Книги з теми "Electrode interface"

Щоб переглянути інші типи публікацій з цієї теми, перейдіть за посиланням: Electrode interface.

Оформте джерело за APA, MLA, Chicago, Harvard та іншими стилями

Оберіть тип джерела:

Ознайомтеся з топ-50 книг для дослідження на тему "Electrode interface".

Біля кожної праці в переліку літератури доступна кнопка «Додати до бібліографії». Скористайтеся нею – і ми автоматично оформимо бібліографічне посилання на обрану працю в потрібному вам стилі цитування: APA, MLA, «Гарвард», «Чикаго», «Ванкувер» тощо.

Також ви можете завантажити повний текст наукової публікації у форматі «.pdf» та прочитати онлайн анотацію до роботи, якщо відповідні параметри наявні в метаданих.

Переглядайте книги для різних дисциплін та оформлюйте правильно вашу бібліографію.

1

Láng, Gyözö G. Laser Techniques for the Study of Electrode Processes. Berlin, Heidelberg: Springer Berlin Heidelberg, 2012.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
2

Jacek, Lipkowski, and Ross P. N, eds. Structure of electrified interfaces. New York, N.Y: VCH Publishers, 1993.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
3

NATO, Advanced Study Institute on the Study of Surfaces and Interfaces by Electron Optical Techniques (1987 Erice Italy). Surface and interface characterization by electron optical methods. New York: Plenum Press, 1988.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
4

Howie, A., and U. Valdrè, eds. Surface and Interface Characterization by Electron Optical Methods. Boston, MA: Springer US, 1989. http://dx.doi.org/10.1007/978-1-4615-9537-3.

Повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
5

Howie, A. Surface and Interface Characterization by Electron Optical Methods. Boston, MA: Springer US, 1989.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
6

Clausen, Charlotte. Electron microscopical characterisation of interfaces in SOFC materials. Roskilde: Risø National Laboratory, 1992.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
7

Forwood, C. T. Electron microscopy of interfaces in metals and alloys. Bristol, England: A. Hilger, 1991.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
8

Ghosh, Dhriti Sundar. Ultrathin Metal Transparent Electrodes for the Optoelectronics Industry. Heidelberg: Springer International Publishing, 2013.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
9

Heinz, Bartsch, ed. Elektronenmikroskopische Querschnittsabbildung von Interfaces und Heterostrukturen in Halbleitern. Berlin: Akademie-Verlag, 1987.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
10

Kiejna, A. Metal surface electron physics. Kidlington, Oxford: Elsevier Science Ltd., 1996.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
11

Fultz, Brent. Transmission Electron Microscopy and Diffractometry of Materials. 4th ed. Berlin, Heidelberg: Springer Berlin Heidelberg, 2013.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
12

Wolstenholme, John. Auger electron spectroscopy: Practical application to materials analysis and characterization of surfaces, interfaces, and thin films. New York: Momentum Press Engineering, 2015.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
13

Shabat, Mohammed Musa Ramadan. Linear and nonlinear electro-magnetic waves at magnetic and non-magnetic interfaces. Salford: University of Salford, 1990.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
14

Szroeder, Paweł. Fizyka powierzchni międzyfazowej węgli niskowymiarowych i roztworów jonowych: Physics of the interface of low dimensional carbons and ionic solutions. Toruń: Wydawnictwo Naukowe Uniwersytetu Mikołaja Kopernika, 2013.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
15

Bell, L. D. Evidence of momentum conservation at a nonepitaxial metal/semiconductor interface using ballistic electron emission microscopy. [Washington, DC: National Aeronautics and Space Administration, 1996.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
16

Bell, L. D. Evidence of momentum conservation at a nonepitaxial metal/semiconductor interface using ballistic electron emission microscopy. [Washington, DC: National Aeronautics and Space Administration, 1996.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
17

Robert A. Welch Foundation Conference on Chemical Research (49th 2004 Houston, Tex.). Charge transfer at electrodes and biological interfaces: The Robert A. Welch Foundation 49th Conference on Chemical Research : October 24-25, 2005, the Wyndam Greenspoint Hotel, Houston, Texas. Houston, Tex: Robert A. Welch Foundation, 2005.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
18

Walkosz, Weronika. Atomic Scale Characterization and First-Principles Studies of Si₃N₄ Interfaces. New York, NY: Springer Science+Business Media, LLC, 2011.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
19

Rockenhäuser, Christian. Electron Microscopical Investigation of Interdiffusion and Phase Formation at Gd2O3/CeO2- and Sm2O3/CeO2-Interfaces. Wiesbaden: Springer Fachmedien Wiesbaden, 2015. http://dx.doi.org/10.1007/978-3-658-08793-7.

Повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
20

Abad, Enrique. Energy Level Alignment and Electron Transport Through Metal/Organic Contacts: From Interfaces to Molecular Electronics. Berlin, Heidelberg: Springer Berlin Heidelberg, 2013.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
21

K, Biegelsen D., Smith David J. 1948-, and Tong S. Y, eds. Atomic-scale imaging of surfaces and interfaces: Symposium held November 30-December 2, 1992, Boston, Massachusetts, U.S.A. Pittsburgh, Pa: Materials Research Society, 1993.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
22

Lum, Nancy Susan. Protein adsorption of human serum albumin at solid/liquid interfaces as monitored by electron spin resonance spectroscopy. Ottawa: National Library of Canada, 1994.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
23

G, Compton R., and Hamnett A, eds. New techniques for the study of electrodes and their reactions. Amsterdam: Elsevier, 1989.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
24

Andriiko, Aleksandr A. Many-electron Electrochemical Processes: Reactions in Molten Salts, Room-Temperature Ionic Liquids and Ionic Solutions. Berlin, Heidelberg: Springer Berlin Heidelberg, 2013.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
25

D, Romig Alton, Fowler David E, Bristowe Paul D, Materials Research Society, and Symposium on Structure/Property Relationships for Metal/Metal Interfaces (1991 : Anaheim, Calif.), eds. Structure/property relationships for metal/metal interfaces: Symposium held April 29-May 1, 1991, Anaheim, California, U.S.A. Pittsburgh, Pa: Materials Research Society, 1990.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
26

Electron Transfer in Protein and Supramolecular Assemblies at Interfaces (Conference) (1996 : Kanagawa, Japan), ed. Electron Transfer in Protein and Supramolecular Assemblies at Interfaces: Papers presented at the conference held in Shonan Village, Kanagawa, Japan, 17-20 March 1996. Oxford: Elsevier, 1997.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
27

Boyette, Stacey E. Investigations of the electrode-solution interface in microheterogeneous solutions involving surfactants. 1991.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
28

Láng, Gyözö G., and Cesar A. Barbero. Laser Techniques for the Study of Electrode Processes. Springer, 2012.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
29

Láng, Gyözö G., and Cesar A. Barbero. Laser Techniques for the Study of Electrode Processes. Springer, 2014.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
30

TENS equipment, techniques, and biophysical principles. Oxford University Press, 2014. http://dx.doi.org/10.1093/med/9780199673278.003.0003.

Повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
Анотація:
The purpose of the electrical current delivered during TENS is to generate nerve impulses in peripheral nerve fibres to modulate the flow of nociceptive information and reduce pain. The characteristics of the electrical currents (i.e. stimulating parameters) and physiology at the electrode–skin interface will influence which nerve fibres are excited. Conventional TENS and acupuncture-like TENS are two techniques developed to stimulate different types of nerve fibres. The purpose of this chapter is to overview the biophysical principles of TENS and to explain how these principles have been used to inform clinical practice by covering TENS equipment and the standard TENS device, the electrical characteristics of currents produced by a standard TENS device, lead wires and electrodes, the physiology at the electrode–skin interface including nerve fibre activation by TENS, and TENS techniques used in clinical practice, including conventional TENS and acupuncture-like TENS (AL-TENS).
31

Yoshitake, Michiko. Work Function and Band Alignment of Electrode Materials: The Art of Interface Potential for Electronic Devices, Solar Cells, and Batteries. Springer Japan, 2020.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
32

Vassanelli, Stefano. Implantable neural interfaces. Oxford University Press, 2018. http://dx.doi.org/10.1093/oso/9780199674923.003.0050.

Повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
Анотація:
Establishing direct communication with the brain through physical interfaces is a fundamental strategy to investigate brain function. Starting with the patch-clamp technique in the seventies, neuroscience has moved from detailed characterization of ionic channels to the analysis of single neurons and, more recently, microcircuits in brain neuronal networks. Development of new biohybrid probes with electrodes for recording and stimulating neurons in the living animal is a natural consequence of this trend. The recent introduction of optogenetic stimulation and advanced high-resolution large-scale electrical recording approaches demonstrates this need. Brain implants for real-time neurophysiology are also opening new avenues for neuroprosthetics to restore brain function after injury or in neurological disorders. This chapter provides an overview on existing and emergent neurophysiology technologies with particular focus on those intended to interface neuronal microcircuits in vivo. Chemical, electrical, and optogenetic-based interfaces are presented, with an analysis of advantages and disadvantages of the different technical approaches.
33

Valdre, Ugo. Surface and Interface Characterization by Electron Optical Methods. Springer, 2012.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
34

Valdre, Ugo. Surface and Interface Characterization by Electron Optical Methods. Springer, 1989.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
35

Prasad, Girijesh. Brain–machine interfaces. Oxford University Press, 2018. http://dx.doi.org/10.1093/oso/9780199674923.003.0049.

Повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
Анотація:
A brain–machine interface (BMI) is a biohybrid system intended as an alternative communication channel for people suffering from severe motor impairments. A BMI can involve either invasively implanted electrodes or non-invasive imaging systems. The focus in this chapter is on non-invasive approaches; EEG-based BMI is the most widely investigated. Event-related de-synchronization/ synchronization (ERD/ERS) of sensorimotor rhythms (SMRs), P300, and steady-state visual evoked potential (SSVEP) are the three main cortical activation patterns used for designing an EEG-based BMI. A BMI involves multiple stages: brain data acquisition, pre-processing, feature extraction, and feature classification, along with a device to communicate or control with or without neurofeedback. Despite extensive research worldwide, there are still several challenges to be overcome in making BMI practical for daily use. One such is to account for non-stationary brainwaves dynamics. Also, some people may initially find it difficult to establish a reliable BMI with sufficient accuracy. BMI research, however, is progressing in two broad areas: replacing neuromuscular pathways and neurorehabilitation.
36

Kharton, Vladislav V. Solid State Electrochemistry II: Electrodes, Interfaces and Ceramic Membranes. Wiley & Sons, Incorporated, John, 2012.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
37

Kharton, Vladislav V. Solid State Electrochemistry II: Electrodes, Interfaces and Ceramic Membranes. Wiley & Sons, Incorporated, John, 2011.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
38

Kharton, Vladislav V. Solid State Electrochemistry II: Electrodes, Interfaces and Ceramic Membranes. Wiley & Sons, Limited, John, 2011.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
39

Kharton, Vladislav V. Solid State Electrochemistry II: Electrodes, Interfaces and Ceramic Membranes. Wiley & Sons, Incorporated, John, 2011.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
40

Proceedings of the symposium on microscopic models of electrode-electrolyte interfaces. Pennington, NJ: Electrochemical Society, 1993.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
41

Imaging of surfaces and interfaces. New York: Wiley-VCH, 1999.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
42

Clarebrough, L. M. Electron Microscopy of Interfaces in Metals and Alloys. CRC Press LLC, 2021.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
43

Clarebrough, L. M. Electron Microscopy of Interfaces in Metals and Alloys. CRC Press LLC, 2021.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
44

Clarebrough, L. M. Electron Microscopy of Interfaces in Metals and Alloys. CRC Press LLC, 2021.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
45

Clarebrough, L. M. Electron Microscopy of Interfaces in Metals and Alloys. CRC Press LLC, 2021.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
46

Analytical Transmission Electron Microscopy Studies on Copper-Alumina Interfaces. Storming Media, 1999.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
47

Localized in-situ methods for investigating eletrochemical interfaces: Proceedings of the international symposium. Pennington, NJ: Electrochemical Society, 2000.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
48

Kiejna, A., and K. F. Wojciechowski. Metal Surface Electron Physics. Elsevier Science & Technology Books, 1996.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
49

Wolstenholme, John. Auger Electron Spectroscopy: Practical Application to Materials Analysis and Characterization of Surfaces, Interfaces, and Thin Films. Momentum Press, 2015.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
50

Basu, Prasanta Kumar, Bratati Mukhopadhyay, and Rikmantra Basu. Semiconductor Nanophotonics. Oxford University PressOxford, 2022. http://dx.doi.org/10.1093/oso/9780198784692.001.0001.

Повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
Анотація:
Abstract Nanometre sized structures made of semiconductors, insulators and metals and grown by modern growth technologies or by chemical synthesis exhibit novel electronic and optical phenomena due to confinement of electrons and photons. Strong interactions between electrons and photons in narrow regions lead to inhibited spontaneous emission, thresholdless laser operation, and Bose Einstein condensation of exciton-polaritons in microcavities. Generation of sub-wavelength radiation by surface Plasmon-polaritons at metal-semiconductor interfaces, creation of photonic band gap in dielectrics, and realization of nanometer sized semiconductor or insulator structures with negative permittivity and permeability, known as metamaterials, are further examples in the area of nanophotonics. The studies help develop Spasers and plasmonic nanolasers of subwavelength dimensions, paving the way to use plasmonics in future data centres and high speed computers working at THz bandwidth with less than a few fJ/bit dissipation. The present book intends to serveas a textbook for graduate students and researchers intending to have introductory ideas of semiconductor nanophotonics. It gives an introduction to electron-photon interactions in quantum wells, wires and dots and then discusses the processes in microcavities, photonic band gaps and metamaterials and related applications. The phenomena and device applications under strong light-matter interactions are discussed by mostly using classical and semi-classical theories. Numerous examples and problems accompany each chapter.

До бібліографії