Увійти

Готові списки джерел за темами / Electrochemical Atomic Layer Epitaxy / Статті в журналах

Щоб переглянути інші типи публікацій з цієї теми, перейдіть за посиланням: Electrochemical Atomic Layer Epitaxy.

Статті в журналах з теми "Electrochemical Atomic Layer Epitaxy"

Автор: Grafiati

Опубліковано: 10 березня 2023

Оформте джерело за APA, MLA, Chicago, Harvard та іншими стилями

Оберіть тип джерела:

Ознайомтеся з топ-50 статей у журналах для дослідження на тему "Electrochemical Atomic Layer Epitaxy".

Біля кожної праці в переліку літератури доступна кнопка «Додати до бібліографії». Скористайтеся нею – і ми автоматично оформимо бібліографічне посилання на обрану працю в потрібному вам стилі цитування: APA, MLA, «Гарвард», «Чикаго», «Ванкувер» тощо.

Також ви можете завантажити повний текст наукової публікації у форматі «.pdf» та прочитати онлайн анотацію до роботи, якщо відповідні параметри наявні в метаданих.

Переглядайте статті в журналах для різних дисциплін та оформлюйте правильно вашу бібліографію.

1

Gregory, Brian W., and John L. Stickney. "Electrochemical atomic layer epitaxy (ECALE)." Journal of Electroanalytical Chemistry and Interfacial Electrochemistry 300, no. 1-2 (February 1991): 543–61. http://dx.doi.org/10.1016/0022-0728(91)85415-l.

Повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

2

Huang, Baoming M. "Electrochemical atomic layer epitaxy of semiconductor CdTe thin films." Proceedings, annual meeting, Electron Microscopy Society of America 51 (August 1, 1993): 824–25. http://dx.doi.org/10.1017/s0424820100149957.

Повний текст джерела

Анотація:

Semiconductor thin films have important applications in areas such as photovoltaics and luminescent displays. Electrodeposition of these films is a potential low cost, room temperature production technique. Electrochemical atomic layer epitaxy (ECALE) involves alternatively depositing individual element monolayer amount per ECALE cycle, taking advantage of the under-potential deposition (UPD) phenomena.A series of CdTe thin films have been deposited using ECALE methodology in an electrochemical flow cell system. The 0.5 mM Te4+, Te blank, 5mM Cd2+, and Cd blank solutions are made with purasonic grade TeO2 and CdSO4, research grade electrolyte, and 18 M ohm water. The gold foil substrates are cleaned electrochemically before each experiment. An ECALE cycle starts with depositing monolayer amount Te, rinsing with Te blank, then depositing monolayer amount of Cd, and ending with rinsing with Cd blank solution. The whole flow cell system is controlled by a computer with house-written codes, and the deposition process can be fully programmed.

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

3

GREGORY, B. W., and J. L. STICKNEY. "ChemInform Abstract: Electrochemical Atomic Layer Epitaxy (ECALE)." ChemInform 22, no. 22 (August 23, 2010): no. http://dx.doi.org/10.1002/chin.199122019.

Повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

4

Manhabosco, Taise M., Shaul Aloni, Tevye R. Kuykendall, Sara M. Manhabosco, Ana Bárbara Batista, Jaqueline S. Soares, Ana Paula M. Barboza, Alan B. de Oliveira, Ronaldo J. C. Batista, and Jeffrey J. Urban. "Electrochemical Atomic Layer Epitaxy Deposition of Ultrathin SnTe Films." Recent Progress in Materials 1, no. 4 (September 6, 2019): 1. http://dx.doi.org/10.21926/rpm.1904005.

Повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

5

Suggs, D. Wayne, Ignacio Villegas, Brian W. Gregory, and John L. Stickney. "Formation of compound semiconductors by electrochemical atomic layer epitaxy." Journal of Vacuum Science & Technology A: Vacuum, Surfaces, and Films 10, no. 4 (July 1992): 886–91. http://dx.doi.org/10.1116/1.577689.

Повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

6

Carlà, F., M. Innocenti, F. Loglio, M. Muniz-Miranda, P. R. Salvi, C. Gellini, M. Cavallini, et al. "Combined electrochemical atomic layer epitaxy and microcontact printing techniques." Materials Science in Semiconductor Processing 12, no. 1-2 (February 2009): 21–24. http://dx.doi.org/10.1016/j.mssp.2009.07.004.

Повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

7

Venkatasamy, Venkatram, Nagarajan Jayaraju, Stephen M. Cox, Chandru Thambidurai, Mkhulu Mathe, and John L. Stickney. "Deposition of HgTe by electrochemical atomic layer epitaxy (EC-ALE)." Journal of Electroanalytical Chemistry 589, no. 2 (April 2006): 195–202. http://dx.doi.org/10.1016/j.jelechem.2006.02.006.

Повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

8

Venkatasamy, Venkatram, and Nagarajan Jayaraju. "Formation of HgCdTe by Electrochemical Atomic Layer Epitaxy (EC-ALE)." ECS Transactions 3, no. 5 (December 21, 2019): 95–110. http://dx.doi.org/10.1149/1.2357200.

Повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

9

Mathe, Mkhulu K., Steve M. Cox, Venkatram Venkatasamy, Uwe Happek, and John L. Stickney. "Formation of HgSe Thin Films Using Electrochemical Atomic Layer Epitaxy." Journal of The Electrochemical Society 152, no. 11 (2005): C751. http://dx.doi.org/10.1149/1.2047547.

Повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

10

Gregory, Brian W., D. Wayne Suggs, and John L. Stickney. "Conditions for the Deposition of CdTe by Electrochemical Atomic Layer Epitaxy." Journal of The Electrochemical Society 138, no. 5 (May 1, 1991): 1279–84. http://dx.doi.org/10.1149/1.2085773.

Повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

11

Pezzatini, G., S. Caporali, M. Innocenti, and M. L. Foresti. "Formation of ZnSe on Ag(111) by electrochemical atomic layer epitaxy." Journal of Electroanalytical Chemistry 475, no. 2 (October 1999): 164–70. http://dx.doi.org/10.1016/s0022-0728(99)00347-2.

Повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

12

Flowers, Billy H., Travis L. Wade, John W. Garvey, Marcus Lay, Uwe Happek, and John L. Stickney. "Atomic layer epitaxy of CdTe using an automated electrochemical thin-layer flow deposition reactor." Journal of Electroanalytical Chemistry 524-525 (May 2002): 273–85. http://dx.doi.org/10.1016/s0022-0728(02)00679-4.

Повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

13

Yang, Junyou, Wen Zhu, Xianhui Gao, Siqian Bao, Xian Fan, Xingkai Duan, and Jie Hou. "Formation and Characterization of Sb2Te3Nanofilms on Pt by Electrochemical Atomic Layer Epitaxy." Journal of Physical Chemistry B 110, no. 10 (March 2006): 4599–604. http://dx.doi.org/10.1021/jp0565498.

Повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

14

Vaidyanathan, Raman, John L. Stickney, Stephen M. Cox, Steven P. Compton, and Uwe Happek. "Formation of In2Se3 thin films and nanostructures using electrochemical atomic layer epitaxy." Journal of Electroanalytical Chemistry 559 (November 2003): 55–61. http://dx.doi.org/10.1016/s0022-0728(03)00053-6.

Повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

15

Venkatasamy, V., N. Jayaraju, S. M. Cox, C. Thambidurai, U. Happek, and J. L. Stickney. "Optimization of CdTe nanofilm formation by electrochemical atomic layer epitaxy (EC-ALE)." Journal of Applied Electrochemistry 36, no. 11 (July 21, 2006): 1223–29. http://dx.doi.org/10.1007/s10800-006-9182-3.

Повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

16

Zhu, Wen, Junyou Yang, Xianhui Gao, Jie Hou, Siqian Bao, and Xian Fan. "Preparation of bismuth telluride thin film by electrochemical atomic layer epitaxy (ECALE)." Frontiers of Chemistry in China 2, no. 1 (March 2007): 102–6. http://dx.doi.org/10.1007/s11458-007-0021-9.

Повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

17

Innocenti, M., G. Pezzatini, F. Forni, and M. L. Foresti. "CdS and ZnS Deposition on Ag(111) by Electrochemical Atomic Layer Epitaxy." Journal of The Electrochemical Society 148, no. 5 (2001): C357. http://dx.doi.org/10.1149/1.1360208.

Повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

18

Foresti, M. L., G. Pezzatini, M. Cavallini, G. Aloisi, M. Innocenti, and R. Guidelli. "Electrochemical Atomic Layer Epitaxy Deposition of CdS on Ag(111): An Electrochemical and STM Investigation." Journal of Physical Chemistry B 102, no. 38 (September 1998): 7413–20. http://dx.doi.org/10.1021/jp9811777.

Повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

19

Stickney, John L., Youn-Geun Kim, and Jay Y. Kim. "Studies of Cu Atomic Layer Replacement, Formed by Underpotential Deposits, to Form Pt Nanofilms Using Electrochemical Atomic Layer Epitaxy." ECS Transactions 1, no. 30 (December 21, 2019): 41–48. http://dx.doi.org/10.1149/1.2209380.

Повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

20

Torimoto, Tsukasa, Susumu Takabayashi, Hirotaro Mori, and Susumu Kuwabata. "Photoelectrochemical activities of ultrathin lead sulfide films prepared by electrochemical atomic layer epitaxy." Journal of Electroanalytical Chemistry 522, no. 1 (March 2002): 33–39. http://dx.doi.org/10.1016/s0022-0728(01)00753-7.

Повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

21

Fernandes, Valeria C., Emanuelle Salvietti, Francesca Loglio, Massimo Innocenti, Lucia Mascaro, and Maria Foresti. "Electrodeposition of PbS Multilayers on AG(111) by ECALE (Electrochemical Atomic Layer Epitaxy)." ECS Transactions 11, no. 7 (December 19, 2019): 279–86. http://dx.doi.org/10.1149/1.2779091.

Повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

22

Xiao, Chengjing, Junyou Yang, Wen Zhu, Jiangying Peng, and Jiansheng Zhang. "Electrodeposition and characterization of Bi2Se3 thin films by electrochemical atomic layer epitaxy (ECALE)." Electrochimica Acta 54, no. 27 (November 2009): 6821–26. http://dx.doi.org/10.1016/j.electacta.2009.06.089.

Повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

23

GREGORY, B. W., D. W. SUGGS, and J. L. STICKNEY. "ChemInform Abstract: Conditions for the Deposition of CdTe by Electrochemical Atomic Layer Epitaxy." ChemInform 22, no. 29 (August 23, 2010): no. http://dx.doi.org/10.1002/chin.199129299.

Повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

24

Pezzatini, G., S. Caporali, M. Innocenti, and M. L. Foresti. "ChemInform Abstract: Formation of ZnSe on Ag(111) by Electrochemical Atomic Layer Epitaxy." ChemInform 31, no. 4 (June 11, 2010): no. http://dx.doi.org/10.1002/chin.200004015.

Повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

25

Colletti, Lisa P., Billy H. Flowers, and John L. Stickney. "Formation of Thin Films of CdTe, CdSe, and CdS by Electrochemical Atomic Layer Epitaxy." Journal of The Electrochemical Society 145, no. 5 (May 1, 1998): 1442–49. http://dx.doi.org/10.1149/1.1838502.

Повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

26

Qiao, Zhiqing, Wei Shang, and Chunming Wang. "Fabrication of Sn–Se compounds on a gold electrode by electrochemical atomic layer epitaxy." Journal of Electroanalytical Chemistry 576, no. 1 (February 2005): 171–75. http://dx.doi.org/10.1016/j.jelechem.2004.10.015.

Повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

27

Huang, Ao, Jingze Li, Yuehui Wang, and Shuanglong Feng. "Fabrication of PbS QDs/Graphene Heterostructure Photoelectrochemical Cell by Electrochemical Atomic Layer Epitaxy Method." Journal of Nanoscience and Nanotechnology 19, no. 1 (January 1, 2019): 235–39. http://dx.doi.org/10.1166/jnn.2019.16444.

Повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

28

Salvietti, E., F. Loglio, M. Innocenti, M. Cavallini, M. Facchini, G. Pezzatini, R. Raiteri, and M. L. Foresti. "Patterned growth of CdS by combined electrochemical atomic layer epitaxy and microcontact printing techniques." Electrochimica Acta 52, no. 19 (May 2007): 6034–40. http://dx.doi.org/10.1016/j.electacta.2007.03.058.

Повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

29

Vaidyanathan, Raman, John L. Stickney, and Uwe Happek. "Quantum confinement in PbSe thin films electrodeposited by electrochemical atomic layer epitaxy (EC-ALE)." Electrochimica Acta 49, no. 8 (March 2004): 1321–26. http://dx.doi.org/10.1016/j.electacta.2003.07.019.

Повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

30

Zhu, W., J. Y. Yang, X. H. Gao, S. Q. Bao, X. A. Fan, T. J. Zhang, and K. Cui. "Effect of potential on bismuth telluride thin film growth by electrochemical atomic layer epitaxy." Electrochimica Acta 50, no. 20 (July 2005): 4041–47. http://dx.doi.org/10.1016/j.electacta.2005.01.003.

Повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

31

Venkatasamy, Venkatram, Mkhulu K. Mathe, Stephen M. Cox, Uwe Happek, and John L. Stickney. "Optimization studies of HgSe thin film deposition by electrochemical atomic layer epitaxy (EC-ALE)." Electrochimica Acta 51, no. 21 (June 2006): 4347–51. http://dx.doi.org/10.1016/j.electacta.2005.12.012.

Повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

32

Zhu, Wen, Jun-You Yang, Dong-Xiang Zhou, Chen-Jin Xiao, and Xin-Kai Duan. "Electrochemical Aspects and Structure Characterization of VA-VIA Compound Semiconductor Bi2Te3/Sb2Te3Superlattice Thin Films via Electrochemical Atomic Layer Epitaxy." Langmuir 24, no. 11 (June 2008): 5919–24. http://dx.doi.org/10.1021/la8001064.

Повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

33

Colletti, Lisa P., Daniel Teklay, and John L. Stickney. "Thin-layer electrochemical studies of the oxidative underpotential deposition of sulfur and its application to the electrochemical atomic layer epitaxy deposition of CdS." Journal of Electroanalytical Chemistry 369, no. 1-2 (May 1994): 145–52. http://dx.doi.org/10.1016/0022-0728(94)87092-6.

Повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

34

Cavallini, Massimiliano, Massimo Facchini, Cristiano Albonetti, Fabio Biscarini, Massimo Innocenti, Francesca Loglio, Emanuele Salvietti, Giovanni Pezzatini, and Maria Luisa Foresti. "Two-Dimensional Self-Organization of CdS Ultra Thin Films by Confined Electrochemical Atomic Layer Epitaxy Growth." Journal of Physical Chemistry C 111, no. 3 (December 23, 2006): 1061–64. http://dx.doi.org/10.1021/jp0668908.

Повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

35

Torimoto, Tsukasa, Atsushi Obayashi, Susumu Kuwabata, Hidehiro Yasuda, Hirotaro Mori, and Hiroshi Yoneyama. "Preparation of Size-Quantized ZnS Thin Films Using Electrochemical Atomic Layer Epitaxy and Their Photoelectrochemical Properties." Langmuir 16, no. 13 (June 2000): 5820–24. http://dx.doi.org/10.1021/la000133y.

Повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

36

Muthuvel, Madhivanan, and John L. Stickney. "CdTe Electrodeposition on InP(100) via Electrochemical Atomic Layer Epitaxy (EC-ALE): Studies Using UHV-EC." Langmuir 22, no. 12 (June 2006): 5504–8. http://dx.doi.org/10.1021/la053353q.

Повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

37

Badot, J. C. "Atomic Layer Epitaxy of Vanadium Oxide Thin Films and Electrochemical Behavior in Presence of Lithium Ions." Electrochemical and Solid-State Letters 3, no. 10 (1999): 485. http://dx.doi.org/10.1149/1.1391187.

Повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

38

COLLETTI, L. P., B. H. JUN FLOWERS, and J. L. STICKNEY. "ChemInform Abstract: Formation of Thin Films of CdTe, CdSe, and CdS by Electrochemical Atomic Layer Epitaxy." ChemInform 29, no. 30 (June 20, 2010): no. http://dx.doi.org/10.1002/chin.199830291.

Повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

39

Villegas, Ignacio, and John L. Stickney. "Preliminary Studies of GaAs Deposition on Au(100), (110), and (111) Surfaces by Electrochemical Atomic Layer Epitaxy." Journal of The Electrochemical Society 139, no. 3 (March 1, 1992): 686–94. http://dx.doi.org/10.1149/1.2069285.

Повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

40

Zhu, W., J. Y. Yang, D. X. Zhou, C. J. Xiao, and X. K. Duan. "Development of growth cycle for antimony telluride film on Au (111) disk by electrochemical atomic layer epitaxy." Electrochimica Acta 53, no. 10 (April 2008): 3579–86. http://dx.doi.org/10.1016/j.electacta.2007.12.046.

Повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

41

Zou, Shouzhong, and Michael J. Weaver. "Surface-enhanced Raman spectroscopy of cadmium sulfide/cadmium selenide superlattices formed on gold by electrochemical atomic-layer epitaxy." Chemical Physics Letters 312, no. 2-4 (October 1999): 101–7. http://dx.doi.org/10.1016/s0009-2614(99)00911-2.

Повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

42

Feng, Shuanglong, Junyou Yang, Ming Liu, Hu Zhu, Jiansheng Zhang, Gen Li, Jiangying Peng, and Qiongzhen Liu. "CdS quantum dots sensitized TiO2 nanorod-array-film photoelectrode on FTO substrate by electrochemical atomic layer epitaxy method." Electrochimica Acta 83 (November 2012): 321–26. http://dx.doi.org/10.1016/j.electacta.2012.07.130.

Повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

43

Colletti, Lisa P., and John L. Stickney. "Optimization of the Growth of CdTe Thin Films Formed by Electrochemical Atomic Layer Epitaxy in an Automated Deposition System." Journal of The Electrochemical Society 145, no. 10 (October 1, 1998): 3594–602. http://dx.doi.org/10.1149/1.1838848.

Повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

44

Villegas, Ignacio, and Paul Napolitano. "Development of a Continuous‐Flow System for the Growth of Compound Semiconductor Thin Films via Electrochemical Atomic Layer Epitaxy." Journal of The Electrochemical Society 146, no. 1 (January 1, 1999): 117–24. http://dx.doi.org/10.1149/1.1391573.

Повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

45

VILLEGAS, I., and J. L. STICKNEY. "ChemInform Abstract: Preliminary Studies of GaAs Deposition on Au(100), (110), and (111) Surfaces by Electrochemical Atomic Layer Epitaxy." ChemInform 23, no. 21 (August 22, 2010): no. http://dx.doi.org/10.1002/chin.199221016.

Повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

46

Cecconi, Tiziana, Andrea Atrei, Ugo Bardi, Francesca Forni, Massimo Innocenti, Francesca Loglio, Maria Luisa Foresti, and Gianfranco Rovida. "X-ray photoelectron diffraction (XPD) study of the atomic structure of the ultrathin CdS phase deposited on Ag(111) by electrochemical atomic layer epitaxy (ECALE)." Journal of Electron Spectroscopy and Related Phenomena 114-116 (March 2001): 563–68. http://dx.doi.org/10.1016/s0368-2048(00)00239-5.

Повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

47

Zou, Shouzhong, and Michael J. Weaver. "Surface-Enhanced Raman Scattering of Ultrathin Cadmium Chalcogenide Films on Gold Formed by Electrochemical Atomic-Layer Epitaxy: Thickness-Dependent Phonon Characteristics." Journal of Physical Chemistry B 103, no. 13 (April 1999): 2323–26. http://dx.doi.org/10.1021/jp990107c.

Повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

48

Öznülüer, Tüba, and Ümit Demir. "Formation of Bi2S3 thin films on Au(111) by electrochemical atomic layer epitaxy: kinetics of structural changes in the initial monolayers." Journal of Electroanalytical Chemistry 529, no. 1 (June 2002): 34–42. http://dx.doi.org/10.1016/s0022-0728(02)00921-x.

Повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

49

Gichuhi, Anthony, B. Edward Boone, and Curtis Shannon. "Resonance Raman scattering and scanning tunneling spectroscopy of CdS thin films grown by electrochemical atomic layer epitaxy—thickness dependent phonon and electronic properties." Journal of Electroanalytical Chemistry 522, no. 1 (March 2002): 21–25. http://dx.doi.org/10.1016/s0022-0728(01)00713-6.

Повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

50

Huang, B. M., L. P. Colletti, B. W. Gregory, J. L. Anderson, and J. L. Stickney. "Preliminary Studies of the Use of an Automated Flow‐Cell Electrodeposition System for the Formation of CdTe Thin Films by Electrochemical Atomic Layer Epitaxy." Journal of The Electrochemical Society 142, no. 9 (September 1, 1995): 3007–16. http://dx.doi.org/10.1149/1.2048677.

Повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

Ми пропонуємо знижки на всі преміум-плани для авторів, чиї праці увійшли до тематичних добірок літератури. Зв'яжіться з нами, щоб отримати унікальний промокод!