Увійти

Готові списки джерел за темами / Фоторезист / Статті в журналах

Статті в журналах з теми "Фоторезист"

Щоб переглянути інші типи публікацій з цієї теми, перейдіть за посиланням: Фоторезист.

Автор: Grafiati

Опубліковано: 30 травня 2022

Оновлено: 31 травня 2022

Оформте джерело за APA, MLA, Chicago, Harvard та іншими стилями

Оберіть тип джерела:

Ознайомтеся з топ-32 статей у журналах для дослідження на тему "Фоторезист".

Біля кожної праці в переліку літератури доступна кнопка «Додати до бібліографії». Скористайтеся нею – і ми автоматично оформимо бібліографічне посилання на обрану працю в потрібному вам стилі цитування: APA, MLA, «Гарвард», «Чикаго», «Ванкувер» тощо.

Також ви можете завантажити повний текст наукової публікації у форматі «.pdf» та прочитати онлайн анотацію до роботи, якщо відповідні параметри наявні в метаданих.

Переглядайте статті в журналах для різних дисциплін та оформлюйте правильно вашу бібліографію.

1

Суханов, Д. А. "ЧЕРНЫЙ ФОТОРЕЗИСТ - НОВЫЕ ВОЗМОЖНОСТИ ДЛЯ ПРОЦЕССА ФОТОЛИТОГРАФИИ НА ПРОИЗВОДСТВЕ УСТРОЙСТВ ФОТОНИКИ И МЭМС". NANOINDUSTRY Russia 13, № 4s (11 вересня 2020): 236–43. http://dx.doi.org/10.22184/1993-8578.2020.13.4s.236.243.

Повний текст джерела

Анотація:

Проведен анализ тенденций мирового рынка по применению устройств фотоники и МЭМС, их развития и технологий, которые смогут оптимизировать литографические процессы при производстве этих устройств. Проведен анализ методов обработки фоторезиста, а также технологий экспонирования.

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

2

Суханов, Д. А. "ЧЕРНЫЙ ФОТОРЕЗИСТ - НОВЫЕ ВОЗМОЖНОСТИ ДЛЯ ПРОЦЕССА ФОТОЛИТОГРАФИИ НА ПРОИЗВОДСТВЕ УСТРОЙСТВ ФОТОНИКИ И МЭМС". Nanoindustry Russia 13, № 5s (28 грудня 2020): 246–49. http://dx.doi.org/10.22184/1993-8578.2020.13.5s.246.249.

Повний текст джерела

Анотація:

Проведен анализ тенденций мирового рынка по применению устройств фотоники и МЭМС, их развития и технологий, которые смогут оптимизировать литографические процессы при производстве этих устройств. Проведен анализ методов обработки фоторезиста, а также технологий экспонирования.

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

3

Лебедева, Н. М., Т. П. Самсонова, Н. Д. Ильинская, С. И. Трошков та П. А. Иванов. "Формирование SiC-мезаструктур с пологими боковыми стенками cухим селективным травлением через маску из фоторезиста". Журнал технической физики 90, № 6 (2020): 997. http://dx.doi.org/10.21883/jtf.2020.06.49289.12-20.

Повний текст джерела

Анотація:

Продемонстрировано формирование SiC-мезаструктур с пологими боковыми стенками с помощью селективного реактивно-ионного травления (Reactive Ion Etching, RIE) карбида кремния через маску из фоторезиста (наклонные стенки сформированы при одновременном травлении SiC и резистивной маски, край которой имеет форму острого клина). Простая геометрическая модель травления предсказывает, что результирующий угол наклона стенки мезаструктуры должен задаваться двумя параметрами --- исходным углом резистивного клина и селективностью травления SiC по отношению к фоторезисту (отношением скоростей травления SiC и фоторезиста). Для экспериментов использовались полированные пластины 4H-SiC с ориентацией (0001). На Si-стороне пластин фотолитографическими методами были нанесены площадки из фоторезиста с краевым углом 22o. Затем проводилось травление мезаструктур в трифториде азота в установке с индуктивно-связанной плазмой. Были подобраны параметры RIE-процесса, обеспечивающие травление SiC и фоторезиста со скоростями 55 и 160 nm/min соответственно (селективность травления 1:3). Сформированные травлением SiC-мезаструктуры имеют высоту 3.2 μm и пологие боковые стенки с углом наклона около 8o. Данная технология может использоваться при изготовлении высоковольтных SiC-приборов с прямой фаской. Ключевые слова: карбид кремния, мезаструктура, наклонные стенки, фотолитография, реактивно-ионное травление.

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

4

Тихонова, Е. Д. "МОДЕЛИРОВАНИЕ ПРОФИЛЯ ФОТОРЕЗИСТА В ПРОЦЕССЕ САМОСОВМЕЩЕННОГО ДВОЙНОГО ПАТТЕРНИРОВАНИЯ С УЧЕТОМ КОРРЕКЦИИ ПРОБЛЕМЫ ГОРЯЧИХ ТОЧЕК". Nanoindustry Russia 14, № 7s (3 жовтня 2021): 786–87. http://dx.doi.org/10.22184/1993-8578.2021.14.7s.786.787.

Повний текст джерела

Анотація:

Данное исследование посвящено проблеме неравномерности профиля фоторезиста на этапе травления в процессе самосовмещенного двойного паттернирования. Было проведено моделирование профиля фоторезиста и предложена методика, помогающая отыскать слабые места процесса и улучшить ширину линий итоговых элементов.

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

5

Кузнецова, Н. А., Н. В. Малимоненко, М. А. Билданов, Д. А. Варламов та Б. Г. Грибов. "ВЛИЯНИЕ КАТАЛИЗАТОРА ТЕРМООТВЕРЖДЕНИЯ В АНТИОТРАЖАЮЩЕМ ПОКРЫТИИ НА ПРОФИЛЬ ЭЛЕМЕНТОВ ФОТОРЕЗИСТА, "Электронная техника. Серия 3. Микроэлектроника"". Электронная техника. Серия 3. Микроэлектроника, № 4 (2021): 69–71. http://dx.doi.org/10.7868/s2410993221040096.

Повний текст джерела

Анотація:

Исследовано влияние концентрации в антиотражающем покрытии кислотного (п-толуолсульфокислота) и нейтрального (триэтиламмониевая соль додецилбензолсульфокислоты) катализаторов сшивки полимерного связующего на профиль элементов фоторезиста.

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

6

Кузнецова, Н. А., В. И. Беклемышев та Б. Г. Грибов. "ВЛИЯНИЕ ФОТОГЕНЕРАТОРА КИСЛОТЫ В АНТИОТРАЖАЮЩЕМ ПОКРЫТИИ НА ПРОФИЛЬ ЭЛЕМЕНТОВ, ФОРМИРУЕМЫХ В ФОТОРЕЗИСТЕ, "Электронная техника. Серия 3. Микроэлектроника"". Электронная техника. Серия 3. Микроэлектроника, № 4 (2020): 35–37. http://dx.doi.org/10.7868/s2410993220040053.

Повний текст джерела

Анотація:

Экспериментально показано, что введение фотогенератора кислоты в композицию антиотражающего покрытия позволяет улучшить профиль полученных на нем элементов фоторезиста, а именно – формировать элементы без уширения у основания (footing).

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

7

Бринкевич, Д. И., С. Д. Бринкевич, Н. В. Вабищевич, В. Б. Оджаев та В. С. Просолович. "Ионная имплантация позитивных фоторезистов". Микроэлектроника 43, № 3 (2014): 193–99. http://dx.doi.org/10.7868/s0544126914010037.

Повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

8

Бринкевич, Д. И., С. Д. Бринкевич, М. Г. Лукашевич, В. С. Просолович, В. Б. Оджаев та Ю. Н. Янковский. "Модификация поверхности позитивного фоторезиста при ионной имплантации". Микроэлектроника 44, № 6 (2015): 448–52. http://dx.doi.org/10.7868/s0544126915060022.

Повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

9

Олешкевич, А. Н., Н. М. Лапчук, В. Б. Оджаев, И. А. Карпович, В. С. Просолович, Д. И. Бринкевич та С. Д. Бринкевич. "Электронная проводимость в имплантированном ионами Р + позитивном фоторезисте". Микроэлектроника 49, № 1 (2020): 58–65. http://dx.doi.org/10.31857/s0544126919060073.

Повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

10

Скиданов, Р. В., О. Ю. Моисеев та С. В. Ганчевская. "Формирование микротурбин методом прямой лазерной записи по фоторезисту". Журнал технической физики 88, № 6 (2018): 888. http://dx.doi.org/10.21883/jtf.2018.06.46021.1795.

Повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

11

Бринкевич, С. Д., Д. И. Бринкевич та В. С. Просолович. "Модификация пленок диазохинон-новолачного фоторезиста имплантацией ионов сурьмы". Микроэлектроника 50, № 1 (2021): 36–42. http://dx.doi.org/10.31857/s0544126920060022.

Повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

12

Вабищевич, С. А., С. Д. Бринкевич, Н. В. Вабищевич, Д. И. Бринкевич та В. С. Просолович. "Адгезия облученных пленок диазохинонноволачного фоторезиста к монокристаллическому кремнию". Химия высоких энергий 55, № 6 (2021): 461–68. http://dx.doi.org/10.31857/s0023119321060152.

Повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

13

Лебедев, В. И., В. Е. Котомина та С. В. Зеленцов. "Способы увеличения срока службы позитивных фоторезистов". Микроэлектроника 45, № 6 (2016): 448–51. http://dx.doi.org/10.7868/s0544126916060041.

Повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

14

Shushpanov, A. N., A. Ya Vasin, V. M. Raykova, and G. G. Gadzhiev. "Ability of Naphthoquinondiazide Photoresists to Exothermic Decomposition." Occupational Safety in Industry, no. 10 (October 2020): 90–96. http://dx.doi.org/10.24000/0409-2961-2020-10-90-96.

Повний текст джерела

Анотація:

The article considers two intermediate products of positive photoresists (1,2-naphthoquinonediazide-(2)-5-sulfonic acid of monosodium salt — Dye M and 1,2-naphthoquinonediazide-(2)-5-sulfochloride — Dye N2) from the standpoint of the tendency to explosive transformation. The experimental values of flash points determined on the OTP setup were 130 °C for Dye M and 95 °C for Dye N2. These values are close to the temperatures of the beginning of intensive exothermic decomposition (132 and 111 °C, respectively) obtained by thermogravimetric analysis. In addition, this analysis showed the presence of exothermic peaks in the studied samples both in the air and in an inert atmosphere of helium, which is a necessary condition for the manifestation of a tendency to explosive transformation. To confirm the possibility of explosive transformation, the flash points of substances were also determined by the calculation method according to the formula, which is a consequence of the problem of thermal explosion during convective heat exchange with the environment, and gave a result close to the experimental one (the values were 138 and 105 °C, respectively). For this calculation the following was used: the kinetic parameters determined by the Kissinger method, the values of the density of substances determined on an automatic pycnometer, as well as the values of the heat of explosive transformation obtained with the help of the Real computer thermodynamic program. The research results confirming the tendency of the investigated compounds to explosive transformation, as well as the critical temperatures, exceeding which is unacceptable, were transferred to the production of FGUP GNTs NIOPIK to create a safe technological process, safe storage and transportation conditions. Considering the accuracy of the measuring devices, the process temperature should not exceed 125 °C for Dye M and 90 °C for Dye N2. The conducted studies and calculations show that the computational and experimental approaches have good convergence, give values in a close temperature range, and increase the reliability of the obtained results.

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

15

Панкратова, А. В., А. А. Крючин, Ю. О. Бородін, Є. В. Беляк та О. В. Пригун. "Дослідження процесу формування мікрорельєфних структур у плівках хрому на основі методу хімічного травлення". Реєстрація, зберігання і обробка даних 23, № 1 (16 березня 2021): 5–14. http://dx.doi.org/10.35681/1560-9189.2021.23.1.235022.

Повний текст джерела

Анотація:

Розглянуто сучасні підходи, які використовуються при формуванні мік-рорельєфних структур на поверхні високостабільних підкладок. Проведено аналіз технологічного процесу нанесення захисної маски на основі хрому при формуванні інформаційного шару оптичного диска з сапфіровою підкладкою. Представлено результати експериментальних досліджень формування мікророзмірних елементів у тонких плівках хрому. Визначено умови оптимізації процесу лазерного запису у середовищі маски фоторезисту, що застосовується при хімічному трав-ленні плівки хрому під час формування мікрорельєфної структури на поверхні сапфірової підкладки.

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

16

Малимоненко, Н. В., Н. А. Кузнецова, В. И. Беклемышев та Б. Г. Грибов. "ОПТИМИЗАЦИЯ ОПТИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ АНТИОТРАЖАЮЩЕГО ПОКРЫТИЯ В ФОТОЛИТОГРАФИИ". NANOINDUSTRY Russia 13, № 4s (11 вересня 2020): 191–93. http://dx.doi.org/10.22184/1993-8578.2020.13.4s.191.193.

Повний текст джерела

Анотація:

Рассмотрены теоретические подходы к оптимизации оптических параметров антиотражающего покрытия (АОП), нанесенного между кремниевой подложкой и фоторезистом. Определены оптимальные характеристики АОП для первого и второго интерференционного минимума отражения света с длиной волны 193 нм (эксимерный ArF-лазер).

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

17

Волков, П. В., С. В. Зеленцов, С. А. Королёв, А. Ю. Лукьянов, А. И. Охапкин та А. Н. Тропанова. "ИССЛЕДОВАНИЕ ПРОЦЕССОВ ПЛАЗМОХИМИЧЕСКОГО ТРАВЛЕНИЯ ФОТОРЕЗИСТА С ПОМОЩЬЮ ОПТИЧЕСКОГО МОНИТОРИНГА, "Микроэлектроника"". Микроэлектроника, № 1 (2017): 44–49. http://dx.doi.org/10.7868/s0544126916060090.

Повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

18

Simonov, O. "THE USE OF MICROWAVE PLASMA TO REMOVE PHOTORESIST DURING GROUP PROCESSING OF SEMICONDUCTOR WAFERS." ELECTRONICS: Science, Technology, Business 2 (2017): 180–84. http://dx.doi.org/10.22184/1992-4178.2017.162.2.180.184.

Повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

19

Бринкевич, С. Д., Е. В. Гринюк, Д. И. Бринкевич та В. С. Просолович. "Модификация пленок диазохинон-новолачного фоторезиста за пределами области внедрения ионов В +". Химия высоких энергий 54, № 5 (2020): 377–86. http://dx.doi.org/10.31857/s0023119320050046.

Повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

20

Булгакова, С. А., Д. А. Гурова, С. Д. Зайцев, Е. Е. Куликов, Е. В. Скороходов, М. Н. Торопов, А. Е. Пестов, Н. И. Чхало та Н. Н. Салащенко. "Влияние полимерной матрицы и фотогенератора кислоты на литографические свойства химически усиленного фоторезиста". Микроэлектроника 43, № 6 (2014): 419–28. http://dx.doi.org/10.7868/s0544126914050020.

Повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

21

Вайнер, А. Я., К. М. Дюмаев, А. М. Коваленко, Я. Л. Бабушкин, С. А. Кричевская та Г. Р. Лубенский. "Полифенольные производные флуоренсодержащих порфиринов: синтез и позитивные фоторезисты для 22-нанометровой литографии". Доклады Академии наук 468, № 5 (2016): 525–29. http://dx.doi.org/10.7868/s0869565216170151.

Повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

22

Бринкевич, Д. И., С. Д. Бринкевич, А. Н. Петлицкий та В. С. Просолович. "Трансформация спектров нарушенного полного внутреннего отражения в процессе сушки диазохинон-новолачного фоторезиста". Микроэлектроника 50, № 4 (2021): 274–80. http://dx.doi.org/10.31857/s0544126921040037.

Повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

23

Бринкевич, Д. И., А. А. Харченко, В. С. Просолович, В. Б. Оджаев, С. Д. Бринкевич та Ю. Н. Янковский. "Модификация спектров отражения пленок диазохинон-новолачного фоторезиста при имплантации ионами бора и фосфора". Микроэлектроника 48, № 3 (2019): 235–39. http://dx.doi.org/10.1134/s0544126919020029.

Повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

24

Харченко, А. А., Д. И. Бринкевич, В. С. Просолович, С. Д. Бринкевич, В. Б. Оджаев та Ю. Н. Янковский. "Радиационно-стимулированная трансформация спектров отражения пленок диазохинон-новолачного фоторезиста при имплантации ионов сурьмы". Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования, № 6 (2020): 14–18. http://dx.doi.org/10.31857/s1028096020060084.

Повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

25

Вабищевич, С. А., С. Д. Бринкевич, Д. И. Бринкевич та В. С. Просолович. "Адгезия к монокристаллическому кремнию пленок диазохинон-новолачного фоторезиста, имплантированных ионами бора и фосфора". Химия высоких энергий 54, № 1 (2020): 54–59. http://dx.doi.org/10.31857/s002311932001012x.

Повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

26

Ковивчак, В. С. "Формирование углеродных нановолокон на поверхности фоторезиста под действием мощного ионного пучка наносекундной длительности". Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования, № 10 (2021): 97–101. http://dx.doi.org/10.31857/s1028096021100095.

Повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

27

Бахадирханов, М. К., Ш. Н. Ибодуллаев, Н. Ф. Зикриллаев та С. В. Ковешников. "Фоторезистор инфракрасного излучения на основе кремния с нанокластерами атомов марганца". Письма в журнал технической физики 47, № 13 (2021): 12. http://dx.doi.org/10.21883/pjtf.2021.13.51114.18582.

Повний текст джерела

Анотація:

Показана возможность использования кремния с нанокластерами атомов марганца для создания фоторезисторов в области спектра λ=1.2-3 μm. Установлено, что такие фотоприемники обладают пороговой чувствительностью порядка 10-11 W на длине волны 1.55 μm. Квантовая эффективность на длине волны 2 μm превышает 10% и составляет 0.1% на длине волны 2.5 μm, что позволяет использовать примесную фоточувствительность кремния с нанокластерами атомов марганца для создания высокоразрешающих матричных фотоприемников, работающих в спектральном диапазоне до 2.5 μm. Ключевые слова: кремний, кластер марганца, фоточувствительность.

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

28

Долгополов, В. М., В. В. Одиноков, П. А. Иракин та В. М. Варакин. "Новое оборудование для травления кремниевых структур на пластинах диаметром до 200 мм". NANOINDUSTRY Russia 12, № 5 (6 вересня 2019): 268–74. http://dx.doi.org/10.22184/1993-8578.2019.12.5.268.274.

Повний текст джерела

Анотація:

При изготовлении трехмерных структур с применением технологии формирования глубоких отверстий в кремнии, а также при изготовлении микроэлектромеханических систем широкое распространение получил процесс глубокого анизотропного травления кремния с применением попеременных процессов травления и пассивации. Суть процесса заключается в чередовании стадий реактивно-ионного травления поверхности кремния (как правило, в SF6) и пассивации поверхности (как правило, с применением C4F8). При этом на стадии травления пассивирующий слой удаляется со дна канавок быстрее, чем со стенок, что в итоге позволяет получить анизотропность процесса травления. К преимуществам процесса можно отнести: проведение процесса при комнатных температурах, высокую селективность к фоторезисту (около 80:1 и более), получение структур с аспектным отношением до 30:1, скорость травления до 20 мкм/мин, а также контролируемый профиль травления. Основным недостатком процесса является шероховатость стенок в связи с цикличностью процесса. Цель данной работы – создание реактора для глубокого плазмохимического травления кремния на пластинах диаметром до 200 мм, аналогичного по своим характеристикам импортному, и разработка технологии глубокого травления кремния для ее применения в изготовлении трехмерных TSV-структур.

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

29

Иванов, П. А., Н. М. Лебедева, Н. Д. Ильинская, Т. П. Самсонова та О. И. Коньков. "Высоковольтные лавинные 4H-SiC диоды с прямой фаской". Физика и техника полупроводников 55, № 4 (2021): 349. http://dx.doi.org/10.21883/ftp.2021.04.50737.9566.

Повний текст джерела

Анотація:

Изготовлены высоковольтные лавинные p+-p-n0-n+-диоды на основе 4H-SiC. Диоды выполнены в виде мезаструктур с пологими боковыми стенками, образующими прямую фаску. Мезаструктуры формировалась с помощью сухого реактивно-ионного травления 4H-SiC через маску из фоторезиста с клинообразным краем. Мезы имеют площадь 1 мм2, высоту 3.6 мкм (немного превышающую глубину залегания p-n0-перехода --- 3 мкм) и угол наклона боковых стенок ~5o от плоскости p-n0-перехода. Измерены вольт-амперные характеристики изготовленных диодов. В прямом направлении дифференциальное сопротивление диодов и падение напряжения при токе 10 А составляют 0.35 Oм и 6.5 В соответственно. В обратном направлении диоды показали резкий пробой при напряжениях от 1420 до 1500 В. С помощью TCAD-моделирования рассчитана обратная вольт-амперная характеристика идеализированного одномерного диода с теми же параметрами структуры, как и у реальных диодов. Рассчитанное напряжение лавинного пробоя одномерного диода (1450 В) попадает в диапазон измеренных значений, т. е. эффективность работы прямой фаски в качестве охранного контура близка к 100%. Измерены импульсные обратные вольт-амперные характеристики диодов в режиме мощного лавинного пробоя: дифференциальное сопротивление составляет ~3 Ом, что свидетельствует о том, что лавинный пробой однороден по площади. Диоды выдерживают без деструкции импульсы лавинного тока с амплитудой, как минимум, 10 А (плотность тока 103 А/см2) и длительностью 1.2 мкс (рассеиваемая энергия 9 мДж). Ключевые слова: карбид кремния, высоковольтный лавинный диод, прямая фаска.

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

30

Иванов, П. А., Н. М. Лебедева, Н. Д. Ильинская, Т. П. Самсонова та О. И. Коньков. "Высоковольтные лавинные 4H-SiC диоды с прямой фаской". Физика и техника полупроводников 55, № 4 (2021): 349. http://dx.doi.org/10.21883/ftp.2021.04.50737.9566.

Повний текст джерела

Анотація:

Изготовлены высоковольтные лавинные p+-p-n0-n+-диоды на основе 4H-SiC. Диоды выполнены в виде мезаструктур с пологими боковыми стенками, образующими прямую фаску. Мезаструктуры формировалась с помощью сухого реактивно-ионного травления 4H-SiC через маску из фоторезиста с клинообразным краем. Мезы имеют площадь 1 мм2, высоту 3.6 мкм (немного превышающую глубину залегания p-n0-перехода --- 3 мкм) и угол наклона боковых стенок ~5o от плоскости p-n0-перехода. Измерены вольт-амперные характеристики изготовленных диодов. В прямом направлении дифференциальное сопротивление диодов и падение напряжения при токе 10 А составляют 0.35 Oм и 6.5 В соответственно. В обратном направлении диоды показали резкий пробой при напряжениях от 1420 до 1500 В. С помощью TCAD-моделирования рассчитана обратная вольт-амперная характеристика идеализированного одномерного диода с теми же параметрами структуры, как и у реальных диодов. Рассчитанное напряжение лавинного пробоя одномерного диода (1450 В) попадает в диапазон измеренных значений, т. е. эффективность работы прямой фаски в качестве охранного контура близка к 100%. Измерены импульсные обратные вольт-амперные характеристики диодов в режиме мощного лавинного пробоя: дифференциальное сопротивление составляет ~3 Ом, что свидетельствует о том, что лавинный пробой однороден по площади. Диоды выдерживают без деструкции импульсы лавинного тока с амплитудой, как минимум, 10 А (плотность тока 103 А/см2) и длительностью 1.2 мкс (рассеиваемая энергия 9 мДж). Ключевые слова: карбид кремния, высоковольтный лавинный диод, прямая фаска.

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

31

I. Z. Indutny, A. A. Kryuchyn, Yu. A. Borodin, V. A. Danko, M. V. Lukanyuk, V. I. Minko, P. E. Shepelyavyi, E. V. Gera та V. M. Rubish. "Оптичний запис мікро- та нанорозмірних рельєфних структур на неорганічних резистах Ge-Se". Реєстрація, зберігання і обробка даних 15, № 4 (8 грудня 2013). http://dx.doi.org/10.35681/1560-9189.2013.15.4.103416.

Повний текст джерела

Анотація:

Представлено результати експериментальних досліджень по запису мікрорельєфних структур сфокусованим лазерним випромінюванням з довжиною хвилі 405 нм на плівках неорганічних фоторезистів системи Ge-Se. Показано, що мікрорельєфні структури глибиною 100 нм можуть бути отримані на неорганічних фоторезистах складу GeSe3. Збільшення вмісту германію (досліджувався склад GeSe2) не дозволяє отримувати мікрорельєфні структури з глибиною рельєфу, необхідною для виготовлення дисків-оригіналів, які використовуються у виробництві DVD і BD компакт-дисків. Плівки з високим вмістом Se (GeSe8) характеризуються наявністю кристалічних включень і не можуть бути використані для отримання мікрорельєфних структур при запису інформації на диски-оригінали. Табл.: 2. Іл.: 4. Бібліогр.: 19 найм.

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

32

ТИТОВЕЦ, П. А., А. И. САТТАРОВА, А. А. ПИЩЕРКОВ, and Н. С. БЕКУШЕВ. "LOOP ANTENNA WITH A SEMICONDUCTOR ELEMENT." Труды НИИР, no. 3(6) (September 27, 2021). http://dx.doi.org/10.34832/niir.2021.6.3.006.

Повний текст джерела

Анотація:

Представлены результаты исследований рамочной антенны, в которой подстроечным элементом является фоторезистор, управляемый лазерным излучением. Показано, что использование фоторезистора как элемента внешнего контура рамочной антенны, включенного последовательно, позволяет изменять согласование рамочной антенны с помощью внешнего лазерного источника. Представлены результаты исследований характеристик коэффициента передачи рамочных антенн, состоящих из медной фольги на диэлектрической основе и полупроводникового элемента. Установлено, что при изменении интенсивности лазерного излучения, падающего на полупроводниковый элемент-фоторезистор, изменяется коэффициент отражения рамочной антенны. В диапазоне от 10 МГц до 18ГГц получены зависимости коэффициентов отражения (Su)рамочных антенн с полупроводниковым элементом. Проведено сравнение рамочной антенны и рамочной антенны с фоторезистором. The results of an experiment with a loop antenna, in which the building element is a photoresistor controlled by laser radiation, are presented. It is shown that the use of a photoresistor as an element of the external contour of a loop antenna connected in series makes it possible to change the matching of the loop antenna due to an external laser source. The results of studies of the characteristics of the transmission coefficient of loop antennas consisting of a dielectric copper foil and a semiconductor element are presented. It was found that when the intensity of the laser radiation incident on the semiconductor element-photoresistor changes, the reflection coefficient of the frame antenna changes. In the range of 10 MHz-18 GHz, the dependences of the reflection coefficients (S11) of loop antennas with a semiconductor element are obtained. A comparison is made between a loop antenna and a loop antenna with a photoresistor.

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

Ми пропонуємо знижки на всі преміум-плани для авторів, чиї праці увійшли до тематичних добірок літератури. Зв'яжіться з нами, щоб отримати унікальний промокод!