Добірка наукової літератури з теми "Courants d'induit"

Face au changement climatique, l’industrie automobile a suscité un intérêt particulier visant à réduire les émissions CO2.L’électrification des véhicules semble une solution incontournable pour répondre aux normes et standardisations européennes. Des nouveaux défis technologiques s’imposent et s’étalent sur toute la chaine de traction électrique, depuis la batterie au moteur électrique. Dans ce contexte, l’Agence de l’Environnement et la Maitrise de l’Energie met un budget colossal pour encourager la transition énergétique. Dans ce cadre-là le projet de Conception Optimal des Chaines de traction Electrique a vu le jour, et dont le principal coordinateur est RENAULT. La thèse s’insère dans le premier axe du projet, ayant pour but la modélisation de l’organe moteur électrique.L’objectif principal de la thèse, est la modélisation semi-analytique bidimensionnelle et tridimensionnelle avec prise en compte des courants de Foucault lors de l’analyse électromagnétique de la machine électrique. Des modèles 2-D et 3-D basés sur la méthode des circuits équivalents magnétiques ont été développés. Par la suite couplés à un modèle analytique 2-D permettant l’estimation des pertes par courants de Foucault au sein des parties conductrices massives. Ce modèle serait d’un appui lors des analyses thermiques des dispositifs électromagnétiques statiques et/ou dynamiques
In the face of climate change, the automotive industry has aroused particular interest in reducing CO2 emissions.The electrification of vehicles seems to be an essential solution to meet European standards and standardizations. New technological challenges are imposed and spread across the entire electric drive chain, from the battery to the electric motor. In this context, Agence de l’Environnement et la Maitrise de l’Energie is setting a colossal budget to encourage energy transition. In this context, the Conception Optimal des Chaines de traction Electrique project was handled, and whose main coordinator is RENAULT. The thesis fits into the first axis of the project, which aims to model the electric motor component.The main objective of the thesis is two-dimensional and three-dimensional semi-analytical modeling taking into account to eddy-current while the electromagnetic analysis of the electric machine. 2-D and 3-D models based on the method of magnetic equivalent circuits have been developed. Subsequently coupled to ananalytical model allowing the estimation of eddy-current losses within the massive conductive parts. This model would be of assistance during thermal analyzes of static or dynamic electromagnetic devices

L’action de l'interface isolant-(n) InP dans les structures Schottky-MIS ou l'isolant est un oxyde formé dans un plasma multi-polaire d'oxygène est examinée. L’étude est essentiellement assurée par des méthodes de caractérisation électrique développées afin de tenir compte de l'aspect non idéal de ces structures. Une meilleure compréhension des phénomènes de transport, très variés dans ces structures, est acquise à l'aide des mesures électriques I(V), C(V) et la conductance à différentes températures. Des corrélations sont établies entre les différents paramètres de la structure (facteur d'idéalité, densité d'états d'interface, résistance série, hauteur de la barrière,) et les mécanismes de conduction a l'interface et dans la couche d'oxyde. La distribution de la densité d'état d'interface des structures MIS est évaluée par différentes méthodes (Terman, DLTS et conductance) afin de les comparer et d'en établir éventuellement une certaine complémentarité.

Cette thèse présente l'étude des photodiodes à avalanche de structure SAGM, à zone d'avalanche en Al(Ga)InAs et à zone d'absorption en GaInAs réalisées sur substrat InP. Ces APD visent deux types d'applications: les télécommunications optiques pour les réseaux métro/accès à 10Gb/s et la détection en espace libre pour la profilométrie de type LIDAR. Tout d'abord, la mesure des coefficients d'ionisation de différents composés Aluminium a orienté notre choix du matériau d'avalanche vers l'AlInAs qui possède le rapport des coefficients d'ionisation le plus élevé. Ensuite, les mesures et les simulations du courant d'obscurité nous ont permis d'une part de déterminer son origine et de le réduire, et d'autre part, d'établir un modèle de la photodiode (courant d'obscurité, gain et bande passante) que nous avons validé grâce à l'étude de différentes structures verticales et de différentes géométries de diodes. Enfin, la caractérisation des APD réalisées a démontré simultanément un faible courant d'obscurité multiplié lobs.M = 2nA, une responsivité élevée R0(M = 1) = 0,9A.W-1 à 1,55µm, un faible facteur d'excès de bruit f(M = 10) = 3,5 et un produit gainxbande passante élevé G x B = 150GHz qui placent nos composants au meilleur niveau de l'état de l'art. Les mesures du taux d'erreur et de la sensibilité de photorécepteurs utilisant nos diodes valident l'amélioration qu'apportent ces APD par rapport à la concurrence. De plus, les premières mesures de sensibilité en espace libre confirment l'intérêt porté à ce type de photodiodes
This thesis presents the study of SAGM avalanche photodiodes, with a thin Al(Ga)InAs avalanche layer and a GaInAs absorption layer, grown on InP substrate. These APDs target two applications : optical telecommunications for 10Gb/s metro/access networks and free space detection for LIDAR profilometry. First, the ionization coefficients measurements on several Aluminium compound materials lead us to choose AlInAs as avalanche material because of its high ionization coefficients ratio. Then dark current measurements and simulations allow us on one hand, to find its origin and to reduce its level, and on the other hand, to make out a photodiode model (dark current, multiplication factor and bandwidth) which was validated through the study of various APD vertical structures and diode geometries. Finally, the APDs characterization simultaneously demonstrates a low multiplied dark current Id,M = 2nA, a high responsivity R0(M = 1) = 0,9A.W-1 at 1,55µm, a low excess noise factor f(M = 10) = 3,5 and a high gain×bandwidth product G × B = 150GHz, which put our components at the best state of the art level. System measurements such as bit error rate or sensitivity carried out on photoreceivers using our diodes validate the improvement brought by these APDs compared to competitors. Moreover, the early free space sensitivity measurements confirm the interest showed to this kind of photodiodes

L'INP est un semiconducteur de la famille III-V ; il est l'un des plus étudiés à cause de l'intérêt qu'il présente pour les circuits optoélectroniques et de commutation à grande vitesse. Nous avons utilisé un plasma RF d'oxygène pour passiver la surface de l'INP. Notre but consiste à étudier les caractéristiques de l'oxyde réalisé dans différentes conditions d'oxydation et à relier ses paramètres à ceux du plasma, afin de trouver les conditions optimales d'oxydation donnant un oxyde renfermant le moins de défauts. Pour ceci, nous avons caractérisé le plasma d'oxygène par sonde électrostatique. Les paramètres de la décharge : densité, température, potentiels etc. . . Suivant le gaz et diverses conditions de pression, température, polarisation du substrat ont pu être déterminés. Les oxydes formés sont étudiés par caractérisation électrique I(V) et C(V), ce qui nous a permis de voir l'influence des paramètres du plasma, particulièrement les tensions de gaines, sur les propriétés de l'oxyde : épaisseur, capacité, résistivité, défauts de charges etc. . . Les études sont faites avec échantillon au potentiel flottant ou polarisé. L'analyse de la composition en éléments atomique de la surface de l'oxyde est faite par spectroscopie auger (AES). Ce qui nous a permis de faire ressortir l'impact des conditions d'oxydation sur la nature des éléments à la surface de l'oxyde

Le domaine de l’imagerie a toujours fait l’objet de curiosité, que ce soitpour enregistrer une scène, ou voir au-delà des limites de l’oeil humain grâce aux détecteursinfrarouges. Ces deux types d’imagerie sont réalisés avec différents matériaux. Dans le domainedu visible, c’est le silicium qui domine, car son absorbance spectrale correspond bien au spectrevisible et que ce matériau a été très étudié dans les dernières décennies. Dans le domainede l’infrarouge, plus particulièrement le MWIR (Middle Wave InfraRed), l’InSb est un boncandidat car il s’agit d’un matériau très stable. Cependant, certaines contraintes telles qu’unebande interdite étroite peuvent être limitantes et cela nécessite une température d’opérationcryogénique. Dans ces travaux, un signal parasite commun à ces deux matériaux est étudié : ils’agit du signal des télégraphistes (RTS : Random telegraph Signal) du courant d’obscurité. Cephénomène provient d’un courant de fuite de l’élément photosensible du pixel (photodiode).En effet, même dans le noir, certains pixels des imageurs vont avoir une réponse temporellequi va varier de façon discrète et aléatoire. Cela peut causer des problèmes de calibration, oude la mauvaise détection d’étoiles par exemple. Dans cette étude, deux axes principaux sontétudiés : la caractérisation du signal pour pouvoir mieux l’appréhender, et la localisation dessources à l’origine du RTS dans la photodiode afin d’essayer de l’atténuer
Imaging has always been an interesting field, all the more so as it is nowpossible to see further than human eyes in the infrared and ultraviolet spectra. For each fieldof application, materials are more or less adapted : in order to capture visible light, Siliconis a good candidate, because it has been widely studied, and is also used in our everydaylife. Concerning the infrared, more particularly the MWIR spectral band, InSb has provedto be stable and reliable, even if it need to operate at cryogenic temperatures because ofa narrow bandgap.. In this work, a parasitic signal called Random Telegraph Signal (RTS)which appears in both materials (and also others, such as HgCdTe or InGaAs) is analyzed.This signal comes from the pixel photodiiode and corresponds to a discrete dark currentfluctuation with time, like blinking signals. This can cause detector calibration troubles, orfalse star detection for example. This study aims at characterizing RTS and localize the exactorigin in the photodiode in order to be able to predict or mitigate the phenomenon