Увійти

Готові списки джерел за темами / Фоторезист

Добірка наукової літератури з теми "Фоторезист"

Автор: Grafiati

Опубліковано: 30 травня 2022

Оновлено: 31 травня 2022

Оформте джерело за APA, MLA, Chicago, Harvard та іншими стилями

Оберіть тип джерела:

Зміст

Статті в журналах
Дисертації

Ознайомтеся зі списками актуальних статей, книг, дисертацій, тез та інших наукових джерел на тему "Фоторезист".

Біля кожної праці в переліку літератури доступна кнопка «Додати до бібліографії». Скористайтеся нею – і ми автоматично оформимо бібліографічне посилання на обрану працю в потрібному вам стилі цитування: APA, MLA, «Гарвард», «Чикаго», «Ванкувер» тощо.

Також ви можете завантажити повний текст наукової публікації у форматі «.pdf» та прочитати онлайн анотацію до роботи, якщо відповідні параметри наявні в метаданих.

Статті в журналах з теми "Фоторезист"

1

Суханов, Д. А. "ЧЕРНЫЙ ФОТОРЕЗИСТ - НОВЫЕ ВОЗМОЖНОСТИ ДЛЯ ПРОЦЕССА ФОТОЛИТОГРАФИИ НА ПРОИЗВОДСТВЕ УСТРОЙСТВ ФОТОНИКИ И МЭМС". NANOINDUSTRY Russia 13, № 4s (11 вересня 2020): 236–43. http://dx.doi.org/10.22184/1993-8578.2020.13.4s.236.243.

Повний текст джерела

Анотація:

Проведен анализ тенденций мирового рынка по применению устройств фотоники и МЭМС, их развития и технологий, которые смогут оптимизировать литографические процессы при производстве этих устройств. Проведен анализ методов обработки фоторезиста, а также технологий экспонирования.

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

2

Суханов, Д. А. "ЧЕРНЫЙ ФОТОРЕЗИСТ - НОВЫЕ ВОЗМОЖНОСТИ ДЛЯ ПРОЦЕССА ФОТОЛИТОГРАФИИ НА ПРОИЗВОДСТВЕ УСТРОЙСТВ ФОТОНИКИ И МЭМС". Nanoindustry Russia 13, № 5s (28 грудня 2020): 246–49. http://dx.doi.org/10.22184/1993-8578.2020.13.5s.246.249.

Повний текст джерела

Анотація:

Проведен анализ тенденций мирового рынка по применению устройств фотоники и МЭМС, их развития и технологий, которые смогут оптимизировать литографические процессы при производстве этих устройств. Проведен анализ методов обработки фоторезиста, а также технологий экспонирования.

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

3

Лебедева, Н. М., Т. П. Самсонова, Н. Д. Ильинская, С. И. Трошков та П. А. Иванов. "Формирование SiC-мезаструктур с пологими боковыми стенками cухим селективным травлением через маску из фоторезиста". Журнал технической физики 90, № 6 (2020): 997. http://dx.doi.org/10.21883/jtf.2020.06.49289.12-20.

Повний текст джерела

Анотація:

Продемонстрировано формирование SiC-мезаструктур с пологими боковыми стенками с помощью селективного реактивно-ионного травления (Reactive Ion Etching, RIE) карбида кремния через маску из фоторезиста (наклонные стенки сформированы при одновременном травлении SiC и резистивной маски, край которой имеет форму острого клина). Простая геометрическая модель травления предсказывает, что результирующий угол наклона стенки мезаструктуры должен задаваться двумя параметрами --- исходным углом резистивного клина и селективностью травления SiC по отношению к фоторезисту (отношением скоростей травления SiC и фоторезиста). Для экспериментов использовались полированные пластины 4H-SiC с ориентацией (0001). На Si-стороне пластин фотолитографическими методами были нанесены площадки из фоторезиста с краевым углом 22o. Затем проводилось травление мезаструктур в трифториде азота в установке с индуктивно-связанной плазмой. Были подобраны параметры RIE-процесса, обеспечивающие травление SiC и фоторезиста со скоростями 55 и 160 nm/min соответственно (селективность травления 1:3). Сформированные травлением SiC-мезаструктуры имеют высоту 3.2 μm и пологие боковые стенки с углом наклона около 8o. Данная технология может использоваться при изготовлении высоковольтных SiC-приборов с прямой фаской. Ключевые слова: карбид кремния, мезаструктура, наклонные стенки, фотолитография, реактивно-ионное травление.

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

4

Тихонова, Е. Д. "МОДЕЛИРОВАНИЕ ПРОФИЛЯ ФОТОРЕЗИСТА В ПРОЦЕССЕ САМОСОВМЕЩЕННОГО ДВОЙНОГО ПАТТЕРНИРОВАНИЯ С УЧЕТОМ КОРРЕКЦИИ ПРОБЛЕМЫ ГОРЯЧИХ ТОЧЕК". Nanoindustry Russia 14, № 7s (3 жовтня 2021): 786–87. http://dx.doi.org/10.22184/1993-8578.2021.14.7s.786.787.

Повний текст джерела

Анотація:

Данное исследование посвящено проблеме неравномерности профиля фоторезиста на этапе травления в процессе самосовмещенного двойного паттернирования. Было проведено моделирование профиля фоторезиста и предложена методика, помогающая отыскать слабые места процесса и улучшить ширину линий итоговых элементов.

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

5

Кузнецова, Н. А., Н. В. Малимоненко, М. А. Билданов, Д. А. Варламов та Б. Г. Грибов. "ВЛИЯНИЕ КАТАЛИЗАТОРА ТЕРМООТВЕРЖДЕНИЯ В АНТИОТРАЖАЮЩЕМ ПОКРЫТИИ НА ПРОФИЛЬ ЭЛЕМЕНТОВ ФОТОРЕЗИСТА, "Электронная техника. Серия 3. Микроэлектроника"". Электронная техника. Серия 3. Микроэлектроника, № 4 (2021): 69–71. http://dx.doi.org/10.7868/s2410993221040096.

Повний текст джерела

Анотація:

Исследовано влияние концентрации в антиотражающем покрытии кислотного (п-толуолсульфокислота) и нейтрального (триэтиламмониевая соль додецилбензолсульфокислоты) катализаторов сшивки полимерного связующего на профиль элементов фоторезиста.

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

6

Кузнецова, Н. А., В. И. Беклемышев та Б. Г. Грибов. "ВЛИЯНИЕ ФОТОГЕНЕРАТОРА КИСЛОТЫ В АНТИОТРАЖАЮЩЕМ ПОКРЫТИИ НА ПРОФИЛЬ ЭЛЕМЕНТОВ, ФОРМИРУЕМЫХ В ФОТОРЕЗИСТЕ, "Электронная техника. Серия 3. Микроэлектроника"". Электронная техника. Серия 3. Микроэлектроника, № 4 (2020): 35–37. http://dx.doi.org/10.7868/s2410993220040053.

Повний текст джерела

Анотація:

Экспериментально показано, что введение фотогенератора кислоты в композицию антиотражающего покрытия позволяет улучшить профиль полученных на нем элементов фоторезиста, а именно – формировать элементы без уширения у основания (footing).

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

7

Бринкевич, Д. И., С. Д. Бринкевич, Н. В. Вабищевич, В. Б. Оджаев та В. С. Просолович. "Ионная имплантация позитивных фоторезистов". Микроэлектроника 43, № 3 (2014): 193–99. http://dx.doi.org/10.7868/s0544126914010037.

Повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

8

Бринкевич, Д. И., С. Д. Бринкевич, М. Г. Лукашевич, В. С. Просолович, В. Б. Оджаев та Ю. Н. Янковский. "Модификация поверхности позитивного фоторезиста при ионной имплантации". Микроэлектроника 44, № 6 (2015): 448–52. http://dx.doi.org/10.7868/s0544126915060022.

Повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

9

Олешкевич, А. Н., Н. М. Лапчук, В. Б. Оджаев, И. А. Карпович, В. С. Просолович, Д. И. Бринкевич та С. Д. Бринкевич. "Электронная проводимость в имплантированном ионами Р + позитивном фоторезисте". Микроэлектроника 49, № 1 (2020): 58–65. http://dx.doi.org/10.31857/s0544126919060073.

Повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

10

Скиданов, Р. В., О. Ю. Моисеев та С. В. Ганчевская. "Формирование микротурбин методом прямой лазерной записи по фоторезисту". Журнал технической физики 88, № 6 (2018): 888. http://dx.doi.org/10.21883/jtf.2018.06.46021.1795.

Повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

Більше джерел

Дисертації з теми "Фоторезист"

1

Письменецький, В. О., О. С. Профатіло та О. Райков. "Оптимізація режимів нанесення фоторезисту". Thesis, ХНУРЕ, 2018. http://openarchive.nure.ua/handle/document/7115.

Повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

2

Жуковець, Анатолій Петрович, Анатолий Петрович Жуковец, Anatolii Petrovych Zhukovets та С. А. Караван. "Сухі плівкові фоторезисти для формування рисунка друкованої плати". Thesis, Вид-во СумДУ, 2011. http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/20204.

Повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

3

Жуковець, Анатолій Петрович, Анатолий Петрович Жуковец, Anatolii Petrovych Zhukovets та В. А. Герценок. "Властивості фоторезистів для друкованих плат". Thesis, Видавництво СумДУ, 2011. http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/22101.

Повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

4

Щеглов, Сергій Вікторович, Сергей Викторович Щеглов, Serhii Viktorovych Shchehlov та М. Кучков. "Фотореле со звуковой сигнализацией". Thesis, Издательство СумГУ, 2011. http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/13799.

Повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

5

Петричко, В. В. "Розробка та дослідження апаратно-програмного засобу визначення освітлення приміщення в розумному домі". Thesis, Київський національний університет технологій та дизайну, 2018. https://er.knutd.edu.ua/handle/123456789/11442.

Повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

6

Лаврик, А. В. "Автоматизована система керування вирощуванням кімнатних рослин". Master's thesis, Сумський державний університет, 2020. https://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/81448.

Повний текст джерела

Анотація:

Пояснювальна записка має наступну структуру: 79 сторінок тексту, 30 рисунків, 12 таблиць і сім розділів тексту. Графічна частина складається з алгоритму роботи та структурної, функціональної і принципової схем. Перший розділ присвячений огляду існуючих пристроїв по заданому напрямку проектування та постановці завдання до проектування. В другому розділі проведено експериментальне дослідження, щодо вибору модулів освітлення та бажаного алгоритму їх роботи. Третій розділ присвячений створенню структурної схеми пристрою та алгоритму роботи за яким вона працює. Четвертий та п'ятий розділи містять інформацію про розробку схеми підключення самого мікроконтролера та додаткових датчиків. Вони містять інформацію про розробку функціональної та принципової схем. Також виконаний підбір елементної бази. Шостий розділ містить пояснення до розробки керуючого програмного забезпечення. Сьомий розділ присвячений техніко-економічним розрахункам розробленої системи. В ній можна побачити детальні затрати на виготовлення, зберігання та реалізацію розроблених виробів. Визначено рекомендовану ціну для системи. Приведено 14 літературних джерел.

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

7

Rodzin, Maksym, Максим Олегович Родзін, Yaroslav Kharchenko, and Ярослав Геннадійович Харченко. "Efficient solar panel based on Arduino microcontroller." Thesis, National Aviation University, 2021. https://er.nau.edu.ua/handle/NAU/50480.

Повний текст джерела

Анотація:

1. Vashchyshak I.R., Tsykh V.S.Improving the energy efficiency of a solar powerplant:Oilandgasenergy2020.№1(33). URL: https://nge.nung.edu.ua/index.php/nge/article/download/514/503/1810 2. Polyak A.R., Reshetilo O.M. Software-hardware complex of solar panel angle control/LutskNationalTechnicalUniversity.URL:http://av.lntu.edu.ua/attachments/article/317/1_Poliak.pdf
Тhe work is devoted to ecology as an urgent problem for mankind nowadays. It depicts the effectiveness factor of the panels should be installed on special support that allows the elements to rotate after the sun.
Робота присвячена екології як актуальній проблемі людства в наш час. Визначено коефіцієнт ефективності панелей, які слід встановлювати на спеціальній опорі, що дозволяє елементам обертатися після сонячних променів.

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

Ми пропонуємо знижки на всі преміум-плани для авторів, чиї праці увійшли до тематичних добірок літератури. Зв'яжіться з нами, щоб отримати унікальний промокод!