Добірка наукової літератури з теми "Breakdown electrical luminescence"
Оформте джерело за APA, MLA, Chicago, Harvard та іншими стилями
Зміст
Ознайомтеся зі списками актуальних статей, книг, дисертацій, тез та інших наукових джерел на тему "Breakdown electrical luminescence".
Біля кожної праці в переліку літератури доступна кнопка «Додати до бібліографії». Скористайтеся нею – і ми автоматично оформимо бібліографічне посилання на обрану працю в потрібному вам стилі цитування: APA, MLA, «Гарвард», «Чикаго», «Ванкувер» тощо.
Також ви можете завантажити повний текст наукової публікації у форматі «.pdf» та прочитати онлайн анотацію до роботи, якщо відповідні параметри наявні в метаданих.
Статті в журналах з теми "Breakdown electrical luminescence"
Osinsky, A., M. S. Shur, R. Gaska, and Q. Chen. "Avalanche breakdown and breakdown luminescence in p--n GaN diodes." Electronics Letters 34, no. 7 (1998): 691. http://dx.doi.org/10.1049/el:19980535.
Повний текст джерелаKarel, F., J. Oswald, J. Pastrnak, and O. Petricek. "Impurity breakdown and electric-field-dependent luminescence in MBE and VPE GaAs layers." Semiconductor Science and Technology 7, no. 2 (February 1, 1992): 203–9. http://dx.doi.org/10.1088/0268-1242/7/2/005.
Повний текст джерелаMankovics, D., A. Klossek, Ch Krause, T. Arguirov, W. Seifert, and M. Kittler. "Luminescence of defects and breakdown sites in multicrystalline silicon solar cells." physica status solidi (a) 209, no. 10 (July 23, 2012): 1908–12. http://dx.doi.org/10.1002/pssa.201200133.
Повний текст джерелаFoulani, A., C. Laurent, and P. Canet. "Surface plasmon-induced luminescence: a probe to study electrical aging and dielectric breakdown in polymer-like thin films." Journal of Non-Crystalline Solids 187 (July 1995): 415–19. http://dx.doi.org/10.1016/0022-3093(95)00173-5.
Повний текст джерелаWang, Chao, Ying Wen, Jinbo Zhang, Qilin Zhang, and Juwei Qiu. "The Modulation Effect on the ELVEs and Sprite Halos by Concentric Gravity Waves Based on the Electromagnetic Pulse Coupled Model." Atmosphere 12, no. 5 (May 11, 2021): 617. http://dx.doi.org/10.3390/atmos12050617.
Повний текст джерелаShalygin, V. A., L. E. Vorobjev, D. A. Firsov, V. Yu Panevin, A. N. Sofronov, G. A. Melentyev, A. V. Antonov, et al. "Impurity breakdown and terahertz luminescence in n-GaN epilayers under external electric field." Journal of Applied Physics 106, no. 12 (December 15, 2009): 123523. http://dx.doi.org/10.1063/1.3272019.
Повний текст джерелаYuan, Kang, Rui Ma, Li Yang, Yang Yang, and Jiaming Sun. "Modulation of the dielectric property of Ga2O3/TiO2 nanolaminates and their improvement on the electroluminescence from devices based on Er-doped Al2O3 nanofilms." Journal of Physics D: Applied Physics 55, no. 23 (March 9, 2022): 235101. http://dx.doi.org/10.1088/1361-6463/ac5942.
Повний текст джерелаLombardo, S., S. U. Campisano, G. N. Van Den Hoven, and A. Polman. "Electroluminescence of Erbium in Oxygen Doped Silicon." MRS Proceedings 422 (1996). http://dx.doi.org/10.1557/proc-422-333.
Повний текст джерелаZhang, Shengkun, X. Zhou, Wubao Wang, R. R. Alfano, A. M. Dabiran, A. Osinky, A. M. Wowchak, B. Hertog, C. Plaut, and P. P. Chow. "Low-voltage Avalanche Breakdown in AlGaN Multi-quantum Wells." MRS Proceedings 955 (2006). http://dx.doi.org/10.1557/proc-0955-i15-23.
Повний текст джерелаManyakhin, F., A. Kovalev, V. E. Kudryashov, A. N. Turkin, and A. E. Yunovich. "Avalanche Breakdown Luminescence of InGaN/AlGaN/GaN Heterostructures." MRS Internet Journal of Nitride Semiconductor Research 2 (1997). http://dx.doi.org/10.1557/s109257830000137x.
Повний текст джерелаДисертації з теми "Breakdown electrical luminescence"
Chen, Kevin M. (Kevin Ming) 1974. "Electrical breakdown and luminescence from erbium oxide and Er-doped silicon thin films." Thesis, Massachusetts Institute of Technology, 1998. http://hdl.handle.net/1721.1/9816.
Повний текст джерелаГенкін, Олексій Михайлович. "Еталонні джерела оптичного випромінювання на основі явища електричного пробою у P-N-структурах на карбіді кремнію". Doctoral thesis, 2010. https://ela.kpi.ua/handle/123456789/643.
Повний текст джерела