Добірка наукової літератури з теми "B-N-doping"
Оформте джерело за APA, MLA, Chicago, Harvard та іншими стилями
Ознайомтеся зі списками актуальних статей, книг, дисертацій, тез та інших наукових джерел на тему "B-N-doping".
Біля кожної праці в переліку літератури доступна кнопка «Додати до бібліографії». Скористайтеся нею – і ми автоматично оформимо бібліографічне посилання на обрану працю в потрібному вам стилі цитування: APA, MLA, «Гарвард», «Чикаго», «Ванкувер» тощо.
Також ви можете завантажити повний текст наукової публікації у форматі «.pdf» та прочитати онлайн анотацію до роботи, якщо відповідні параметри наявні в метаданих.
Статті в журналах з теми "B-N-doping"
Zongbao, Li, Li Yong, Wang Ying, and Wang xia. "Synergistic effect in B and N co-doped Ib-type diamond single crystal: A density function theory calculation." Canadian Journal of Physics 94, no. 9 (September 2016): 929–32. http://dx.doi.org/10.1139/cjp-2016-0073.
Повний текст джерелаKunuku, Srinivasu, Mateusz Ficek, Aleksandra Wieloszynska, Magdalena Tamulewicz-Szwajkowska, Krzysztof Gajewski, Miroslaw Sawczak, Aneta Lewkowicz, Jacek Ryl, Tedor Gotszalk, and Robert Bogdanowicz. "Influence of B/N co-doping on electrical and photoluminescence properties of CVD grown homoepitaxial diamond films." Nanotechnology 33, no. 12 (December 28, 2021): 125603. http://dx.doi.org/10.1088/1361-6528/ac4130.
Повний текст джерелаHuang, Yuanchao, Rong Wang, Naifu Zhang, Yiqiang Zhang, Deren Yang, and Xiaodong Pi. "Effect of hydrogen on the unintentional doping of 4H silicon carbide." Journal of Applied Physics 132, no. 15 (October 21, 2022): 155704. http://dx.doi.org/10.1063/5.0108726.
Повний текст джерелаAl Ghifari, Alvin Dior, Edi Sanjaya, and Isnaeni Isnaeni. "Pengaruh Doping Nitrogen, Sulfur, dan Boron terhadap Spektrum Absorbansi dan Fotoluminesensi Karbon Dot Asam Sitrat." Al-Fiziya: Journal of Materials Science, Geophysics, Instrumentation and Theoretical Physics 2, no. 2 (December 31, 2019): 93–101. http://dx.doi.org/10.15408/fiziya.v2i2.11787.
Повний текст джерелаKosaka, Hisashi, Yasuyuki Kaneno, and Takayuki Takasugi. "Ductilization of a Ni3(Si,Ti) Intermetallic Alloy by Addition of Interstitial Type Elements." Advanced Materials Research 409 (November 2011): 321–26. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/amr.409.321.
Повний текст джерелаDong, Changshuai, Bin Meng, Jun Liu, and Lixiang Wang. "B ← N Unit Enables n-Doping of Conjugated Polymers for Thermoelectric Application." ACS Applied Materials & Interfaces 12, no. 9 (February 14, 2020): 10428–33. http://dx.doi.org/10.1021/acsami.9b21527.
Повний текст джерелаHuang, Jing-tao, Yong Liu, Zhong-hong Lai, Jin Hu, Fei Zhou, and Jing-chuan Zhu. "Electronic structure and optical properties of non-metallic modified graphene: a first-principles study." Communications in Theoretical Physics 74, no. 3 (March 1, 2022): 035501. http://dx.doi.org/10.1088/1572-9494/ac539f.
Повний текст джерелаTang, Lin, Ruifeng Yue, and Yan Wang. "N-type B-S co-doping and S doping in diamond from first principles." Carbon 130 (April 2018): 458–65. http://dx.doi.org/10.1016/j.carbon.2018.01.028.
Повний текст джерелаTürker, Lemi. "Substitutional doping of B, Al and N in C60 structure." Journal of Molecular Structure: THEOCHEM 593, no. 1-3 (September 2002): 149–53. http://dx.doi.org/10.1016/s0166-1280(02)00313-5.
Повний текст джерелаRedlich, Ph, J. Loeffler, P. M. Ajayan, J. Bill, F. Aldinger, and M. Rühle. "BCN nanotubes and boron doping of carbon nanotubes." Chemical Physics Letters 260, no. 3-4 (September 1996): 465–70. http://dx.doi.org/10.1016/0009-2614(96)00817-2.
Повний текст джерелаДисертації з теми "B-N-doping"
Skipa, Tetyana. "Modification of the electronic properties of carbon nanotubes by bundling, temperature, B- and N-doping a resonance Raman study /." Karlsruhe : Forschungszentrum Karlsruhe, 2006. http://d-nb.info/983613184/34.
Повний текст джерелаSkipa, Tetyana [Verfasser]. "Modification of the electronic properties of carbon nanotubes by bundling, temperature, B- and N-doping : a resonance Raman study / Tetyana Skipa." Karlsruhe : Forschungszentrum Karlsruhe, 2006. http://d-nb.info/983613184/34.
Повний текст джерелаŚledziewski, Tomasz [Verfasser], Heiko B. [Akademischer Betreuer] Weber, and Martin [Gutachter] Hundhausen. "Electrical characterization of n-type 4H silicon carbide with improved material and interface properties using advanced doping techniques / Tomasz Śledziewski ; Gutachter: Martin Hundhausen ; Betreuer: Heiko B. Weber." Erlangen : Friedrich-Alexander-Universität Erlangen-Nürnberg (FAU), 2018. http://d-nb.info/1170959156/34.
Повний текст джерелаЧастини книг з теми "B-N-doping"
Zhou, Delun, Lin Tang, Jinyu Zhang, Ruifeng Yue, and Yan Wang. "n-type B-N Co-doping and N Doping in Diamond from First Principles." In Computational Science – ICCS 2022, 530–40. Cham: Springer International Publishing, 2022. http://dx.doi.org/10.1007/978-3-031-08751-6_38.
Повний текст джерелаRubio, Angel. "Electronic and Doping Properties of B x C y N z Nanotubes." In Nanowires, 133–42. Dordrecht: Springer Netherlands, 1997. http://dx.doi.org/10.1007/978-94-015-8837-9_9.
Повний текст джерелаGrätzel, Michael. "Photovoltaic and photoelectrochemical conversion of solar energy." In Energy... beyond oil. Oxford University Press, 2007. http://dx.doi.org/10.1093/oso/9780199209965.003.0010.
Повний текст джерелаТези доповідей конференцій з теми "B-N-doping"
Ma, HaoHao, XianBin Zhang, XuYan Wei, and JiaoMeng Cao. "Effect of B/N Doping on the Electronic Properties of Bilayer Graphene." In Information Storage System and Technology. Washington, D.C.: OSA, 2019. http://dx.doi.org/10.1364/isst.2019.jw4a.92.
Повний текст джерелаSkipa, T. "Modification of the Electronic Properties of Carbon Nanotubes: Bundling and B - and N - doping." In ELECTRONIC PROPERTIES OF NOVEL NANOSTRUCTURES: XIX International Winterschool/Euroconference on Electronic Properties of Novel Materials. AIP, 2005. http://dx.doi.org/10.1063/1.2103851.
Повний текст джерелаGedam, Nandkishor Husen, and Bikash Rout. "Modeling of electronic structure and band gap formation in graphene by B/N doping: First principle study." In 2015 International Conference on Futuristic Trends on Computational Analysis and Knowledge Management (ABLAZE). IEEE, 2015. http://dx.doi.org/10.1109/ablaze.2015.7155025.
Повний текст джерелаLee, Byeonghee, Kyeongtae Kim, Seungkoo Lee, Ohmyoung Kwon, Jong Hoon Kim, Dae Soon Lim, Woo Il Lee, and Joon Sik Lee. "Design and Batch-Fabrication of Diamond Thermocouple Probes for the Quantitative Thermopower Profiling of Silicon IC Devices." In 2010 14th International Heat Transfer Conference. ASMEDC, 2010. http://dx.doi.org/10.1115/ihtc14-23347.
Повний текст джерелаLin, C. P., P. S. Liu, L. S. Lyu, M. Y. Li, C. C. Cheng, T. H. Lee, W. H. Chang, L. J. Li, and T. H. Hou. "N-type Doping Effect of Transferred MoS2 and WSe2 Monolayer." In 2015 International Conference on Solid State Devices and Materials. The Japan Society of Applied Physics, 2015. http://dx.doi.org/10.7567/ssdm.2015.b-4-4.
Повний текст джерелаKoike, M., and K. Tatsumura. "Diffusion control of n-type impurities in Ge using co-doping technique for ultra-shallow and highly doped n+/p junction in Ge nMOSFETs." In 2009 International Conference on Solid State Devices and Materials. The Japan Society of Applied Physics, 2009. http://dx.doi.org/10.7567/ssdm.2009.b-7-3.
Повний текст джерела