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Добірка наукової літератури з теми "Dislocations densities"

Автор: Grafiati

Опубліковано: 7 серпня 2022

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Статті в журналах з теми "Dislocations densities"

Li, Yon Gan, Xiang Qian Xiu, Xue Mei Hua, Shi Ying Zhang, Shi Pu Gu, Rong Zhang, Zi Li Xie, et al. "Study of Dislocation Densities of Thick GaN Films." Advanced Materials Research 989-994 (July 2014): 387–90. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/amr.989-994.387.

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Анотація:

The dislocation density of GaN thick films has been measured by high-resolution X-ray diffraction. The results show that both the edge dislocations and the screw dislocation reduce with increasing the GaN thickness. And the edge dislocations have a larger fraction of the total dislocation densities, and the densities for the edge dislocation with increasing thickness reduce less in contrast with those for the screw dislocation.

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Rezvanian, O., M. A. Zikry, and A. M. Rajendran. "Statistically stored, geometrically necessary and grain boundary dislocation densities: microstructural representation and modelling." Proceedings of the Royal Society A: Mathematical, Physical and Engineering Sciences 463, no. 2087 (August 14, 2007): 2833–53. http://dx.doi.org/10.1098/rspa.2007.0020.

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Анотація:

A unified physically based microstructural representation of f.c.c. crystalline materials has been developed and implemented to investigate the microstructural behaviour of f.c.c. crystalline aggregates under inelastic deformations. The proposed framework is based on coupling a multiple-slip crystal plasticity formulation to three distinct dislocation densities, which pertain to statistically stored dislocations (SSDs), geometrically necessary dislocations (GNDs) and grain boundary dislocations. This interrelated dislocation density formulation is then coupled to a specialized finite element framework to study the evolving heterogeneous microstructure and the localized phenomena that can contribute to failure initiation as a function of inelastic crystalline deformation. The GND densities are used to understand where crystallographic, non-crystallographic and cellular microstructures form and the nature of their dislocation composition. The SSD densities are formulated to represent dislocation cell microstructures to obtain predictions related to the inhomogeneous distribution of SSDs. The effects of the lattice misorientations at the grain boundaries (GBs) have been included by accounting for the densities of the misfit dislocations at the GBs that accommodate these misorientations. By directly accounting for the misfit dislocations, the strength of the boundary regions can be more accurately represented to account for phenomena associated with the effects of the GB strength on intergranular deformation heterogeneities, stress localization and the nucleation of failure surfaces at critical regions, such as triple junctions.

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Muiruri, Amos, Maina Maringa, and Willie du Preez. "Evaluation of Dislocation Densities in Various Microstructures of Additively Manufactured Ti6Al4V (Eli) by the Method of X-ray Diffraction." Materials 13, no. 23 (November 26, 2020): 5355. http://dx.doi.org/10.3390/ma13235355.

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Анотація:

Dislocations play a central role in determining strength and flow properties of metals and alloys. Diffusionless phase transformation of β→α in Ti6Al4V during the Direct Metal Laser Sintering (DMLS) process produces martensitic microstructures with high dislocation densities. However, heat treatment, such as stress relieving and annealing, can be applied to reduce the volume of these dislocations. In the present study, an analysis of the X-ray diffraction (XRD) profiles of the non-heat-treated and heat-treated microstructures of DMLS Ti6Al4V(ELI) was carried out to determine the level of defects in these microstructures. The modified Williamson–Hall and modified Warren–Averbach methods of analysis were used to evaluate the dislocation densities in these microstructures. The results obtained showed a 73% reduction of dislocation density in DMLS Ti6Al4V(ELI) upon stress relieving heat treatment. The density of dislocations further declined in microstructures that were annealed at elevated temperatures, with the microstructures that were heat-treated just below the β→α recording the lowest dislocation densities.

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Strunk, Horst P. "Origination and Properties of Dislocations in Thin Film Nitrides." Solid State Phenomena 131-133 (October 2007): 39–46. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/ssp.131-133.39.

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Анотація:

Epitaxial group-III nitride films, although in single crystalline form, contain still a large number of threading dislocations. These set limits to performance and lifetime of devices, notably to high power structures like lasers. The strategy in material development was and will be (at least until lattice-matched substrates become available) to reduce the dislocation densities. The present contribution elaborates on possible dislocation origination mechanisms that determine the population of dislocations in the epitaxial layers. These mechanisms can be controlled to a certain degree by proper deposition procedures. The achieved dislocation populations then determine the processes that can reduce the dislocation densities during growth of the epitaxial layers. The mutual annihilation of threading dislocations is rather efficient although affected by the glide properties of the growing epitaxial crystal and the thermal stresses during the cooling down after growth.

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Hochrainer, Thomas. "Relative Helicity and Jog Densities in Continuum Descriptions of Dislocations." MRS Advances 1, no. 25 (2016): 1847–52. http://dx.doi.org/10.1557/adv.2016.121.

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Анотація:

ABSTRACTDislocations are line like crystal defects mediating plasticity in single crystals. In the current contribution we review classical continuum concepts of dislocation theory from a topological view point. Subsequently, we introduce a new measure for the density of jogs mutually impaired on each other by dislocations on different slip systems. This jog density is closely related to a topological measure of the interlinkage of the dislocations on the involved slip systems, known as relative helicity in other branches of physics.

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Buzolin, Ricardo Henrique, Franz Miller Branco Ferraz, Michael Lasnik, Alfred Krumphals, and Maria Cecilia Poletti. "Improved Predictability of Microstructure Evolution during Hot Deformation of Titanium Alloys." Materials 13, no. 24 (December 12, 2020): 5678. http://dx.doi.org/10.3390/ma13245678.

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Анотація:

Two different mesoscale models based on dislocation reactions are developed and applied to predict both the flow stress and the microstructure evolution during the hot deformation of titanium alloys. Three distinct populations of dislocations, named mobile, immobile, and wall dislocations, describe the microstructure, together with the crystal misorientation and the densities of boundaries. A simple model consisting of production and recovery terms for the evolution of dislocations is compared with a comprehensive model that describes the reactions between different type of dislocations. Constitutive equations connect the microstructure evolution with the flow stresses. Both models consider the formation of a high angle grain boundary by continuous dynamic recrystallization due to progressive lattice rotation. The wall dislocation density evolution is calculated as a result of the subgrain size and boundary misorientation distribution evolutions. The developed models are applied to two near-β titanium alloys, Ti-5553 and Ti-17, and validated for use in hot compression experiments. The differences in the predictability between the developed models are discussed for the flow stress, dislocation densities and microstructure evolutions. Only the comprehensive model can predict the different reactions and their contributions to the evolution of mobile and immobile dislocation densities. The comprehensive model also allows for correlating the elastic strain rate with the softening and hardening kinetics. Despite those differences, the selection of the model used has a small influence on the overall prediction of the subgrain size and the fraction of high angle grain boundaries.

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Herring, R. A., P. N. Uppal, S. P. Svensson, and J. S. Ahearn. "TEM characterization of dislocation reduction processes in GaAs/Si." Proceedings, annual meeting, Electron Microscopy Society of America 47 (August 6, 1989): 590–91. http://dx.doi.org/10.1017/s0424820100154925.

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Анотація:

A high density of interfacial dislocations are needed at the GaAs/Si interface to alleviate the 4% lattice mismatch between GaAs and Si. Some remnant dislocations thread through the epilayer and follow the growth interface. Current growth methods are not able to obtain acceptable threading dislocation densities (104 – 105) for devices. Many methods can be used to reduce the number of threading dislocations which include misorienting the substrate to enhance the slip of dislocations on specific [110]{111} planes, annealing during and after growth, and adding strained layer superlattices (SLS's) to block dislocations. Conventional TEM (CTEM), performed using a JEM 100c, has been used to characterize threading dislocations in the epilayer of a GaAs/Si material where in situ thermal annealing and SLS's force dislocation reactions and thereby reduce the threading dislocation density. Using TEM we have viewed dislocations under many two-beam diffraction conditions and with the help of a stereogram have determined their Burgers vectors (b), line directions (u) and habit planes (R).

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Vermeulen, A. C., R. Delhez, Th H. de Keijser, and E. J. Mittemeijer. "X-Ray Diffraction Analysis of Simultaneous Changes in Stress and Dislocation Densities in Thin Films." Advances in X-ray Analysis 39 (1995): 195–210. http://dx.doi.org/10.1154/s0376030800022606.

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Анотація:

A method has heen developed to determine the dislocation configuration in a polycrystalline specimen from the direction dependence of line broadening. The method is based on an analytical expression for the integral breadth due to microstrain from sets of parallel edge and/or screw dislocations on the specific slip systems. Analysis of the x-ray-diffraction measurements obtained from poly crystalline aluminium layers, deposited onto silicon wafers and subsequently annealed and cooled to room temperature, shows unequal densities and unequal changes of densities of dislocations with the Burgers vector parallel and with the Burgers vector inclined with respect to the surface of the layer. Stress relaxation and dislocation annihilation occur at room temperature. A model was developed to describe the dependency of the decrease of macrostress on the decrease of the dislocation density.

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Trishkina, L. I., T. V. Cherkasova, A. A. Klopotov, and A. I. Potekaev. "Mechanisms of Solid-Solution Hardening of Single-Phase Cu-Al and Cu-Mn Alloys with a Mesh Dislocation Substructure." Izvestiya of Altai State University, no. 4(120) (September 10, 2021): 59–65. http://dx.doi.org/10.14258/izvasu(2021)4-09.

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Анотація:

The dislocation structure and dislocation accumulation during deformation of polycrystalline FCC solid solutions of Cu-Al and Cu-Mn systems are studied by transmission diffraction electron microscopy. The Al content in Cu-Al alloys varies from 0.5 to 14 at.%. The Mn content in Cu-Mn alloys varies in the range of 0.4 ÷ 25 at.%. Alloys with a grain size in the range of 20 ÷ 240 µm are studied. The alloy samples are deformed by stretching at a rate of 2×10-2c-1 to failure at 293 K. The structure of samples deformed to various degrees of deformation is studied on foils using electron microscopes at an accelerating voltage of 125 kV. For each degree of deformation, the scalar dislocation density and its components are measured: statistically stored dislocations ρS and geometrically necessary dislocations ρG and some other parameters of the defective structure. The mechanisms and their contributions due to mesh and mesh-mesh dislocation substructures (DSS) are determined using the example of substructural and solid-solution hardening in polycrystalline Cu-Al and Cu-Mn alloys. The relative role of various mechanisms in the formation of the resistance to deformation of alloys at different grain sizes is determined. The role of the packaging defect energy on the value of solid-solution hardening for different grain sizes is revealed. The average scalar dislocation density is considered and determined along with its components: statistically stored dislocations ρS and geometrically necessary dislocations ρG. The dependences of the flow stress on the square root of the densities of geometrically necessary dislocations and the densities of statistically stored dislocations are found.

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Merriman, C. C., and David P. Field. "Observations of Dislocation Structure in AA 7050 by EBSD." Materials Science Forum 702-703 (December 2011): 493–98. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.702-703.493.

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Анотація:

During and after plastic deformation of metals, dislocations tend to evolve into generally well-defined structures that may include tangles, bands, cell walls, and various additional features. Observation of these structures by electron backscatter diffraction is only accomplished by analysis of changes in orientation from one position to the next. Excess (or geometrically necessary) dislocation densities can be inferred from 2D measurements or obtained directly from 3D measurements as indicated by Nye’s dislocation density tensor. Evolution of excess dislocation densities was measured for a split channel die specimen of aluminum alloy 7050 in the T7451 temper. Densities evolved by a factor or 1.6 for compressive deformations of 15%.

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Дисертації з теми "Dislocations densities"

Oussaily, Aya. "Étude théorique et numérique des systèmes modélisant la dynamique des densités des dislocations." Thesis, Compiègne, 2021. https://bibliotheque.utc.fr/Default/doc/SYRACUSE/2021COMP2634.

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Анотація:

Dans cette thèse, nous nous intéressons à l’analyse théorique et numérique de la dynamique des densités des dislocations. Les dislocations sont des défauts linéaires qui se déplacent dans les cristaux lorsque ceux-ci sont soumis à des contraintes extérieures. D’une manière générale, la dynamique des densités des dislocations est décrite par un système d’équations de transport, où les champs de vitesse dépendent de manière non-locale des densités des dislocations. Au départ, notre travail se focalise sur l’étude d’un système unidimensionnel (2 × 2) de type Hamilton-Jacobi dérivé d’un système bidimensionnel proposé par Groma et Balogh en 1999. Pour ce modèle, nous montrons un résultat d’existence globale et d’unicité. En addition, nous nous intéressons à l’étude numérique de ce problème, complété par des conditions initiales croissantes, en proposant un schéma aux différences finies implicite dont on prouve la convergence. Ensuite, en s’inspirant du travail effectué pour la résolution de la dynamique des densités des dislocations, nous mettons en œuvre une théorie plus générale permettant d’obtenir un résultat similaire d’existence et d’unicité d’une solution dans le cas des systèmes de type eikonal unidimensionnels. En considérant des conditions initiales croissantes, nous faisons une étude numérique pour ce système. Sous certaines conditions de monotonies sur la vitesse, nous proposons un schéma aux différences finies implicite permettant de calculer la solution discrète et simuler ainsi la dynamique des dislocations à travers ce modèle
In this thesis, we are interested in the theoretical and numerical studies of dislocations densities. Dislocations are linear defects that move in crystals when those are subjected to exterior stress. More generally, the dynamics of dislocations densities are described by a system of transport equations where the velocity field depends non locally on the dislocations densities. First, we are interested in the study of a one dimensional submodel of a (2 × 2) Hamilton-Jacobi system introduced by Groma and Balogh in 1999, proposed in the two dimensional case. For this system, we prove global existence and uniqueness results. Adding to that, considering nondecreasing initial data, we study this problem numerically by proposing a finite difference implicit scheme for which we show the convergence. Then, inspired by the first work, we show a more general theory which allows us to get similar results of existence and uniqueness of solution in the case of one dimensional eikonal systems. By considering nondecreasing initial data, we study this problem numerically. Under certain conditions on the velocity, we propose a finite difference implicit scheme allowing us to calculate the discrete solution and simulate then the dislocations dynamics via this model

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Goncalves, Diogo. "Modélisation polycristalline du comportement élasto-viscoplastique des aciers inoxydables austénitiques 316L(N) sur une large gamme de chargements : application à l'étude du comportement cyclique à température élevée." Thesis, Sorbonne université, 2018. http://www.theses.fr/2018SORUS089/document.

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Анотація:

L’acier 316L(N) est le matériau de référence pour les structures du circuit primaire des réacteurs nucléaires de quatrième génération, en raison de leur résistance mécanique à la température de fonctionnement, de l’ordre de 550°C. La thèse a permis de développer un modèle polycristallin, capable de prédire le comportement de ces aciers, basé sur la description du glissement viscoplastique des dislocation à haute température, de mise en œuvre simple et avec l’identification d’un nombre de paramètres matériau limité. La démarche de modélisation a été progressive. Lors de la première étape, nous avons proposé et validé une loi d'homogénéisation élasto-viscoplastique à champs moyens, grâce à de nombreux calculs par éléments finis, en considérant des durcissements plastique et des viscosités cristallines. Ensuite, un modèle de viscoplasticité cristalline, reposant sur les lois d’évolution des densités de différents types de dislocations, a été implémenté et les prédictions ont été validés en considérant un très grand nombre de résultats expérimentaux à faible. Le modèle a ensuite été enrichi afin de prendre en compte les mécanismes physiques supplémentaires observés à température élevée, comme la montée des dislocations, le vieillissement dynamique et l’apparition d’une structure de dislocation très hétérogène. Le modèle proposé nécessite uniquement l’ajustement de trois paramètres par identification inverse, utilisant seulement des essais de traction monotone avec saut de vitesse. Les prédictions du comportement mécanique en chargement uniaxial et cyclique sont également en bon accord avec les mesures expérimentales aux températures élevées
The 316L(N) stainless steels is the reference material for the primary circuit structures of fourth-generation nuclear reactors. This alloy present high mechanical resistance at the operation temperature range of these reactors, of the order of 550 °C. This PhD allowed to develop a polycrystalline model based on the description of the viscoplastic dislocation slip at high temperatures, with straightforward implementation and with identification of a limited number of material parameters. The modeling process was progressive. In a first step, we proposed and validated a mean-field elastic-viscoplastic homogenization law, in comparison to numerous finite element calculations, considering crystalline plastic hardening and crystalline viscosity. Then, a model of crystalline viscoplasticity, based on the evolution laws of the different dislocations densities was implemented and the predictions were validated considering a very large number of experimental results at low temperature. The model was then enhanced to take into account the additional physical mechanisms observed at high temperature, such as dislocation climb, dynamic strain aging and the appearance of a very heterogeneous dislocation structure. The proposed model requires the adjustment of only three parameters by inverse identification, using only monotonic tensile tests at different strain rates. The mechanical behavior predictions in uniaxial and cyclic loading are also in good agreement with experimental measurements at high temperature

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Clarke, Eleanor. "Internal stresses and dislocation densities generated by phase transformations in steel." Thesis, University of Oxford, 2008. http://ethos.bl.uk/OrderDetails.do?uin=uk.bl.ethos.489424.

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Анотація:

Microstresses and dislocation distributions have important effects on the properties of many materials including dual phase (DP) steels and HSLA steels investigated in this thesis. Two complementary experimental techniques were used for the measurements: (i) electron backscatter diffraction (EBSD) and (ii) X-ray diffraction (XRD) line profile analysis (LPA). Nanoindentation was also used to investigate the variation in hardness within DP steels.

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Valdenaire, Pierre-Louis. "Plasticité cristalline : Equations de transport et densités de dislocations." Thesis, Paris Sciences et Lettres (ComUE), 2016. http://www.theses.fr/2016PSLEM002/document.

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Анотація:

Le comportement mécanique des alliages métalliques industriels, notamment ceux utilisés dans le domaine de l’aéronautique, est contrôlé par la présence de différents types de précipités et par la nucléation et propagation de défauts cristallins tels que les dislocations. La compréhension du comportement de ces matériaux nécessite des modèles continus afin d’accéder à l’échelle macroscopique. Cependant, même aujourd’hui, les théories conventionnelles de la plasticité utilisent des variables mésoscopique et des équations d’évolution qui ne reposent pas sur la notion de transport de dislocations. En conséquence, ces théories sont basées sur des lois phénoménologiques qu’il est nécessaire de calibrer pour chaque matériau et chaque application. Il est donc souhaitable d’établir le lien entre les échelles micro et macro afin de générer une théorie continue de la plasticité déduite analytiquement des équations fondamentales de la dynamique des dislocations. L’objet de cette thèse est précisément de contribuer à l’élaboration d’une telle théorie. La première étape a consisté à établir rigoureusement la procédure de changement d’échelle dans une situation simplifiée. Nous avons alors abouti à un système d’équations de transport hyperboliques sur des densités de dislocations contrôlées par des contraintes locales de friction et de backstress qui émergent du changement d’échelle. Nous avons ensuite développé une procédure numérique pour calculer ces termes et analyser leur comportement. Finalement, nous avons développé un schéma numérique efficace pour intégrer les équations de transport ainsi qu’un schéma spectral multi-grille pour résoudre l’équilibre élastique associé à un champ de déformation propre quelconque dans un milieu élastiquement anisotrope et inhomogène
The mechanical behavior of industrial metallic alloys, in particular those used in the aerospace industry, is controlled by the existence of several types of precipitates and by the nucleation and propagation of crystalline defects such as dis- locations. The understanding of this behavior requires continuous models to access the macroscopic scale. However, even today, conventional plasticity theories use mesoscopic variables and evolution equations that are not based on the transport of dislocations. Therefore, these theories are based on phenomenological laws that must be calibrated for each material, or, for each specific applications. It is therefore highly desirable to make link between the micro and macro scales, in order to derive a continuous theory of plasticity from the fundamental equations of the dislocation dynamics. The aim of this thesis is precisely to contribute the elaboration of such a theory. The first step has consisted to rigorously establish a coarse graining procedure in a simplified situation. We have then obtained a set of hyperbolic transport equations on dislocation densities, controlled by a local friction stress and a local back-stress that emerge from the scale change. We have then developed a numerical procedure to compute these local terms and analyze their behavior. Finally, we have developed an efficient numerical scheme to integrate the transport equations as well as a multigrid spectral scheme to solve elastic equilibrium associated to an arbitrary eigenstrain in an elastically heterogeneous and anisotropic medium

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El, Hajj Ahmad. "Analyse théorique et numérique de la dynamique des densités de dislocations." Marne-la-Vallée, 2007. http://www.theses.fr/2007MARN0373.

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Анотація:

Ce travail porte, pour l'essentiel, sur l'analyse théorique et numérique de la dynamique de densités de dislocations. Les dislocations sont des défauts qui se déplacent dans les cristaux, lorsque ceux-ci sont soumis à des contraintes extérieures. D'une façon générale, la dynamique de densités de dislocations est décrite par un système d'équations de transports où les champs de vitesse dépendent de manière non-locale des densités de dislocations. Dans une première partie, nous nous plaçons dans un cadre unidimensionnel. Nous démontrons pour un système 2 x 2 simplifié, des résultats d'existence globale et d'unicité de solution ainsi qu'une estimation d'erreur entre la solution continue et son approximation numérique en utilisant un schéma aux différences finies. Puis, en mettant en œuvre une méthode d'estimation de l'entropie du gradient, développée à la base pour résoudre un modèle bidimensionnel, nous démontrons un résultat d'existence globale et quelques résultats d'unicité pour des systèmes hyperboliques diagonisables en dimension 1. Dans une seconde partie nous nous intéressons à un cadre plus général de la dynamique de densités de dislocations où nous étudions un modèle bidimensionnel. Ce modèle a été introduit par Groma et Balogh (69). Nous démontrons dans ce cadre un résultat d'existence globale via une estimation sur l'entropie du gradient des solutions. Des simulations numériques de ce modèle sont présentées

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Ibrahim, Hassan. "Analyse de systèmes parabolique/Hamilton-Jacobi modélisant la dynamique de densités de dislocations en domaine borné." Phd thesis, Ecole des Ponts ParisTech, 2008. http://pastel.archives-ouvertes.fr/pastel-00004186.

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Анотація:

Cette thèse porte sur l'étude théorique d'un modèle mathématique provenant de l'étude de la dynamique de densités, de dislocations dans les cristaux de petite taille. Cette dynamique est modélisée par un système non linéaire couplé parabolique/Hamilton-Jacobi. Les dislocations sont des lignes de défauts qui se déplacent dans les cristaux lorsque ceux-ci sont soumis à des contraintes extérieures. De façon indépendante, tout à la fin de la thèse, nous présentons une méthode numérique pour le transport de fronts. Dans le coeur de la thèse, trois types d'équations sont considérées : équations de Hamilton-Jacobi non linéaires, lois de conservation scalaires, et équations paraboliques singulières. Nous traitons un système parabolique/Hamilton-Jacobi singulier où la singularité apparaît par la présence de l'inverse du gradian. Notre système prend en considération l'effet à courte distance entre dislocations ainsi que la formation des couches limites. Nous étudions l'existence, l'unicité et la régularité des solutions du système. cette étude repose en grande partie sur la théorie des solutions de viscosité ; des solutions entropiques et des solutions classiques. Deux cas principaux sont considérés : le cas où les contraintes extérieures sont nulles, et le cas où elles sont constantes (non nécessairement nulles).

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Saint-Lager, Marie-Claire. "Etude de la cohérence de phase des ondes de densité de charge." Grenoble 1, 1988. http://www.theses.fr/1988GRE10090.

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Анотація:

Lorsque l'onde de densite de charge (odc) est en mouvement, la coherence de phase tend a etre de l'ordre de la longueur de l'echantillon. A 3 d, le raccordement entre deux regions de vitesse differente est assure par des dislocations de phase se deplacant dans le plan perpendiculaire au mouvement de l'odc. Un modele est propose, ou les dislocations, comme l'odc elle-meme, sont sensibles aux impuretes. La condition de raccordement est gouvernee par leur piegeage qui est represente par un terme de frottement statique

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Nguyen, Can Ngon. "Modélisation du comportement en plasticité et à rupture des aciers bainitiques irradiés." Phd thesis, École Nationale Supérieure des Mines de Paris, 2010. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00469582.

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Анотація:

Les aciers faiblement alliés sont utilisés dans les réacteurs nucléaires pour la réalisation de différents équipements. Soumis à une irradiation neutronique induite par le fonctionnement du réacteur, ces matériaux présentent des évolutions notables de leur microstructure, avec en particulier l'apparition de défauts d'irradiation comme des boucles interstitielles, des amas lacunaires et des précipités, qui conduisent à un durcissement et une fragilisation en relation directe avec la dose reçue et le flux neutronique. Le comportement en plasticité hors irradiation des aciers bainitiques faiblement alliés a fait l'objet de plusieurs modélisations élaborées à partir d'observations expérimentales et de modélisations à l'échelle atomique. Plusieurs thèses ont été supportées par EDF et le CEA dans le passé. Ce travail se place dans leur prolongement, et adopte une démarche classique, en utilisant des éléments expérimentaux connus, mais il se place de façon déterminée à l'échelle de la microstructure, et cherche à intégrer un maximum d'informations de métallurgie physique. C'est dans cet esprit que sont introduites des microstructures réalistes en termes de morphologie et d'orientation cristalline, et qu'on adopte un modèle de plasticité cristalline en grandes déformations basé sur les densités de dislocations. Ce choix permet de prendre en compte dans les lois de plasticité les interactions entre dislocations et défauts d'irradiations pour des conditions de chargements sévères. Ces lois sont introduites dans le code de calcul par éléments finis ZéBuLoN afin de réaliser des calculs d'agrégats polycristallins aux propriétés représentatives d'un élément de volume macroscopique. Les résultats obtenus sur un tel agrégat sont donc considérés comme une donnée élémentaire dans la manipulation des modèles de rupture fragile sur des structures. La nouvelle approche développée a un statut d'approche locale micromécanique".

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Requardt, Herwig Walter. "Etude structurale et dynamique des composés à onde de densité de charge du type MX3 et (MX4)nI." Université Joseph Fourier (Grenoble), 1998. http://www.theses.fr/1998GRE10043.

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Анотація:

Ce travail traite trois sujets d'etudes structurelles et dynamiques des systemes a onde de densite de charge : premierement, l'origine du comportement non-debye de la chaleur specifique des composes k#o#. #3moo#3 et kcp est etudiee. Dans ces deux composes, ce comportement anormal est observe aux temperatures voisines de 10k. La combinaison de la densite d'etats de phonons, obtenue experimentalement, avec des calculs simples, a base de courbes de dispersion de phonons, permet d'etablir le lien entre les branches acoustiques et optiques de basse energie de ces composes et l'anomalie de leur chaleur specifique. Dans une deuxieme partie, l'influence d'un faible dopage isoelectronique (nb) sur le vecteur de modulation de l'onde de densite de charge (odc) du compose (tase#4)#2i est etudiee. Contrairement aux systemes a odc prototypes comme k#o#. #3moo#3, nbse#3 ou kcp, (ta#1#-#xnb#xse#4)#2i revele un changement de la position des satellites : a partir d'un dopage avec x0. 01 les satellites s'approchent des raies de bragg. Un modele developpe recemment pour la transition de phase de(tase#4)#2i offre un mecanisme expliquant l'effet du dopage en termes d'un reseau perturbe par des defauts. Cependant, le caractere seuil de l'effet du dopage sur la variation de la position des satellites reste inexplique. Troisiemement, la deformation de l'odc depiegee par un champ electrique est etudiee dans le compose nbse#3. Cette deformation se manifeste par un changement q(x) du vecteur d'onde de l'odc le long de l'echantillon. En appliquant un champ electrique continu, la deformation est maximale au contact, suivie par un regime de decroissance exponentielle de q(x) pres du contact. Un deuxieme regime est observe dans la partie centrale de l'echantillon presentant une variation lineaire de q(x). En appliquant un champ electrique pulse, la deformation de l'odc revele dans le regime exponentiel une relaxation avec une forte dependance spatiale, pendant que dans le regime lineaire q(x) ne presente pas de dependance temporelle. Nos resultats ont permis de developper un modele theorique, reliant la deformation de l'odc au desequilibre local des porteurs de charge provoque par l'injection/l'extraction du courant electrique. Ce desequilibre est reduit par le phase slip, menant, dans un cas simple, a une dependance spatiale exponentielle de q(x). Le regime lineaire de la deformation est interprete comme la consequence d'un piegeage collectif du phase slip quand le desequilibre a diminue au-dessous d'une valeur seuil.

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CORNIER, JEAN-PIERRE. "Etude par microscopie electronique en transmission de petits defauts dans des monocristaux de gaas." Paris 6, 1988. http://www.theses.fr/1988PA066673.

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Анотація:

Recherche de la forme optimale des parois d'un monocristal de gaas lors de son elaboration pour reduire la densite des dislocations. Elaboration d'un modele pour la forme de l'interface de croissance a l'emergence d'une dislocation

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Частини книг з теми "Dislocations densities"

Rauch, Edgar F., and G. Shigesato. "The Dislocation Patterns in Deformed Metals: Dislocation Densities, Distributions and Related Misorientations." In Materials Science Forum, 193–98. Stafa: Trans Tech Publications Ltd., 2007. http://dx.doi.org/10.4028/0-87849-434-0.193.

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Estrin, Y., and H. Mecking. "A Unified Constitutive Model with Dislocation Densities as Internal Variables." In Anisotropy and Localization of Plastic Deformation, 385–88. Dordrecht: Springer Netherlands, 1991. http://dx.doi.org/10.1007/978-94-011-3644-0_89.

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Vermeulen, A. C., R. Delhez, Th H. de Keijser, and E. J. Mittemeijer. "X-Ray Diffraction Analysis of Simultaneous Changes in Stress and Dislocation Densities in Thin Films." In Advances in X-Ray Analysis, 195–210. Boston, MA: Springer US, 1997. http://dx.doi.org/10.1007/978-1-4615-5377-9_23.

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Ungár, T., I. Alexandrov, and P. Hanák. "Grain and Subgrain Size-Distribution and Dislocation Densities in Severely Deformed Copper Determined by a New Procedure of X-Ray Line Profile Analysis." In Investigations and Applications of Severe Plastic Deformation, 133–38. Dordrecht: Springer Netherlands, 2000. http://dx.doi.org/10.1007/978-94-011-4062-1_18.

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Sethna, James P. "Abrupt phase transitions." In Statistical Mechanics: Entropy, Order Parameters, and Complexity, 321–48. Oxford University Press, 2021. http://dx.doi.org/10.1093/oso/9780198865247.003.0011.

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Анотація:

This chapter studies abrupt phase transitions, familiar from boiling water, raindrops, snowflake formation, and frost. At these transitions, the properties change abruptly -- the ice cube and the water in which it floats are at the same temperature and pressure, but have quite different densities and rigidities. The chapter studies the coexistence between two phases by matching their free energies, and discover the Maxwell equal-area construction. It examines the barriers to raindrop formation and discovers nucleation and critical droplet theory. It examines how the transition proceeds after nucleation, and discovers coarsening (familiar from the segregation of oil and water in well-shaken salad dressing), dendrites (snowflakes and frost patterns), and martensitic structures (important in steel). Exercises explore nucleation of dislocations, of cracks, and of droplets in the Ising model; complex free energies and nucleation rates; dendrites in surface growth and snowflakes; and martensites, minimizing sequences, and origami.

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Bakke, Knut, and Fernando Moraes. "A Geometric Approach to Dislocation Densities in Semiconductors." In Quantum Foundations and Open Quantum Systems, 193–98. WORLD SCIENTIFIC, 2014. http://dx.doi.org/10.1142/9789814616737_0004.

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Hussain, K., K. Subhadra, and K. Rao. "Habit, Dislocation Densities, and Microhardness of NaC103-NaBr03 Mixed Crystals." In February, 171–79. De Gruyter, 1988. http://dx.doi.org/10.1515/9783112485583-005.

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Gubicza, Jenő. "Practical Applications of X-Ray Line Profile Analysis." In Materials Science and Engineering, 1094–132. IGI Global, 2017. http://dx.doi.org/10.4018/978-1-5225-1798-6.ch043.

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Анотація:

In the previous chapters, the theory and the main methods of diffraction peak profile analysis were presented. Additionally, the specialties in the measurement and the evaluation of line profiles in the cases of thin films and single crystals were discussed. In this chapter, some practical considerations are given in order to facilitate the evaluation of peak profiles and the interpretation of the results obtained by this method. For instance, the procedures for instrumental correction are overviewed. Additionally, how the prevailing dislocation slip systems and twin boundary types in hexagonal polycrystals can be determined from line profiles is shown. Besides the dislocation density, the vacancy concentration can also be obtained by the combination of electrical resistivity, calorimetric, and line profile measurements. The crystallite size and the twin boundary frequency determined by X-ray peak profile analysis are compared with the values obtained by the direct method of transmission electron microscopy. Furthermore, the limits of line profile analysis in the determination of crystallite size and defect densities are given. Finally, short overviews on the results obtained by peak profile analysis for metals, ceramics, and polymers are presented.

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Tanner, Martin O., Michael A. Chu, Kang L. Wang, Marjohn Meshkinpour, and Mark S. Goorsky. "Relaxed Si1−xGex films with reduced dislocation densities grown by molecular beam epitaxy." In Selected Topics in Group IV and II–VI Semiconductors, 121–25. Elsevier, 1996. http://dx.doi.org/10.1016/b978-0-444-82411-0.50033-4.

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"Influence of Hydrogen on Nanohardness of Pure Iron with Different Dislocation Densities Investigated by Electrochemical Nanoindentation." In International Hydrogen Conference (IHC 2016): Materials Performance in Hydrogen Environments, 350–57. ASME Press, 2017. http://dx.doi.org/10.1115/1.861387_ch38.

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Тези доповідей конференцій з теми "Dislocations densities"

Robison, Andrew, Lei Lei, Sowmya Ramarapu, and Marisol Koslowski. "Interface Effects in Strained Thin Films." In ASME 2009 International Mechanical Engineering Congress and Exposition. ASMEDC, 2009. http://dx.doi.org/10.1115/imece2009-12539.

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Анотація:

Crystalline films grown epitaxially on a substrate consisting of a different crystalline material are of considerable interest in optoelectronic devices and the semiconductor industry. The film and substrate have in general different lattice parameters. This lattice mismatch affects the quality of interfaces and can lead to very high densities of misfit dislocations. Here we study the evolution of these misfit dislocations in a single crystal thin film. In particular, we consider the motion of a dislocation gliding on its slip plane within the film and its interaction with multiple obstacles and sources. Our results show the effect of obstacles such as precipitates and other dislocations on the evolution of a threading dislocation in a metallic thin film. We also show that the material becomes harder as the film thickness decreases in excellent agreement with experiments.

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Huang, Haiying, George A. Kadomateas, and Valeria La Saponara. "Mixed Mode Interface Cracks in a Bi-Material Half Plane and a Bi-Material Strip." In ASME 1999 International Mechanical Engineering Congress and Exposition. American Society of Mechanical Engineers, 1999. http://dx.doi.org/10.1115/imece1999-0900.

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Анотація:

Abstract This paper presents a method for determining the dislocation solution in a bi-material half plane and a bi-material infinite strip, which is subsequently used to obtain the mixed-mode stress intensity factors for a corresponding bi-material interface crack. First, the dislocation solution in a bi-material infinite plane is summarized. An array of surface dislocations is then distributed along the free boundary of the half plane and the infinite strip. The dislocation densities of the aforementioned surface dislocations are determined by satisfying the traction-free boundary conditions. After the dislocation solution in the finite domain is achieved, the mixed-mode stress intensity factors for interface cracks are calculated based on the continuous dislocation technique. Results are compared with analytical solution for homogeneous anisotropic media.

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Abu Al-Rub, Rashid K., and George Z. Voyiadjis. "A Dislocation Based Gradient Plasticity Theory With Applications to Size Effects." In ASME 2005 International Mechanical Engineering Congress and Exposition. ASMEDC, 2005. http://dx.doi.org/10.1115/imece2005-81384.

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Анотація:

The intent of this work is to derive a physically motivated mathematical form for the gradient plasticity that can be used to interpret the size effects observed experimentally. This paper addresses a possible, yet simple, link between the Taylor’s model of dislocation hardening and the strain gradient plasticity. Evolution equations for the densities of statistically stored dislocations and geometrically necessary dislocations are used to establish this linkage. The dislocation processes of generation, motion, immobilization, recovery, and annihilation are considered in which the geometric obstacles contribute to the storage of statistical dislocations. As a result a physically sound relation for the material length scale parameter is obtained as a function of the course of plastic deformation, grain size, and a set of macroscopic and microscopic physical parameters. The proposed model gives good predictions of the size effect in micro-bending tests of thin films and micro-torsion tests of thin wires.

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Friedrich, Jochen, Birgit Kallinger, Isabel Knoke, Patrick Berwian, and Elke Meissner. "Crystal growth of compound semiconductors with low dislocation densities." In Related Materials (IPRM). IEEE, 2008. http://dx.doi.org/10.1109/iciprm.2008.4702897.

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Loganathan, Ravi, Mathaiyan Jayasakthi, Ponnusamy Arivazhagan, Kandhasamy Prabakaran, Manavaimaran Balaji, and Krishnan Baskar. "Studies on the dislocation densities of gallium nitride grown by MOCVD." In 16th International Workshop on Physics of Semiconductor Devices, edited by Monica Katiyar, B. Mazhari, and Y. N. Mohapatra. SPIE, 2012. http://dx.doi.org/10.1117/12.926857.

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Chan, Wing, Valissa Sams, KiHyun Kim, Aschalew Kassu, and Ralph James. "Comparative study of dislocation densities in CdZnTe ingots grown with different carbon coatings." In 2012 IEEE Nuclear Science Symposium and Medical Imaging Conference (2012 NSS/MIC). IEEE, 2012. http://dx.doi.org/10.1109/nssmic.2012.6551967.

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Wang, Qingxue, Jianrong Yang, Yanfeng Wei, Weizheng Fang, and Li He. "Evaluation of dislocation densities in HgCdTe films by high-resolution x-ray diffraction." In Photonics Asia 2004, edited by Haimei Gong, Yi Cai, and Jean-Pierre Chatard. SPIE, 2005. http://dx.doi.org/10.1117/12.572209.

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Jeong, S. M., S. Kissinger, Y. H. Ra, S. H. Yun, D. W. Kim, S. J. Lee, J. S. Kim, and C. R. Lee. "Improvement of the blue LED using patterned sapphire substrates with low threading dislocation densities." In 2009 International Conference on Solid State Devices and Materials. The Japan Society of Applied Physics, 2009. http://dx.doi.org/10.7567/ssdm.2009.h-5-4.

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Walker, John F., J. M. Bonar, Robert Hull, Roger J. Malik, and R. W. Ryan. "Characterization of InGaAs strained layers on GaAs: comparison of dislocation densities with device performance." In Semi - DL tentative, edited by Anupam Madhukar. SPIE, 1990. http://dx.doi.org/10.1117/12.20814.

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Gupta, S., Yu Bai, D. M. Isaacson, and E. A. Fitzgerald. "Reducing Threading Dislocation Densities in SiGe Mismatched Layers by Controllingc Strainc rate and Surface Roughness." In 2006 International SiGe Technology and Device Meeting. IEEE, 2006. http://dx.doi.org/10.1109/istdm.2006.246535.

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