Готові списки джерел за темами / Compact analytical model

Зміст

  1. Статті в журналах

Добірка наукової літератури з теми "Compact analytical model"

Автор: Grafiati
Опубліковано: 20 квітня 2024

Оформте джерело за APA, MLA, Chicago, Harvard та іншими стилями

Оберіть тип джерела:

Ознайомтеся зі списками актуальних статей, книг, дисертацій, тез та інших наукових джерел на тему "Compact analytical model".

Біля кожної праці в переліку літератури доступна кнопка «Додати до бібліографії». Скористайтеся нею – і ми автоматично оформимо бібліографічне посилання на обрану працю в потрібному вам стилі цитування: APA, MLA, «Гарвард», «Чикаго», «Ванкувер» тощо.

Також ви можете завантажити повний текст наукової публікації у форматі «.pdf» та прочитати онлайн анотацію до роботи, якщо відповідні параметри наявні в метаданих.

Статті в журналах з теми "Compact analytical model"

1

Paul, Bipul C., Ryan Tu, Shinobu Fujita, Masaki Okajima, Thomas H. Lee, and Yoshio Nishi. "An Analytical Compact Circuit Model for Nanowire FET." IEEE Transactions on Electron Devices 54, no. 7 (2007): 1637–44. http://dx.doi.org/10.1109/ted.2007.899397.

Повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
2

Banerjee, Ayan, M. K. Jasim, and Anirudh Pradhan. "Analytical model of dark energy stars." Modern Physics Letters A 35, no. 10 (2020): 2050071. http://dx.doi.org/10.1142/s0217732320500716.

Повний текст джерела
Анотація:
In this paper, we study the structure and stability of compact astrophysical objects which are ruled by the dark energy equation of state (EoS). The existence of dark energy is important for explaining the current accelerated expansion of the universe. Exact solutions to Einstein field equations (EFE) have been found by considering particularized metric potential, Finch and Skea ansatz. 1 The obtained solutions are relevant to the explanation of compact fluid sphere. Further, we have observed at the junction interface that the interior solution is matched with the Schwarzschild’s exterior vacu
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
3

Verma, Yogesh Kumar, Varun Mishra, and Santosh Kumar Gupta. "A Physics-Based Analytical Model for MgZnO/ZnO HEMT." Journal of Circuits, Systems and Computers 29, no. 01 (2019): 2050009. http://dx.doi.org/10.1142/s0218126620500097.

Повний текст джерела
Анотація:
In this paper, a physics-based compact model is developed for novel MgZnO/ZnO high-electron-mobility transistor (HEMT). Poisson’s equation coupled with 1D Schrödinger equation is solved self-consistently in the triangular quantum well to derive an expression of two-dimensional electron gas (2DEG) density with respect to gate voltage at the heterointerface of barrier (MgZnO) and buffer (ZnO) layers. A compact mathematical framework has been devised further for the first time for ZnO-based HEMT to the best of our knowledge using the expression of 2DEG density to compute surface potential, gate c
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
4

Baskey, Lipi, Shyam Das, and Farook Rahaman. "An analytical anisotropic compact stellar model of embedding class I." Modern Physics Letters A 36, no. 05 (2021): 2150028. http://dx.doi.org/10.1142/s0217732321500280.

Повний текст джерела
Анотація:
A class of solutions of Einstein field equations satisfying Karmarkar embedding condition is presented which could describe static, spherical fluid configurations, and could serve as models for compact stars. The fluid under consideration has unequal principal stresses i.e. fluid is locally anisotropic. A certain physically motivated geometry of metric potential has been chosen and codependency of the metric potentials outlines the formation of the model. The exterior spacetime is assumed as described by the exterior Schwarzschild solution. The smooth matching of the interior to the exterior S
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
5

Pavanello, Marcelo Antonio, Renan Trevisoli, Rodrigo Trevisoli Doria, and Michelly de Souza. "Static and dynamic compact analytical model for junctionless nanowire transistors." Journal of Physics: Condensed Matter 30, no. 33 (2018): 334002. http://dx.doi.org/10.1088/1361-648x/aad34f.

Повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
6

Naeve, T., M. Hohenbild, and P. Seegebrecht. "A new analytical compact model for two-dimensional finger photodiodes." Solid-State Electronics 52, no. 2 (2008): 299–304. http://dx.doi.org/10.1016/j.sse.2007.09.008.

Повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
7

Balaguer, M., B. Iñiguez, and J. B. Roldán. "An analytical compact model for Schottky-barrier double gate MOSFETs." Solid-State Electronics 64, no. 1 (2011): 78–84. http://dx.doi.org/10.1016/j.sse.2011.06.045.

Повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
8

Mantelli, M. B. H., and M. M. Yovanovich. "Compact analytical model for overall thermal resistance of bolted joints." International Journal of Heat and Mass Transfer 41, no. 10 (1998): 1255–66. http://dx.doi.org/10.1016/s0017-9310(97)00204-4.

Повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
9

Inokawa, H., and Y. Takahashi. "A compact analytical model for asymmetric single-electron tunneling transistors." IEEE Transactions on Electron Devices 50, no. 2 (2003): 455–61. http://dx.doi.org/10.1109/ted.2002.808554.

Повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
10

Jia, Yonghao, Yuehang Xu, Zhang Wen, Yunqiu Wu, and Yongxin Guo. "Analytical Gate Capacitance Models for Large-Signal Compact Model of AlGaN/GaN HEMTs." IEEE Transactions on Electron Devices 66, no. 1 (2019): 357–63. http://dx.doi.org/10.1109/ted.2018.2881255.

Повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
Більше джерел
Також вас можуть зацікавити розширені добірки на тему "Compact analytical model" для конкретних типів джерел:
Статті в журналах
Ми пропонуємо знижки на всі преміум-плани для авторів, чиї праці увійшли до тематичних добірок літератури. Зв'яжіться з нами, щоб отримати унікальний промокод!

До бібліографії