Статті в журналах з теми "Degenerate semiconductors"
Оформте джерело за APA, MLA, Chicago, Harvard та іншими стилями
Ознайомтеся з топ-50 статей у журналах для дослідження на тему "Degenerate semiconductors".
Біля кожної праці в переліку літератури доступна кнопка «Додати до бібліографії». Скористайтеся нею – і ми автоматично оформимо бібліографічне посилання на обрану працю в потрібному вам стилі цитування: APA, MLA, «Гарвард», «Чикаго», «Ванкувер» тощо.
Також ви можете завантажити повний текст наукової публікації у форматі «.pdf» та прочитати онлайн анотацію до роботи, якщо відповідні параметри наявні в метаданих.
Переглядайте статті в журналах для різних дисциплін та оформлюйте правильно вашу бібліографію.
Khan, Arif, and Atanu Das. "Diffusivity-Mobility Relationship for Heavily Doped Semiconductors with Non-Uniform Band Structures." Zeitschrift für Naturforschung A 65, no. 10 (October 1, 2010): 882–86. http://dx.doi.org/10.1515/zna-2010-1017.
Повний текст джерелаKhan, Arif, and Atanu Das. "General Diffusivity-Mobility Relationship for Heavily Doped Semiconductors." Zeitschrift für Naturforschung A 64, no. 3-4 (April 1, 2009): 257–62. http://dx.doi.org/10.1515/zna-2009-3-414.
Повний текст джерелаPreezant, Yevgeni, Yohai Roichman, and Nir Tessler. "Amorphous organic devices degenerate semiconductors." Journal of Physics: Condensed Matter 14, no. 42 (October 11, 2002): 9913–24. http://dx.doi.org/10.1088/0953-8984/14/42/306.
Повний текст джерелаDas, Atanu, and Arif Khan. "The Diffusivity-Mobility Relationship of Heavily Doped Semiconductors Exhibiting a Non-Parabolic Band Structure and Bandgap Narrowing." Zeitschrift für Naturforschung A 62, no. 10-11 (November 1, 2007): 605–8. http://dx.doi.org/10.1515/zna-2007-10-1108.
Повний текст джерелаDmitriev, A. P., E. Borovitskaya, M. E. Levinshtein, S. L. Rumyantsev, and M. S. Shur. "Low frequency noise in degenerate semiconductors." Journal of Applied Physics 90, no. 1 (July 2001): 301–5. http://dx.doi.org/10.1063/1.1379556.
Повний текст джерелаKeyes, R. W. "Potentials and junctions in degenerate semiconductors." Solid-State Electronics 32, no. 2 (February 1989): 159–64. http://dx.doi.org/10.1016/0038-1101(89)90183-4.
Повний текст джерелаLax, M., and B. I. Halperin. "Impurity band tails in degenerate semiconductors." International Journal of Quantum Chemistry 1, S1 (June 18, 2009): 767. http://dx.doi.org/10.1002/qua.560010683.
Повний текст джерелаAktsipetrov, O. A., I. M. Baranova, K. N. Evtyukhov, T. V. Murzina, and I. V. Chernyĭ. "Reflected second harmonic in degenerate semiconductors: nonlinear electroreflection under surface degeneracy conditions." Soviet Journal of Quantum Electronics 22, no. 9 (September 30, 1992): 807–14. http://dx.doi.org/10.1070/qe1992v022n09abeh003603.
Повний текст джерелаMondal, M., and K. P. Gnatak. "Effect of carrier degeneracy on the screening length in degenerate tetragonal semiconductors." physica status solidi (b) 135, no. 1 (May 1, 1986): 239–51. http://dx.doi.org/10.1002/pssb.2221350125.
Повний текст джерелаNagaev, É. L. "Phase separation in degenerate magnetic oxide semiconductors." Physics of the Solid State 40, no. 11 (November 1998): 1873–77. http://dx.doi.org/10.1134/1.1130676.
Повний текст джерелаFerrante, G., M. Zarcone, and S. A. Uryupin. "Infrared radiation harmonic generation in degenerate semiconductors." European Physical Journal B 42, no. 1 (November 2004): 11–16. http://dx.doi.org/10.1140/epjb/e2004-00353-0.
Повний текст джерелаda Costa, Wilson B., and Nelson Studart. "Interacting many-polaron system in degenerate semiconductors." Physical Review B 47, no. 11 (March 15, 1993): 6356–62. http://dx.doi.org/10.1103/physrevb.47.6356.
Повний текст джерелаNagaev, E. L. "High-temperature resistivity of degenerate ferromagnetic semiconductors." Physics Letters A 255, no. 4-6 (May 1999): 336–42. http://dx.doi.org/10.1016/s0375-9601(99)00188-7.
Повний текст джерелаABDALLAH, N. BEN, and H. CHAKER. "THE HIGH FIELD ASYMPTOTICS FOR DEGENERATE SEMICONDUCTORS." Mathematical Models and Methods in Applied Sciences 11, no. 07 (October 2001): 1253–72. http://dx.doi.org/10.1142/s0218202501001252.
Повний текст джерелаShimakawa, K., S. Narushima, H. Hosono, and H. Kawazoe. "Electronic transport in degenerate amorphous oxide semiconductors." Philosophical Magazine Letters 79, no. 9 (September 1999): 755–61. http://dx.doi.org/10.1080/095008399176823.
Повний текст джерелаOrazem, M. E. "Electron and hole transport in degenerate semiconductors." AIChE Journal 32, no. 5 (May 1986): 765–72. http://dx.doi.org/10.1002/aic.690320506.
Повний текст джерелаAl-Yousef, Haifa A., Sh M. Khalil, and Alkesh Punjabi. "Degeneracy in Magneto-Active Dense Plasma." Advances in Mathematical Physics 2020 (January 23, 2020): 1–6. http://dx.doi.org/10.1155/2020/6495807.
Повний текст джерелаDas, Atanu, and Arif Khan. "Carrier Concentrations in Degenerate Semiconductors Having Band Gap Narrowing." Zeitschrift für Naturforschung A 63, no. 3-4 (April 1, 2008): 193–98. http://dx.doi.org/10.1515/zna-2008-3-413.
Повний текст джерелаTanguy, C., and M. Combescot. "Direct auger recombination in degenerate direct gap semiconductors." Solid State Communications 57, no. 7 (February 1986): 539–41. http://dx.doi.org/10.1016/0038-1098(86)90626-5.
Повний текст джерелаSargent, M., A. E. Paul, and S. W. Koch. "Nearly degenerate multiwave mixing in quasi-equilibrium semiconductors." Optics Communications 103, no. 5-6 (December 1993): 417–21. http://dx.doi.org/10.1016/0030-4018(93)90167-4.
Повний текст джерелаNagaev, E. L. "Degenerate ferromagnetic LaMnO3-based semiconductors without double exchange." Physics Letters A 219, no. 1-2 (August 1996): 111–16. http://dx.doi.org/10.1016/0375-9601(96)00467-7.
Повний текст джерелаGreiner, A., L. Varani, L. Reggiani, M. C. Vecchi, T. Kuhn, and P. Golinelli. "Carrier Thermal Conductivity: Analysis and Application to Submicron-Device Simulation." VLSI Design 8, no. 1-4 (January 1, 1998): 59–64. http://dx.doi.org/10.1155/1998/27140.
Повний текст джерелаJÜNGEL, ANSGAR. "ON THE EXISTENCE AND UNIQUENESS OF TRANSIENT SOLUTIONS OF A DEGENERATE NONLINEAR DRIFT-DIFFUSION MODEL FOR SEMICONDUCTORS." Mathematical Models and Methods in Applied Sciences 04, no. 05 (October 1994): 677–703. http://dx.doi.org/10.1142/s0218202594000388.
Повний текст джерелаWang, Yong, Takeo Ohsawa, Fahad Alnjiman, Jean-Francois Pierson, and Naoki Ohashi. "Electrical properties of zinc nitride and zinc tin nitride semiconductor thin films toward photovoltaic applications." High Temperature Materials and Processes 41, no. 1 (January 1, 2022): 343–52. http://dx.doi.org/10.1515/htmp-2022-0028.
Повний текст джерелаTripathi, G. S., and S. K. Shadangi. "Many-body theory of effective mass in degenerate semiconductors." International Journal of Modern Physics B 32, no. 07 (March 5, 2018): 1850082. http://dx.doi.org/10.1142/s0217979218500820.
Повний текст джерелаUmehara, Masakatsu. "Crystallization of dense magnetic polarons in degenerate magnetic semiconductors." Physical Review B 36, no. 1 (July 1, 1987): 574–86. http://dx.doi.org/10.1103/physrevb.36.574.
Повний текст джерелаZhang, Y. J., Z. Q. Li, and J. J. Lin. "Electron-electron scattering in three-dimensional highly degenerate semiconductors." EPL (Europhysics Letters) 103, no. 4 (August 1, 2013): 47002. http://dx.doi.org/10.1209/0295-5075/103/47002.
Повний текст джерелаKuleev, I. G. "Normal quasiparticle scattering and kinetic effects in degenerate semiconductors." Physics of the Solid State 44, no. 2 (February 2002): 223–34. http://dx.doi.org/10.1134/1.1451005.
Повний текст джерелаMohammad, S. Noor, and Ronald L. Carter. "Mobility—diffusivity relationship for degenerate semiconductors under mechanical stress." Philosophical Magazine B 72, no. 1 (July 1995): 13–18. http://dx.doi.org/10.1080/13642819508239060.
Повний текст джерелаGomila, G., T. González, and L. Reggiani. "Enhanced shot-noise in mesoscopic non-degenerate diffusive semiconductors." Physica B: Condensed Matter 314, no. 1-4 (March 2002): 189–92. http://dx.doi.org/10.1016/s0921-4526(01)01350-3.
Повний текст джерелаPatra, S. N., and D. P. Bhattacharya. "Piezoelectric interaction in degenerate semiconductors at low lattice temperatures." Physica B: Condensed Matter 325 (January 2003): 17–25. http://dx.doi.org/10.1016/s0921-4526(02)01273-5.
Повний текст джерелаChung, Wei-Ye, and D. K. Ferry. "Dynamic screening for ionized impurity scattering in degenerate semiconductors." Solid-State Electronics 31, no. 9 (September 1988): 1369–74. http://dx.doi.org/10.1016/0038-1101(88)90100-1.
Повний текст джерелаGupta, Rita, and B. K. Ridley. "High-field transport with hot phonons in degenerate semiconductors." Solid-State Electronics 32, no. 12 (December 1989): 1241–45. http://dx.doi.org/10.1016/0038-1101(89)90221-9.
Повний текст джерелаYang, Hongbin, Eric Garfunkel, and Philip Batson. "Carrier Collective Excitations in Degenerate Semiconductors Studied by EELS." Microscopy and Microanalysis 26, S2 (July 30, 2020): 1924–26. http://dx.doi.org/10.1017/s1431927620019844.
Повний текст джерелаGifeisman, Sh N., and V. P. Koropchanu. "Shallow acceptors in ionic semiconductors with a degenerate band." Soviet Physics Journal 34, no. 1 (January 1991): 40–42. http://dx.doi.org/10.1007/bf00914120.
Повний текст джерелаRangel-Huerta, A., and M. A. Rodríguez-Meza. "Kinetic theory of thermotransport of polar semiconductors: Degenerate limit." physica status solidi (c) 2, no. 10 (August 2005): 3525–28. http://dx.doi.org/10.1002/pssc.200461709.
Повний текст джерелаSrivastava, K. S., Achla Sinha, Reena Srivastava, and Ajay Tandon. "Interaction Between Two Surface Excitations in Degenerate Polar Semiconductors." physica status solidi (b) 146, no. 1 (March 1, 1988): 141–47. http://dx.doi.org/10.1002/pssb.2221460114.
Повний текст джерелаLu, Xu, Wei Yao, Guiwen Wang, Xiaoyuan Zhou, Donald Morelli, Yongsheng Zhang, Hang Chi, Si Hui, and Ctirad Uher. "Band structure engineering in highly degenerate tetrahedrites through isovalent doping." Journal of Materials Chemistry A 4, no. 43 (2016): 17096–103. http://dx.doi.org/10.1039/c6ta07015a.
Повний текст джерелаPANTKE, KARL-HEINZ, and JØRN M. HVAM. "NONLINEAR QUANTUM BEAT SPECTROSCOPY IN SEMICONDUCTORS." International Journal of Modern Physics B 08, no. 01n02 (January 20, 1994): 73–120. http://dx.doi.org/10.1142/s021797929400004x.
Повний текст джерелаBahadur, Ali, Tehseen Ali Anjum, Mah Roosh, Shahid Iqbal, Hamad Alrbyawi, Muhammad Abdul Qayyum, Zaheer Ahmad, et al. "Magnetic, Electronic, and Optical Studies of Gd-Doped WO3: A First Principle Study." Molecules 27, no. 20 (October 17, 2022): 6976. http://dx.doi.org/10.3390/molecules27206976.
Повний текст джерелаFUCHS, F., and F. POUPAUD. "ASYMPTOTICAL AND NUMERICAL ANALYSIS OF DEGENERACY EFFECTS ON THE DRIFT-DIFFUSION EQUATIONS FOR SEMICONDUCTORS." Mathematical Models and Methods in Applied Sciences 05, no. 08 (December 1995): 1093–111. http://dx.doi.org/10.1142/s0218202595000577.
Повний текст джерелаRicci, Francesco, Alexander Dunn, Anubhav Jain, Gian-Marco Rignanese, and Geoffroy Hautier. "Gapped metals as thermoelectric materials revealed by high-throughput screening." Journal of Materials Chemistry A 8, no. 34 (2020): 17579–94. http://dx.doi.org/10.1039/d0ta05197g.
Повний текст джерелаJyegal, Jang. "Thermal Energy Diffusion Incorporating Generalized Einstein Relation for Degenerate Semiconductors." Applied Sciences 7, no. 8 (July 31, 2017): 773. http://dx.doi.org/10.3390/app7080773.
Повний текст джерелаEfanov, A. V. "Wave functions of hot excitons in semiconductors with degenerate bands." Semiconductors 42, no. 6 (June 2008): 642–47. http://dx.doi.org/10.1134/s106378260806002x.
Повний текст джерелаIdrish Miah, M. "Spin-dependent Hall effect in degenerate semiconductors: a theoretical study." Physica Scripta 78, no. 4 (October 2008): 045302. http://dx.doi.org/10.1088/0031-8949/78/04/045302.
Повний текст джерелаPortier, Josik, Guy Campet, Armel Poquet, Corinne Marcel, and M. A. Subramanian. "Degenerate semiconductors in the light of electronegativity and chemical hardness." International Journal of Inorganic Materials 3, no. 7 (November 2001): 1039–43. http://dx.doi.org/10.1016/s1466-6049(01)00074-5.
Повний текст джерелаKleinpenning, T. G. M., та J. Bisschop. "On the noise parameter α in degenerate semiconductors and metals". Physica B+C 128, № 1 (січень 1985): 84–87. http://dx.doi.org/10.1016/0378-4363(85)90088-9.
Повний текст джерелаZamponi, Nicola, and Ansgar Jüngel. "Global existence analysis for degenerate energy-transport models for semiconductors." Journal of Differential Equations 258, no. 7 (April 2015): 2339–63. http://dx.doi.org/10.1016/j.jde.2014.12.007.
Повний текст джерелаAuslender, M. I., and V. Yu Irkhin. "Density-of-states and tunneling phenomena in degenerate ferromagnetic semiconductors." Solid State Communications 56, no. 8 (November 1985): 701–3. http://dx.doi.org/10.1016/0038-1098(85)90782-3.
Повний текст джерелаNagaev, E. L. "Resistivity and magnetoresistance of degenerate ferromagnetic semiconductors with double exchange." Physics Letters A 215, no. 5-6 (June 1996): 321–25. http://dx.doi.org/10.1016/0375-9601(96)00190-9.
Повний текст джерела