Статті в журналах з теми "CuGaS2"
Оформте джерело за APA, MLA, Chicago, Harvard та іншими стилями
Ознайомтеся з топ-50 статей у журналах для дослідження на тему "CuGaS2".
Біля кожної праці в переліку літератури доступна кнопка «Додати до бібліографії». Скористайтеся нею – і ми автоматично оформимо бібліографічне посилання на обрану працю в потрібному вам стилі цитування: APA, MLA, «Гарвард», «Чикаго», «Ванкувер» тощо.
Також ви можете завантажити повний текст наукової публікації у форматі «.pdf» та прочитати онлайн анотацію до роботи, якщо відповідні параметри наявні в метаданих.
Переглядайте статті в журналах для різних дисциплін та оформлюйте правильно вашу бібліографію.
Son, Namgyu, Jun Heo, Young-Sang Youn, Youngsoo Kim, Jeong Do, and Misook Kang. "Enhancement of Hydrogen Productions by Accelerating Electron-Transfers of Sulfur Defects in the CuS@CuGaS2 Heterojunction Photocatalysts." Catalysts 9, no. 1 (January 4, 2019): 41. http://dx.doi.org/10.3390/catal9010041.
Повний текст джерелаMiyake, Hideto, Moriki Hata, and Koichi Sugiyama. "Solution growth of CuGaS2 and CuGaSe2 using CuI solvent." Journal of Crystal Growth 130, no. 3-4 (June 1993): 383–88. http://dx.doi.org/10.1016/0022-0248(93)90523-y.
Повний текст джерелаUllah, Shafi, Miguel Mollar, and Bernabé Marí. "Electrodeposition of CuGaSe2 and CuGaS2 thin films for photovoltaic applications." Journal of Solid State Electrochemistry 20, no. 8 (May 14, 2016): 2251–57. http://dx.doi.org/10.1007/s10008-016-3237-0.
Повний текст джерелаQin, Ming Sheng, Fu Qiang Huang, and Ping Chen. "Wide Spectrum Absorption of CuGaS2 with Intermediate Bands." Applied Mechanics and Materials 148-149 (December 2011): 1558–61. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/amm.148-149.1558.
Повний текст джерелаMassé, George. "Luminescence of CuGaS2." Journal of Applied Physics 58, no. 2 (July 15, 1985): 930–35. http://dx.doi.org/10.1063/1.336168.
Повний текст джерелаBerestok, Taisiia, Pablo Guardia, Sònia Estradé, Jordi Llorca, Francesca Peiró, Andreu Cabot, and Stephanie Brock. "CuGaS2 and CuGaS2–ZnS Porous Layers from Solution-Processed Nanocrystals." Nanomaterials 8, no. 4 (April 5, 2018): 220. http://dx.doi.org/10.3390/nano8040220.
Повний текст джерелаJahangirova, S. K., Sh H. Mammadov, G. R. Gurbanov, and O. M. Aliyev. "INTERACTION IN THE SYSTEM CuGaS2–PbGa2S4." Azerbaijan Chemical Journal, no. 1 (March 19, 2019): 46–49. http://dx.doi.org/10.32737/0005-2531-2019-1-46-49.
Повний текст джерелаGrechenkov, Jurij, Aleksejs Gopejenko, Dmitry Bocharov, Inta Isakoviča, Anatoli I. Popov, Mikhail G. Brik, and Sergei Piskunov. "Ab Initio Modeling of CuGa1−xInxS2, CuGaS2(1−x)Se2x and Ag1−xCuxGaS2 Chalcopyrite Solid Solutions for Photovoltaic Applications." Energies 16, no. 12 (June 20, 2023): 4823. http://dx.doi.org/10.3390/en16124823.
Повний текст джерелаSyrbu, N. N., L. L. Nemerenco, V. N. Bejan, and V. E. Tezlevan. "Bound exciton in CuGaS2." Optics Communications 280, no. 2 (December 2007): 387–92. http://dx.doi.org/10.1016/j.optcom.2007.08.028.
Повний текст джерелаShirakata, Sho, Kazuo Murakami, and Shigehiro Isomura. "Electroreflectance Studies in CuGaS2." Japanese Journal of Applied Physics 28, Part 1, No. 9 (September 20, 1989): 1728–29. http://dx.doi.org/10.1143/jjap.28.1728.
Повний текст джерелаBodnar, I. V., G. F. Smirnova, A. G. Karoza, and A. P. Chernyakova. "Vibrational Spectra of CuGaS2 and CuGaSe2 Compounds and CuGaS2xSe2(1−x) Solid Solutions2)." physica status solidi (b) 158, no. 2 (April 1, 1990): 469–74. http://dx.doi.org/10.1002/pssb.2221580207.
Повний текст джерелаHase, Shunnosuke, Yoshiki Iso, and Tetsuhiko Isobe. "Bandgap-tuned fluorescent CuGaS2/ZnS core/shell quantum dots for photovoltaic applications." Journal of Materials Chemistry C 10, no. 9 (2022): 3523–30. http://dx.doi.org/10.1039/d1tc05358b.
Повний текст джерелаMassé, G. "Time resolved spectra in CuGaS2." physica status solidi (a) 87, no. 2 (February 16, 1985): K171—K173. http://dx.doi.org/10.1002/pssa.2210870254.
Повний текст джерелаKobayashi, Satoshi, Futao Kaneko, Takeo Maruyama, Nozomu Tsuboi, and Hitoshi Tamura. "ZnyCd1-yS-CuGaS2 heterojunction diode." Electronics and Communications in Japan (Part II: Electronics) 74, no. 10 (1991): 73–81. http://dx.doi.org/10.1002/ecjb.4420741008.
Повний текст джерелаKeating, Logan, and Moonsub Shim. "Mechanism of morphology variations in colloidal CuGaS2 nanorods." Nanoscale Advances 3, no. 18 (2021): 5322–31. http://dx.doi.org/10.1039/d1na00434d.
Повний текст джерелаElalfy, Loay, Denis Music, and Ming Hu. "First Principles Investigation of Anomalous Pressure-Dependent Thermal Conductivity of Chalcopyrites." Materials 12, no. 21 (October 25, 2019): 3491. http://dx.doi.org/10.3390/ma12213491.
Повний текст джерелаNuriyev, Mubariz. "Electron Diffraction Study of CuGaS2 Film." Physical Science International Journal 5, no. 3 (January 10, 2015): 165–71. http://dx.doi.org/10.9734/psij/2015/12881.
Повний текст джерелаBotha, J. R., M. S. Branch, A. W. R. Leitch, and J. Weber. "Radiative defects in CuGaS2 thin films." Physica B: Condensed Matter 340-342 (December 2003): 923–27. http://dx.doi.org/10.1016/j.physb.2003.09.203.
Повний текст джерелаSyrbu, N. N., L. L. Nemerenco, and V. E. Tezlevan. "Resonance impurity radiation in CuGaS2 crystals." Optical Materials 30, no. 3 (November 2007): 451–56. http://dx.doi.org/10.1016/j.optmat.2006.12.002.
Повний текст джерелаMARUSHKO, L. P., Y. E. ROMANYUK, L. V. PISKACH PISKACH, O. V. PARASYUK, I. D. OLEKSEYUK, S. V. VOLKOV, and V. I. PEKHNYO. "The reciprocal system CuGaS2+CuInSe2DCuGaSe2+CuInS2." Chemistry of Metals and Alloys 3, no. 1/2 (2010): 18–23. http://dx.doi.org/10.30970/cma3.0112.
Повний текст джерелаMarushko, L. P., L. V. Piskach, Y. E. Romanyuk, O. V. Parasyuk, I. D. Olekseyuk, S. V. Volkov, and V. I. Pekhnyo. "Quasi-ternary system CuGaS2–CuInS2–2CdS." Journal of Alloys and Compounds 492, no. 1-2 (March 2010): 184–89. http://dx.doi.org/10.1016/j.jallcom.2009.11.171.
Повний текст джерелаKim, Myeongok, Nazmul Ahsan, Zacharie Jehl, Yudania Sánchez, and Yoshitaka Okada. "Properties of sputter-grown CuGaS2 absorber and CuGaS2/Cd1-xZnxS buffer heterointerface for solar cell application." Thin Solid Films 743 (February 2022): 139063. http://dx.doi.org/10.1016/j.tsf.2021.139063.
Повний текст джерелаHan, M. M., X. L. Zhang, and Z. Zeng. "Sn doping induced intermediate band in CuGaS2." RSC Advances 6, no. 112 (2016): 110511–16. http://dx.doi.org/10.1039/c6ra16855h.
Повний текст джерелаShirakata, Sho, and Shigehiro Isomura. "Yb-Related Photoluminescence in CuGaS2, AgGaSe2and AgGaS2." Japanese Journal of Applied Physics 37, Part 1, No. 3A (March 15, 1998): 776–80. http://dx.doi.org/10.1143/jjap.37.776.
Повний текст джерелаMetzner, H., Th Hahn, J. Cieslak, U. Grossner, U. Reislöhner, W. Witthuhn, R. Goldhahn, J. Eberhardt, G. Gobsch, and J. Kräußlich. "Epitaxial growth of CuGaS2 on Si(111)." Applied Physics Letters 81, no. 1 (July 2002): 156–58. http://dx.doi.org/10.1063/1.1492003.
Повний текст джерелаAbdullaev, N. A., Kh V. Aliguliyeva, L. N. Aliyeva, I. Qasimoglu, and T. G. Kerimova. "Low-temperature conductivity in CuGaS2 single crystals." Semiconductors 49, no. 4 (April 2015): 428–31. http://dx.doi.org/10.1134/s1063782615040028.
Повний текст джерелаChoi, In-Hwan, Sung-Hwan Eom, and Peter Y. Yu. "Dispersion of birefringence in AgGaS2 and CuGaS2." Journal of Applied Physics 82, no. 6 (September 15, 1997): 3100–3104. http://dx.doi.org/10.1063/1.366150.
Повний текст джерелаBotha, J. R., M. S. Branch, A. G. Chowles, A. W. R. Leitch, and J. Weber. "Photoluminescence of vacuum-deposited CuGaS2 thin films." Physica B: Condensed Matter 308-310 (December 2001): 1065–68. http://dx.doi.org/10.1016/s0921-4526(01)00848-1.
Повний текст джерелаCieslak, J., H. Metzner, Th Hahn, U. Reislöhner, U. Kaiser, J. Kräußlich, and W. Witthuhn. "Microstructure of epitaxial CuGaS2 on Si(111)." Journal of Physics and Chemistry of Solids 64, no. 9-10 (September 2003): 1777–80. http://dx.doi.org/10.1016/s0022-3697(03)00197-5.
Повний текст джерелаBranch, M. S., P. R. Berndt, J. R. Botha, A. W. R. Leitch, and J. Weber. "Structure and morphology of CuGaS2 thin films." Thin Solid Films 431-432 (May 2003): 94–98. http://dx.doi.org/10.1016/s0040-6090(03)00208-6.
Повний текст джерелаJulien, C., and S. Barnier. "Properties of several varieties of CuGaS2 microcrystals." Materials Science and Engineering: B 86, no. 2 (September 2001): 152–56. http://dx.doi.org/10.1016/s0921-5107(01)00678-x.
Повний текст джерелаTanaka, K., H. Uchiki, S. Iida, T. Terasako, and S. Shirakata. "Biexciton luminescence from CuGaS2 bulk single crystals." Solid State Communications 114, no. 4 (March 2000): 197–201. http://dx.doi.org/10.1016/s0038-1098(00)00035-1.
Повний текст джерелаSainctavit, Ph, J. Petiau, A. M. Flank, J. Ringeissen, and S. Lewonczuk. "XANES in chalcopyrites semiconductors: CuFeS2, CuGaS2, CuInSe2." Physica B: Condensed Matter 158, no. 1-3 (June 1989): 623–24. http://dx.doi.org/10.1016/0921-4526(89)90413-4.
Повний текст джерелаSudarsan, V., and S. K. Kulshreshtha. "Low temperature synthesis of the semiconductor CuGaS2." Materials Chemistry and Physics 49, no. 2 (June 1997): 146–49. http://dx.doi.org/10.1016/s0254-0584(97)01875-0.
Повний текст джерелаCastellanos Águila, J. E., P. Palacios, J. C. Conesa, J. Arriaga, and P. Wahnón. "Electronic band alignment at CuGaS2 chalcopyrite interfaces." Computational Materials Science 121 (August 2016): 79–85. http://dx.doi.org/10.1016/j.commatsci.2016.04.032.
Повний текст джерелаTinoco, T., J. P. Itié, A. Polian, A. San Miguel, E. Moya, P. Grima, J. Gonzalez, and F. Gonzalez. "Combined x-ray absorption and x-ray diffraction studies of CuGaS2, CuGaSe2, CuFeS2 and CuFeSe2 under high pressure." Le Journal de Physique IV 04, no. C9 (November 1994): C9–151—C9–154. http://dx.doi.org/10.1051/jp4:1994923.
Повний текст джерелаSusaki, Masami, Kazuki Wakita, and Nobuyuki Yamamoto. "Luminescence of Mixed-Mode Exciton-Polariton in CuGaS2." Japanese Journal of Applied Physics 38, Part 1, No. 5A (May 15, 1999): 2787–91. http://dx.doi.org/10.1143/jjap.38.2787.
Повний текст джерелаMiyake, Hideto, and Koichi Sugiyama. "Phase Diagram of the CuGaS2-In Pseudobinary System." Japanese Journal of Applied Physics 29, Part 2, No. 6 (June 20, 1990): L998—L1000. http://dx.doi.org/10.1143/jjap.29.l998.
Повний текст джерелаSyrbu, N. N., M. Blazhe, I. M. Tiginyanu, and V. E. Tezlevan. "Resonance Raman scattering by excitonic polaritons in CuGaS2." Optics and Spectroscopy 92, no. 3 (March 2002): 395–401. http://dx.doi.org/10.1134/1.1465466.
Повний текст джерелаSyrbu, N. N., M. Blaje, V. E. Tezlevan, and V. V. Ursaki. "Spatial dispersion in polariton spectra of CuGaS2 crystals." Optics and Spectroscopy 92, no. 3 (March 2002): 402–8. http://dx.doi.org/10.1134/1.1465467.
Повний текст джерелаLiu, Zhongping, Qiaoyan Hao, Rui Tang, Linlin Wang, and Kaibin Tang. "Facile one-pot synthesis of polytypic CuGaS2 nanoplates." Nanoscale Research Letters 8, no. 1 (2013): 524. http://dx.doi.org/10.1186/1556-276x-8-524.
Повний текст джерелаHu, J. Q., B. Deng, C. R. Wang, K. B. Tang, and Y. T. Qian. "Hydrothermal preparation of CuGaS2 crystallites with different morphologies." Solid State Communications 121, no. 9-10 (March 2002): 493–96. http://dx.doi.org/10.1016/s0038-1098(01)00516-6.
Повний текст джерелаOh, Nuri, Logan P. Keating, Gryphon A. Drake, and Moonsub Shim. "CuGaS2–CuInE2 (E = S, Se) Colloidal Nanorod Heterostructures." Chemistry of Materials 31, no. 6 (February 27, 2019): 1973–80. http://dx.doi.org/10.1021/acs.chemmater.8b04769.
Повний текст джерелаSusaki, Masami, Hiromichi Horinaka, and Nobuyuki Yamamoto. "Photoconductivity Decay Characteristics of Undoped p-Type CuGaS2." Japanese Journal of Applied Physics 31, Part 1, No. 2A (February 15, 1992): 301–4. http://dx.doi.org/10.1143/jjap.31.301.
Повний текст джерелаOtoma, Hiromi, Tohru Honda, Kazuhiko Hara, Junji Yoshino, and Hiroshi Kukimoto. "Growth of CuGaS2 by alternating-source-feeding MOVPE." Journal of Crystal Growth 115, no. 1-4 (December 1991): 807–10. http://dx.doi.org/10.1016/0022-0248(91)90850-5.
Повний текст джерелаCaudillo-Flores, Uriel, Anna Kubacka, Taisiia Berestok, Ting Zhang, Jordi Llorca, Jordi Arbiol, Andreu Cabot, and Marcos Fernández-García. "Hydrogen photogeneration using ternary CuGaS2-TiO2-Pt nanocomposites." International Journal of Hydrogen Energy 45, no. 3 (January 2020): 1510–20. http://dx.doi.org/10.1016/j.ijhydene.2019.11.019.
Повний текст джерелаZalewski, W., R. Bacewicz, J. Antonowicz, S. Schorr, C. Streeck, and B. Korzun. "Local structure of Mn dopants in CuAlS2and CuGaS2." physica status solidi (a) 205, no. 10 (October 2008): 2428–36. http://dx.doi.org/10.1002/pssa.200723587.
Повний текст джерелаHan, Miaomiao, Xiaoli Zhang, and Z. Zeng. "The investigation of transition metal doped CuGaS2 for promising intermediate band materials." RSC Adv. 4, no. 107 (2014): 62380–86. http://dx.doi.org/10.1039/c4ra10007g.
Повний текст джерелаWei, Yaowei, Daming Zhuang, Ming Zhao, Ning Zhang, Xinping Yu, Xinchen Li, Xunyan Lyu, Chen Wang, and Lan Hu. "Fabrication of in-situ Ti-doped CuGaS2 thin films for intermediate band solar cell applications by sputtering with CuGaS2:Ti targets." Vacuum 169 (November 2019): 108921. http://dx.doi.org/10.1016/j.vacuum.2019.108921.
Повний текст джерелаZheng, Wen-Chen, Hui-Ning Dong, Sheng Tang, and Jian Zi. "Zero-field Splitting and Local Lattice Distortions for Fe3+ Ions in Some Ib-IIIb-VI2 Semiconductors." Zeitschrift für Naturforschung A 59, no. 1-2 (February 1, 2004): 100–102. http://dx.doi.org/10.1515/zna-2004-1-215.
Повний текст джерела