Увійти

Готові списки джерел за темами / Electronic semiconductor / Книги

Книги з теми "Electronic semiconductor"

Щоб переглянути інші типи публікацій з цієї теми, перейдіть за посиланням: Electronic semiconductor.

Автор: Grafiati

Опубліковано: 6 вересня 2023

Оформте джерело за APA, MLA, Chicago, Harvard та іншими стилями

Оберіть тип джерела:

Ознайомтеся з топ-50 книг для дослідження на тему "Electronic semiconductor".

Біля кожної праці в переліку літератури доступна кнопка «Додати до бібліографії». Скористайтеся нею – і ми автоматично оформимо бібліографічне посилання на обрану працю в потрібному вам стилі цитування: APA, MLA, «Гарвард», «Чикаго», «Ванкувер» тощо.

Також ви можете завантажити повний текст наукової публікації у форматі «.pdf» та прочитати онлайн анотацію до роботи, якщо відповідні параметри наявні в метаданих.

Переглядайте книги для різних дисциплін та оформлюйте правильно вашу бібліографію.

1

Semiconductor and electronic devices. 3rd ed. New York: Prentice-Hall, 1993.

Знайти повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

2

L, Grung B., ed. Semiconductor-device electronics. Philadelphia: Holt, Rinehart and Winston, 1991.

Знайти повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

3

L, Grung B., ed. Semiconductor-device electronics. Philadelphia: Holt, Rinehart, and Winston, 1991.

Знайти повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

4

Semiconductor power electronics. New York: Van Nostrand Reinhold, 1986.

Знайти повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

5

1946-, Margaritondo Giorgio, ed. Electronic structure of semiconductor heterojunctions. Milano [Italy]: Jaca Book, 1988.

Знайти повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

6

Margaritondo, Giorgio, ed. Electronic Structure of Semiconductor Heterojunctions. Dordrecht: Springer Netherlands, 1988. http://dx.doi.org/10.1007/978-94-009-3073-5.

Повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

7

Mönch, Winfried. Electronic Properties of Semiconductor Interfaces. Berlin, Heidelberg: Springer Berlin Heidelberg, 2004. http://dx.doi.org/10.1007/978-3-662-06945-5.

Повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

8

Borris, John P. Semiconductor devices using Electronic Workbench. Englewood Cliffs, N.J: Prentice Hall, 1996.

Знайти повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

9

Semiconductor devices for electronic tuners. New York: Gordon and Breach, 1991.

Знайти повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

10

Winfried, Mönch, ed. Electronic structure of metal-semiconductor contacts. Dordrecht: Kluwer Academic, 1990.

Знайти повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

11

Marie, Xavier, and SpringerLink (Online service), eds. Semiconductor Modeling Techniques. Berlin, Heidelberg: Springer Berlin Heidelberg, 2012.

Знайти повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

12

Hozer, Leszek. Semiconductor ceramics. New York: Ellis Horwood, 1994.

Знайти повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

13

Mönch, Winfried, ed. Electronic Structure of Metal-Semiconductor Contacts. Dordrecht: Springer Netherlands, 1990. http://dx.doi.org/10.1007/978-94-009-0657-0.

Повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

14

Monch, Winfried. Electronic Structure of Metal-Semiconductor Contacts. Dordrecht: Springer Netherlands, 1990.

Знайти повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

15

S, Brown April, ed. Theory of modern electronic semiconductor devices. New York: John Wiley, 2002.

Знайти повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

16

T, Grahn H., ed. Semiconductor superlattices: Growth and electronic properties. Singapore: World Scientific, 1995.

Знайти повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

17

Jaecklin, André A. Power Semiconductor Devices and Circuits. Boston, MA: Springer US, 1992.

Знайти повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

18

Julian, Serda, ed. Semiconductor manufacturing technology. Upper Saddle River, NJ: Prentice Hall, 2001.

Знайти повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

19

A, Jackson Kenneth, and Schröter W, eds. Handbook of semiconductor technology. Weinheim: Wiley-VCH, 2000.

Знайти повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

20

Wolkenstein, T. Electronic Processes on Semiconductor Surfaces during Chemisorption. Boston, MA: Springer US, 1991. http://dx.doi.org/10.1007/978-1-4615-3656-7.

Повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

21

Ihn, Thomas. Electronic Quantum Transport in Mesoscopic Semiconductor Structures. New York, NY: Springer New York, 2004. http://dx.doi.org/10.1007/b97630.

Повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

22

Reliability of electronic packages and semiconductor devices. New York: McGraw-Hill, 1997.

Знайти повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

23

Volḱenshteĭn, F. F. Electronic processes on semiconductor surfaces during chemisorption. NewYork: Consultants Bureau, 1991.

Знайти повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

24

Electronic processes on semiconductor surfaces during chemisorption. New York: Consultants Bureau, 1991.

Знайти повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

25

Semiconductor nanostructures: Quantum states and electronic transport. Oxford: Oxford University Press, 2010.

Знайти повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

26

Semiconductor devices: Basic principles. New York: Wiley, 2001.

Знайти повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

27

Singh, Jasprit. Semiconductor devices: An introduction. New York: McGraw-Hill, 1994.

Знайти повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

28

Semiconductor devices: An introduction. New York: McGraw-Hill, 1994.

Знайти повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

29

Ramunas, Katilius, and Matulionis A. 1946-, eds. Microwave noise in semiconductor devices. New York: J. Wiley, 2001.

Знайти повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

30

Hester, Edward, and Robyn Margulies. World electronic components. Cleveland: Freedonia Group, 2000.

Знайти повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

31

Dubey, G. K. Power semiconductor controlled drives. London: Prentice-Hall, 1989.

Знайти повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

32

Dubey, G. K. Power semiconductor controlled drives. Englewood Cliffs, N.J: Prentice Hall, 1989.

Знайти повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

33

Sanders, G. Semiconductor Electronic Devices. Springer, 1998.

Знайти повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

34

Boer, Karl W. Survey of Semiconductor Physics: Electronic Transport in Semiconductors. John Wiley & Sons, 2002.

Знайти повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

35

Basu, Prasanta Kumar, Bratati Mukhopadhyay, and Rikmantra Basu. Semiconductor Nanophotonics. Oxford University PressOxford, 2022. http://dx.doi.org/10.1093/oso/9780198784692.001.0001.

Повний текст джерела

Анотація:

Abstract Nanometre sized structures made of semiconductors, insulators and metals and grown by modern growth technologies or by chemical synthesis exhibit novel electronic and optical phenomena due to confinement of electrons and photons. Strong interactions between electrons and photons in narrow regions lead to inhibited spontaneous emission, thresholdless laser operation, and Bose Einstein condensation of exciton-polaritons in microcavities. Generation of sub-wavelength radiation by surface Plasmon-polaritons at metal-semiconductor interfaces, creation of photonic band gap in dielectrics, and realization of nanometer sized semiconductor or insulator structures with negative permittivity and permeability, known as metamaterials, are further examples in the area of nanophotonics. The studies help develop Spasers and plasmonic nanolasers of subwavelength dimensions, paving the way to use plasmonics in future data centres and high speed computers working at THz bandwidth with less than a few fJ/bit dissipation. The present book intends to serveas a textbook for graduate students and researchers intending to have introductory ideas of semiconductor nanophotonics. It gives an introduction to electron-photon interactions in quantum wells, wires and dots and then discusses the processes in microcavities, photonic band gaps and metamaterials and related applications. The phenomena and device applications under strong light-matter interactions are discussed by mostly using classical and semi-classical theories. Numerous examples and problems accompany each chapter.

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

36

Wolf, E. L. Atoms, Molecules, Crystals and Semiconductor Devices. Oxford University Press, 2018. http://dx.doi.org/10.1093/oso/9780198769804.003.0005.

Повний текст джерела

Анотація:

Properties of matter and of electronic devices are described, starting with Bohr’s model of the hydrogen atom. Motion of electrons in a periodic potential is shown to allow energy ranges with free motion separated by energy ranges where no propagating states are possible. Metals and semiconductors are described via Schrodinger’s equation in terms of their structure and their electrical properties. Energy gaps and effective masses are described. The semiconductor pn junction is described as a circuit element and as a photovoltaic device. We now extend Schrodinger’s method to more familiar matter, in the form of atoms, molecules and semiconductors. The solar cell, that produces electrical energy from Sunlight, in fact requires a sophisticated understanding of the semiconductor PN junction.

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

37

A, Jackson Kenneth, and Wolfgang Schröter. Handbook of Semiconductor Technology, Volume 2: Processing of Semiconductors. Wiley & Sons, Limited, John, 2008.

Знайти повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

38

A, Jackson Kenneth, and Wolfgang Schröter. Handbook of Semiconductor Technology, Volume 2: Processing of Semiconductors. Wiley & Sons, Incorporated, John, 2020.

Знайти повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

39

Mönch, Winfried. Electronic Properties of Semiconductor Interfaces. Springer Berlin / Heidelberg, 2010.

Знайти повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

40

Watanabe, Seiichi. Semiconductor Devices for Electronic Tuners. Taylor & Francis Group, 2020.

Знайти повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

41

Electronic Materials and Semiconductor Devices. Alpha Science International, Limited, 2013.

Знайти повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

42

Watanabe, Seiichi. Semiconductor Devices for Electronic Tuners. Taylor & Francis Group, 2020.

Знайти повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

43

Watanabe, Seiichi. Semiconductor Devices for Electronic Tuners. Taylor & Francis Group, 2021.

Знайти повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

44

Margaritondo, Giorgio. Electronic Structure of Semiconductor Heterojunctions. Springer, 2012.

Знайти повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

45

Electronic Structure of Semiconductor Heterojunctions. Springer, 2011.

Знайти повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

46

Electronic Properties of Semiconductor Interfaces. Springer, 2004.

Знайти повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

47

Mönch, Winfried. Electronic Properties of Semiconductor Interfaces. 2004.

Знайти повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

48

Watanabe, Seiichi. Semiconductor Devices for Electronic Tuners. Taylor & Francis Group, 2020.

Знайти повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

49

Watanabe, Seiichi. Semiconductor Devices for Electronic Tuners. Taylor & Francis Group, 2020.

Знайти повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

50

Mönch, Winfried. Electronic Structure of Metal-Semiconductor Contacts. Springer, 2011.

Знайти повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

Ми пропонуємо знижки на всі преміум-плани для авторів, чиї праці увійшли до тематичних добірок літератури. Зв'яжіться з нами, щоб отримати унікальний промокод!