Книги з теми "Active semiconductors"

Щоб переглянути інші типи публікацій з цієї теми, перейдіть за посиланням: Active semiconductors.

Оформте джерело за APA, MLA, Chicago, Harvard та іншими стилями

Оберіть тип джерела:

Ознайомтеся з топ-23 книг для дослідження на тему "Active semiconductors".

Біля кожної праці в переліку літератури доступна кнопка «Додати до бібліографії». Скористайтеся нею – і ми автоматично оформимо бібліографічне посилання на обрану працю в потрібному вам стилі цитування: APA, MLA, «Гарвард», «Чикаго», «Ванкувер» тощо.

Також ви можете завантажити повний текст наукової публікації у форматі «.pdf» та прочитати онлайн анотацію до роботи, якщо відповідні параметри наявні в метаданих.

Переглядайте книги для різних дисциплін та оформлюйте правильно вашу бібліографію.

1

Mitchell, W. S. E. Compendium of active devices. London: Institution of Electrical and Electronic Incorporated Engineers, 1987.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
2

Yuan, Fei. CMOS active inductors and transformers: Principle, implementation, and applications. New York: Springer, 2008.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
3

Fistulʹ, V. I. Amfoternye primesi v poluprovodnikakh. Moskva: "Metallurgii͡a︡", 1992.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
4

Workshop on Radiation-Induced and/or Process-Related Electrically Active Defects in Semiconductor-Insulator Systems (2nd 1989 Microelectronics Center of North Carolina). Proceedings from the Second Workshop on Radiation-Induced and/or Process-Related Electrically Active Defects in Semiconductor Systems. Edited by Reisman A, Microelectronics Center of North Carolina., North Carolina State University, and University of North Carolina at Charlotte. Research Triangle Park, NC: MCNC, 1989.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
5

W, E. Heraeus Seminar (157th 1996 Bad Honnef Germany). Self-organization in activator-inhibitor-systems: Semiconductors, gas-discharge and chemical active media : contributions to the 157th WE-Heraeus-Seminar, March 4-6, 1996. Berlin: Wissenschaft und technik Verlag, 1996.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
6

Inc, Siborg Systems, ed. Semiconductor devices explained: Using active simulation. Chichester [England]: J. Wiley, 1999.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
7

Gorelikov, Ivan. Hybrid plymer-semiconductor materials optically active in Vis-NIR region. Ottawa: National Library of Canada, 2003.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
8

Integrated Photonics Research Topical Meeting. (1991 Monterey, Calif.). Integrated photonics research: Summaries of papers presented at the Integrated Photonics Research Topical Meeting, April 9-11, 1991, Monterey, California ; including Workshop on Active and Passive Fiber Components. Washington, D.C: Optical Society of America, 1991.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
9

Optically Active Charge Traps And Chemical Defects In Semiconducting. Springer International Publishing AG, 2013.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
10

Rhodes, R. G., and Heinz K. Henisch. Imperfections and Active Centres in Semiconductors: International Series of Monographs on Semiconductors, Vol. 6. Elsevier Science & Technology Books, 2014.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
11

Active Array Antennas for High Resolution Microwave Imaging Radar. Springer, 2023.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
12

Schooten, Kipp van. Optically Active Charge Traps and Chemical Defects in Semiconducting Nanocrystals Probed by Pulsed Optically Detected Magnetic Resonance. Springer London, Limited, 2013.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
13

Schooten, Kipp van. Optically Active Charge Traps and Chemical Defects in Semiconducting Nanocrystals Probed by Pulsed Optically Detected Magnetic Resonance. Springer International Publishing AG, 2015.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
14

Yuan, Fei. CMOS Active Inductors and Transformers: Principle, Implementation, and Applications. Springer, 2010.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
15

Self-organization in activator-inhibitor-systems: Semiconductors, gas-discharge and chemical active media : Contributions to the 157th WE-Heraeus-Seminar, March 4-6, 1996. Wissenschaft und technik Verlag, 1996.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
16

Mouthaan, Tom. Semiconductor Devices Explained: Using Active Simulation. Wiley, 2000.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
17

Shenai. Metal Semiconductor Heterojunctions: Theory and Pr Actice. John Wiley & Sons Inc, 2008.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
18

Hamamoto, Kiichi. Active multi-mode-interferometer laser diodes and semiconductor optical amplifiers. 2000.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
19

Khlyap, Halyna, ed. Physics and Technology of Semiconductor Thin Film-Based Active Elements and Devices. BENTHAM SCIENCE PUBLISHERS, 2012. http://dx.doi.org/10.2174/97816080502151090101.

Повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
20

Dülk, Marcus. Active and hybrid mode-locked semiconductor lasers with external fiber Bragg grating cavities for high-speed optical fiber networks. 2000.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
21

Green, Stuart, Robert G. Zamenhof, and Denise E. Delahunty. Radiation measurement. Oxford University Press, 2015. http://dx.doi.org/10.1093/med/9780199655212.003.0004.

Повний текст джерела
Анотація:
The ability to make accurate and reproducible measurements requires a detailed knowledge of radiation detection mechanisms, quantities to be measured, basic measurement techniques, and assessment of measurement uncertainties. The chapter begins with an overview of the operational dose quantities and the mechanisms by which measurements are traced to a suitable primary standard. This is followed by some tips on detector selection for both dose rate and contamination applications, before a more detailed description of the basic functional characteristics of gas detectors, scintillation detectors, and semiconductor detector. In each case, suggestions are made on typical areas of use, limitations of performance along with practical examples. Detector resolution issues are discussed for active detectors before a brief overview of passive detector systems including film (photographic and radiochromic) and thermoluminescent dosimetry. The chapter concludes with some common issues in practical measurement and describes the role and importance of the annual instrument test.
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
22

Glazov, M. M. Spin Resonance. Oxford University Press, 2018. http://dx.doi.org/10.1093/oso/9780198807308.003.0003.

Повний текст джерела
Анотація:
This chapter is devoted to one of key phenomena in the field of spin physics, namely, resonant absorption of electromagnetic waves under conditions where the Zeeman splitting of spin levels in magnetic field is equal to photon energy. This method is particularly important for identification of nuclear spin effects, because resonance spectra provide fingerprints of different involved spin species and make it possible to distinguish different nuclear isotopes. As discussed in this chapter the nuclear magnetic resonance provides also an access to local magnetic fields acting on nuclear spins. These fields are caused by the magnetic interactions between the nuclei and by the quadrupole splittings of nuclear spin states in anisotropic crystalline environment. Manifestations of spin resonance in optical responses of semiconductors–that is, optically detected magnetic resonance–are discussed.
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
23

Benisty, Henri, Jean-Jacques Greffet, and Philippe Lalanne. Introduction to Nanophotonics. Oxford University Press, 2022. http://dx.doi.org/10.1093/oso/9780198786139.001.0001.

Повний текст джерела
Анотація:
The aim of this book is to cover the scope of Nanophotonics, a discipline that has emerged around the turn of the millennium. It results from the merge of different communities working in different aspects of light-matter interaction at the nanoscale. These include near-field optics and super-resolution microscopy, photonic crystals, diffractive optics, plasmonics, optoelectronics, synthesis of metallic and semiconductor nanoparticles, two-dimensional materials and metamaterials. Our feeling when we started the project was that a book covering most of these aspects altogether was lacking. The field is so rapidly evolving that it is impossible to summarize all the recent breakthroughs. The goal of this book is to provide a self-contained discussion of the fundamentals of the different subfields involved in nanophotonics. The current project is a collaborative project between three researchers that have been actively involved in the field from different communities. Henri Benisty has a background in semiconductor physics and optoelectronics, Jean-Jacques Greffet has a background in near-field optics and light scattering, Philippe Lalanne has a background in diffractive optics and photonic crystals. All of them made significant contributions to the advancement of the field. The book material is based on lectures that have been given by them at the Institut d’Optique Graduate School (Palaiseau, Bordeaux and Saint-Etienne).
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
Ми пропонуємо знижки на всі преміум-плани для авторів, чиї праці увійшли до тематичних добірок літератури. Зв'яжіться з нами, щоб отримати унікальний промокод!

До бібліографії