Статті в журналах з теми "(111) Si"
Оформте джерело за APA, MLA, Chicago, Harvard та іншими стилями
Ознайомтеся з топ-50 статей у журналах для дослідження на тему "(111) Si".
Біля кожної праці в переліку літератури доступна кнопка «Додати до бібліографії». Скористайтеся нею – і ми автоматично оформимо бібліографічне посилання на обрану працю в потрібному вам стилі цитування: APA, MLA, «Гарвард», «Чикаго», «Ванкувер» тощо.
Також ви можете завантажити повний текст наукової публікації у форматі «.pdf» та прочитати онлайн анотацію до роботи, якщо відповідні параметри наявні в метаданих.
Переглядайте статті в журналах для різних дисциплін та оформлюйте правильно вашу бібліографію.
Pervan, P., K. Markert, and K. Wandelt. "Photoemission of Xe adsorbed on Si(111)7×7, Ag/Si(111), Au/Si(111) and O/Si(111) surfaces." Applied Surface Science 108, no. 3 (March 1997): 307–17. http://dx.doi.org/10.1016/s0169-4332(96)00684-8.
Повний текст джерелаБессолов, В. Н., Е. В. Коненкова, T. А. Орлова та С. Н. Родин. "Начальные стадии роста полуполярного AlN на наноструктурированной Si(100) подложке". Физика и техника полупроводников 55, № 10 (2021): 908. http://dx.doi.org/10.21883/ftp.2021.10.51442.41.
Повний текст джерелаStesmans, A. "The .Si identical to Si3defect at various (111)Si/SiO2and (111)Si/Si3N4interfaces." Semiconductor Science and Technology 4, no. 12 (December 1, 1989): 1000–1011. http://dx.doi.org/10.1088/0268-1242/4/12/005.
Повний текст джерелаMichel, E. G., Th Pauly, V. Eteläniemi, and G. Materlik. "Adsorption of I on Si(111) and Si(110) surfaces." Surface Science 241, no. 1-2 (January 1991): 111–23. http://dx.doi.org/10.1016/0039-6028(91)90216-f.
Повний текст джерелаMichel, E. G., Th Pauly, V. Eteläniemi, and G. Materlik. "Adsorption of I on Si(111) and Si(110) surfaces." Surface Science Letters 241, no. 1-2 (January 1991): A5. http://dx.doi.org/10.1016/0167-2584(91)91060-a.
Повний текст джерелаInoue, Takahiro, Youya Wagatsuma, Reo Ikegaya, Ayaka Odashima, Masaki Nagao, and Kentarou Sawano. "(Digital Presentation) Epitaxially Grown of SiGe on Ge Microbridge and Observation of Strong Resonant Light Emission." ECS Transactions 109, no. 4 (September 30, 2022): 297–302. http://dx.doi.org/10.1149/10904.0297ecst.
Повний текст джерелаWeilmeier, M. K., W. H. Rippard, and R. A. Buhrman. "Ballistic electron transport through Au(111)/Si(111) and Au(111)/Si(100) interfaces." Physical Review B 59, no. 4 (January 15, 1999): R2521—R2524. http://dx.doi.org/10.1103/physrevb.59.r2521.
Повний текст джерелаKoryakin, Alexander A., Sergey A. Kukushkin, Andrey V. Osipov, Shukrillo Sh Sharofidinov, and Mikhail P. Shcheglov. "Growth Mechanism of Semipolar AlN Layers by HVPE on Hybrid SiC/Si(110) Substrates." Materials 15, no. 18 (September 6, 2022): 6202. http://dx.doi.org/10.3390/ma15186202.
Повний текст джерелаKochanski, Greg P., and R. F. Bell. "STM measurements of photovoltage on Si(111) and Si(111):Ge." Surface Science 273, no. 1-2 (June 1992): L435—L440. http://dx.doi.org/10.1016/0039-6028(92)90266-9.
Повний текст джерелаHartmann, J. M., M. Burdin, G. Rolland, and T. Billon. "Growth kinetics of Si and SiGe on Si(100), Si(110) and Si(111) surfaces." Journal of Crystal Growth 294, no. 2 (September 2006): 288–95. http://dx.doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2006.06.043.
Повний текст джерелаSilva, Ana, Kjeld Pedersen, Lars Diekhöner, Per Morgen, and Zheshen Li. "Ordered Au(111) layers on Si(111)." Journal of Vacuum Science & Technology A: Vacuum, Surfaces, and Films 25, no. 4 (July 2007): 908–11. http://dx.doi.org/10.1116/1.2715964.
Повний текст джерелаGerbig, Y. B., S. J. Stranick, D. J. Morris, M. D. Vaudin, and R. F. Cook. "Effect of crystallographic orientation on phase transformations during indentation of silicon." Journal of Materials Research 24, no. 3 (March 2009): 1172–83. http://dx.doi.org/10.1557/jmr.2009.0122.
Повний текст джерелаYamamoto, Yuji, Wei-Chen Wen, Markus Andreas Schubert, Cedic Corley-Wiciak, and Bernd Tillack. "High Quality Ge Growth on Si (111) and Si (110) by Using Reduced Pressure Chemical Vapor Deposition." ECS Meeting Abstracts MA2022-02, no. 32 (October 9, 2022): 1213. http://dx.doi.org/10.1149/ma2022-02321213mtgabs.
Повний текст джерелаGo, Hyun Young, Naoki Wakiya, Takanori Kiguchi, Tomohiko Yoshioka, Osamu Sakurai, Jeffrey S. Cross, M. Tanaka, and Kazuo Shinozaki. "Ferroelectric Properties of Epitaxial BiFe0.97Mn0.03O3 Thin Films with Different Crystal Orientations Deposited on Buffered Si Substrates." Key Engineering Materials 421-422 (December 2009): 111–14. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/kem.421-422.111.
Повний текст джерелаSadoh, Taizoh, Kaoru Toko, Masashi Kurosawa, Takanori Tanaka, Takashi Sakane, Yasuharu Ohta, Naoyuki Kawabata, Hiroyuki Yokoyama, and Masanobu Miyao. "SiGe-Mixing-Triggered Rapid-Melting-Growth of High-Mobility Ge-On-Insulator." Key Engineering Materials 470 (February 2011): 8–13. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/kem.470.8.
Повний текст джерелаKorobtsov, V. V., V. G. Lifshits, and A. V. Zotov. "Formation of Si(111)-B and Si epitaxy on Si(111)-B: LEED-AES study." Surface Science 195, no. 3 (January 1988): 466–74. http://dx.doi.org/10.1016/0039-6028(88)90354-8.
Повний текст джерелаAkinci, G., T. R. Ohno, and Ellen D. Williams. "NiSi2 on Si(111)." Surface Science 201, no. 1-2 (January 1988): 27–46. http://dx.doi.org/10.1016/0039-6028(88)90595-x.
Повний текст джерелаCho, Sung-Pyo, Yoshiaki Nakamura, Jun Yamasaki, Eiji Okunishi, Masakazu Ichikawa та Nobuo Tanaka. "Microstructure and interdiffusion behaviour of β-FeSi2 flat islands grown on Si(111) surfaces". Journal of Applied Crystallography 46, № 4 (4 липня 2013): 1076–80. http://dx.doi.org/10.1107/s0021889813015355.
Повний текст джерелаBecker, R. S., B. S. Swartzentruber, and J. S. Vickers. "Tunneling microscopy of silicon and germanium: Si(111)7×7, SnGe(111)7×7, GeSi(111)5×5, Si(111)9×9, Ge(111)2×8, Ge(100)2×1, Si(110)5×1." Journal of Vacuum Science & Technology A: Vacuum, Surfaces, and Films 6, no. 2 (March 1988): 472–77. http://dx.doi.org/10.1116/1.575399.
Повний текст джерелаKhazaka, Rami, Marc Portail, Philippe Vennéguès, Daniel Alquier, and Jean François Michaud. "Structural Study of the Innovative 3C-SiC/Si/3C-SiC/Si Heterostructure for Electro-Mechanical Applications." Materials Science Forum 858 (May 2016): 143–46. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.858.143.
Повний текст джерелаLee, Byong-Taek, Byong-Sun Chun, and Kenji Hiraga. "Microstructure of gas-atomized Al-20 wt. % Si-1 wt. % Ni powders studied by electron microscopy." Journal of Materials Research 9, no. 10 (October 1994): 2519–23. http://dx.doi.org/10.1557/jmr.1994.2519.
Повний текст джерелаCho, C. C., W. M. Duncan, T. H. Lin, and S. K. Fan. "Photoluminescence from submicron CaF2:Nd films grown epitaxially on Si(111) and Al(111)/Si(111)." Applied Physics Letters 61, no. 15 (October 12, 1992): 1757–59. http://dx.doi.org/10.1063/1.108417.
Повний текст джерелаVoigtländer, Bert, Martin Kästner, and Pavel Šmilauer. "Magic Islands in Si/Si(111) Homoepitaxy." Physical Review Letters 81, no. 4 (July 27, 1998): 858–61. http://dx.doi.org/10.1103/physrevlett.81.858.
Повний текст джерелаMurayama, Misao, Takashi Nakayama, and Akiko Natori. "Au–Si Bonding on Si(111) Surfaces." Japanese Journal of Applied Physics 40, Part 1, No. 12 (December 15, 2001): 6976–79. http://dx.doi.org/10.1143/jjap.40.6976.
Повний текст джерелаHanda, Hiroyuki, Shun Ito, Hirokazu Fukidome, and Maki Suemitsu. "Transmission-Electron-Microscopy Observations on the Growth of Epitaxial Graphene on 3C-SiC(110) and 3C-SiC(100) Virtual Substrates." Materials Science Forum 711 (January 2012): 242–45. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.711.242.
Повний текст джерелаBjörketun, L.-O., L. Hultman, O. Kordina, and J.-E. Sundgren. "Texture Evolution in Si/SiC Layered Structures Deposited on Si(001) by Chemical Vapor Deposition." Journal of Materials Research 13, no. 9 (September 1998): 2632–42. http://dx.doi.org/10.1557/jmr.1998.0367.
Повний текст джерелаMeade, Robert D., and David Vanderbilt. "Adatoms on Si(111) and Ge(111) surfaces." Physical Review B 40, no. 6 (August 15, 1989): 3905–13. http://dx.doi.org/10.1103/physrevb.40.3905.
Повний текст джерелаRobinson, I. K., W. K. Waskiewicz, R. T. Tung, and J. Bohr. "Ordering atSi(111)a−Siand Si(111)/SiO2Interfaces." Physical Review Letters 57, no. 21 (November 24, 1986): 2714–17. http://dx.doi.org/10.1103/physrevlett.57.2714.
Повний текст джерелаStadler, R., D. Vogtenhuber, and R. Podloucky. "Ab initiostudy of theCoSi2(111)/Si(111)interface." Physical Review B 60, no. 24 (December 15, 1999): 17112–22. http://dx.doi.org/10.1103/physrevb.60.17112.
Повний текст джерелаKitabatake, M., T. Kawasaki, and T. Korechika. "Heteroepitaxial growth of InSb(111) on Si(111)." Thin Solid Films 281-282 (August 1996): 17–19. http://dx.doi.org/10.1016/0040-6090(96)08565-3.
Повний текст джерелаMårtensson, P., G. V. Hansson, and P. Chiaradia. "Similarity of Si(110)5×1 and Si(111)2×1 surfaces." Physical Review B 31, no. 4 (February 15, 1985): 2581–83. http://dx.doi.org/10.1103/physrevb.31.2581.
Повний текст джерелаZhang, L., E. Deckardt, A. Weber, C. Schönenberger, and D. Grützmacher. "Directional scrolling of hetero-films on Si(110) and Si(111) surfaces." Microelectronic Engineering 83, no. 4-9 (April 2006): 1233–36. http://dx.doi.org/10.1016/j.mee.2006.01.128.
Повний текст джерелаMolinàs i Mata, P., M. I. Alonso, and M. Cardona. "Space groups of Ge/Si superlattices grown along the [110], [111], [112], [120], and [114] directions." Solid State Communications 74, no. 5 (May 1990): 347–51. http://dx.doi.org/10.1016/0038-1098(90)90500-b.
Повний текст джерелаOrtega, J., F. Flores, R. Pérez, and A. Levy Yeyati. "Electron correlation effects at semiconductor surfaces and interfaces: Si(111)-5x5, Si(111)-7x7 and SnGe(111)." Progress in Surface Science 59, no. 1-4 (September 1998): 233–43. http://dx.doi.org/10.1016/s0079-6816(98)00049-5.
Повний текст джерелаMoraru, Daniel, Hiroshi Kato, Seiji Horiguchi, Yasuhiko Ishikawa, Hiroya Ikeda, and Michiharu Tabe. "Fowler-Nordheim Current Oscillations in Si(111)/SiO2/Twisted-Si(111) Tunneling Structures." Japanese Journal of Applied Physics 45, No. 11 (March 10, 2006): L316—L318. http://dx.doi.org/10.1143/jjap.45.l316.
Повний текст джерелаMarkert, K., P. Pervan, W. Heichler, and K. Wandelt. "Structural and electronic properties of Ag/Si(111) and Au/Si(111) surfaces." Journal of Vacuum Science & Technology A: Vacuum, Surfaces, and Films 7, no. 4 (July 1989): 2873–78. http://dx.doi.org/10.1116/1.576161.
Повний текст джерелаKuzmin, M., R. L. Vaara, P. Laukkanen, R. E. Perälä, and I. J. Väyrynen. "Structural and statistical analysis of Yb/Si(111) and Eu/Si(111) reconstructions." Surface Science 549, no. 3 (February 2004): 183–95. http://dx.doi.org/10.1016/j.susc.2003.12.005.
Повний текст джерелаDitzinger, U. A., Ch Lunau, B. Schieweck, St Tosch, H. Neddermeyer, and M. Hanbücken. "Photoemission from K/Si(111)7 × 7 and Cs/Si(111)7 × 7." Surface Science 211-212 (April 1989): 707–15. http://dx.doi.org/10.1016/0039-6028(89)90832-7.
Повний текст джерелаDitzinger, U. A., Ch Lunau, B. Schieweck, St Tosch, H. Neddermeyer, and M. Hanbücken. "Photoemission from K/Si(111)7×7 and Cs/Si(111)7×7." Surface Science Letters 211-212 (April 1989): A142. http://dx.doi.org/10.1016/0167-2584(89)90380-0.
Повний текст джерелаMagaud-Martinage, L., D. Mayou, A. Pasturel, and F. Cyrot-Lackmann. "Schottky barriers calculations at the CoSi2/Si(111) and NiSi2/Si(111) interfaces." Surface Science Letters 256, no. 3 (October 1991): A543. http://dx.doi.org/10.1016/0167-2584(91)91193-z.
Повний текст джерелаTimoshnev, S. N., A. M. Mizerov, M. N. Lapushkin, S. A. Kukushkin, and A. D. Bouravleuv. "Electronic Structure of SiN Layers on Si(111) and SiC/Si(111) Substrates." Semiconductors 53, no. 14 (December 2019): 1935–38. http://dx.doi.org/10.1134/s1063782619140239.
Повний текст джерелаYamamoto, Yuji, Wei-Chen Wen, Markus Andreas Schubert, Cedic Corley-Wiciak, and Bernd Tillack. "High Quality Ge Growth on Si (111) and Si (110) by Using Reduced Pressure Chemical Vapor Deposition." ECS Transactions 109, no. 4 (September 30, 2022): 205–15. http://dx.doi.org/10.1149/10904.0205ecst.
Повний текст джерелаChiang, Yi-Ting, Yi Chou, Chang-Hsun Huang, Wei-Ting Lin, and Yi-Chia Chou. "Dependence of the structure and orientation of VSS grown Si nanowires on an epitaxy process." CrystEngComm 21, no. 29 (2019): 4298–304. http://dx.doi.org/10.1039/c9ce00539k.
Повний текст джерелаJacob, J., A. Gomes Silva, K. Fleischer, and J. F. McGilp. "Optical second-harmonic generation studies of Si(111)-√3×√3-Ag and Si(111)-3×1-Ag grown on vicinal Si(111)." physica status solidi (c) 5, no. 8 (June 2008): 2649–52. http://dx.doi.org/10.1002/pssc.200779103.
Повний текст джерелаLee, Dong Nyung. "Directed Crystallization of Amorphous Silicon Deposits on Glass Substrates." Advanced Materials Research 26-28 (October 2007): 623–28. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/amr.26-28.623.
Повний текст джерелаTwigg, M. E., and E. D. Richmond. "Microtwin morphology for silicon on sapphire." Proceedings, annual meeting, Electron Microscopy Society of America 45 (August 1987): 256–57. http://dx.doi.org/10.1017/s0424820100126184.
Повний текст джерелаTsai, Chin-Yi, Jyong-Di Lai, Shih-Wei Feng, Chien-Jung Huang, Chien-Hsun Chen, Fann-Wei Yang, Hsiang-Chen Wang, and Li-Wei Tu. "Growth and characterization of textured well-faceted ZnO on planar Si(100), planar Si(111), and textured Si(100) substrates for solar cell applications." Beilstein Journal of Nanotechnology 8 (September 15, 2017): 1939–45. http://dx.doi.org/10.3762/bjnano.8.194.
Повний текст джерелаSeverino, Andrea, Ruggero Anzalone, Corrado Bongiorno, M. Italia, Giuseppe Abbondanza, Massimo Camarda, L. M. S. Perdicaro, Giuseppe Condorelli, Marco Mauceri, and Francesco La Via. "Towards Large Area (111)3C-SiC Films Grown on Off-Oriented (111)Si." Materials Science Forum 615-617 (March 2009): 149–52. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.615-617.149.
Повний текст джерелаStesmans, A., and G. Van Gorp. "⋅Si≡Si3defect at thermally grown (111)Si/Si3N4interfaces." Physical Review B 52, no. 12 (September 15, 1995): 8904–20. http://dx.doi.org/10.1103/physrevb.52.8904.
Повний текст джерелаLanczycki, C. J., R. Kotlyar, E. Fu, Y. N. Yang, E. D. Williams, and S. Das Sarma. "Growth of Si on the Si(111) surface." Physical Review B 57, no. 20 (May 15, 1998): 13132–48. http://dx.doi.org/10.1103/physrevb.57.13132.
Повний текст джерела