Дисертації з теми "Binary Nitride"
Оформте джерело за APA, MLA, Chicago, Harvard та іншими стилями
Ознайомтеся з топ-21 дисертацій для дослідження на тему "Binary Nitride".
Біля кожної праці в переліку літератури доступна кнопка «Додати до бібліографії». Скористайтеся нею – і ми автоматично оформимо бібліографічне посилання на обрану працю в потрібному вам стилі цитування: APA, MLA, «Гарвард», «Чикаго», «Ванкувер» тощо.
Також ви можете завантажити повний текст наукової публікації у форматі «.pdf» та прочитати онлайн анотацію до роботи, якщо відповідні параметри наявні в метаданих.
Переглядайте дисертації для різних дисциплін та оформлюйте правильно вашу бібліографію.
Meka, Sai Ramudu [Verfasser], and Eric J. [Akademischer Betreuer] Mittemeijer. "Nitriding of iron-based binary and ternary alloys : microstructural development during nitride precipitation / Sai Ramudu Meka. Betreuer: E. J. Mittemeijer." Stuttgart : Universitätsbibliothek der Universität Stuttgart, 2012. http://d-nb.info/1018893474/34.
Повний текст джерелаKasic, Alexander [Verfasser]. "Phonons, free-carrier properties, and electronic interband transitions of binary, ternary, and quaternary group-III nitride layers measured by spectroscopic ellipsometry / Alexander Kasic." Aachen : Shaker, 2003. http://d-nb.info/117054195X/34.
Повний текст джерелаGehrmann, Jan. "Transferable reduced TB models for elemental Si and N and binary Si-N systems." Thesis, University of Oxford, 2013. http://ora.ox.ac.uk/objects/uuid:002b0c99-0e9d-4d8c-a0dc-ad07383f083f.
Повний текст джерелаSiddons, Daniel James. "Synthetic routes to binary and ternary nitrides." Thesis, University of Nottingham, 1997. http://ethos.bl.uk/OrderDetails.do?uin=uk.bl.ethos.363637.
Повний текст джерелаO'Meara, Paul Martin. "The synthesis and characterisation of binary and ternary nitrides." Thesis, University of Nottingham, 2000. http://ethos.bl.uk/OrderDetails.do?uin=uk.bl.ethos.311740.
Повний текст джерелаBowman, Amy. "Synthesis and characteristation of binary and ternary nitrides with two-dimensional structures." Thesis, Nottingham Trent University, 2003. http://ethos.bl.uk/OrderDetails.do?uin=uk.bl.ethos.275911.
Повний текст джерелаHolleck, H. [Verfasser]. "Binaere und ternaere Carbide und Nitride der Uebergangsmetalle und ihre Phasenbeziehungen / H. Holleck." Karlsruhe : KIT-Bibliothek, 2012. http://d-nb.info/1190100371/34.
Повний текст джерелаFeregotto, Virginia. "Observation par microscopie électronique en transmission des défauts étendus introduits par déformation à haute température dans le nitrure d'aluminium." Vandoeuvre-les-Nancy, INPL, 1996. http://www.theses.fr/1996INPL142N.
Повний текст джерелаAkhlaghi, Maryam [Verfasser], and Eric Jan [Akademischer Betreuer] Mittemeijer. "Precipitation of nitrides in iron-based binary and ternary alloys; influence of defects and transformation-misfit stresses / Maryam Akhlaghi. Betreuer: Eric Jan Mittemeijer." Stuttgart : Universitätsbibliothek der Universität Stuttgart, 2016. http://d-nb.info/1082238171/34.
Повний текст джерелаRichter, Sebastian. "Neue binäre CN-Verbindungen sowie Vorläufersubstanzen von monomerem C3N4." Doctoral thesis, Universitätsbibliothek Chemnitz, 2014. http://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:bsz:ch1-qucosa-155547.
Повний текст джерелаSantos, Adriano Manoel dos. "Propriedades vibracionais de nitretos do grupo III e de suas ligas." Universidade de São Paulo, 2004. http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-22062012-134557/.
Повний текст джерелаThe group-III nitrides (BN, AIN, GaN and InN) and their ternary alloys AlGaN and InGaN generated recently an extraordirlary progress in the production of optoelectronic devices operating in the green-blue-UV region of the spectrum, and in the production of electronic devices of high frequency, high temperature and high power. These wide gap semiconductor materials attracted enormous attention in the last years. The objective of this Thesis was to study the vibrational properties of the bulk III nitrides, without and with defects. To accomplish this study we used the Classic Theory of the Harmonic Crystal and the Method of the Green\'s Functions. With the Classic Theory of the Harmonic Crystal, together with the Valence Force Field Method and the Method of the Ewald\'s Sum, that allow to generate the dynamic matrix of the system, we determined the vibrational behavior of the binary nitrides and of the ternary alloys. The use of these methods allowed us to obtain the phonon spectra of the binary nitrides and to study the behavior of the optical modes at of the ternary alloys. Starting from the Green\'s Function of the perfect crystal and the Green\'s Function of the crystal with defect, we obtained the frequencies and the localized and resonant vibrational modes introduced by the C and As impurities in GaN. Starting from the densities of states of the perfect crystal and of the crystal with defect, we calculated the formation entropy of the N vacancy in GaN. The obtained results were used in the interpretation of experimental data related to the vibrational properties of the wurtzite nitrides available in the literature, and in the prediction and analysis of experimental results obtained for zincblende nitrides by the group of the New Semiconductors Materials Laboratory of t11c Physics Institute at USP.
Rossner, Ulrike. "Epitaxie des nitrures de gallium et d'aluminium sur silicium par jets moléculaires : caractérisation structurale et optique." Université Joseph Fourier (Grenoble), 1995. http://www.theses.fr/1995GRE10181.
Повний текст джерелаWidmann, Frédéric. "Epitaxie par jets moléculaires de GaN, AlN, InN et leurs alliages : physique de la croissance et réalisation de nanostructures." Université Joseph Fourier (Grenoble), 1998. http://www.theses.fr/1998GRE10234.
Повний текст джерелаAuguste, Jean-Michel. "Association d'aromatiques substitués et de mésogènes cyanés non aromatiques : diagrammes de phases binaires et caractérisation des phases smectiques A induites." Bordeaux 1, 1988. http://www.theses.fr/1988BOR10534.
Повний текст джерелаRICHARD, EMMANUEL. "Etude du dépôt MOCVD de TiN et de son intégration comme matériau barrière pour la métallisation du cuivre." Université Joseph Fourier (Grenoble), 1998. http://www.theses.fr/1998GRE10081.
Повний текст джерелаWEHREY-AUGUSTIN, FABIENNE. "Oxydo-reduction du neptunium dans les melanges phosphate tributylique-dodecane." Université Louis Pasteur (Strasbourg) (1971-2008), 1988. http://www.theses.fr/1988STR13007.
Повний текст джерелаSchnaffnit, Catherine. "Elaboration de couches minces de nitrure de bore par voie chimique assistée par plasma R. F. à partir de BCl3/N2/H2/Ar : étude du procédé et des propriétés physico-chimiques du matériau." Grenoble INPG, 1996. http://www.theses.fr/1996INPG0125.
Повний текст джерелаMazoyer, Pascale. "Analyse et caractérisation des mécanismes de perte de charge relatifs aux diélectriques multicouches du point mémoire EPROM." Université Joseph Fourier (Grenoble), 1994. http://www.theses.fr/1994GRE10009.
Повний текст джерелаMichau, Dominique. "Etude de l'influence du substrat sur la formation de films de diamant : application au développement de couches minces de nitrure de bore cubique." Phd thesis, Université Sciences et Technologies - Bordeaux I, 1995. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00143406.
Повний текст джерелаChatbi, Hassan. "Caractérisation structurale des nitrures de fer préparés par évaporation et pulvérisation réactives et étude de la stabilité thermique des systèmes : TiH₂, Gd₁-xFex : H et Fe-N." Nancy 1, 1996. http://www.theses.fr/1996NAN10119.
Повний текст джерелаHerle, P. Subramanya. "Synthesis, Structure And Properties Of Some Novel Binary And Ternary Transition Metal Nitrides." Thesis, 1998. http://etd.iisc.ernet.in/handle/2005/2185.
Повний текст джерела