Добірка наукової літератури з теми "Chemical Vapour Depostion"
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Статті в журналах з теми "Chemical Vapour Depostion"
Telford Susan, G., Ch Tseng Meng, and Michio Aruga. "Uniform tungsten silicide films produced by chemical vapor depostiton." Journal of Fluorine Chemistry 87, no. 1 (January 1998): 125. http://dx.doi.org/10.1016/s0022-1139(97)80372-7.
Повний текст джерелаCheng, J., Xiao Ping Zou, Guang Zhu, Mao Fa Wang, and Yi Su. "High-Quality Single-Walled Carbon Nanotubes Synthesized by Floating Catalyst Chemical Vapor Depostion." Advanced Materials Research 47-50 (June 2008): 746–49. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/amr.47-50.746.
Повний текст джерелаSaito, Eduardo, Vagner Eduardo Caetano, Erica Freire Antunes, Anderson Oliveira Lobo, Fernanda Roberto Marciano, Vladimir Jesus Trava-Airoldi, and Evaldo José Corat. "Electric Double Layer Capacitor of Multiwall Carbon Nanotubes under Different Degree of Acid Oxidations." Materials Science Forum 802 (December 2014): 186–91. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.802.186.
Повний текст джерелаChen, Lei Shan. "Modification of Well-Aligned Carbon Nanotubes Grown on AAO Template by Chemical Vapor Depostion." Advanced Materials Research 641-642 (January 2013): 39–42. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/amr.641-642.39.
Повний текст джерелаEtzkorn, J., H. A. Therese, F. Rocker, N. Zink, U. Kolb, and W. Tremel. "Metal-Organic Chemical Vapor Depostion Synthesis of Hollow Inorganic-Fullerene-Type MoS2 and MoSe2 Nanoparticles." Advanced Materials 17, no. 19 (October 4, 2005): 2372–75. http://dx.doi.org/10.1002/adma.200500850.
Повний текст джерелаMiyagi, Takahira, Masayuki Kamei, Isao Sakaguchi, Takefumi Mitsuhashi, and Atsushi Yamazaki. "Photocatalytic Property and Deep Levels of Nb-doped Anatase TiO2Film Grown by Metalorganic Chemical Vapor Depostion." Japanese Journal of Applied Physics 43, no. 2 (February 10, 2004): 775–76. http://dx.doi.org/10.1143/jjap.43.775.
Повний текст джерелаKim, Il, Jong-Seok Kim, Bok-Won Cho, Sung-Duck Ahn, John S. Chun, and Won-Jong Lee. "Effects of deposition temperature on the electrical properties of electron cyclotron resonance plasma-enhanced chemical vapor deposition Ta2O5 film and the formation of interfacial SiO2." Journal of Materials Research 10, no. 11 (November 1995): 2864–69. http://dx.doi.org/10.1557/jmr.1995.2864.
Повний текст джерелаEt al., Jassim. "Synthesis, Characteristics and Study the Photoluminscience of the CdSxSe1-x Nanocrystaline Thin Film." Baghdad Science Journal 17, no. 1 (March 1, 2020): 0116. http://dx.doi.org/10.21123/bsj.2020.17.1.0116.
Повний текст джерелаWang, Wei, Shirui Guo, Mihrimah Ozkan, and Cengiz S. Ozkan. "MnO2 Decorated Three Dimensional Graphene Heterostructures for Supercapacitor Electrodes." MRS Proceedings 1451 (2012): 63–68. http://dx.doi.org/10.1557/opl.2012.1334.
Повний текст джерелаTwigg, M. E., and E. D. Richmond. "Microtwin morphology and density for silicon on sapphire." Proceedings, annual meeting, Electron Microscopy Society of America 46 (1988): 890–91. http://dx.doi.org/10.1017/s042482010010651x.
Повний текст джерелаДисертації з теми "Chemical Vapour Depostion"
Baxamusa, Salmaan Husain. "Photoinitiated chemical vapor depostion [sic] : mechanism and applications." Thesis, Massachusetts Institute of Technology, 2009. http://hdl.handle.net/1721.1/54581.
Повний текст джерелаCataloged from PDF version of thesis.
Includes bibliographical references.
Photoinitiated chemical vapor deposition (piCVD) is developed as a simple, solventless, and rapid method for the deposition of swellable hydrogels and functional hydrogel copolymers. Mechanistic experiments show that piCVD is predominantly a surface reaction, allowing it to coat non-planar geometries such as particles. The process is gentle enough to coat delicate optical sensors without degrading their function. Chemically functional hydrogels can be synthesized by incorporating a comonomer, and this functionality can be nanoconfined to the near surface region. Random amphiphilic copolymer films deposited via piCVD represent a novel polymer film system, and these surfaces present molecular-scale compositional heterogeneities that interfere with protein adsorption events. Also described is the mechanism by which thin films form on non-planar geometries via initiated chemical vapor deposition (iCVD) . The conformality of these films in microtrenches is assessed and an analytical model is developed in order to quantify the sticking probability of the initiating radical. Mechanistic insight from these experiments is used to predict the conformality based on the fractional saturation of the monomer vapor.
by Salmaan Husain Baxamusa.
Ph.D.
Ten, Jyi Sheuan. "High speed mask-less laser-controlled precision micro-additive manufacture." Thesis, University of Cambridge, 2019. https://www.repository.cam.ac.uk/handle/1810/285409.
Повний текст джерелаSreenivasan, Ramaswamy. "Combinatorial experiments using a spatially programmable chemical vapor depostion [i.e. deposition] system." College Park, Md. : University of Maryland, 2007. http://hdl.handle.net/1903/6796.
Повний текст джерелаThesis research directed by: Chemical Engineering. Title from t.p. of PDF. Includes bibliographical references. Published by UMI Dissertation Services, Ann Arbor, Mich. Also available in paper.
Miniussi, Elisa. "Nanoscale properties of graphene-based interfaces." Doctoral thesis, Università degli studi di Trieste, 2014. http://hdl.handle.net/10077/9977.
Повний текст джерелаIl tema fondamentale della mia attività di ricerca di dottorato è stato la produzione e caratterizzazione di interfacce a base di grafene. Negli ultimi dieci anni, il grafene, il singolo strato perfettamente bidimensionale di atomi di carbonio, si è imposto all'attenzione della comunità scientifica come un materiale rivoluzionario con eccezionali proprietà meccaniche, elettroniche e termiche, potenzialmente in grado di superare il silicio nella prossima generazione di dispositivi elettronici. Un problema fondamentale connesso alla produzione del grafene, tuttavia, è la sintesi di film uniformi ed estesi di carbonio, necessaria per espandere la produzione del grafene a livelli adeguati per applicazioni industriali. In questo riguardo, la crescita epitassiale del grafene mediante deposizione in fase vapore (CVD) di molecole idrocarburiche su substrati solidi è al presente uno dei procedimenti più promettenti. La mia attività di ricerca si è incentrata soprattutto sullo studio dell'interazione tra grafene e substrato in sistemi epitassiali grafene/metallo e sui suoi effetti sulla corrugazione dei sistemi con un mismatch reticolare e sulle proprietà elettroniche dello strato di carbonio. A questo scopo, la spettroscopia di fotoemissione dai livelli di core ad alta risoluzione energetica, con la sua eccezionale sensibilità alle condizioni locali degli atomi di superficie e d'interfaccia, è stata la mia tecnica preferenziale. Questa è stata affiancata da altre tecniche sperimentali, in particolare la diffrazione e microscopia a elettroni lenti e la fotoemissione risolta in angolo, così come da calcoli basati sulla teoria del funzionale densità condotti da gruppi collaboratori. L'obiettivo primario è stato conseguire un controllo fine dell'adesione grafene-metallo, fondamentale per capire come le proprietà del grafene cambiano quando l'accoppiamento con il substrato viene variato in modo continuo da interazione forte a quasi-disaccoppiamento. Questo obiettivo è stato perseguito con diverse tecniche. Questa tesi inizia presentando i risultati da noi ottenuti per un sistema grafene/metallo fortemente interagente, grafene/Re(0001), che rappresenta un caso esemplare delle diverse fasi (grafene, carburi, carbonio dissolto nel bulk) che il carbonio può formare per esposizione ad alta temperatura del substrato ad etilene. In questo riguardo, è emerso che le condizioni di temperatura e pressione svolgono un ruolo chiave nel favorire la formazione di una specie di carbonio piuttosto che un'altra. Un'altra scoperta cruciale è che l'instabilità termica ad alta temperatura del grafene/Re(0001) è direttamente correlata alla corrugazione della cella di moiré, in particolare alla presenza di 'avvallamenti', ovvero di regioni fortemente interagenti in cui la rottura del legame C-C è favorita. Oltre alla scelta della specie chimica del substrato, strategie più raffinate per ottenere un controllo accurato dell'interazione grafene-metallo sfruttano, ad esempio, alterazioni geometriche o chimiche del substrato. Utilizzare superfici cristalline con simmetria non-threefold, ad es. superfici vicinali, permette di crescere grafene con una cella di moiré anisotropica, con parametri reticolari non-equivalenti nelle direzioni parallela e ortogonale agli step. Questa opportunità è stata esplorata, durante il mio dottorato, per il caso del grafene su Rh(533). I nostri dati evidenziano un ruolo primario degli step nell'indebolire il legame del grafene con il substrato e nello stabilizzare il legame C-C ad alta temperatura, come finora predetto solo da conti teorici. Un approccio alternativo e versatile per modificare l'interazione grafene-substrato in modo continuo è variando la composizione chimica della sola superficie del substrato. Più precisamente, l'impiego di una lega superficiale di PtRu su Ru(0001), con una concentrazione variabile di atomi di Pt distribuiti omogeneamente nel primo strato, si è dimostrata un'ottima strategia per regolare finemente, in modo controllabile, il livello di accoppiamento tra adesione forte e interazione debole, senza alterare la qualità e periodicità dello strato di carbonio. Un'ulteriore strategia per disaccoppiare il grafene dal substrato è offerta dalla crescita di uno strato di ossido all'interfaccia grafene/metallo, che è di particolare interesse in vista della combinazione del grafene con materiali dielettrici ad alto k in batterie, condensatori e altri dispositivi. Come parte del mio progetto di dottorato, ho partecipato alla caratterizzazione sperimentale del grafene cresciuto epitassialmente su una superficie di Ni3Al e delle modifiche strutturali ed elettroniche indotte dalla formazione di uno spesso strato di ossido all'interfaccia. Questo metodo rappresenta una valida alternativa, a basso costo e non distruttiva, alle convenzionali tecniche di trasferimento finora sviluppate per depositare grafene su supporti dielettrici. L'ultima parte di questo lavoro di tesi è incentrata sull'impiego del grafene epitassiale come 'matrice' per la deposizione ordinata di nanocluster di metalli di transizione, resa possibile dalla corrugazione periodica a lungo raggio del reticolo di moirè. Questo aspetto è stato esplorato, in particolare, nello studio della reattività chimica di nanocluster di Rh supportati da grafene/Ir(111). L'alto grado di cristallinità esibito dai cluster a seguito del loro riscaldamento e la presenza di atomi di Rh non equivalenti con una diversa coordinazione sono stati oggetto di indagine mediante spettroscopia di fotoemissione dai livelli di core ad alta risoluzione energetica. In particolare, mi sono concentrata sull'interazione di questi sistemi con l'ossigeno e il monossido di carbonio, e sul ruolo chiave degli atomi di Rh sotto-coordinati, che sono siti preferenziali di legame nella fase iniziale dell'adsorbimento. Presenterò anche il nuovo metodo che abbiamo recentemente messo a punto per sintetizzare nanoparticelle di Rh altamente ossidate, che potrebbe essere di impatto in relazione alla superiore selettività catalitica mostrata dai film di ossidi metallici verso l'ossidazione del CO e del NO. I grandi progressi degli ultimi anni nel campo dei nanocluster metallici supportati sono molto promettenti per la futura applicazione di questi sistemi nella catalisi e nei dispositivi elettronici di prossima generazione. Oltre alla necessità di produrre reticoli di nanocluster ordinati a lungo raggio, che può essere soddisfatta facendo uso, ad es., di una matrice di grafene, un'altra sfida chiave posta dall'impiego di nanoparticelle su scala sub-nanometrica è rappresentata dal controllo accurato delle loro dimensioni, che ha effetti drammatici sulla morfologia e struttura elettronica di questi sistemi. Per questo motivo, la parte finale della mia tesi è dedicata alla descrizione di un sistema sperimentale avanzato progettato per produrre nanocluster di metalli di transizione selezionati in massa e depositarli a bassa energia su substrati solidi. Questa macchina, che è attualmente in fase di assemblaggio al Laboratorio di Scienza delle Superfici, farà uso di una sorgente di ablazione laser per generare gli ioni e di uno spettrometro di massa a quadrupolo ad alta risoluzione per assicurare una selettività superiore. Una volta operativo, questo sistema, che sarà la prima sorgente di nanocluster selezionati in massa per studi di fisica delle superfici in Italia, metterà a disposizione della comunità scientifica internazionale di utenti di Elettra uno strumento allo stato dell'arte per condurre esperimenti su nanoparticelle supportate e su materiali a base di cluster, in combinazione con tecniche basate sulla radiazione di sincrotrone.
The focus of my PhD research has been on the production and characterisation of graphene-based interfaces. In the last decade, graphene, the perfectly two-dimensional single layer of carbon atoms, has risen to the attention of the scientific community as a revolutionary material with exceptional mechanical, electronic and thermal properties, which could potentially outperform silicon in the next generation of electronic devices. A key issue related to graphene synthesis, however, is the facile production of uniform and extended carbon flakes, which is required to scale up graphene synthesis for industrial applications. In this respect, the epitaxial growth of graphene by chemical vapour deposition of hydrocarbon molecules on a solid substrate is currently one of the most promising routes. My research activity has addressed, in particular, the graphene-substrate interaction in epitaxial graphene/metal systems and its effects on the corrugation of lattice-mismatched systems and on the electronic properties of the carbon sheet. For the purpose of investigating this, high-energy resolution core level photoelectron spectroscopy, with its superior sensitivity to the local environment experienced by surface and interface atoms, has been technique of choice. This has been complemented by other experimental techniques, in particular low energy electron diffraction and microscopy and angle-resolved photoemission spectroscopy, as well as by state-of-the-art density functional theory calculations performed by collaborating groups. The primary objective has been that of achieving fine control of the graphene-metal adhesion, which is key to understanding how the graphene properties evolve as the coupling to the substrate is continuously varied from strong interaction to the quasi free-standing case. This goal has been tackled with several different strategies. This thesis starts by presenting our results for a strongly interacting graphene/metal system, graphene/Re(0001), which represents an exemplary case of the different phases (graphene, carbides and bulk-dissolved carbon) carbon can form upon high temperature ethylene exposure of the substrate. In this respect, the temperature and pressure conditions are found to play a crucial role in favouring the formation of one carbon species over the others. Another key finding is that the high temperature thermal instability of graphene/Re(0001) is directly linked to the corrugation of the moiré cell, in particular to the presence of buckled, strongly interacting regions where C-C bond breaking is favoured. Besides the elemental choice of the substrate, more refined strategies to achieve accurate control of the graphene-metal interaction exploit, e.g. geometrical or chemical modifications of the substrate. Using crystalline surfaces with non-threefold symmetry, e.g. vicinal surfaces, allows growing graphene with an anisotropic moiré cell, with non-equivalent lattice parameters in the directions parallel and orthogonal to the steps. This possibility has been explored for the case of graphene on Rh(533). The obtained data point out a primary role of the steps in weakening the graphene bonding to the substrate and stabilising the carbon layer against defect--induced C-C bond breaking at high temperature, as so far predicted only by theoretical calculations. An alternative, versatile approach to modify the graphene-substrate interaction in a continuous way is by changing the elemental composition of the first layer of the substrate. More specifically, the use of a PtRu surface alloy on Ru(0001) with a variable concentration of randomly distributed Pt atoms in the first layer has proven to be an excellent strategy for tuning the degree of coupling from strong adhesion to very weak interaction in a controllable way, without affecting the quality and periodicity of the carbon layer. A further strategy for decoupling graphene from the substrate is offered by the growth of an oxide buffer layer at the graphene/metal interface, which is of special interest for the prospective combination of graphene with high-k dielectric materials in batteries, capacitors and other devices. As part of my PhD project, I participated in the experimental investigation of epitaxial graphene on a Ni3Al surface and of the structural and electronic changes induced by the formation of a thick interface oxide layer. This method represents a viable, low cost and non-destructive alternative to the conventional transfer techniques so far developed to deposit graphene on dielectric supports. The last part of this thesis work focuses on the employment of epitaxial graphene as a template for the self-assembly of transition metal nanoclusters, made possible by the long-range periodic corrugation of the moiré superlattice. This topic has been addressed, in particular, in the study of the chemical reactivity of Rh nanoclusters supported on graphene/Ir(111). The high degree of crystallinity exhibited by the clusters after annealing and the presence of non-equivalent Rh atoms with a different coordination number are addressed by means of high-energy resolution core level photoelectron spectroscopy. In particular, I have focussed on the interaction of these systems with oxygen and carbon monoxide, and on the key role played by the highly reactive, undercoordinated Rh atoms, which are preferential bonding sites in the early stage of adsorption. I will also present the new method we recently developed to synthesise highly oxidised Rh nanoparticles, which could be of impact in relation to the enhanced catalytic selectivity towards CO and NO oxidation exhibited by metal oxide films. The great progress achieved in recent years in the field of supported metal nanoclusters is very promising for the prospective application of these systems in catalysis and next-generation electronic devices. In addition to the need to producing long-range ordered superlattices of nanoclusters, which can be met by making use of, e.g a graphene template, another key challenge posed by the use of particles in the sub-nanometre scale is represented by the accurate control of their size, which has dramatic effects on the morphology and electronic structure of these systems. For this reason, the final part of my thesis is dedicated to the description of an advanced experimental setup designed to produce size-selected transition metal nanoclusters and soft-land them on solid substrates. This machine, which is currently being assembled at the Surface Science Laboratory, will make use of a laser ablation source to generate the ions and of a high resolution quadrupole mass spectrometer to ensure a superior mass selectivity. Once operational, this system, which will be the first size-selected cluster source for surface science studies in Italy, will provide the international scientific community working at Elettra with a state-of-the-art tool to conduct experiments on supported nanoparticles and cluster-based materials, in combination with synchrotron radiation-based techniques.
XXVI Ciclo
1986
Тези доповідей конференцій з теми "Chemical Vapour Depostion"
Ryu, Kwang-Su, Jin-Woo Ju, A. S. Fedorov, Cheul-Ro Lee, In-Hwan Lee, Ki-Ho Park, Young-Hee Lee, and Je-Won Kim. "Characteristics of p-type InGaN grown by metalorganic chemical vapor depostion." In 2004 International Conference on Solid State Devices and Materials. The Japan Society of Applied Physics, 2004. http://dx.doi.org/10.7567/ssdm.2004.p6-2.
Повний текст джерелаЗвіти організацій з теми "Chemical Vapour Depostion"
Smith, R. G., J. H. Eaton, D. J. Pysher, and M. A. Leitheiser. Fabrication of full-scale fiber-reinforced hot-gas filters by chemical vapor depostion. Final report, November 1, 1994 -- December 32, 1995. Office of Scientific and Technical Information (OSTI), January 1996. http://dx.doi.org/10.2172/274312.
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