Статті в журналах з теми "AlN/Si (111)"
Оформте джерело за APA, MLA, Chicago, Harvard та іншими стилями
Ознайомтеся з топ-50 статей у журналах для дослідження на тему "AlN/Si (111)".
Біля кожної праці в переліку літератури доступна кнопка «Додати до бібліографії». Скористайтеся нею – і ми автоматично оформимо бібліографічне посилання на обрану працю в потрібному вам стилі цитування: APA, MLA, «Гарвард», «Чикаго», «Ванкувер» тощо.
Також ви можете завантажити повний текст наукової публікації у форматі «.pdf» та прочитати онлайн анотацію до роботи, якщо відповідні параметри наявні в метаданих.
Переглядайте статті в журналах для різних дисциплін та оформлюйте правильно вашу бібліографію.
Бессолов, В. Н., Е. В. Коненкова, T. А. Орлова та С. Н. Родин. "Начальные стадии роста полуполярного AlN на наноструктурированной Si(100) подложке". Физика и техника полупроводников 55, № 10 (2021): 908. http://dx.doi.org/10.21883/ftp.2021.10.51442.41.
Повний текст джерелаKoryakin, Alexander A., Sergey A. Kukushkin, Andrey V. Osipov, Shukrillo Sh Sharofidinov, and Mikhail P. Shcheglov. "Growth Mechanism of Semipolar AlN Layers by HVPE on Hybrid SiC/Si(110) Substrates." Materials 15, no. 18 (September 6, 2022): 6202. http://dx.doi.org/10.3390/ma15186202.
Повний текст джерелаIsshiki, Toshiyuki, Koji Nishio, Yoshihisa Abe, Jun Komiyama, Shunichi Suzuki, and Hideo Nakanishi. "HRTEM Analysis of AlN Layer Grown on 3C-SiC/Si Heteroepitaxial Substrates with Various Surface Orientations." Materials Science Forum 600-603 (September 2008): 1317–20. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.600-603.1317.
Повний текст джерелаPortail, Marc, Eric Frayssinet, Adrien Michon, Stéphanie Rennesson, Fabrice Semond, Aimeric Courville, Marcin Zielinski, et al. "CVD Elaboration of 3C-SiC on AlN/Si Heterostructures: Structural Trends and Evolution during Growth." Crystals 12, no. 11 (November 10, 2022): 1605. http://dx.doi.org/10.3390/cryst12111605.
Повний текст джерелаRiah, Badis, Julien Camus, Abdelhak Ayad, Mohammad Rammal, Raouia Zernadji, Nadjet Rouag, and Mohamed Abdou Djouadi. "Hetero-Epitaxial Growth of AlN Deposited by DC Magnetron Sputtering on Si(111) Using a AlN Buffer Layer." Coatings 11, no. 9 (September 3, 2021): 1063. http://dx.doi.org/10.3390/coatings11091063.
Повний текст джерелаZhao, Qiang, Michael Lukitsch, Jie Xu, Gregory Auner, Ratna Niak, and Pao-Kuang Kuo. "Development of Wide Bandgap Semiconductor Photonic Device Structures by Excimer Laser Micromachining." MRS Internet Journal of Nitride Semiconductor Research 5, S1 (2000): 852–58. http://dx.doi.org/10.1557/s1092578300005172.
Повний текст джерелаShubina, K. Yu, D. V. Mokhov, T. N. Berezovskaya, E. V. Pirogov, A. V. Nashchekin, Sh Sh Sharofidinov, and A. M. Mizerov. "Separation of AlN layers from silicon substrates by KOH etching." Journal of Physics: Conference Series 2086, no. 1 (December 1, 2021): 012037. http://dx.doi.org/10.1088/1742-6596/2086/1/012037.
Повний текст джерелаКукушкин, С. А., А. В. Осипов, В. Н. Бессолов, Е. В. Коненкова та В. Н. Пантелеев. "Остановка и разворот дислокаций несоответствия при росте нитрида галлия на подложках SiC/Si". Физика твердого тела 59, № 4 (2017): 660. http://dx.doi.org/10.21883/ftt.2017.04.44266.287.
Повний текст джерелаDagher, Roy, Rami Khazaka, Stephane Vézian, Monique Teissiere, Adrien Michon, Marcin Zielinski, Thierry Chassagne, Yvon Cordier, and Marc Portail. "Structural Investigation of Si Quantum Dots Grown by CVD on AlN/Si(111) and 3C-SiC/Si(100) Epilayers." Materials Science Forum 821-823 (June 2015): 1003–6. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.821-823.1003.
Повний текст джерелаGoswami, Ramasis, Syed Qadri, Neeraj Nepal, and Charles Eddy. "Microstructure and Interfaces of Ultra-Thin Epitaxial AlN Films Grown by Plasma-Enhanced Atomic Layer Deposition at Relatively Low Temperatures." Coatings 11, no. 4 (April 20, 2021): 482. http://dx.doi.org/10.3390/coatings11040482.
Повний текст джерелаSeppänen, Heli, Iurii Kim, Jarkko Etula, Evgeniy Ubyivovk, Alexei Bouravleuv, and Harri Lipsanen. "Aluminum Nitride Transition Layer for Power Electronics Applications Grown by Plasma-Enhanced Atomic Layer Deposition." Materials 12, no. 3 (January 28, 2019): 406. http://dx.doi.org/10.3390/ma12030406.
Повний текст джерелаФедотов, С. Д., А. В. Бабаев, В. Н. Стаценко, К. А. Царик та В. К. Неволин. "ФОРМИРОВАНИЕ ПЕРЕХОДНОГО СЛОЯ ALN НА ТЕМПЛЕЙТАХ 3С-SIC/SI(111) МЕТОДОМ АММИАЧНОЙ МОЛЕКУЛЯРНО-ЛУЧЕВОЙ ЭПИТАКСИИ". NANOINDUSTRY Russia 96, № 3s (15 травня 2020): 148–53. http://dx.doi.org/10.22184/1993-8578.2020.13.3s.148.153.
Повний текст джерелаRehder, Eric, M. Zhou, L. Zhang, N. R. Perkins, S. E. Babcock, and T. F. Kuech. "Structure of AlN on Si (111) Deposited with Metal Organic Vapor Phase Epitaxy." MRS Internet Journal of Nitride Semiconductor Research 4, S1 (1999): 322–26. http://dx.doi.org/10.1557/s1092578300002660.
Повний текст джерелаCHUAH, L. S., Z. HASSAN, and H. ABU HASSAN. "PREFERENTIAL ORIENTATION GROWTH OF AlN THIN FILMS ON Si(111) SUBSTRATES BY PLASMA-ASSISTED MOLECULAR BEAM EPITAXY." Surface Review and Letters 16, no. 06 (December 2009): 925–28. http://dx.doi.org/10.1142/s0218625x09013499.
Повний текст джерелаZhao, Yong Mei, Guo Sheng Sun, Xing Fang Liu, Jia Ye Li, Wan Shun Zhao, L. Wang, Jin Min Li, and Yi Ping Zeng. "Heteroepitaxial Growth of 3C-SiC on Si (111) Substrate Using AlN as a Buffer Layer." Materials Science Forum 600-603 (September 2008): 251–54. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.600-603.251.
Повний текст джерелаWANG, HONG-HAI. "PROPERTIES AND PREPARATION OF AlN THIN FILMS BY REACTIVE LASER ABLATION WITH NITROGEN DISCHARGE." Modern Physics Letters B 14, no. 14 (June 20, 2000): 523–30. http://dx.doi.org/10.1142/s0217984900000689.
Повний текст джерелаFollstaedt, D. M., J. Han, P. Provencio, and J. G. Fleming. "Microstructure of GaN Grown on (111) Si by MOCVD." MRS Internet Journal of Nitride Semiconductor Research 4, S1 (1999): 397–402. http://dx.doi.org/10.1557/s1092578300002787.
Повний текст джерелаHuang, Yingnan, Jianxun Liu, Xiujian Sun, Xiaoning Zhan, Qian Sun, Hongwei Gao, Meixin Feng, Yu Zhou, and Hui Yang. "High-Quality AlN Grown on Si(111) Substrate by Epitaxial Lateral Overgrowth." Crystals 13, no. 3 (March 5, 2023): 454. http://dx.doi.org/10.3390/cryst13030454.
Повний текст джерелаYang, J., X. Q. Jiao, R. Zhang, H. Zhong, Y. Shi, and B. Du. "Growth of Highly C-Axis Oriented AlN Films at Water Cooling Condition." Advanced Materials Research 718-720 (July 2013): 20–24. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/amr.718-720.20.
Повний текст джерелаLiu, R., F. A. Ponce, A. Dadgar, and A. Krost. "Atomic arrangement at the AlN/Si (111) interface." Applied Physics Letters 83, no. 5 (August 4, 2003): 860–62. http://dx.doi.org/10.1063/1.1597749.
Повний текст джерелаPlacidi, M., J. C. Moreno, P. Godignon, N. Mestres, E. Frayssinet, F. Semond, and C. Serre. "Highly sensitive strained AlN on Si(111) resonators." Sensors and Actuators A: Physical 150, no. 1 (March 2009): 64–68. http://dx.doi.org/10.1016/j.sna.2008.12.005.
Повний текст джерелаOuisse, Thierry, H. P. D. Schenk, S. Karmann, and Ute Kaiser. "Electrical Characterization of the AlN/Si(111) System." Materials Science Forum 264-268 (February 1998): 1389–92. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.264-268.1389.
Повний текст джерелаDai, Yiquan, Shuiming Li, Qian Sun, Qing Peng, Chengqun Gui, Yu Zhou, and Sheng Liu. "Properties of AlN film grown on Si (111)." Journal of Crystal Growth 435 (February 2016): 76–83. http://dx.doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2015.11.016.
Повний текст джерелаCHUAH, L. S., Z. HASSAN, and H. ABU HASSAN. "INFLUENCE OF Al MONOLAYERS ON THE PROPERTIES OF AlN LAYERS ON Si (111)." Surface Review and Letters 16, no. 01 (February 2009): 99–103. http://dx.doi.org/10.1142/s0218625x09012354.
Повний текст джерелаTiwari, Ashutosh, M. Park, C. Jin, H. Wang, D. Kumar, and J. Narayan. "Epitaxial growth of ZnO films on Si(111)." Journal of Materials Research 17, no. 10 (October 2002): 2480–83. http://dx.doi.org/10.1557/jmr.2002.0361.
Повний текст джерелаLi, Yuan, Wenliang Wang, Xiaochan Li, Liegen Huang, Yulin Zheng, Xiwu Chen, and Guoqiang Li. "Nucleation layer design for growth of a high-quality AlN epitaxial film on a Si(111) substrate." CrystEngComm 20, no. 11 (2018): 1483–90. http://dx.doi.org/10.1039/c7ce02126g.
Повний текст джерелаYamabe, N., H. Shimomura, T. Shimamura та T. Ohachi. "Nitridation of Si(111) for growth of 2H-AlN(0001)/β-Si3N4 /Si(111) structure". Journal of Crystal Growth 311, № 10 (травень 2009): 3049–53. http://dx.doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2009.01.076.
Повний текст джерелаYang, Yibin, Lingxia Zhang, and Yu Zhao. "Light Output Enhancement of GaN-Based Light-Emitting Diodes Based on AlN/GaN Distributed Bragg Reflectors Grown on Si (111) Substrates." Crystals 10, no. 9 (September 1, 2020): 772. http://dx.doi.org/10.3390/cryst10090772.
Повний текст джерелаМизеров, А. М., С. А. Кукушкин, Ш. Ш. Шарофидинов, А. В. Осипов, С. Н. Тимошнев, К. Ю. Шубина, Т. Н. Березовская, Д. В. Мохов та А. Д. Буравлев. "Метод управления полярностью слоев GaN при эпитаксиальном синтезе GaN/AlN гетероструктур на гибридных подложках SiC/Si". Физика твердого тела 61, № 12 (2019): 2289. http://dx.doi.org/10.21883/ftt.2019.12.48535.06ks.
Повний текст джерелаRadtke, G., M. Couillard, G. A. Botton, D. Zhu, and C. J. Humphreys. "Structure and chemistry of the Si(111)/AlN interface." Applied Physics Letters 100, no. 1 (January 2, 2012): 011910. http://dx.doi.org/10.1063/1.3674984.
Повний текст джерелаKing, Sean W., Robert J. Nemanich, and Robert F. Davis. "Band alignment at AlN/Si (111) and (001) interfaces." Journal of Applied Physics 118, no. 4 (July 28, 2015): 045304. http://dx.doi.org/10.1063/1.4927515.
Повний текст джерелаLebedev, Vadim, Bernd Schröter, Gela Kipshidze, and Wolfgang Richter. "The polarity of AlN films grown on Si(111)." Journal of Crystal Growth 207, no. 4 (December 1999): 266–72. http://dx.doi.org/10.1016/s0022-0248(99)00375-9.
Повний текст джерелаMohd Yusoff, M. Z., A. Mahyuddin, Z. Hassan, Y. Yusof, M. A. Ahmad, C. W. Chin, H. Abu Hassan, and M. J. Abdullah. "Plasma-assisted MBE growth of AlN/GaN/AlN heterostructures on Si (111) substrate." Superlattices and Microstructures 60 (August 2013): 500–507. http://dx.doi.org/10.1016/j.spmi.2013.05.034.
Повний текст джерелаSánchez, A. M., F. J. Pacheco, S. I. Molina, P. Ruterana, F. Calle, T. A. Palacios, M. A. Sánchez-Garcı́a, E. Calleja, and R. Garcı́a. "AlN buffer layer thickness influence on inversion domains in GaN/AlN/Si(111)." Materials Science and Engineering: B 93, no. 1-3 (May 2002): 181–84. http://dx.doi.org/10.1016/s0921-5107(02)00030-2.
Повний текст джерелаБессолов, В. Н., Е. В. Гущина, Е. В. Коненкова, С. Д. Коненков, Т. В. Львова, В. Н. Пантелеев та М. П. Щеглов. "Синтез гексагональных слоев AlN и GaN на Si(100)-подложке методом хлоридной газофазной эпитаксии". Журнал технической физики 89, № 4 (2019): 574. http://dx.doi.org/10.21883/jtf.2019.04.47315.152-18.
Повний текст джерелаFan, Shu, Le Yu, Xiao Long He, Ping Han, Cai Chuan Wu, Jing Ping Dai, Xue Fei Li, et al. "Surface Morphology of AlN Nucleation Layer Grown on Si by MOCVD." Advanced Materials Research 1120-1121 (July 2015): 391–95. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/amr.1120-1121.391.
Повний текст джерелаБессолов, В. Н., Е. В. Коненкова та В. Н. Пантелеев. "Пластическая релаксация напряженного полуполярного AlN(10(1)1) слоя, синтезированного на наноструктурированной Si(100) подложке". Журнал технической физики 90, № 12 (2020): 2123. http://dx.doi.org/10.21883/jtf.2020.12.50130.98-20.
Повний текст джерелаZHAO, YONGMEI, GUOSHENG SUN, XINGFANG LIU, JIAYE LI, WANSHUN ZHAO, LEI WANG, MUCHANG LUO, and JINMIN LI. "PREFERENTIAL ORIENTATION GROWTH OF AlN THIN FILMS ON Si (111) SUBSTRATES BY LP-MOCVD." Modern Physics Letters B 21, no. 22 (September 20, 2007): 1437–45. http://dx.doi.org/10.1142/s0217984907013791.
Повний текст джерелаLiu, Sanjie, Yangfeng Li, Jiayou Tao, Ruifan Tang, and Xinhe Zheng. "Structural, Surface, and Optical Properties of AlN Thin Films Grown on Different Substrates by PEALD." Crystals 13, no. 6 (June 3, 2023): 910. http://dx.doi.org/10.3390/cryst13060910.
Повний текст джерелаLIU, HONG-YU, XUE-MING MA, and WANG-ZHOU SHI. "INFLUENCE OF SUBSTRATE TEMPERATURE ON TRANSFORMATION OF PREFERRED ORIENTATIONS IN AlN FILMS." Modern Physics Letters B 19, no. 30 (December 30, 2005): 1775–82. http://dx.doi.org/10.1142/s0217984905010384.
Повний текст джерелаCHUAH, L. S., Z. HASSAN, and H. ABU HASSAN. "ELECTRICAL RESISTANCE OF CRACK-FREE GaN/AlN HETEROSTRUCTURE GROWN ON Si(111)." Journal of Nonlinear Optical Physics & Materials 17, no. 03 (September 2008): 299–304. http://dx.doi.org/10.1142/s021886350800424x.
Повний текст джерелаChaaben, N., J. Yahyaoui, M. Christophersen, T. Boufaden, and B. El Jani. "Morphological properties of AlN and GaN grown by MOVPE on porous Si(111) and Si(111) substrates." Superlattices and Microstructures 40, no. 4-6 (October 2006): 483–89. http://dx.doi.org/10.1016/j.spmi.2006.09.022.
Повний текст джерелаБессолов, В. Н., Н. Д. Грузинов, М. Е. Компан, Е. В. Коненкова, В. Н. Пантелеев, С. Н. Родин та М. П. Щеглов. "Газофазная эпитаксия слоев AlN на темплейте AlN/Si(111), синтезированном методом реактивного магнетронного распыления". Письма в журнал технической физики 46, № 8 (2020): 29. http://dx.doi.org/10.21883/pjtf.2020.08.49305.18215.
Повний текст джерелаCheng, Yana, and Roderic Beresford. "Growth of AlN/SiC/AlN quantum wells on Si(111) by molecular beam epitaxy." Applied Physics Letters 100, no. 23 (June 4, 2012): 232112. http://dx.doi.org/10.1063/1.4728119.
Повний текст джерелаNikishin, Sergey A., Nikolai N. Faleev, Vladimir G. Antipov, Sebastien Francoeur, Luis Grave de Peralta, George A. Seryogin, Mark Holtz, et al. "High Quality AlN and GaN Grown on Si(111) by Gas Source Molecular Beam Epitaxy with Ammonia." MRS Internet Journal of Nitride Semiconductor Research 5, S1 (2000): 467–73. http://dx.doi.org/10.1557/s1092578300004658.
Повний текст джерелаDavis, Robert F., T. Gehrke, K. J. Linthicum, T. S. Zheleva, P. Rajagopal, C. A. Zorman, and M. Mehregany. "Pendeo-epitaxial Growth and Characterization of GaN and related Materials on 6H-SiC(0001) and Si(111) Substrates." MRS Internet Journal of Nitride Semiconductor Research 5, S1 (2000): 49–61. http://dx.doi.org/10.1557/s1092578300004075.
Повний текст джерелаMahyuddin, A., A. Azrina, M. Z. Mohd Yusoff, and Z. Hassan. "Fabrication and characterization of AlN metal–insulator–semiconductor grown Si substrate." Modern Physics Letters B 31, no. 33 (November 27, 2017): 1750313. http://dx.doi.org/10.1142/s0217984917503134.
Повний текст джерелаZhou Chun-Hong, Zheng You-Dou, Deng Yong-Zhen, Kong Yue-Chan, Chen Peng, Xi Dong-Juan, Gu Shu-Lin, et al. "Study of interface trap states of AlN-Si(111) heterostructure." Acta Physica Sinica 53, no. 11 (2004): 3888. http://dx.doi.org/10.7498/aps.53.3888.
Повний текст джерелаKang, H. C., and D. Y. Noh. "Interfacial structure of oxidized AlN(0002)∕Si(111) thin film." Journal of Applied Physics 98, no. 4 (August 15, 2005): 044908. http://dx.doi.org/10.1063/1.2009818.
Повний текст джерелаLitvinov, D., D. Gerthsen, R. Vöhringer, D. Z. Hu, and D. M. Schaadt. "Transmission electron microscopy investigation of AlN growth on Si(111)." Journal of Crystal Growth 338, no. 1 (January 2012): 283–90. http://dx.doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2011.11.038.
Повний текст джерела