Готові списки джерел за темами / Cu2SnS3

Зміст

  1. Статті в журналах
  2. Дисертації
  3. Частини книг
  4. Тези доповідей конференцій

Добірка наукової літератури з теми "Cu2SnS3"

Автор: Grafiati
Опубліковано: 11 березня 2023
Оновлено: 6 вересня 2023

Оформте джерело за APA, MLA, Chicago, Harvard та іншими стилями

Оберіть тип джерела:

Ознайомтеся зі списками актуальних статей, книг, дисертацій, тез та інших наукових джерел на тему "Cu2SnS3".

Біля кожної праці в переліку літератури доступна кнопка «Додати до бібліографії». Скористайтеся нею – і ми автоматично оформимо бібліографічне посилання на обрану працю в потрібному вам стилі цитування: APA, MLA, «Гарвард», «Чикаго», «Ванкувер» тощо.

Також ви можете завантажити повний текст наукової публікації у форматі «.pdf» та прочитати онлайн анотацію до роботи, якщо відповідні параметри наявні в метаданих.

Статті в журналах з теми "Cu2SnS3"

1

Budanov, Alexander V., Yury N. Vlasov, Gennady I. Kotov, Evgeniy V. Rudnev та Pavel I. Podprugin. "Формирование тонких пленок соединений Cu2SnS3 и Cu2SnSe3". Kondensirovannye sredy i mezhfaznye granitsy = Condensed Matter and Interphases 21, № 1 (2019): 24–29. http://dx.doi.org/10.17308/kcmf.2019.21/713.

Повний текст джерела
Анотація:
Показана возможность синтеза соединений Cu2SnS3 и Cu2SnSe3 на стеклянных подложках путём отжига в парах халькогена тонкой металлической плёнки сплава Cu:Sn = 2:1 в вакуумной графитовой камере типа квазизамкнутого объёма. Методом рентгеновской дифракции установлено, что полученные плёнки халькогенидов имеют подобную сфалериту кристаллическую структуру. Для кубической модификации Cu2SnS3 и Cu2SnSe3 преимущественными плоскостями отражений являются (111), (220) и (311). Элементный состав плёнок соответствует стехиометрии соединений Cu2SnS3 и Cu2SnSe3. Методом ИК-спектроскопии определены энергии ак
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
2

Ahamed, M. I., M. Ahamed, A. Sivaranjani, and S. Chockalingam. "Energy bandgap studies on copper chalcogenide semiconductor nanostructures using cohesive energy." Chalcogenide Letters 18, no. 5 (2021): 245–53. http://dx.doi.org/10.15251/cl.2021.185.245.

Повний текст джерела
Анотація:
Investigating the properties of semiconductor nanomaterials to understand the specific behavior of nano-scale materials and predicts novel advancement of functionalized semiconductor materials that are influenced by cohesive energy. Cohesive energy is strongly associated with semiconductor nanomaterials as the energy increment by the arrangement of atoms in a crystal which is one of the most fundamental properties. In this communication, the shape and size dependence over the energy bandgap of copper chalcogenide semiconductor nanomaterials is investigated. The theoretical model is derived on
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
3

Li, Cai Xia, Jun Guo, Danyu Jiang, and Qiang Li. "Synthesis and Characterization of Graphene/Cu2SnS3 Quantum Dots Composites." Advanced Materials Research 624 (December 2012): 59–62. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/amr.624.59.

Повний текст джерела
Анотація:
In this paper, employing Cu(AC)2•H2O, SnCl2•2H2O and thiourea as raw materials, the composites of graphene/Cu2SnS3 quantum dots (QDs) were prepared simply and quickly using the hydrothermal method. Meanwhile, the separate Cu2SnS3 QDs were also synthesized in the same way. The as-obtained Cu2SnS3 QDs and composites’ phase structures were analyzed and characterized by powder X-ray diffraction (XRD), and the results indicated that the size of the Cu2SnS3 QDs in the composites were less than that of the separate Cu2SnS3 QDs. At the same time, their morphologies were also observed and cross-confirm
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
4

Rzaguliyev, Vidadi A., Oruj S. Kerimli, Dilbar S. Ajdarova, Sharafat H. Mammadov та Ozbek M. Aliev. "Фазовые равновесия в системах Ag8SnS6–Cu2SnS3 и Ag2SnS3–Cu2Sn4S9". Kondensirovannye sredy i mezhfaznye granitsy = Condensed Matter and Interphases 21, № 4 (2019): 544–51. http://dx.doi.org/10.17308/kcmf.2019.21/2365.

Повний текст джерела
Анотація:
Комплексными методами физико-химического анализа (дифференциально-термический, рентгенофазовый, микроструктурный, измерение микротвердости и определение плотности) изучены фазовые равновесия и построены Т–х фазовые диаграммыв системах Ag8SnS6–Cu2SnS3 и Ag2SnS3–Cu2Sn4S9. Показано, что система Ag8SnS6–Cu2SnS3является квазибинарным сечением квазитройной системы Ag2S-SnS2-Cu2S и относится кпростому эвтектическому типу с ограниченными областями растворимости на основеисходных сульфидов. Координаты эвтектической точки: 50 mol % Ag2SnS3 И Т = 900 К.Растворимость на основе Ag8SnS6 и Cu2SnS3 при эвтект
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
5

Pogue, Elizabeth A., Melissa Goetter, and Angus Rockett. "Reaction kinetics of Cu2-xS, ZnS, and SnS2 to form Cu2ZnSnS4 and Cu2SnS3 studied using differential scanning calorimetry." MRS Advances 2, no. 53 (2017): 3181–86. http://dx.doi.org/10.1557/adv.2017.384.

Повний текст джерела
Анотація:
ABSTRACTDifferential scanning calorimetry experiments on mixed Cu2-xS, ZnS, and SnS2 precursors were conducted to better understand how Cu2ZnSnS4 (CZTS) and Cu2SnS3 form. The onset temperatures of Cu2SnS3 reactions and CZTS suggest that the ZnS phase may mediate Cu2SnS3 formation at lower temperatures before a final CZTS phase forms. We also found no evidence of a stable Cu2ZnSn3S8 phase. The major diffraction peaks associated with Cu2ZnSnS4, and Cu2SnS3 (overlaps with ZnS, as well) began to grow around 380 °C, although the final reaction to form Cu2ZnSnS4 probably did not occur until higher t
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
6

Irshad Ahamed, M., and K. Sathish Kumar. "Studies on Cu2SnS3 quantum dots for O-band wavelength detection." Materials Science-Poland 37, no. 2 (2019): 225–29. http://dx.doi.org/10.2478/msp-2019-0022.

Повний текст джерела
Анотація:
AbstractIn this communication, we report on Cu2SnS3 quantum dots synthesized by the solvothermal process using different solvents. The optical properties of the quantum dots are analyzed by UV-Vis-NIR and photoluminescence spectroscopy. The results suggest that Cu2SnS3 material has tunable energy bandgap and appropriate wavelength for fabrication of light emitting diodes and laser diodes as sources for fiber optic communication. They exhibit wide absorption in the near infrared range. Further morphological studies with the use of atomic force microscope confirm the surface topography and the e
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
7

BUDANOV, A. V., YU N. VLASOV, G. I. KOTOV, et al. "HETEROJUNCTION p-Cu2SnS3/n-ZnO." Chalcogenide Letters 17, no. 9 (2020): 457–59. http://dx.doi.org/10.15251/cl.2020.179.457.

Повний текст джерела
Анотація:
Conditions for the formation of a Cu2SnS3 film uniform in phase composition upon annealing of a metal layer of copper and tin in sulfur vapor in a quasi-closed volume chamber using the methods of X-ray spectral microanalysis and X-ray phase analysis are presented. The rectifying heterojunction p-Cu2SnS3/n-ZnO was fabricated. PACS numbers: 81.20.−n, 61.10.Nz, 84.60.Jt
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
8

Mammadov, Sharafat Gadzhiaga. "Phase formation in the Cu2SnS3-Sb2S3 system." Vestnik Тomskogo gosudarstvennogo universiteta. Khimiya, no. 18 (June 1, 2020): 18–26. http://dx.doi.org/10.17223/24135542/18/2.

Повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
9

Mammadov, Sharafat G. "Phase equilibrium in Cu2SnS3-Cu3SbS3 system." Vestnik Тomskogo gosudarstvennogo universiteta. Khimiya, no. 15 (December 1, 2019): 26–35. http://dx.doi.org/10.17223/24135542/15/3.

Повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
10

de Wild, Jessica, Erika V. C. Robert, Brahime El Adib, and Phillip J. Dale. "Optical characterization of solution prepared Cu2SnS3 for photovoltaic applications." MRS Proceedings 1771 (2015): 151–56. http://dx.doi.org/10.1557/opl.2015.624.

Повний текст джерела
Анотація:
ABSTRACTMonoclinic Cu2SnS3 was made by solution based processing of the precursor metals after which the samples are annealed in a sulphur environment. XRD and Raman spectra shows that the monoclinic phase was synthesised. One sample was further etched in KCN and HCl to remove possible secondary phases. Transmission spectra show that the material has two optical transitions and in conjunction with reflection data absorption spectra were calculated. The two optical transitions are determined to be 0.91 and 0.98 for the unetched sample and 0.90 and 0.95 eV for the etched sample. The values of th
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

Дисертації з теми "Cu2SnS3"

1

Lohani, Ketan. "Development of Cu2SnS3 based thermoelectric materials and devices." Doctoral thesis, Università degli studi di Trento, 2022. http://hdl.handle.net/11572/344345.

Повний текст джерела
Анотація:
Commercially available high-performance thermoelectric materials are often rare or toxic and therefore unsustainable. The present thesis work makes a case for eco-friendly, earth-abundant, and non-toxic p-type ceramic Cu2SnS3 (CTS, hereafter) and, in general, the use of disordered materials for thermoelectric applications. The detailed study of polymorphism, synthesis conditions, porosity, grain size, and doping provides a systematic and in-depth experimental and computational analysis of thermoelectric properties and stability of CTS. These results can be generalized for numerous thermoelectr
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
2

Marquez, Prieto Jose. "Development of Cu2ZnSnSe4 and Cu2SnS3 based absorbers by PVD processes." Thesis, Northumbria University, 2016. http://nrl.northumbria.ac.uk/36010/.

Повний текст джерела
Анотація:
Kesterite thin film solar cells are one of the most promising technologies for the future thin film PV market. The term “kesterite” refers to the crystal structure that the Cu2ZnSn(S,Se)4 compound adopts. This thesis discusses the study of the formation of the pure selenide of the kesterite compound Cu2ZnSnSe4 (CZTSe) as an absorber layer. The layers were produced by a 2-stage physical vapour deposition (PVD) of Cu-Zn-Sn precursor films by sputtering followed by a reactive conversion step in the presence of Se. Solar cells have been fabricated with the absorbers produced. The research explored
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
3

Belaqziz, Mohamed. "Association des procédés hydrothermal et CVD à courte distance pour l'élaboration de couches minces photovoltaiques à partir d'une source nanostructurée du composé Cu2SnS3." Thesis, Perpignan, 2018. http://www.theses.fr/2018PERP0007/document.

Повний текст джерела
Анотація:
Le materiau Cu2SnS3 (CTS) est un semi-conducteur caracterisé par une bande interdite direct et un fort coefficient d'absorption optique dans le domaine du visible. Ces propriétés font de lui un des composes les plus attractifs pour une application photovoltaïque en couches minces. Compare aux technologies concurrentes, le CTS tire ces principaux avantages du nombre et de la nature de ses éléments. Ils sont abondants et non toxiques, une tendance encourageante qui promet de développer une future technologie de photopiles a faible cout et respectueuse de l’environnement. L’objectif de ce travail
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
4

Доброжан, Олександр Анатолійович, Александр Анатольевич Доброжан, Oleksandr Anatoliiovych Dobrozhan, Анатолій Сергійович Опанасюк, Анатолий Сергеевич Опанасюк та Anatolii Serhiiovych Opanasiuk. "Синтез нанокристалических тетраподов Cu2SnSe3". Thesis, Издательство ЮЗГУ, Курск, Россия, 2014. http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/38313.

Повний текст джерела
Анотація:
В работе с помощью коллоидального синтеза были получены наноразмерные тетраподы трехкомпонентного соединения Cu2SnSe3. Методами просвечивающей электронной микроскопии, рентгенодифрактометрии, рентгеноспектрального анализа были изучены морфология, структурные свойства и элементный состав, полученных наночастиц. Установлено, что трехмерные частицы имели форму ядра с симметрично расположенными четырьмя выростами - «руками». Рентгено-дифрактометрический анализ показал присутствие в наночастицах с элементным составом Cu1.83Sn0,86Sn3 сфалеритной и вюрцитной фаз.<br>In work Cu2SnSe3 nanotetrapods usi
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
5

Chang, Shih-Chang, and 張世昌. "Synthesis of Cu2SnS3 and Cu2SnSe3 Absorbers for Thin-Film Solar Cell by Solvent-Thermal Refluxing Method and Annealing." Thesis, 2015. http://ndltd.ncl.edu.tw/handle/5dmc8c.

Повний текст джерела
Анотація:
碩士<br>國立臺南大學<br>電機工程學系碩博士班<br>103<br>In this study, we investigated the ternary I–IV–VI compounds semiconductor layer synthesized by a simple and low-cost solvent-thermal refluxing method follow annealing. The thin films are suitable to be absorber layer of solar cells. At first, we fabricated the varied concentration of Cu-Sn-S precursor ink. After sulfurization, we obtained pure phase of CTS by sulfurizing the Cu-Sn-S precursor of the lower concentration. The CTS thin film is p-type with a carrier concentration of ∼5.23×1017 cm-3, and hole mobility of 14.2 cm2 V−1 s−1, which is suitable to b
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
6

Saragih, Albert Daniel, and Albert Daniel Saragih. "Investigation of Cu2SnSe3 and Mg-doped Cu2SnSe3 Thin Films for Photovoltaic Applications." Thesis, 2015. http://ndltd.ncl.edu.tw/handle/22800329344533239817.

Повний текст джерела
Анотація:
碩士<br>國立臺灣科技大學<br>材料科學與工程系<br>103<br>Due to the energy crisis, we rush into the solar cell research and development. Fulfillment of energy is an issue that is always covered by each of the countries, coupled with the increasing rate of world population growth the energy consumption will continue to increase. Solar cell is one of the best choices, solar cells has been studied for more than fifty years but the last decade has seen the drastic growth in the research and development in the sector and because of that, now we have so many different types of solar cells design with megawatt productio
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
7

Huang, Wei-di, and 黃瑋迪. "Preparation and characterization of sputtered Cu2SnSe3 thin films." Thesis, 2009. http://ndltd.ncl.edu.tw/handle/04908759369258486576.

Повний текст джерела
Анотація:
碩士<br>國立臺灣科技大學<br>材料科技研究所<br>97<br>Recently, the research of solar cells is much more attractive and its technological progress is very fast. Although solar cells have reached a good conversion efficiency, high cost has limited their further applications. Lowering the cost with the finding of new materials is necessary. Although there are many CuInSe2 replacements, low-cost Cu2SnSe3 thin films with an energy band gap of 0.7-0.9 eV have not been seriously investigated for the absorption layer of the solar cells. In this study, the effects of the target composition, substrate temperature, ann
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
8

Chang, Chia-Chi, and 張佳祺. "Electrical and thermal transport properties of Sb doped Cu2SnSe3." Thesis, 2017. http://ndltd.ncl.edu.tw/handle/8xq5pw.

Повний текст джерела
Анотація:
碩士<br>國立東華大學<br>物理學系<br>105<br>The effect of Sb doping on the thermoelectric properties including electrical resistivity, thermal conductivity, and Seebeck oefficient of Cu2SnSe3 has been studied in the temperature range of 10 - 400 K. Besides, thermoelectric performance of the Cu2Sn1-xSbxSe3 (0 ≤ x ≤ 0.04) series with different preparation processes, i.e. conventional solid state route and spark plasma sintering (SPS), is compared. For samples prepared by conventional solid state route, electrical resistivity is found to decrease with increase in Sb content up to x = 0.02, then it increases w
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
9

Hong, Yu Chen, and 洪郁宸. "Preparation and characterization of Cu2SnSe3 powders using solution growth technology." Thesis, 2016. http://ndltd.ncl.edu.tw/handle/nmqfjt.

Повний текст джерела
Анотація:
碩士<br>長庚大學<br>化工與材料工程學系<br>104<br>In this study, the ternary Cu2SnSe3 semiconductor thin films were prepared using the thermal treatment of Cu2SnSe3 particles obtained from solution growth technology. The effects of Cu/Sn molar ratios in samples on the structural, electrical, and optical properties of the samples were investigated. The average particle size of the samples decreased with an increase in [Sn]/[Cu] molar ratio. X-ray diffraction pattern(XRD) and energy dispersive analysis of X-ray(EDAX) show that there were Se vacancies when the annealing temperature is higher than 450°C and the o
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
10

Sousa, Afonso Pereira Correia de. "Investigation of detection limits of ZnSe and Cu2SnSe3 secondary phases in Cu2ZnSnSe4." Master's thesis, 2016. http://hdl.handle.net/10316/31589.

Повний текст джерела
Анотація:
Dissertação de Mestrado em Engenharia Física apresentada à Faculdade de Ciências e Tecnologia da Universidade de Coimbra.<br>Quaternary Cu2ZnSnSe4 (CZTSe) is a promising semiconductor material for absorber layer in thin lm solar cells due to direct band gap around 1eV and high absorption coe cient (> 104cm1) (7). The highest conversion e - ciency of CZTSe solar cells is above 11% (8). Nevertheless, a low open circuit voltage with respect to the band gap is a common phenomenon in CZTSe photovoltaic devices. A plausible reason for this is a reduction in the e ective band gap due to inhomo
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

Частини книг з теми "Cu2SnS3"

1

Mammadov, A. N., I. Dz Alverdiev, Z. S. Aliev, D. B. Tagiev, and M. B. Babanly. "Thermodynamic Modeling of the Phase Diagram for Cu2SnS3-Cu2SnSe3 System." In Advances in Intelligent Systems and Computing. Springer International Publishing, 2019. http://dx.doi.org/10.1007/978-3-030-35249-3_118.

Повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
2

Lokhande, A. C., V. C. Karade, V. C. Lokhande, C. D. Lokhande, and Jin Hyeok Kim. "Chemical Processing of Cu2SnS3 Nanoparticles for Solar Cells." In Chemically Deposited Metal Chalcogenide-based Carbon Composites for Versatile Applications. Springer International Publishing, 2023. http://dx.doi.org/10.1007/978-3-031-23401-9_10.

Повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
3

Amiri, Iraj Sadegh, and Mahdi Ariannejad. "Copper Tin Sulfide (CU2SnS3) Solar Cell Structures and Implemented Methodology." In SpringerBriefs in Electrical and Computer Engineering. Springer International Publishing, 2019. http://dx.doi.org/10.1007/978-3-030-17395-1_3.

Повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
4

Villars, P., K. Cenzual, J. Daams, et al. "Cu2SiS3." In Structure Types. Part 7: Space Groups (160) R3m - (156) P3m1. Springer Berlin Heidelberg, 2009. http://dx.doi.org/10.1007/978-3-540-69949-1_283.

Повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
5

Roy, Devsmita, Rajeshwari Garain, Arindam Basak, Subrat Behera, Ranjeeta Patel, and Udai P. Singh. "Impact of Performance Parameters on the Efficiency of Cu2SnS3 (CTS)/Si Tandem Solar Cell by SCAPS-1D." In Lecture Notes in Electrical Engineering. Springer Nature Singapore, 2023. http://dx.doi.org/10.1007/978-981-19-6605-7_5.

Повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
6

Chihara, H., and N. Nakamura. "NQRS Data for Cu2SnU (Subst. No. 2124)." In Substances Containing C10H16 … Zn. Springer Berlin Heidelberg, 2010. http://dx.doi.org/10.1007/978-3-642-02943-1_859.

Повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
7

Rahaman, Sabina, Jagannatha K. B., Thyagaraj Tanjavur, and Lakshmisagar. "Investigating the Effect of Annealing on the Properties of Cu2SnS3 Thin Films Using Spin Coating." In Current Approaches in Science and Technology Research Vol. 14. Book Publisher International (a part of SCIENCEDOMAIN International), 2021. http://dx.doi.org/10.9734/bpi/castr/v14/2562f.

Повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

Тези доповідей конференцій з теми "Cu2SnS3"

1

Kuku, Titilayo A., and Olaosebikan A. Fakolujo. "Photovoltaic Characteristics Of Thin Films Of Cu2SnS3." In 1986 International Symposium/Innsbruck, edited by Claes-Goeran Granqvist, Carl M. Lampert, John J. Mason, and Volker Wittwer. SPIE, 1986. http://dx.doi.org/10.1117/12.938349.

Повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
2

de Wild, Jessica, Erika V. C. Robert, and Phillip J. Dale. "Chemical stability of the Cu2SnS3/Mo interface." In 2016 IEEE 43rd Photovoltaic Specialists Conference (PVSC). IEEE, 2016. http://dx.doi.org/10.1109/pvsc.2016.7749626.

Повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
3

Lahlali, S., M. Belaqziz, H. Chehouani, L. Essaleh, K. Djessas, and K. Medjnoun. "Low temperature electrical conduction in thin film Cu2SnS3." In 2016 International Renewable and Sustainable Energy Conference (IRSEC). IEEE, 2016. http://dx.doi.org/10.1109/irsec.2016.7984081.

Повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
4

Patel, Biren, Manmohansingh Waldiya, Ranjan K. Pati, Indrajit Mukhopadhyay, and Abhijit Ray. "Spray pyrolyzed Cu2SnS3 thin films for photovoltaic application." In 2ND INTERNATIONAL CONFERENCE ON CONDENSED MATTER AND APPLIED PHYSICS (ICC 2017). Author(s), 2018. http://dx.doi.org/10.1063/1.5033015.

Повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
5

Patel, Biren, R. Narasimman, Ranjan K. Pati, Indrajit Mukhopadhyay, and Abhijit Ray. "Preparation and characterization of Cu2SnS3 thin films by electrodeposition." In INTERNATIONAL CONFERENCE ON NANOMATERIALS FOR ENERGY CONVERSION AND STORAGE APPLICATIONS: NECSA 2018. Author(s), 2018. http://dx.doi.org/10.1063/1.5035248.

Повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
6

Zakutayev, Andriy, Lauryn L. Baranowski, Adam W. Welch, Colin A. Wolden, and Eric S. Toberer. "Comparison of Cu2SnS3 and CuSbS2 as potential solar cell absorbers." In 2014 IEEE 40th Photovoltaic Specialists Conference (PVSC). IEEE, 2014. http://dx.doi.org/10.1109/pvsc.2014.6925421.

Повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
7

Tiwari, Devendra, T. K. Chaudhuri, T. Shripathi, and U. Deshpande. "Cu2SnS3 as a potential absorber for thin film solar cells." In SOLID STATE PHYSICS: Proceedings of the 56th DAE Solid State Physics Symposium 2011. AIP, 2012. http://dx.doi.org/10.1063/1.4710361.

Повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
8

Raja, V. Sundara, U. Chalapathi, and S. Uthanna. "Growth and characterization of Cu2SnS3 thin films by spray pyrolysis." In INDIAN VACUUM SOCIETY SYMPOSIUM ON THIN FILMS: SCIENCE AND TECHNOLOGY. AIP, 2012. http://dx.doi.org/10.1063/1.4732382.

Повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
9

Robert, Erika V. C., Jessica de Wild, and Phillip J. Dale. "Cu2SnS3-based thin film solar cell from electrodeposition-annealing route." In 2015 IEEE 42nd Photovoltaic Specialists Conference (PVSC). IEEE, 2015. http://dx.doi.org/10.1109/pvsc.2015.7356086.

Повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
10

Acebo, Laura, Ignacio Becerril-Romero, Dioulde Sylla, et al. "Development of Cu2SnS3 based solar cells by a sequential process." In 2016 IEEE 43rd Photovoltaic Specialists Conference (PVSC). IEEE, 2016. http://dx.doi.org/10.1109/pvsc.2016.7749619.

Повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
Ми пропонуємо знижки на всі преміум-плани для авторів, чиї праці увійшли до тематичних добірок літератури. Зв'яжіться з нами, щоб отримати унікальний промокод!

До бібліографії