Добірка наукової літератури з теми "Axial heterostructure nanowires"
Оформте джерело за APA, MLA, Chicago, Harvard та іншими стилями
Ознайомтеся зі списками актуальних статей, книг, дисертацій, тез та інших наукових джерел на тему "Axial heterostructure nanowires".
Біля кожної праці в переліку літератури доступна кнопка «Додати до бібліографії». Скористайтеся нею – і ми автоматично оформимо бібліографічне посилання на обрану працю в потрібному вам стилі цитування: APA, MLA, «Гарвард», «Чикаго», «Ванкувер» тощо.
Також ви можете завантажити повний текст наукової публікації у форматі «.pdf» та прочитати онлайн анотацію до роботи, якщо відповідні параметри наявні в метаданих.
Статті в журналах з теми "Axial heterostructure nanowires"
Лещенко, Е. Д., та В. Г. Дубровский. "Моделирование профиля состава осевой гетероструктуры InSb/GaInSb/InSb в нитевидных нанокристаллах". Письма в журнал технической физики 48, № 19 (2022): 20. http://dx.doi.org/10.21883/pjtf.2022.19.53590.19339.
Повний текст джерелаWang, Yuda, Parveen Kumar, Leigh Morris Smith, Howard E. Jackson, Jan M. Yarrison-Rice, Craig Pryor, Jung-Hyun Kang, Qiang Gao, Hark Hoe Tan, and Chennupati Jagadish. "Tuning Band Energies in a Combined Axial and Radial GaAs/GaP Heterostructure." MRS Proceedings 1659 (2014): 139–42. http://dx.doi.org/10.1557/opl.2014.355.
Повний текст джерелаAnandan, Deepak, Che-Wei Hsu, and Edward Yi Chang. "Growth of III-V Antimonide Heterostructure Nanowires on Silicon Substrate for Esaki Tunnel Diode." Materials Science Forum 1055 (March 4, 2022): 1–6. http://dx.doi.org/10.4028/p-y19917.
Повний текст джерелаZhang, Guoqiang, Masato Takiguchi, Kouta Tateno, Takehiko Tawara, Masaya Notomi, and Hideki Gotoh. "Telecom-band lasing in single InP/InAs heterostructure nanowires at room temperature." Science Advances 5, no. 2 (February 2019): eaat8896. http://dx.doi.org/10.1126/sciadv.aat8896.
Повний текст джерелаShwartz, Nataliya L., Alla G. Nastovjak, and Igor G. Neizvestny. "Peculiarities of axial and radial Ge–Si heterojunction formation in nanowires: Monte Carlo simulation." Pure and Applied Chemistry 84, no. 12 (May 27, 2012): 2619–28. http://dx.doi.org/10.1351/pac-con-11-12-05.
Повний текст джерелаJohar, Muhammad Ali, Hyun-Gyu Song, Aadil Waseem, Jin-Ho Kang, Jun-Seok Ha, Yong-Hoon Cho, and Sang-Wan Ryu. "Ultrafast carrier dynamics of conformally grown semi-polar (112̄2) GaN/InGaN multiple quantum well co-axial nanowires on m-axial GaN core nanowires." Nanoscale 11, no. 22 (2019): 10932–43. http://dx.doi.org/10.1039/c9nr02823d.
Повний текст джерелаWen, C. Y., M. C. Reuter, J. Bruley, J. Tersoff, S. Kodambaka, E. A. Stach, and F. M. Ross. "Formation of Compositionally Abrupt Axial Heterojunctions in Silicon-Germanium Nanowires." Science 326, no. 5957 (November 26, 2009): 1247–50. http://dx.doi.org/10.1126/science.1178606.
Повний текст джерелаCornet, D. M., and R. R. LaPierre. "InGaAs/InP core–shell and axial heterostructure nanowires." Nanotechnology 18, no. 38 (August 31, 2007): 385305. http://dx.doi.org/10.1088/0957-4484/18/38/385305.
Повний текст джерелаThuong, Nguyen Thi, Nguyen Viet Minh, Nguyen Ngoc Tuan, and Vu Ngoc Tuoc. "Density Functional Based Tight Binding Study on Wurzite Core-Shell Nanowires Heterostructures Zno/Zns." Communications in Physics 21, no. 3 (September 19, 2011): 225. http://dx.doi.org/10.15625/0868-3166/21/3/172.
Повний текст джерелаSheehan, Martin, Quentin M. Ramasse, Hugh Geaney, and Kevin M. Ryan. "Linear heterostructured Ni2Si/Si nanowires with abrupt interfaces synthesised in solution." Nanoscale 10, no. 40 (2018): 19182–87. http://dx.doi.org/10.1039/c8nr05388j.
Повний текст джерелаДисертації з теми "Axial heterostructure nanowires"
Periwal, Priyanka. "VLS growth and characterization of axial Si-SiGe heterostructured nanowire for tunnel field effect transistors." Thesis, Grenoble, 2014. http://www.theses.fr/2014GRENT045.
Повний текст джерелаAfter more than 30 years of successful scaling of MOSFET for increasing the performance and packing density, several limitations to further performance enhancements are now arising, power dissipation is one of the most important one. As scaling continues, there is a need to develop alternative devices with subthreshold slope below 60 mV/decade. In particular, tunnel field effect transistors, where the carriers are injected by quantum band to band tunneling mechanism can be promising candidate for low-power design. But, such devices require the implementation of peculiar architectures like axial heterostructured nanowires with abrupt interface. Using Au catalyzed vapor-liquid-solid synthesis of nanowires, reservoir effect restrains the formation of sharp junctions. In this context, this thesis addresses the growth of axial Si and Si1-xGex heterostructured nanowire with controlled interfacial abruptness and controlled doping using Au catalyzed VLS growth by RP-CVD. Firstly, we identify the growth conditions to realize sharp Si/Si1-xGex and Si1-xGex/Si interfacial abruptness. The two heterointerfaces are always asymmetric irrespective of the Ge concentration or nanowire diameter or growth conditions. Secondly, we study the problematics involved by the addition of dopant atoms and focus on the different approaches to realize taper free NWs. We discuss the influence of growth parameters (gas fluxes (Si or Ge), dopant ratio and pressure) on NW morphology and carrier concentration. With our growth process, we could successfully grow p-I, n-I, p-n, p-i-n type junctions in NWs. Thirdly, we present scanning probe microscopy to be a potential tool to delineate doped and hetero junctions in these as-grown nanowires. Finally, we will integrate the p-i-n junction in the NW in omega gate configuration
Tauchnitz, Tina [Verfasser], Gianaurelio [Gutachter] Cuniberti, Manfred [Gutachter] Helm, and Henning [Gutachter] Riechert. "Novel Methods for Controlled Self-Catalyzed Growth of GaAs Nanowires and GaAs/AlxGa1-xAs Axial Nanowire Heterostructures on Si Substrates by Molecular Beam Epitaxy / Tina Tauchnitz ; Gutachter: Gianaurelio Cuniberti, Manfred Helm, Henning Riechert." Dresden : Helmholtz-Zentrum Dresden-Rossendorf, 2020. http://d-nb.info/1227833652/34.
Повний текст джерелаWolfsteller, Andreas [Verfasser], Hartmut S. [Akademischer Betreuer] Leipner, i. Morral Anna [Akademischer Betreuer] Fontcuberta, and Margit [Akademischer Betreuer] Zacharias. "Comparison of the top-down and bottom-up approach to fabricate axial nanowire-based Silicon, Germanium heterostructures / Andreas Wolfsteller. Betreuer: Hartmut S. Leipner ; Anna Fontcuberta i Morral ; Margit Zacharias." Halle, Saale : Universitäts- und Landesbibliothek Sachsen-Anhalt, 2010. http://d-nb.info/1024976106/34.
Повний текст джерела"Nanowire Synthesis and Characterization: Erbium Chloride Silicate and Two Segment CdS-CdSe Nanowires and Belts." Master's thesis, 2012. http://hdl.handle.net/2286/R.I.14579.
Повний текст джерелаDissertation/Thesis
M.S. Electrical Engineering 2012
Tauchnitz, Tina. "Novel Methods for Controlled Self-Catalyzed Growth of GaAs Nanowires and GaAs/AlxGa1-xAs Axial Nanowire Heterostructures on Si Substrates by Molecular Beam Epitaxy." 2019. https://tud.qucosa.de/id/qucosa%3A38708.
Повний текст джерелаGaAs-basierte Nanodrähte sind attraktive Bausteine für die Entwicklung von zukünftigen (opto)elektronischen Bauelementen dank ihrer exzellenten intrinsischen Materialeigenschaften wie zum Beispiel die direkte Bandlücke und die hohe Elektronenbeweglichkeit. Eine Voraussetzung für die Realisierung neuer Funktionalitäten auf einem einzelnen Si Chip ist die monolithische Integration der Nanodrähte auf der etablierten Si-Metall-Oxid-Halbleiter-Plattform (CMOS) mit präziser Kontrolle des Wachstumsprozesses der Nanodrähte. Das selbstkatalytische (Ga-unterstützte) Wachstum von GaAs Nanodrähten auf Si(111)-Substrat mittels Molekularstrahlepitaxie bietet die Möglichkeit vertikale Nanodrähte mit vorwiegend Zinkblende-Struktur herzustellen, während die potentielle Verunreinigung der Nanodrähte und des Substrats durch externe Katalysatoren wie Au vermieden wird. Obwohl der Wachstumsmechanismus gut verstanden ist, erweist sich die Kontrolle der Nukleationsphase, Anzahldichte und Kristallstruktur der Nanodrähte als sehr schwierig. Darüber hinaus sind relativ hohe Temperaturen im Bereich von 560-630 °C in konventionellen Wachstumsprozessen notwendig, die deren Anwendung auf der industriellen Si Plattform begrenzen. Die vorliegende Arbeit liefert zwei originelle Methoden um die bestehenden Herausforderungen in konventionellen Wachstumsprozessen zu bewältigen. Im ersten Teil dieser Arbeit wurde eine einfache Prozedur, bezeichnet als surface modification procedure (SMP), für die in situ Vorbehandlung von nativem-SiOx/Si(111)-Substrat entwickelt. Die Substratvorbehandlung mit Ga-Tröpfchen und zwei Hochtemperaturschritten vor dem Wachstumsprozess ermöglicht eine synchronisierte Nukleation aller Nanodrähte auf ihrem Substrat und folglich das Wachstum von sehr gleichförmigen GaAs Nanodraht-Ensembles mit einer sub-Poisson Verteilung der Nanodrahtlängen. Des Weiteren kann die Anzahldichte der Nanodrähte unabhängig von deren Abmessungen und ohne ex situ Vorstrukturierung des Substrats über drei Größenordnungen eingestellt werden. Diese Arbeit liefert außerdem ein grundlegendes Verständnis zur Nukleationskinetik von Ga-Tröpfchen auf nativem-SiOx und deren Wechselwirkung mit SiOx und bestätigt theoretische Voraussagen zum sogenannten Nukleations-Antibunching, dem Auftreten einer zeitlichen Anti-Korrelation aufeinanderfolgender Nukleationsereignisse. Im zweiten Teil dieser Arbeit wurde eine alternative Methode, bezeichnet als droplet-confined alternate-pulsed epitaxy (DCAPE), für das selbstkatalytische Wachstum von GaAs Nanodrähten und GaAs/AlxGa1-xAs axialen Nanodraht-Heterostrukturen entwickelt. DCAPE ermöglicht das Nanodrahtwachstum bei unkonventionell geringeren Temperaturen im Bereich von 450-550 °C und ist vollständig kompatibel mit der Standard-Si-CMOS-Plattform. Der neue Wachstumsansatz erlaubt eine präzise Kontrolle der Kristallstruktur der Nanodrähte und folglich das Wachstum von defektfreien Nanodrähten mit phasenreiner Zinkblende-Struktur. Die Stärke der DCAPE Methode wird des Weiteren durch das kontrollierte Wachstum von GaAs/AlxGa1-xAs axialen Quantentopf-Nanodrähten mit abrupten Grenzflächen und einstellbarer Dicke und Al-Anteil der AlxGa1-xAs-Segmente aufgezeigt. Die GaAs/AlxGa1-xAs axialen Nanodraht-Heterostrukturen sind interessant für den Einsatz als Einzelphotonen-Emitter mit einstellbarer Emissionswellenlänge, wenn diese mit gitterfehlangepassten InxAl1-xAs-Schichten in einer Kern-Hülle-Konfiguration überwachsen werden. Alle Ergebnisse dieser Arbeit tragen dazu bei, den Weg für eine erfolgreiche monolithische Integration von sehr gleichförmigen GaAs-basierten Nanodrähten mit kontrollierbarer Anzahldichte, Abmessungen und Kristallstruktur auf der industriell etablierten Si-Plattform zu ebnen.
Tauchnitz, Tina. "Novel Methods for Controlled Self-Catalyzed Growth of GaAs Nanowires and GaAs/AlxGa1-xAs Axial Nanowire Heterostructures on Si Substrates by Molecular Beam Epitaxy." 2020. https://hzdr.qucosa.de/id/qucosa%3A38028.
Повний текст джерелаWu, Yen-Ting, and 吳彥廷. "Growth of Nickel Silicide/Platinum Silicide Axial Nanowire Heterostructures through Solid-State Reactions." Thesis, 2015. http://ndltd.ncl.edu.tw/handle/15392745652361894255.
Повний текст джерела國立交通大學
材料科學與工程學系所
104
Transition metal silicide nanowires (NWs) have attracted increasing attention as they possess both advantages of silicon nanowires and transition metals. Over the past years, there are only reports with efforts on one silicide in single silicon nanowire. However, the research about two or more silicides in single silicon is still rare. In this thesis, we successfully fabricated θ-Ni2Si/Si/β-Pt2Si, θ-Ni2Si/β-Pt2Si and Ni,Pt,Si ternary phase axial nanowire heterostructures through solid-state reactions at 650 ℃. The growth mechanism and diffusion behavior of silicide nanowire heterostructures were studied by in-situ transmission electron microscope. Spherical aberration corrected scanning transmission electron microscope was used to analyze the phase structure and composition of silicide nanowire heterostructures. Moreover, electrical and photon sensing properties for the silicide nanowire heterostructures were investigated. We found that Ni,Pt,Si ternary phase nanowire heterostructures have excellent infrared light sensing property which is absent in bulk Ni2Si or Pt2Si. The above results would benefit the further understanding in heterostructured nano materials.
Частини книг з теми "Axial heterostructure nanowires"
Gott, James A. "Interfaces in Nanowire Axial Heterostructures." In Springer Theses, 123–40. Cham: Springer International Publishing, 2022. http://dx.doi.org/10.1007/978-3-030-94062-1_5.
Повний текст джерелаPaulsamy, Chinnamuthu, Pheiroijam Pooja, and Heigrujam Manas Singh. "Synthesis of Nanowire Using Glancing Angle Deposition and Their Applications." In Nanowires - Recent Progress [Working Title]. IntechOpen, 2020. http://dx.doi.org/10.5772/intechopen.94012.
Повний текст джерелаТези доповідей конференцій з теми "Axial heterostructure nanowires"
Koryakin, A. A., and V. G. Dubrovskii. "Axial heterostructure formation in GaInP nanowires." In 2020 International Conference Laser Optics (ICLO). IEEE, 2020. http://dx.doi.org/10.1109/iclo48556.2020.9285852.
Повний текст джерелаZhou, Kun, Xia Zhang, Xin Yan, Xiaolong Lv, Junshuai Li, Xiaomin Ren, and Yongqing Huang. "VLS growth of GaAs/InGaAs/GaAs axial double-heterostructure nanowires." In International Conference on Optical Instruments and Technology (OIT2011), edited by Larry Weber, Hoi S. Kwok, Yanbing Hou, Lianxiang Yang, Chongxiu Yu, Fengzhou Fang, Albert Weckenmann, Ji Zhao, Peter Zeppenfeld, and Jack Luo. SPIE, 2011. http://dx.doi.org/10.1117/12.921312.
Повний текст джерелаGeng, Hui, Xin Yan, Xia Zhang, Junshuai Li, Yongqing Huang, and Xiaomin Ren. "Critical Dimensions for Axial Double Heterostructure Nanowires Using Finite-Element Method." In Asia Communications and Photonics Conference. Washington, D.C.: OSA, 2012. http://dx.doi.org/10.1364/acp.2012.af4a.7.
Повний текст джерелаGeng, Hui, Xin Yan, Xia Zhang, Yongqing Huang, and Xiaomin Ren. "Critical Dimensions for Axial Double Heterostructure Nanowires Using Finite-Element Method." In Asia Communications and Photonics Conference. Washington, D.C.: OSA, 2012. http://dx.doi.org/10.1364/acpc.2012.af4a.7.
Повний текст джерелаLecestre, A., N. Mallet, M. Martin, T. Baron, and G. Larrieu. "Fabrication of GaAs nanowires and GaAs-Si axial heterostructure nanowires on Si (100) substrate for new applications." In 2016 IEEE Nanotechnology Materials and Devices Conference (NMDC). IEEE, 2016. http://dx.doi.org/10.1109/nmdc.2016.7777150.
Повний текст джерелаLv, Xiaolong. "Growth and characterization of GaAs/InxGa1-xAs/GaAs axial heterostructure nanowires by MOCVD." In Asia Communications and Photonics Conference. Washington, D.C.: OSA, 2012. http://dx.doi.org/10.1364/acp.2012.af4b.41.
Повний текст джерелаLv, Xiaolong, Xia Zhang, Xin Yan, Jiangong Cui, Junshuai Li, Yongqing Huang, and Xiaomin Ren. "Growth and characterization of GaAs/InxGa1-xAs/GaAs axial heterostructure nanowires by MOCVD." In Asia Communications and Photonics Conference. Washington, D.C.: OSA, 2012. http://dx.doi.org/10.1364/acpc.2012.af4b.41.
Повний текст джерелаJoyce, H. J., Y. Kim, Q. Gao, H. H. Tan, and C. Jagadish. "Structural and Optical Properties of Axial and Radial Heterostructure Ill-V Nanowires Grown by Metalorganic Chemical Vapour Deposition." In 2006 Sixth IEEE Conference on Nanotechnology. IEEE, 2006. http://dx.doi.org/10.1109/nano.2006.247753.
Повний текст джерелаCao, B. Q., X. L. Hu, H. M. Wei, and H. Y. Xu. "Radial and axial nanowire heterostructures grown with ZnO nanowires as templates." In 2010 IEEE Region 10 Conference (TENCON 2010). IEEE, 2010. http://dx.doi.org/10.1109/tencon.2010.5686470.
Повний текст джерелаKoryakin, A. A., V. Zannier, F. Rossi, D. Ercolani, S. Battiato, L. Sorba, and V. G. Dubrovskii. "Modeling the comosition of ternary III-V nanowires and axial nanowire heterostructures." In 2018 International Conference Laser Optics (ICLO). IEEE, 2018. http://dx.doi.org/10.1109/lo.2018.8435585.
Повний текст джерела