d'une part, de comprendre la chimie de surface suite à différentes préparations de surface, et d'autre part, de mettre en place la configuration des liaisons de surface. Ce projet de thèse s'est donc concentré sur la préparation et la caractérisation de l'extrême surface de GaN après divers traitements chimiques et physiques
To meet demands for the development of new products in the fields of power electronic convertors for electric cars, solar panels, wind turbines, and new LED-based lightening technologies or RF components, research has focused on direct wide bandgap materials, including Gallium Nitride (GaN). GaN has attracted significant interest due to its exceptional properties for next-generation power electronic devices. With a high saturation velocity and a high operating voltage, GaN-based devices can operate at high frequency and with excellent efficiency, making GaN a material of choice in power applications. However, the development of III-N materials is still immature, especially in terms of quality control of the various interfaces within the devices. The presence of high density of interfaces states can be the cause of device malfunctions. Therefore, understanding and controlling the surface of GaN is a challenge for possible future industrial integration. Today, there is no suitable and effective standard surface preparation of GaN. In order to investigate this problem, this PhD project was carried out in a collaboration between CEA-LETI (Grenoble), LTM (Grenoble) and CP2M laboratories (Catalysis, Polymerisation, Process and Materials, Lyon). The main objectives of this project are, first, to understand the surface chemistry following various surface preparations, and second, to set up the configuration of surface bonds. Therefore, this PhD project focused on the preparation and characterisation of the extreme surface of GaN after various chemical and physical treatments

Avec la prise de conscience du changement climatique et le dévelopement des sources d’énergies renouvelables, une demande accrue pour une électronique de puissance plus fiable et plus efficace apparait. L’électronique de puissance basé sur les semi-conducteurs à grand gap (carbure de silicium, nitrure de gallium et diamant) vont apporter une réelle amélioration par rapport aux systèmes actuels basés sur des composants au silicium. Ces améliorations concernent en particulier une réduction des pertes, une plus grande tension de bloquage, une amélioration de l’efficacité et de la fiabilité des composants, mais aussi en réduisant les exigences thermiques.Le diamant, bien connu pour sa valeur en joaillerie, possède des propriétés électriques et thermiques très utiles pour l’électronique de puissance. Différent type de design et architectures de dispositifs ont été fabriqués à l'aide de diamant semi-conducteur avec ses caractéristiques électriques prometteuses et pouvant ainsi être intégré à des systèmes. Un dispositif Metal-Oxyde-Semiconductor-Field-Effect-Transistor (MOSFET) en diamant pseudo-vertical offre une densité de courant élevée ainsi que des valeurs de résistance et de claquage élevées nécessaires dans les systèmes haute tension.L’objectif de cette thése est de fabriquer le premier MOSFET de puissance diamant à effet de champ pseudo-vertical avec des valeurs de claquage allant jusqu’à 6,5 kV (20 mOhm.cm-2, 200 ° C). Ce travail porte sur la maîtrise des différents processus impliqués dans la réalisation du dispositif en commençant par la caractérisation du substrat cristallin de diamant suivi des croissances épitaxiales, la microfabrication et pour finir la caractérisation de dispositifs.Dans cette thèse, les étapes nécessaires à la réalisation du MOSFET de puissance pseudo-vertical sont présentées ainsi que trois étapes critiques dans la réalisation du dispositif, qui sont les problèmes liés au substrat, la propagation de défauts à travers les différents empilements de couches et la fiabilité de l'oxyde de grille sont abordés. Le choix de substrats de qualité sans défauts de polissage et avec une faibles densités de dislocations est nécessaire pour une croissance de qualité des différentes couches épitaxiées. Différents substrats ont été achetés et caractérisés. Le type de substrat le plus approprié pour la croissance d'épitaxie de qualité est déterminé après caractérisation par topographie à rayons X, mesures de cathodoluminescence et mesures électriques. La propagation des défauts est inévitable durant la croissance des quatre couches d’épitaxie successives nécessaires à la fabrication du transistor MOSFET pseudovertical. L’apparition de défauts peut provenir des différentes concentrations d’impuretés et du type de dopage entrainant une modification du réseau cristallin et la création de contrainte à l'interface. La topographie aux rayons X et les rocking curves ont été utilisées pour étudier les couches après croissance. Une solution pour effectuer une amélioration dans la croissance de cet empilement de couche est proposé.La fiabilité de la grille est généralement source de préoccupation dans les composant de type MOS. Le décalage de la tension de seuil pendant le fonctionnement est une conséquence des charges présentes dans l'oxyde et des états d'interface du dispositif. Un dispositif capacité MOS de type p a été utilisé pour étudier ce phénomène de manière expérimentale. L'influence du recuit post-oxydation à haute température s'est avérée bénéfique pour obtenir des paramètres d'oxyde de grille stables. Le décalage de la tension de bande plate a également été exploré par des mesures de stress en tension.Toutes les étapes nécessaires à la fabrication du transistor ont ainsi été mises au point séparément, et la technologie a été validée par la réalisation et la caractérisation électrique de transistors Metal-Semiconducteur FET et diodes Schottky
Due to the increase in climate change awareness and development of renewable energy sources, there is an increasing demand for more reliable and efficient power electronics at the point generation, transmision and consumption. Power electronic devices based on wide bandgap semiconductor materials (SiC, GaN and Diamond) will result in substantial improvements in the performance of power electronics systems compared to silicon based devices. They will offer higher blocking voltages, improved efficiency and reliability, as well as reduced thermal requirements.Diamond, though mostly known for its gem value has electrical and thermal properties that are highly beneficial for power electronics. Various device types and device architecture such as diodes, MESFETs and MOSFETS have been made using semiconducting diamond with promising electrical characteristics that could see it incorporated into systems. A pseudo vertical diamond MOSFET device offers possible high current density as well low resistance and high breakdown values needed in high voltage power systems.The aim of this work is to fabricate the first pseudovertical diamond power MOSFET with breakdown values of up to 6.5 kV (20 mOhm.cm-2, 200°C. This work focuses on mastering the series of process involved in the device realization from substrate characterization through epilayer growth to the device microfabrication and the characterization.In this thesis, the detailed steps involved in realizing the pseudovertical power MOSFET has be presented and three critical challenges in the device realization namely substrate related issues, defect propagation through stacked epilayers and the gate oxide reliabiliy has been addressed. The choice of quality substrates free of polishing defects and with low dislocation densities is needed for quality epilayer growth. Different substrates has been procured and characterized. The best substrate type for quality epilayer growth determined after characterization by x-ray topography, cathodoluminescence and electrical measurements have been proposed. Defects propagation was observed in the four stacked epilayer growth needed for the pseudovertical MOSFET transistor. The occurence of defects seems to arise from different impurity concentrations and doping type leading to lattice mismatch and strain in the layers. X-ray topography and rocking curve imaging has been employed to study the grown layers. A method for improved stacked layer growth has also been proposed. The reliability of the gate stack is usually a concern for MOS based devices. The shift in the threshold voltage during operation is a consequence of oxide and interface charges in the device. A p-type MOSCAP device was used to study this phenomenon experimentally. The influence of high temperature post oxidation annealing was found to be beneficial for stable gate oxide parameters. The shift in the flatband voltage has also been monitored through bias stress measurements. The maximum effective charge 9.8E-11 cm-2 as a result of flatband shift was obtained. This value is the same order of magnitude as those observed in state of the art and commercially available SiC devices. All the steps necessary for the transistor fabrication has been developped independently , and technology has been validated by the fabrication and electrical characterization of MESFET and Schottky diodes

Un des défis de notre époque est lié à la production et à la gestion de l'énergie électrique. Dans ce cadre, l'amélioration des composants à semi-conducteurs de puissance est une des clés pour répondre à ce défi. La grande majorité des composants de puissance actuels sont réalisés à base de silicium. Cependant, les exigences des applications de l'électronique de puissance en termes de tenue en tension, de densité de puissance, de température et de fréquence de commutation sont de plus en plus élevées. Les propriétés physiques intrinsèques des semiconducteurs à large bande interdite (SiC, GaN, Diamant) permettent d'envisager la conception et la fabrication de composants de puissance bien plus performants que les structures tout silicium. Dans ce contexte, nos travaux portent sur le développement et l'optimisation des étapes technologiques permettant la réalisation de composants de puissance MOS en diamant. Ils ont été réalisés dans le cadre du projet ANR MOVeToDIAM, coordonné par le LAAS-CNRS, dans la continuité des travaux sur diamant effectués au laboratoire depuis 2005. Le diamant est donc un semiconducteur à large bande interdite (Eg = 5,5 eV) particulièrement indiqué pour les applications fortes puissances et températures élevées. Il possède de fortes mobilités de porteurs (2200 cm2/V.s pour les électrons et 2050 cm2/V.s pour les trous), permettant le passage de fortes densités de courant, un champ de rupture élevé (Ec ~ 10 MV/cm) et une forte conductivité thermique (lambda ~ 20 W.cm-1.K-1) facilitant la dissipation thermique. Cependant, malgré ces propriétés prometteuses, de nombreux verrous technologiques sont encore à lever afin de conduire à la fabrication de composants de puissance sur diamant. Nous avons donc étudié et optimisé plusieurs étapes technologiques critiques afin de pallier les problèmes induits notamment par la petite taille des échantillons (2x2mm2 à 3x3mm2). Les étapes de photolithographie ont été développées et optimisées pour deux types de résine (AZ4999 positive et NLOF 2035 négative) à l'aide d'un Spray-Coater et d'une machine d'écriture directe par laser, améliorant ainsi fortement la résolution minimale, jusqu'à 1µm, des motifs définis sur les échantillons. Afin de caractériser les contacts ohmiques, nous avons développé deux structures de tests : le TLM droit (Transmission Line Method) et le TLM circulaire ou cTLM (Circular Transmission Line Method).[...]
One of the challenges of our time is related to the production and management of electrical energy. In this context, the improvement of power semiconductor devices is one of the keys to meet this challenge. Most of current power devices are made of silicon. However, the demands of power electronics applications in terms of voltage withstand, power density, temperature and switching frequency are becoming higher. The intrinsic physical properties of wide-bandgap semiconductors (SiC, GaN, Diamond) make it possible to consider the design and fabrication of power devices that are much more efficient than all-silicon structures. In this context, our work focuses on the development and optimization of technological steps enabling the realization of diamond MOS power devices. They were carried out as part of the ANR project MOVeToDIAM, coordinated by LAAS-CNRS, in the continuity of the work on diamond made in the laboratory since 2005. Diamond is therefore a wide bandgap semiconductor (Eg = 5.5 eV) particularly suitable for high power and high temperature applications. It has high carrier mobilities (2200cm2/Vs for electrons and 2050cm2/Vs for holes), allowing the passage of high current densities, a high breaking field (Ec ~ 10 MV/cm) and a strong thermal conductivity (lambda ~ 20 W.cm-1.K-1) facilitating heat dissipation. However, despite these promising properties, many technological locks are still to be lifted in order to lead to the fabrication of power devices on diamond. We have therefore studied and optimized several critical technological steps to overcome the problems caused by the small sample size (2x2mm2 to 3x3mm2). The photolithography steps were developed and optimized for two types of resin (positive AZ4999 and negative NLOF 203) using a Spray-Coater and a direct laser writing machine, thus greatly improving the minimal resolution, up to 1 µm, of the patterns defined on the samples. In order to characterize ohmic contacts, we have developed two test structures: the Transmission Line Method (TLM) and the Circular TLM (Circular Transmission Line Method). If the realization of ohmic contacts on P-type diamond is mastered, the specific contact resistance must be further improved to limit its impact on the electrical performance of the devices. In addition, according to the literature, no ohmic contact has been made on N-type diamond, because of the difficulty of achieving high levels of doping, which remains a major obstacle to the development of the diamond industry. The fabrication of ohmic contacts on P-type and N-type diamond has been optimized on different samples.[...]

Une des principales difficultes lors de la conception des structures bipolaires de puissance est le compromis entre les proprietes statiques et les performances dynamiques du composant. D'autres contraintes d'ordre technologiques et economiques sont a prendre en compte. Deux procedes technologiques ont ete developpes et caracterises au cours de ce travail. L'introduction de titane localisee a la surface du composant entraine une diminution de la duree de vie effective des porteurs dans la structure due a un controle des vitesses de recombinaison localisees. Cette technique presente bien le resultat escompte quant a la maitrise des temps de commutation (jusqu'a -40%) mais la degradation observee des tenues en tension a oriente nos etudes vers un second procede base sur la technique de soudure directe sur silicium. En effet, l'interface de collage presente dans le volume des substrats permet d'une part d'introduire de facon localisee des centres profonds et d'autre part de realiser des profils de dopage differents de ceux obtenus par la technique classique de l'epitaxie. La caracterisation de transistors bipolaires de test realises sur des substrats colles a mis en evidence les larges possibilites que presente cette technique de preparation de substrats quant a l'optimisation des structures bipolaires de puissance (-63% sur les temps de commutation a la fermeture des diodes realisees sur des substrats colles)

L’électricité est aujourd’hui l’énergie la plus utilisée de part le monde. L’électronique de puissance est au coeur de la gestion de l’électricité. La majorité des systèmes de puissance utilise de nos jours des composants actifs en silicium. Avec les nouvelles contraintes, des tensions plus élevées, des faibles pertes, l’encombrement, les hautes températures, le silicium a atteint ses limites. Le carbure de silicium (SiC) est un semi-conducteur à large bande interdite qui présente des propriétés physiques et électriques à celles du silicium pour les composants de puissance. Les différents travaux à travers le monde démontrent un avenir prometteur pour le SiC dans la prochaine génération des composants de puissance. Ainsi les premiers composants SiC sont disponibles sur le marché depuis 2002 et les premiers systèmes hybrides Si/SiC permettent de mettre en évidence les avantages de cette nouvelle technologie. Le travail réalisé au cours de cette thèse a permis de mettre en place une base pour la technologie de fabrication de composants de puissance en SiC. Plusieurs étapes technologiques nécessaires à la fabrication de dispositifs SiC ont été optimisées. La gravure plasma du SiC avec un réacteur RIE et la formation du contact ohmique le SiC de type P ont été étudiées plus amplement. Ainsi, le procédé de gravure optimisé permet une vitesse de gravure de 0,35 µm/min avec un plasma SF6/O2, il est alors possible avec un masque de nickel de réaliser des structures mesas avec des profondeurs supérieures à 10 µm. Ensuite, une métallisation Ni/Al sur le SiC-4H de type P a été réalisé avec une résistance spécifique reproductible de 3×10-5 Ωcm2. Les optimisations des différentes étapes technologiques ont été implémentées dans la fabrication de diodes SiC avec deux types de protections périphériques : JTE et mesa. Des diodes de 1,2 kV et 5 kV ont été réalisées et caractérisées. Ces dispositifs ont permis de valider les optimisations apportées par le travail réalisé dans cette thèse. Cependant, il reste encore à améliorer les techniques de croissance du SiC pour permettre la fabrication de composants bipolaires de puissance en SiC fiables et robustes
In power electronics, most of the devices are based on silicon. Nowadays, with the new challenges in high voltage and high temperature, silicon achieves its limits. Silicon carbide (SiC) is a wide band gap semiconductor. Its physical properties are greater than those of the silicon for power applications. However, the SiC power devices fabrication technology is not yet mature. This thesis treats the optimization of the technological steps for SiC power devices fabrication. And the work is especially focused on dry etching and ohmic contact to p-type SiC. The improvements were implemented in several SiC diodes fabrication process and some components with a breakdown voltage in the range 1. 2 – 6 kV were obtained

Cette thèse s’inscrit dans une perspective combinant le paradigme réaliste des relations internationales et la pensée clausewitzienne, afin d’évaluer l’impact des révolutions dans les affaires militaires (RAM) offensives sur les équilibres internationaux et la puissance militaire des Etats. Au sein d’un système international anarchique, une innovation offensive confère un avantage militaire à son possesseur devant lui permettre de façonner son environnement par un recours à la force pour transformer le statu quo et imposer plus aisément sa volonté à ses adversaires. Cette thèse propose d’évaluer l’impact des RAM offensives du XXe siècle sur la puissance militaire des Etats à l’aune de deux facteurs : la conservation par l’innovateur d’un avantage militaire sur ses adversaires et sa capacité à leur imposer sa volonté en leur infligeant une défaite décisive. La perspective réaliste et clausewitzienne adoptée amène ainsi à rappeler le caractère intrinsèquement interactif et compétitif d’un système anarchique. Source d’avantage militaire pour son possesseur, une RAM offensive est également source de menace et d’opportunité pour les acteurs l’observant. Son apparition et, plus encore, son emploi devraient ainsi susciter des réactions d’équilibre des puissances internes à l’origine d’une diffusion des capacités et d’une efficacité décroissante de l’innovation. Cette thèse rejette ensuite le postulat d’une relation de causalité simple entre RAM offensive et victoire. La capacité d’un innovateur à remporter une victoire décisive est avant tout conditionnée par des considérations politico-stratégiques telles que la définition des buts de guerre et la supériorité de la défensive sur l’offensive. Les hypothèses formulées sont testées à partir de l’étude de trois cas : la révolution des armes combinées de la Première Guerre mondiale, la « guerre-éclair », et la « guerre de précision » apparue au cours des deux dernières décennies
This dissertation aims to assess the impact of Twentieh Century offensive revolutions in military affairs (RMA) on the distribution of military power in the international system. To do so, it combines elements from the realist paradigm of international relations and from clausewitzian strategic theory. In an anarchical international system, a state possessing an offensive RMA should be able to shape its security environment by changing the status quo and to impose its will on adversaries through the use of force. The impact of offensive innovations on states’ military power is assessed by looking at two variables: the ability of the innovator to maintain a military advantage over its adversaries, and its ability to impose its will by inflicting decisive defeats. Combining realism and clausewitzian theory leads us to reaffirm that an anarchical international system is intrinsically interactive and competitive. While an offensive RMA can offer a tremendous military advantage to its possessor, states facing it can see it as both a threat and an opportunity. Its disclosure and employment should trigger internal balancing policies, which would in turn cause a spread of military capabilities and decrease the RMA’s overall effectiveness. This dissertation also rejects the idea of a direct causal link between offensive RMAs and victory. Above all, an innovator’s ability to obtain decisive victory lies with political and strategic factors such as war aims and the superiority of defense over offense. Three case studies have been conducted to test the resulting hypotheses: the First World War combined-arms revolution, the blitzkrieg revolution, and the information technology revolution that occurred during the last two decades

L’objectif de cette recherche est d’étudier les influences des différentes capacités d’innovations technologiques (CITs) sur l’innovation produit et la performance globale des entreprises. Nous nous appuyons sur la littérature ainsi qu’une étude exploratoire dans le secteur d’équipement de télécommunication en Chine, pour justifier l’influence des différentes activités technologiques sur l’innovation produit et la performance des entreprises. En outre, nous utilisons des concepts dérivés de la littérature sur l’innovation technologique pour identifier les différentes sortes de CITs que les entreprises peuvent développer pour gérer leur processus d’innovation – par exemple, ceux qui sont liés à l’investissement, la production et la coopération. Ils constituent la base de notre hypothèse de recherche, dans laquelle les CITs identifiés sont liées avec l’innovation produit et la performance globale des entreprises. L’étude quantitative est réalisée sur un échantillon de 215 entreprises technologiques dans l’industrie de l’information électronique en Chine. Nous avons utilisé la méthode d’équation structurelle pour la vérification des hypothèses de recherche et la validation du modèle. Les résultats montrent que les CITs ont un impact positif sur l’innovation produit et ce dernier exerce aussi un impact positif sur la performance globale des entreprises. Cependant, les CITs n’exercent pas une influence directe sur la performance globale des entreprises
The objective of this research is to study the effects of firms’ technological innovation capabilities (TICs), as an expression of their technological innovation strategy, on their product innovation and global performance. In doing so, we draw on innovation management literature and an exploratory study in China’s telecom-equipment sector to justify the influence that the firm’s technological activity has on their firm performance. In addition, we use concepts derived from literature on technological innovation to identify different capabilities that firms may develop to manage their innovation process, i. E. , those related to investment, production and linkage. These are the basis of our hypothesis in which TICs identified are related to firms’ product innovation and global performance. Empirical work is carried out on a sample of 215 technology-based firms in the electronic information industry in China. We used the method of structural equation modeling for testing the hypotheses and research model validation. Our findings show that TICs have a positive impact on product innovation and the product innovation exerts also a positive influence on firm performance. However, TICs don’t exert any influence direct on firm performance

Notre recherche est consacrée à l’étude des phénomènes de création de sentiers technologiques. Il s’agit d’une recherche abductive au sens de Pierce. La démarche adoptée d’inférence scientifique nous a ainsi guidé vers un premier cas exploratoire lié à l’établissement d’un nouveau sentier technologique dans la lutte contre l’ensablement dans le sud-est marocain. Par la suite nous étudions un second terrain, celui de la distribution de produits alimentaires sur le net en France. Nous confrontons le cadre théorique émergent avec la création d’un nouveau sentier technologique dans la distribution alimentaire à travers l’apparition d’une jeune pousse, Natoora, qui réussit là où les acteurs traditionnels de la Grande Distribution rencontrent beaucoup de difficultés. Nous défendons la thèse selon laquelle une invention technologique donne naissance à une technologie générique. Lorsqu’une fenêtre d’opportunité se crée cette technologie générique est récupérée par les industriels ou les entrepreneurs pour créer de nouveaux sentiers technologiques. Commence alors un travail d’auto-organisation entre la technologie générique et la technologie de production (Willinger et Zuscovitch1993). Durant cette phase d’auto-organisation, les acteurs cherchent à donner une légitimité au nouveau design dominant qu’ils soutiennent. Ce travail de formation de légitimité passe par un processus d’alignement de cadres cognitifs (Snow et al. 1986). Si une des stratégies d’alignement de cadres réussit, l’alliage technologie générique/ technologie de production qui supporte cette stratégie devient alors le nouveau sentier technologique de l’ensemble socio-technologique émergent
This work is devoted to the study of path creation phenomenon. It takes place in an epistemological framework which stipulates that reality should be apprehended in a processual and a relational mode. In this context, we defend the thesis that path creation is a process where entrepreneurs or established firm aiming at creating new paths, frame controlled resources in a way that it allows them to create legitimacy around the socio-technological design they are sponsoring. This process occurs when a window of opportunity is set during the phase when a generic technology is adjusting to a production technology. The inference of this conceptualization is abductive in a sense that it is built over an exploratory case study on the creation of new techniques to fight against sand encroachment in the south-east of Morocco, and honed by confronting it to a second case study on the creation of a new technological path in e-grocery industry in France by an entrant company, Natoora, whereas the player of mass distribution struggle to find a path