Книги з теми "Dielectrics and semiconductors"
Оформте джерело за APA, MLA, Chicago, Harvard та іншими стилями
Ознайомтеся з топ-50 книг для дослідження на тему "Dielectrics and semiconductors".
Біля кожної праці в переліку літератури доступна кнопка «Додати до бібліографії». Скористайтеся нею – і ми автоматично оформимо бібліографічне посилання на обрану працю в потрібному вам стилі цитування: APA, MLA, «Гарвард», «Чикаго», «Ванкувер» тощо.
Також ви можете завантажити повний текст наукової публікації у форматі «.pdf» та прочитати онлайн анотацію до роботи, якщо відповідні параметри наявні в метаданих.
Переглядайте книги для різних дисциплін та оформлюйте правильно вашу бібліографію.
1922-, Basov N. G., ed. Fizika diėlektrikov i poluprovodnikov: Izbrannye trudy. Moskva: "Nauka", 1988.
Знайти повний текст джерелаSynorov, V. F. Fizika MDP-struktur: Uchebnoe posobie. Voronezh: Izd-vo Voronezhskogo universiteta, 1989.
Знайти повний текст джерелаKiselev, V. F. Adsorption processes on semiconductor and dielectric surfaces I. Berlin: Springer-Verlag, 1985.
Знайти повний текст джерелаChina) Conference on semiconducting and Insulating Materials (13th 2004 Beijing. 2004 13th International Conference on Semiconducting & Insulating Materials: SIMC-XIII-2004 : September 20-25, 2004, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, Beijing, People's Republic of China. Edited by Wang Zhanguo, Chen Yonghai, Ye Xiaoling, IEEE Electron Devices Society, and Zhongguo ke xue yuan. Ban dao ti yan jiu suo. Piscataway, NJ: IEEE, 2004.
Знайти повний текст джерелаShvart͡s, K. K. Fizika opticheskoĭ zapisi v diėlektrikakh i poluprovodnikakh. Riga: "Zinatne", 1986.
Знайти повний текст джерелаV, Krylov O., ed. Electronic phenomena in adsorption and catalysis on semiconductors and dielectrics. Berlin: Springer-Verlag, 1987.
Знайти повний текст джерелаKiselev, Vsevolod F., and Oleg V. Krylov. Electronic Phenomena in Adsorption and Catalysis on Semiconductors and Dielectrics. Berlin, Heidelberg: Springer Berlin Heidelberg, 1987. http://dx.doi.org/10.1007/978-3-642-83020-4.
Повний текст джерелаJuraj, Breza, Dybecky F, Zat'ko B, IEEE Electron Devices Society, and Slovenská akadémia vied. Elektrotechnický ústav., eds. 2002 12th International Conference on Semiconducting and Insulating Materials: SIMC-XII-2002 : June 30 - July 5, 2002, Institute of Electrical Engineering, Slovak Academy of Science, Bratislava, Slovak Republic. Piscataway, NJ: IEEE, 2002.
Знайти повний текст джерелаSymposium, on Ion Implantation and Dielectrics for Elemental and Compound Semiconductors (1989 Hollywood Fla ). Proceedings of the Symposium on Ion Implantation and Dielectrics for Elemental and Compound Semiconductors. Pennington, NJ: Electrochemical Society, 1990.
Знайти повний текст джерелаDmitruk, N. L. Poverkhnostnye poli͡a︡ritony v poluprovodnikakh i diėlektrikakh. Kiev: Nauk. dumka, 1989.
Знайти повний текст джерелаC, Jagadish, and Welham N. J, eds. SIMC-XI: 2000 International Semiconducting and Insulating Materials Conference : 3-7 July, 2000, the Australian National University, Canberra, Australia. Piscataway, NJ: IEEE, 2000.
Знайти повний текст джерелаKazarov, B. A. Modelirovanie i raschet teplovykh, ėlektricheskikh svoĭstv shirokozonnykh poluprovodnikov i diėlektrikov: (s defektami, fazovymi perekhodami i nanoklasterami). Georgievsk: Georgievskiĭ tekhnologicheskiĭ in-t GOU VPO "SevKavGTU", 2008.
Знайти повний текст джерелаRotaru, A. Kh. Opticheskai͡a︡ samoorganizat͡s︡ii͡a︡ ėksitonov i biėksitonov v poluprovodnikakh. Kishinev: "Shtiint͡s︡a", 1990.
Знайти повний текст джерелаEvgeni, Gusev, ed. Defects in high-k gate dielectric stacks: Nano-electronic semiconductor devices. Dordrecht: Springer, 2006.
Знайти повний текст джерелаA, Bordovskiĭ G., ed. Termoaktivat͡sionnai͡a tokovai͡a spektroskopii͡a vysokoomnykh poluprovodnikov i diėlektrikov. Moskva: "Nauka," Glav. red., 1991.
Знайти повний текст джерелаMaex, Karen. Materials, technology and reliability for advanced interconnects and low-k dielectrics: Symposium held April 23-27, 2000, San Fransico, California, U.S.A. Warrendale, Pa: Materials Research Society, 2001.
Знайти повний текст джерелаHori, Takashi. Gate dielectrics and MOS ULSIs: Principles, technologies, and applications. Berlin: Springer, 1997.
Знайти повний текст джерелаNano-CMOS gate dielectric engineering. Boca Raton: CRC Press, 2012.
Знайти повний текст джерелаPouch, John J. Auger electron spetroscopy, secondary ion mass spectrometry and optical characterization of a-C:H and BN films. [Cleveland, Ohio: National Aeronautics and Space Administration, Lewis Research Center, 1986.
Знайти повний текст джерелаBaraban, A. P. Ėlektronika sloev SiO₂ na kremnii. Leningrad: Izd-vo Leningradskogo universiteta, 1988.
Знайти повний текст джерелаI, Gardner Mark, and Materials Research Society, eds. Novel materials and processes for advanced CMOS: Symposium held December 2-4, 2002, Boston, Massachusetts, U.S.A. Warrendale, Pa: Materials Research Society, 2003.
Знайти повний текст джерелаSymposium F, "Materials, Technology and Reliability of Low-K Dielectrics and Copper Interconnects" (2006 San Francisco, Calif.). Materials, technology and reliability of low-k dielectrics and copper interconnects: Symposium held April 18-21, 2006, San Francisco, California, U.S.A. Edited by Tsui Ting Y and Materials Research Society Meeting. Warrendale, Pa: Materials Research Society, 2006.
Знайти повний текст джерелаSymposium F, "Materials, Technology and Reliability of Low-K Dielectrics and Copper Interconnects" (2006 San Francisco, Calif.). Materials, technology and reliability of low-k dielectrics and copper interconnects: Symposium held April 18-21, 2006, San Francisco, California, U.S.A. Edited by Tsui Ting Y and Materials Research Society Meeting. Warrendale, Pa: Materials Research Society, 2006.
Знайти повний текст джерелаSymposium F, "Materials, Technology and Reliability of Low-K Dielectrics and Copper Interconnects" (2006 San Francisco, Calif.). Materials, technology and reliability of low-k dielectrics and copper interconnects: Symposium held April 18-21, 2006, San Francisco, California, U.S.A. Edited by Tsui Ting Y and Materials Research Society Meeting. Warrendale, Pa: Materials Research Society, 2006.
Знайти повний текст джерелаJ, McKerrow Andrew, Materials Research Society Meeting, and Symposim on Materials, Technology and Reliability for Advanced Interconnects and Low-k Dielectrics (2003 : San Francisco, Calif.), eds. Materials, technology and reliability for advanced interconnects and low-k dielectrics, 2003: Symposium held April 21-25, 2003, San Francisco, California, U.S.A. Warrendale, Pa: Materials Research Society, 2003.
Знайти повний текст джерелаG, En William, and Materials Research Society Meeting, eds. Materials issues in novel Si-based technology: Symposium held November 26-28, 2001, Boston, Massachusetts, U.S.A. Warrendale, PA: Materials Research Society, 2002.
Знайти повний текст джерелаSymposium on Electrochemical Processing in ULSI Fabrication (3rd 2000 Toronto, Ont.). Electrochemical processing in ULSI fabricatrion III: Proceedings of the International Symposium. Edited by Andricacos Panayotis C. 1951-, Electrochemical Society Electrodeposition Division, Electrochemical Society. Dielectric Science and Technology Division., Electrochemical Society Electronics Division, and Electrochemical Society Meeting. Pennington, N.J: Electrochemical Society, 2002.
Знайти повний текст джерелаKiselev, Vsevolod F., and Oleg V. Krylov. Adsorption Processes on Semiconductor and Dielectric Surfaces I. Berlin, Heidelberg: Springer Berlin Heidelberg, 1985. http://dx.doi.org/10.1007/978-3-642-82051-9.
Повний текст джерелаSymposium on Dielectric Films on Compound Semiconductors (1987 Honolulu, Hawaii). Proceedings of the Symposium on Dielectric Films on Compound Semiconductors. Pennington, NJ (10 S. Main St., Pennington 08534-2896): Electrochemical Society, 1988.
Знайти повний текст джерелаSymposium on Dielectric Films on Compound Semiconductors (1985 Las Vegas, Nev.). Proceedings of the Symposium on Dielectric Films on Compound Semiconductors. Pennington, NJ (10 S. Main St., Pennington 08534-2896): Electrochemical Society, 1986.
Знайти повний текст джерелаInternational, Workshop on Crystal Growth Technology (3rd 2005 Beatenberg Switzerland). Crystal growth technology: From fundamentals and simulation to large-scale production. Weinheim: Wiley-VCH, 2008.
Знайти повний текст джерелаM, Eizenberg, Murarka S. P, and Sinha A. Krishna 1941-, eds. Interlayer dielectrics for semiconductor technologies. London: Elsevier Academic Press, 2003.
Знайти повний текст джерелаScheel, Hans J., Peter Capper, and Peter Rudolph. Crystal Growth Technology: Semiconductors and Dielectrics. Wiley & Sons, Incorporated, John, 2011.
Знайти повний текст джерелаScheel, Hans J., Peter Capper, and Peter Rudolph. Crystal Growth Technology: Semiconductors and Dielectrics. Wiley & Sons, Incorporated, John, 2011.
Знайти повний текст джерелаScheel, Hans J., Peter Capper, and Peter Rudolph. Crystal Growth Technology: Semiconductors and Dielectrics. Wiley & Sons, Limited, John, 2010.
Знайти повний текст джерелаScheel, Hans J., Peter Capper, and Peter Rudolph. Crystal Growth Technology: Semiconductors and Dielectrics. Wiley & Sons, Incorporated, John, 2011.
Знайти повний текст джерелаScheel, Hans J., Peter Capper, and Peter Rudolph. Crystal Growth Technology: Semiconductors and Dielectrics. Wiley-Interscience, 2010.
Знайти повний текст джерелаMichel, Houssa, ed. High-K gate dielectrics. Bristol: Institute of Physics, 2004.
Знайти повний текст джерелаHighk Gate Dielectrics For Cmos Technology. Wiley-VCH Verlag GmbH, 2012.
Знайти повний текст джерелаElectron processes in mis-structure memorie. Commack, N.Y: Nova Science Publishers, 1989.
Знайти повний текст джерелаElectron Processes in Mis-Structure Memories (Horizons in World Physics). Nova Science Publishers, 1989.
Знайти повний текст джерела(Editor), Alexander A. Demkov, and Alexandra Navrotsky (Editor), eds. Materials Fundamentals of Gate Dielectrics. Springer, 2005.
Знайти повний текст джерелаLaser techniques for investigation of defects semiconductors and dielectrics. Commack, N.Y: Nova Science Publishers, 1988.
Знайти повний текст джерелаHe, Gang, and Zhaoqi Sun. High-K Gate Dielectrics for CMOS Technology. Wiley & Sons, Incorporated, John, 2012.
Знайти повний текст джерелаHe, Gang, and Zhaoqi Sun. High-K Gate Dielectrics for CMOS Technology. Wiley & Sons, Incorporated, John, 2012.
Знайти повний текст джерелаHe, Gang, and Zhaoqi Sun. High-K Gate Dielectrics for CMOS Technology. Wiley & Sons, Incorporated, John, 2012.
Знайти повний текст джерелаHoussa, Michael. High k Gate Dielectrics (Materials Science and Engineering). Taylor & Francis, 2003.
Знайти повний текст джерелаPetrovich, Mushinskiĭ Valeriĭ, and Universitati͡a︡ de Stat "V.I. Lenin.", eds. Opticheskie svoĭstva poluprovodnikov i diėlektrikov: Mezhvuzovskiĭ sbornik. Kishinev: Shtiint͡s︡a, 1986.
Знайти повний текст джерелаA, Manenkov A., ed. Lazernye metody issledovaniĭ defektov v poluprovodnikakh i diėlektrikakh. Moskva: "Nauka", 1986.
Знайти повний текст джерелаFractional Kinetics In Solids Anomalous Charge Transport In Semiconductors Dielectrics And Nanosystems. World Scientific Publishing Company, 2011.
Знайти повний текст джерела