Статті в журналах з теми "2d-3d tcad"
Оформте джерело за APA, MLA, Chicago, Harvard та іншими стилями
Ознайомтеся з топ-18 статей у журналах для дослідження на тему "2d-3d tcad".
Біля кожної праці в переліку літератури доступна кнопка «Додати до бібліографії». Скористайтеся нею – і ми автоматично оформимо бібліографічне посилання на обрану працю в потрібному вам стилі цитування: APA, MLA, «Гарвард», «Чикаго», «Ванкувер» тощо.
Також ви можете завантажити повний текст наукової публікації у форматі «.pdf» та прочитати онлайн анотацію до роботи, якщо відповідні параметри наявні в метаданих.
Переглядайте статті в журналах для різних дисциплін та оформлюйте правильно вашу бібліографію.
IÑIGUEZ, BENJAMIN, ROMAIN RITZENTHALER, and FRANÇOIS LIME. "COMPACT MODELING OF DOUBLE AND TRI-GATE MOSFETs." International Journal of High Speed Electronics and Systems 22, no. 01 (November 2013): 1350004. http://dx.doi.org/10.1142/s0129156413500043.
Повний текст джерелаRahimo, Munaf T., Iulian Nistor, and David Green. "Advanced 1200V SiC MOSFET Concept Based on Singular Point Source MOS (S-MOS) Technology." Materials Science Forum 1062 (May 31, 2022): 539–43. http://dx.doi.org/10.4028/p-u88313.
Повний текст джерелаAguirre, P., M. Rau, and A. Schenk. "2D and 3D TCAD simulation of III-V channel FETs at the end of scaling." Solid-State Electronics 159 (September 2019): 123–28. http://dx.doi.org/10.1016/j.sse.2019.03.043.
Повний текст джерелаDash, T. P., S. Dey, S. Das, J. Jena, E. Mahapatra, and C. K. Maiti. "Source/Drain Stressor Design for Advanced Devices at 7 nm Technology Node." Nanoscience & Nanotechnology-Asia 10, no. 4 (August 26, 2020): 447–56. http://dx.doi.org/10.2174/2210681209666190809101307.
Повний текст джерелаMo, Fei, Xiaoran Mei, Takuya Saraya, Toshiro Hiramoto, and Masaharu Kobayashi. "A simulation study on memory characteristics of InGaZnO-channel ferroelectric FETs with 2D planar and 3D structures." Japanese Journal of Applied Physics 61, SC (February 9, 2022): SC1013. http://dx.doi.org/10.35848/1347-4065/ac3d0e.
Повний текст джерелаRahimo, Munaf, Iulian Nistor, and David Green. "Suppression of Short Channel Effects for a SiC MOSFET Based on the S-MOS Cell Concept." Key Engineering Materials 945 (May 19, 2023): 83–89. http://dx.doi.org/10.4028/p-g4w5h5.
Повний текст джерелаItalia, Markus, Ioannis Deretzis, Alfio Nastasi, Silvia Scalese, Antonino La Magna, Massimo Pirnaci, Daniele Pagano, Dario Tenaglia, and Patrizia Vasquez. "Multiscale Simulations of Plasma Etching in Silicon Carbide Structures." Materials Science Forum 1062 (May 31, 2022): 214–18. http://dx.doi.org/10.4028/p-n9v122.
Повний текст джерелаTripathi, Suman Lata. "Pocket Vertical Junction-Less U-Shape Tunnel FET and Its Challenges in Nano-Scale Regime." Advanced Science, Engineering and Medicine 11, no. 12 (December 1, 2019): 1225–30. http://dx.doi.org/10.1166/asem.2019.2466.
Повний текст джерелаAssiouras, P., P. Asenov, A. Kyriakis, and D. Loukas. "Fast calculation of capacitances in silicon sensors with 3D and 2D numerical solutions of the Laplace's equation and comparison with experimental data and TCAD simulations." Journal of Instrumentation 15, no. 11 (November 24, 2020): P11034. http://dx.doi.org/10.1088/1748-0221/15/11/p11034.
Повний текст джерелаSulaiman, Raed, Pradip De, Jennifer C. Aske, Xiaoqian Lin, Adam Dale, Kris Gaster, Luis Rojas Espaillat, David Starks, and Nandini Dey. "A CAF-Based Two-Cell Hybrid Co-Culture Model to Test Drug Resistance in Endometrial Cancers." Biomedicines 11, no. 5 (April 29, 2023): 1326. http://dx.doi.org/10.3390/biomedicines11051326.
Повний текст джерелаSchwindt, D., and C. Kneisel. "Optimisation of quasi-3D electrical resistivity imaging – application and inversion for investigating heterogeneous mountain permafrost." Cryosphere Discussions 5, no. 6 (December 5, 2011): 3383–421. http://dx.doi.org/10.5194/tcd-5-3383-2011.
Повний текст джерелаDagorn, Y., A. Leble, J. J. Rousseau, and J. C. Fayet. "Precursor-order clusters, critical slowing down and 2D to 3D crossover above Tcand NH4AlF4:Fe3+through EPR." Journal of Physics C: Solid State Physics 18, no. 2 (January 20, 1985): 383–95. http://dx.doi.org/10.1088/0022-3719/18/2/016.
Повний текст джерелаChang, Kyungwook, Saurabh Sinha, Brian Cline, Greg Yeric, and Sung Kyu Lim. "Design-aware Partitioning-based 3D IC Design Flow with 2D Commercial Tools." IEEE Transactions on Computer-Aided Design of Integrated Circuits and Systems, 2021, 1. http://dx.doi.org/10.1109/tcad.2021.3065005.
Повний текст джерелаDang, Cong Thinh. "APPLICATIONS OF TCAD SIMULATION SOFTWARE TO THE STUDY OF FLOATING-GATE DEVICE." Journal of Science and Technique 8, no. 2 (January 8, 2021). http://dx.doi.org/10.56651/lqdtu.jst.v8.n02.61.ict.
Повний текст джерелаPlummer, J. D. "Defects and Diffusion issues for the Manufacturing of Semiconductors in the 21st Century." MRS Proceedings 469 (1997). http://dx.doi.org/10.1557/proc-469-3.
Повний текст джерелаGeißendörfer, Stefan, Karsten von Maydell, and Carsten Agert. "Numerical 3D-Simulation of Micromorph Silicon Thin Film Solar Cells." MRS Proceedings 1321 (2011). http://dx.doi.org/10.1557/opl.2011.934.
Повний текст джерелаSwe, Khine Thandar Nyunt, Chanvit Pamonchom, Amporn Poyai, and Toempong Phetchakul. "Novel MAGFinFET: Operation, Design and Geometry Effect for Modern Sensors." Journal of Mobile Multimedia, March 21, 2022. http://dx.doi.org/10.13052/jmm1550-4646.18416.
Повний текст джерелаMichalak, Tyler J., Chris Borst, Dan Franca, Josh Herman, and Martin Rodgers. "Simulation of Millisecond Laser Anneal on SOI: A Study of Dopant Activation and Mobility and its Application to Scaled FinFET Thermal Processing." MRS Proceedings 1562 (2013). http://dx.doi.org/10.1557/opl.2013.825.
Повний текст джерела