Статті в журналах з теми "Electrical Spin Injection"
Оформте джерело за APA, MLA, Chicago, Harvard та іншими стилями
Ознайомтеся з топ-50 статей у журналах для дослідження на тему "Electrical Spin Injection".
Біля кожної праці в переліку літератури доступна кнопка «Додати до бібліографії». Скористайтеся нею – і ми автоматично оформимо бібліографічне посилання на обрану працю в потрібному вам стилі цитування: APA, MLA, «Гарвард», «Чикаго», «Ванкувер» тощо.
Також ви можете завантажити повний текст наукової публікації у форматі «.pdf» та прочитати онлайн анотацію до роботи, якщо відповідні параметри наявні в метаданих.
Переглядайте статті в журналах для різних дисциплін та оформлюйте правильно вашу бібліографію.
Mi, Yi Lin, and Jiang Nan Gao. "Effect of Electric-Field on Spin Injection Efficiency in the Organic Semiconductors." Materials Science Forum 852 (April 2016): 704–7. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.852.704.
Повний текст джерелаMi, Yi Lin, Feng Yan Liu, and Jiang Nan Gao. "Spin Injection in a Ferromagnetic/Organic System." Advanced Materials Research 502 (April 2012): 416–20. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/amr.502.416.
Повний текст джерелаSchmidt, G., and L. W. Molenkamp. "Electrical spin injection into semiconductors." Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures 9, no. 1 (January 2001): 202–8. http://dx.doi.org/10.1016/s1386-9477(00)00195-8.
Повний текст джерелаLiu, B. L., M. Sénès, S. Couderc, J. F. Bobo, X. Marie, T. Amand, C. Fontaine, and A. Arnoult. "Optical and electrical spin injection in spin-LED." Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures 17 (April 2003): 358–60. http://dx.doi.org/10.1016/s1386-9477(02)00809-3.
Повний текст джерелаHövel, S., N. C. Gerhardt, M. R. Hofmann, F. Y. Lo, A. Ludwig, D. Reuter, A. D. Wieck, et al. "Room temperature electrical spin injection in remanence." Applied Physics Letters 93, no. 2 (July 14, 2008): 021117. http://dx.doi.org/10.1063/1.2957469.
Повний текст джерелаSchmidt, Georg, and Laurens W. Molenkamp. "Electrical spin injection using dilute magnetic semiconductors." Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures 10, no. 1-3 (May 2001): 484–88. http://dx.doi.org/10.1016/s1386-9477(01)00142-4.
Повний текст джерелаFitzgerald, Richard. "Magnetic Semiconductors Enable Efficient Electrical Spin Injection." Physics Today 53, no. 4 (April 2000): 21–22. http://dx.doi.org/10.1063/1.883032.
Повний текст джерелаHeedt, S., C. Morgan, K. Weis, D. E. Bürgler, R. Calarco, H. Hardtdegen, D. Grützmacher, and Th Schäpers. "Electrical Spin Injection into InN Semiconductor Nanowires." Nano Letters 12, no. 9 (August 21, 2012): 4437–43. http://dx.doi.org/10.1021/nl301052g.
Повний текст джерелаLöffler, W., D. Tröndle, J. Fallert, E. Tsitsishvili, H. Kalt, D. Litvinov, D. Gerthsen, et al. "Electrical spin injection into InGaAs quantum dots." physica status solidi (c) 3, no. 7 (August 2006): 2406–9. http://dx.doi.org/10.1002/pssc.200668004.
Повний текст джерелаBibes, M., N. Reyren, E. Lesne, J. M. George, C. Deranlot, S. Collin, A. Barthélémy, and H. Jaffrès. "Towards electrical spin injection into LaAlO 3 –SrTiO 3." Philosophical Transactions of the Royal Society A: Mathematical, Physical and Engineering Sciences 370, no. 1977 (October 28, 2012): 4958–71. http://dx.doi.org/10.1098/rsta.2012.0201.
Повний текст джерелаYunus, M., P. P. Ruden, and D. L. Smith. "Ambipolar electrical spin injection and spin transport in organic semiconductors." Journal of Applied Physics 103, no. 10 (May 15, 2008): 103714. http://dx.doi.org/10.1063/1.2917215.
Повний текст джерелаJonker, B. T., S. C. Erwin, A. Petrou, and A. G. Petukhov. "Electrical Spin Injection and Transport in Semiconductor Spintronic Devices." MRS Bulletin 28, no. 10 (October 2003): 740–48. http://dx.doi.org/10.1557/mrs2003.216.
Повний текст джерелаFuhrer, A., S. F. Alvarado, G. Salis, and R. Allenspach. "Fast electrical switching of spin injection in nonlocal spin transport devices." Applied Physics Letters 98, no. 20 (May 16, 2011): 202104. http://dx.doi.org/10.1063/1.3590726.
Повний текст джерелаTruong, V. G., P. H. Binh, P. Renucci, M. Tran, Y. Lu, H. Jaffrès, J. M. George, et al. "High speed pulsed electrical spin injection in spin-light emitting diode." Applied Physics Letters 94, no. 14 (April 6, 2009): 141109. http://dx.doi.org/10.1063/1.3110990.
Повний текст джерелаJonker, B. T., Y. D. Park, B. R. Bennett, H. D. Cheong, G. Kioseoglou, and A. Petrou. "Robust electrical spin injection into a semiconductor heterostructure." Physical Review B 62, no. 12 (September 15, 2000): 8180–83. http://dx.doi.org/10.1103/physrevb.62.8180.
Повний текст джерелаOhno, Y., D. K. Young, B. Beschoten, F. Matsukura, H. Ohno, and D. D. Awschalom. "Electrical spin injection in a ferromagnetic semiconductor heterostructure." Nature 402, no. 6763 (December 1999): 790–92. http://dx.doi.org/10.1038/45509.
Повний текст джерелаYoung, D. K., E. Johnston-Halperin, D. D. Awschalom, Y. Ohno, and H. Ohno. "Anisotropic electrical spin injection in ferromagnetic semiconductor heterostructures." Applied Physics Letters 80, no. 9 (March 4, 2002): 1598–600. http://dx.doi.org/10.1063/1.1458535.
Повний текст джерелаDennis, C. L., J. F. Gregg, G. J. Ensell, and S. M. Thompson. "Evidence for electrical spin tunnel injection into silicon." Journal of Applied Physics 100, no. 4 (August 15, 2006): 043717. http://dx.doi.org/10.1063/1.2229870.
Повний текст джерелаSchmidt, Georg, Laurens W. Molenkamp, and Gerrit W. Bauer. "Electrical injection of spin polarized electrons into GaAs." Materials Science and Engineering: C 15, no. 1-2 (August 2001): 83–88. http://dx.doi.org/10.1016/s0928-4931(01)00265-x.
Повний текст джерелаOhno, Y., I. Arata, F. Matsukura, H. Ohno, D. K. Young, B. Beschoten, and D. D. Awschalom. "Electrical spin injection in ferromagnetic/nonmagnetic semiconductor heterostructures." Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures 10, no. 1-3 (May 2001): 489–92. http://dx.doi.org/10.1016/s1386-9477(01)00143-6.
Повний текст джерелаHanbicki, A. T., G. Kioseoglou, M. A. Holub, O. M. J. van ’t Erve, and B. T. Jonker. "Electrical spin injection from Fe into ZnSe(001)." Applied Physics Letters 94, no. 8 (February 23, 2009): 082507. http://dx.doi.org/10.1063/1.3089837.
Повний текст джерелаPloog, Klaus H. "Epitaxial ferromagnet-semiconductor heterostructures for electrical spin injection." Journal of Crystal Growth 268, no. 3-4 (August 2004): 329–35. http://dx.doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2004.04.050.
Повний текст джерелаOestreich, M., M. Bender, J. H bner, D. H gele, W. W. R hle, Th Hartmann, P. J. Klar, et al. "Spin injection, spin transport and spin coherence." Semiconductor Science and Technology 17, no. 4 (March 21, 2002): 285–97. http://dx.doi.org/10.1088/0268-1242/17/4/302.
Повний текст джерелаWeng, Sheng-Yueh, M. Sanjoy Singh, Cheng-Feng Hong, Wen-Teng Lin, Po-Hsun Wu, Ssu-Yen Huang, Jauyn Grace Lin, Yu-Hsun Chu, Wen-Chung Chiang, and Minn-Tsong Lin. "Effective spin injection into the organic semiconductor PTCDA evaluated by a normalization method." Applied Physics Letters 121, no. 23 (December 5, 2022): 232401. http://dx.doi.org/10.1063/5.0106446.
Повний текст джерелаAsshoff, Pablo, Wolfgang Löffler, Jochen Zimmer, Heiko Füser, Harald Flügge, Heinz Kalt, and Michael Hetterich. "Spin-polarization dynamics in InGaAs quantum dots during pulsed electrical spin-injection." Applied Physics Letters 95, no. 20 (November 16, 2009): 202105. http://dx.doi.org/10.1063/1.3265917.
Повний текст джерелаKu, J., J. Chang, S. Han, J. Ha, and J. Eom. "Electrical spin injection and accumulation in ferromagnetic/Au/ferromagnetic lateral spin valves." Journal of Applied Physics 99, no. 8 (April 15, 2006): 08H705. http://dx.doi.org/10.1063/1.2167628.
Повний текст джерелаLiu, B. L., P. Renucci, H. Carrère, M. Sénès, X. Marie, T. Amand, J. F. Bobo, C. Fontaine, A. Arnoult, and Phi Hoa Binh. "Spin injection probed by combined optical and electrical techniques in spin-LED." physica status solidi (c) 1, no. 3 (February 2004): 475–78. http://dx.doi.org/10.1002/pssc.200304020.
Повний текст джерелаPatil, Tarkeshwar C. "Ferromagnetic Schottky Contact for GaN Based Spin Devices." WSEAS TRANSACTIONS ON ELECTRONICS 12 (August 2, 2021): 55–60. http://dx.doi.org/10.37394/232017.2021.12.8.
Повний текст джерелаSINSARP, ASAWIN, TAKASHI MANAGO, FUMIYOSHI TAKANO, and HIRO AKINAGA. "ELECTRICAL SPIN INJECTION FROM AN IRON-RICH IRON–PLATINUM THIN FILM INTO GALLIUM ARSENIDE." Journal of Nonlinear Optical Physics & Materials 17, no. 01 (March 2008): 105–9. http://dx.doi.org/10.1142/s0218863508003993.
Повний текст джерелаSasaki, Tomoyuki, Tohru Oikawa, Toshio Suzuki, Masashi Shiraishi, Yoshishige Suzuki, and Katsumichi Tagami. "Electrical Spin Injection into Silicon Using MgO Tunnel Barrier." Applied Physics Express 2 (May 15, 2009): 053003. http://dx.doi.org/10.1143/apex.2.053003.
Повний текст джерелаTaniyama, Tomoyasu, Eiji Wada, Mitsuru Itoh, and Masahito Yamaguchi. "Electrical and optical spin injection in ferromagnet/semiconductor heterostructures." NPG Asia Materials 3, no. 7 (July 2011): 65–73. http://dx.doi.org/10.1038/asiamat.2011.84.
Повний текст джерелаLi, C. H., G. Kioseoglou, A. T. Hanbicki, R. Goswami, C. S. Hellberg, B. T. Jonker, M. Yasar, and A. Petrou. "Electrical spin injection into the InAs∕GaAs wetting layer." Applied Physics Letters 91, no. 26 (December 24, 2007): 262504. http://dx.doi.org/10.1063/1.2827585.
Повний текст джерелаSchoonus, J. J. H. M., O. Kurnosikov, H. J. M. Swagten, B. Koopmans, E. J. Geluk, F. Karouta, W. Van Roy, and G. Borghs. "Towards all-electrical spin injection and detection in GaAs." physica status solidi (c) 3, no. 12 (December 2006): 4176–79. http://dx.doi.org/10.1002/pssc.200672818.
Повний текст джерелаCYWIŃSKI, ŁUKASZ, HANAN DERY, PARIN DALAL, and L. J. SHAM. "ELECTRICAL EXPRESSION OF SPIN ACCUMULATION IN FERROMAGNET/SEMICONDUCTOR STRUCTURES." Modern Physics Letters B 21, no. 23 (October 10, 2007): 1509–29. http://dx.doi.org/10.1142/s021798490701395x.
Повний текст джерелаVALENZUELA, SERGIO O. "NONLOCAL ELECTRONIC SPIN DETECTION, SPIN ACCUMULATION AND THE SPIN HALL EFFECT." International Journal of Modern Physics B 23, no. 11 (April 30, 2009): 2413–38. http://dx.doi.org/10.1142/s021797920905290x.
Повний текст джерелаKÜMMELL, T., M. GHALI, J. HUANG, R. ARIANS, G. BACHER, J. WENISCH, and K. BRUNNER. "ELECTRICAL INJECTION AND OPTICAL READOUT OF SPIN STATES IN A SINGLE QUANTUM DOT." International Journal of Modern Physics B 23, no. 12n13 (May 20, 2009): 2826–35. http://dx.doi.org/10.1142/s0217979209062402.
Повний текст джерелаTao, B. S., P. Barate, J. Frougier, P. Renucci, B. Xu, A. Djeffal, H. Jaffrès, et al. "Electrical spin injection into GaAs based light emitting diodes using perpendicular magnetic tunnel junction-type spin injector." Applied Physics Letters 108, no. 15 (April 11, 2016): 152404. http://dx.doi.org/10.1063/1.4945768.
Повний текст джерелаBanerjee, D., R. Adari, S. Sankaranarayan, A. Kumar, S. Ganguly, R. W. Aldhaheri, M. A. Hussain, A. S. Balamesh, and D. Saha. "Electrical spin injection using GaCrN in a GaN based spin light emitting diode." Applied Physics Letters 103, no. 24 (December 9, 2013): 242408. http://dx.doi.org/10.1063/1.4848836.
Повний текст джерелаJonker, B. T., A. T. Hanbicki, Y. D. Park, G. Itskos, M. Furis, G. Kioseoglou, A. Petrou, and X. Wei. "Quantifying electrical spin injection: Component-resolved electroluminescence from spin-polarized light-emitting diodes." Applied Physics Letters 79, no. 19 (November 5, 2001): 3098–100. http://dx.doi.org/10.1063/1.1416164.
Повний текст джерелаOh, Eunsoon, T. K. Lee, J. H. Park, J. H. Choi, Y. J. Park, K. H. Shin, and K. Y. Kim. "Carrier lifetime and spin relaxation time study for electrical spin injection into GaAs." Journal of Applied Physics 106, no. 4 (August 15, 2009): 043515. http://dx.doi.org/10.1063/1.3186026.
Повний текст джерелаLin, Zhichao, Mahmoud Rasly, and Tetsuya Uemura. "Electrical detection of nuclear spin-echo signals in an electron spin injection system." Applied Physics Letters 110, no. 23 (June 5, 2017): 232404. http://dx.doi.org/10.1063/1.4985650.
Повний текст джерелаWang, Xiaowei, Yumeng Yang, Ying Wang, Ziyan Luo, Hang Xie, and Yihong Wu. "Spin accumulation in permalloy-ZnO heterostructures from both electrical injection and spin pumping." Journal of Physics D: Applied Physics 50, no. 45 (October 20, 2017): 455004. http://dx.doi.org/10.1088/1361-6463/aa889a.
Повний текст джерелаCrooker, S. A., M. Furis, X. Lou, P. A. Crowell, D. L. Smith, C. Adelmann, and C. J. Palmstrøm. "Optical and electrical spin injection and spin transport in hybrid Fe/GaAs devices." Journal of Applied Physics 101, no. 8 (April 15, 2007): 081716. http://dx.doi.org/10.1063/1.2722785.
Повний текст джерелаSchmidt, G., R. Fiederling, M. Keim, G. Reuscher, T. Gruber, W. Ossau, A. Waag, and L. W. Molenkamp. "Demonstration of electrical spin injection into a semiconductor using a semimagnetic spin aligner." Superlattices and Microstructures 27, no. 5-6 (May 2000): 297–300. http://dx.doi.org/10.1006/spmi.2000.0830.
Повний текст джерелаGerhardt, Nils C., and Martin R. Hofmann. "Spin-Controlled Vertical-Cavity Surface-Emitting Lasers." Advances in Optical Technologies 2012 (March 14, 2012): 1–15. http://dx.doi.org/10.1155/2012/268949.
Повний текст джерелаTereshchenko, Oleg E., Vladimir A. Golyashov, Vadim S. Rusetsky, Danil A. Kustov, Andrey V. Mironov, and Alexander Yu Demin. "Vacuum Spin LED: First Step towards Vacuum Semiconductor Spintronics." Nanomaterials 13, no. 3 (January 19, 2023): 422. http://dx.doi.org/10.3390/nano13030422.
Повний текст джерелаТарасов, А. С., А. В. Лукьяненко, И. А. Бондарев, И. А. Яковлев, С. Н. Варнаков, С. Г. Овчинников та Н. В. Волков. "Эффект спиновой аккумуляции в эпитаксиальной структуре Fe-=SUB=-3-=/SUB=-Si/n-Si и влияние на него электрического смещения". Письма в журнал технической физики 46, № 13 (2020): 43. http://dx.doi.org/10.21883/pjtf.2020.13.49591.18106.
Повний текст джерелаBebenin, N. G. "Time-dependent spin injection." Solid-State Electronics 186 (December 2021): 108174. http://dx.doi.org/10.1016/j.sse.2021.108174.
Повний текст джерелаBhattacharya, Aniruddha, Md Zunaid Baten, and Pallab Bhattacharya. "Electrical spin injection and detection of spin precession in room temperature bulk GaN lateral spin valves." Applied Physics Letters 108, no. 4 (January 25, 2016): 042406. http://dx.doi.org/10.1063/1.4940888.
Повний текст джерелаRinaldi, C., S. Bertoli, M. Asa, L. Baldrati, C. Manzoni, M. Marangoni, G. Cerullo, et al. "Determination of the spin diffusion length in germanium by spin optical orientation and electrical spin injection." Journal of Physics D: Applied Physics 49, no. 42 (September 22, 2016): 425104. http://dx.doi.org/10.1088/0022-3727/49/42/425104.
Повний текст джерела