Готові списки джерел за темами / Транзистори силові / Статті в журналах
Щоб переглянути інші типи публікацій з цієї теми, перейдіть за посиланням: Транзистори силові.

Статті в журналах з теми "Транзистори силові"

Автор: Grafiati
Опубліковано: 30 травня 2022
Оновлено: 31 травня 2022

Оформте джерело за APA, MLA, Chicago, Harvard та іншими стилями

Оберіть тип джерела:

Ознайомтеся з топ-26 статей у журналах для дослідження на тему "Транзистори силові".

Біля кожної праці в переліку літератури доступна кнопка «Додати до бібліографії». Скористайтеся нею – і ми автоматично оформимо бібліографічне посилання на обрану працю в потрібному вам стилі цитування: APA, MLA, «Гарвард», «Чикаго», «Ванкувер» тощо.

Також ви можете завантажити повний текст наукової публікації у форматі «.pdf» та прочитати онлайн анотацію до роботи, якщо відповідні параметри наявні в метаданих.

Переглядайте статті в журналах для різних дисциплін та оформлюйте правильно вашу бібліографію.

1

Bordakov, M. "ОСОБЛИВОСТІ КОНСТРУКЦІЇ ЧАСТИНИ СИЛОВОЇ ЕЛЕКТРОНІКИ В СОНЯЧНИХ МЕРЕЖЕВИХ ІНВЕРТОРАХ". Vidnovluvana energetika, № 1(60) (30 березня 2020): 23–28. http://dx.doi.org/10.36296/1819-8058.2020.1(60).23-28.

Повний текст джерела
Анотація:
При дослідженні роботи інвертора було визначено параметри, які впливають на ефективність його роботи. Одним з таких парметрів є внутрішні компоненти інвертора від яких залежить ефективність його роботи. Основним силовим компонентом є Power Stack (силовий модуль). Основним компонентом силового модуля є IGBT (біполярний транзистор з ізольованим затвором). Даний тип транзисторів поєднує в собі характеристики двох напівпровідникових пристроїв: Біполярного транзистора (утворює силовий канал). Польового транзистора (утворює канал управління). При розрахунку ефективності роботи інвертора потрібно розуміти як працює його силова частина і як силова частина перетворює постійний струм у змінний. Робота силових транзисторів керується драйвером, який пристрій керує частотою відкриття і закриття транзисторів та вихідними характеристиками напруги інвертора. Для регулювання роботи інвертора драйвер отримує сигнал та відправляє команду на сам силовий модуль. Таким чином відбувається регулювання вихідних параметрів інвертора. Для регулювання вихідної потужності інвертором також застосовується алгоритм зменшення вхідної потужності. Це досягається шляхом переходу робочої точки поля ФЕМ з точки МРРТ до робочої точки, ближчої до режиму холостого ходу сонячної панелі. Регулювання рівня реактивної потужності також відбувається за рахунок роботи силового модуля. Для роботи інвертора, його силовий модуль повинен мати якісне охолодження. Охолодження має забезпечити відвід тепла від силового модуля, що в свою чергу попередить руйнування транзистора. В сучасних інверторах використовується активна і пасивна система охолодження. Зазвичай інвертори з пасивним охолодженням мають потужність до 100 кВт. Також у деяких виробніків є тестові моделі інверторів з водяним охолодженням. Потужність даних інверторів очікується більшою ніж 2500 кВт. Бібл. 10, рис. 5.
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
2

Ерофеев, Е. В., И. В. Федин, В. В. Федина, М. В. Степаненко та А. В. Юрьева. "Мощные GaN-транзисторы с подзатворной областью на основе МДП-структур". Физика и техника полупроводников 51, № 9 (2017): 1278. http://dx.doi.org/10.21883/ftp.2017.09.44895.8569.

Повний текст джерела
Анотація:
Транзисторы с высокой подвижностью электронов на основе эпитаксиальных гетероструктур AlGaN/GaN являются перспективной элементной базой для создания устройств силовой электроники следующего поколения. Это обусловлено как высокой подвижностью носителей заряда в канале транзистора, так и высокой электрической прочностью материала, позволяющей достичь высоких напряжений пробоя. Для применения в силовых коммутационных устройствах требуются нормально закрытые GaN-транзисторы, работающие в режиме обогащения. Для создания нормально закрытых GaN-транзисторов чаще всего используют подзатворную область на основе GaN p-типа, легированного магнием (p-GaN). Однако оптимизация толщины эпитаксиального слоя p-GaN и уровня легирования позволяет добиться порогового напряжения отпирания GaN-транзисторов, близкого к Vth=+2 В. В настоящей работе показано, что использование подзатворной МДП-структуры в составе p-GaN-транзистора приводит к увеличению порогового напряжения отпирания до Vth=+6.8 В, которое в широком диапазоне будет определяться толщиной подзатворного диэлектрика. Кроме того, установлено, что использование МДП-структуры приводит к уменьшению начального тока транзистора, а также затворного тока в открытом состоянии, что позволит уменьшить потери энергии при управлении мощными GaN-транзисторами. DOI: 10.21883/FTP.2017.09.44895.8569
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
3

Ерофеев, Е. В., И. В. Федин, И. В. Кутков та Ю. Н. Юрьев. "Увеличение порогового напряжения отпирания силовых GaN-транзисторов при использовании низкотемпературной обработки в потоке атомарного водорода". Физика и техника полупроводников 51, № 2 (2017): 253. http://dx.doi.org/10.21883/ftp.2017.02.44114.8298.

Повний текст джерела
Анотація:
Транзисторы с высокой подвижностью электронов на основе эпитаксиальных гетероструктур AlGaN/GaN являются перспективной элементной базой для создания устройств силовой электроники следующего поколения. Это обусловлено как высокой подвижностью носителей заряда в канале транзистора, так и высокой электрической прочностью материала, позволяющей достичь высоких напряжений пробоя. Для применения в силовых коммутационных устройствах требуются нормально-закрытые GaN-транзисторы, работающие в режиме обогащения. Для создания нормально-закрытых GaN-транзисторов чаще всего используют подзатворную область на основе GaN p-типа проводимости, легированного магнием (p-GaN). Однако оптимизация толщины эпитаксиального слоя p-GaN и уровня легирования позволяет добиться порогового напряжения отпирания GaN-транзисторов, близкого к Vth=+2 В. В настоящей работе показано, что применение низкотемпературной обработки в потоке атомарного водорода подзатворной области на основе p-GaN перед осаждением слоев затворной металлизации позволяет увеличить пороговое напряжение транзистора до Vth=+3.5 В. Наблюдаемые эффекты могут быть обусловлены формированием дипольного слоя на поверхности p-GaN, индуцированного воздействием атомарного водорода. Термическая обработка GaN-транзисторов, подвергшихся водородной обработке, в среде азота при температуре T=250oC в течение 12 ч не выявила деградации электрических параметров транзистора, что может быть обусловено формированием термически стабильного дипольного слоя на границе раздела металл/p-GaN в результате гидрогенезации. DOI: 10.21883/FTP.2017.02.44114.8298
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
4

Егоркин, В. И., А. А. Зайцев, В. Е. Земляков, В. В. Капаев та О. Б. Кухтяева. "GAN/ALGAN ГЕТЕРОСТРУКТУРНЫЙ ТРАНЗИСТОР НОРМАЛЬНОЗАКРЫТОГО ТИПА С P-ЗАТВОРОМ ДЛЯ ВЫСОКОВОЛЬТНЫХ ПРИБОРОВ". NANOINDUSTRY Russia 96, № 3s (15 червня 2020): 133–36. http://dx.doi.org/10.22184/1993-8578.2020.13.3s.133.136.

Повний текст джерела
Анотація:
Представлено моделирование нормально-закрытого транзистора на основе гетероструктуры p-GaN/AlN/AlGaN/ AlN/GaN, рассматриваются зонные диаграммы и зависимости концентрации носителей заряда в канале от конструкции гетероструктуры. Основной целью является создание нормально-закрытых транзисторов для применения в силовой электронике. Продемонстрирована возможность получения таких транзисторов. The article demonstrates simulation of normally-off transistor based on heterostructure p-GaN/AlN/AlGaN/AlN/GaN. The band diagrams and dependences of channel carrier density on heterostructure parameters have been considered. The key aim is fabrication of a high-voltage normally-off transistor. A possibility of the transistor fabrication has been presented in this paper.
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
5

Бельков, В., А. Цоцорин, И. Семейкин та М. Черных. "МОЩНЫЕ СВЧ И ПЕРЕКЛЮЧАЮЩИЕ ТРАНЗИСТОРЫ НА ОСНОВЕ НИТРИДА ГАЛЛИЯ". ELECTRONICS: SCIENCE, TECHNOLOGY, BUSINESS 196, № 5 (10 червня 2020): 78–80. http://dx.doi.org/10.22184/1992-4178.2020.196.5.78.80.

Повний текст джерела
Анотація:
В АО «НИИЭТ» создан ряд мощных СВЧ-транзисторов с мощностью 400 Вт в диапазоне частот до 1,6 ГГц и мощностью до 80 Вт в диапазоне частот до 12 ГГц. Представлен также ряд силовых переключающих транзисторов с напряжением сток-исток 100, 200 и 650 В
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
6

Колесников, Д. В., С. В. Тарасов та А. Ю. Ткачев. "АКТУАЛЬНЫЕ РАЗРАБОТКИ АО «ПКК МИЛАНДР» В ОБЛАСТИ СВЧ-И СИЛОВЫХ ТРАНЗИСТОРОВ НА ОСНОВЕ ШИРОКОЗОННЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВ". NANOINDUSTRY Russia 13, № 4s (11 вересня 2020): 407–10. http://dx.doi.org/10.22184/1993-8578.2020.13.4s.407.410.

Повний текст джерела
Анотація:
Рассмотрен современный уровень развития приборов на основе широкозонных материалов группы А3В5, их преимущества и особенности. Представлены уникальные разработки СВЧ GaN HEMT для широкого диапазона частот, а также силовые транзисторы и их характеристики.
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
7

Ерофеев, Е. В., та Е. С. Полынцев. "РАЗРАБОТКА ОТЕЧЕСТВЕННОЙ ЭЛЕКТРОННОЙ КОМПОНЕНТНОЙ БАЗЫ СИЛОВОЙ ЭЛЕКТРОНИКИ НА ОСНОВЕ ГЕТЕРОЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СТРУКТУР НИТРИДА ГАЛЛИЯ". Nanoindustry Russia 14, № 7s (3 жовтня 2021): 220–22. http://dx.doi.org/10.22184/1993-8578.2021.14.7s.220.222.

Повний текст джерела
Анотація:
В данной статье представлены результаты разработки отечественных силовых транзисторов и диодов с барьером Шоттки на основе гетероэпитаксиальных структур нитрида галлия. Представлены электрические характеристики разработанных изделий в бескорпусном исполнении по постоянному току.
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
8

Бєлоха, Г. С., та І. С. Шевченко. "Способи регулювання струму мережі в системах керування електроприводом з активним фільтром". ВІСНИК СХІДНОУКРАЇНСЬКОГО НАЦІОНАЛЬНОГО УНІВЕРСИТЕТУ імені Володимира Даля, № 4(268) (10 червня 2021): 21–25. http://dx.doi.org/10.33216/1998-7927-2021-268-4-21-25.

Повний текст джерела
Анотація:
Сучасний регульований електропривод як постійного так і змінного струмів має у своєму складі перетворювачі, які є нелінійним, вони спотворюють криву вхідного струму, що є неприпустимим з точку зору якості електроенергії. Застосування силових активних фільтрів дозволяє формувати в мережі живлення струм синусоїдальної форми, при цьому не має потреби змінювати існуючу систему електропривода. Силовий активний фільтр під’єднаний до мережі та навантаження паралельно. Схема запропонованого фільтру складається з трифазного моста на повністю керованих транзисторах з зворотними діодами. На його виході конденсатор. Система керування вентилями фільтру релейна. У статті розглянуто систему керування активним фільтром незалежно від навантаження та принципи формування струму споживаного з мережі: регулювання за відхиленням, таке регулювання найбільш бажане в тих системах керування електроприводом в яких неможливо або важко технічно здійснювати вимірювання струму та напруги якірної обмотки двигунів постійного струму або статорної обмотки асинхронних двигунів; регулювання за збуренням, для більш точного регулювання, та комбіноване регулювання. За допомогою цифрового моделювання в програмі Matlab проведено дослідження принципів формування завдання на струм мережі живлення та виконаний аналіз струмів на вміст гармонік струму споживаного з мережі та струму споживаного нелінійним навантаженням. Отримані осцилограми підтверджують працездатність силового активного фільтру, струм споживаний з мережі синусоїдальний та синфазний напруги живлення. Гармонійний аналіз для різних значень потужності показав, що запропонований силовий активний фільтр гармонік забезпечує високу якість споживаного струму мережі, показники якості задовольняють умовам представлених у міжнародних стандартах на якість електроенергії (THD<5%).
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
9

Ерофеев, Е. В., И. В. Федин та Ю. Н. Юрьев. "Силовые коммутационные транзисторы на основе эпитаксиальных гетероструктур нитрида галлия, "Микроэлектроника"". Микроэлектроника, № 3 (2017): 224–30. http://dx.doi.org/10.7868/s0544126917020028.

Повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
10

Ковалев, А. А., та В. И. Егоркин. "БАЗОВАЯ ТЕХНОЛОГИЯ ИЗГОТОВЛЕНИЯ СВЧ-И СИЛОВОЙ ЭЛЕКТРОНИКИ НА ОСНОВЕ GAN(SI)". Nanoindustry Russia 14, № 7s (3 жовтня 2021): 406407. http://dx.doi.org/10.22184/1993-8578.2021.14.7s.406.407.

Повний текст джерела
Анотація:
Рассмотрена технология GaN(Si), ее преимущества по сравнению с аналогами. Показаны возможности применения GaN-транзисторов в микроэлектронике, в том числе в гражданской электронике. Приведены параметры опытных образцов ЭКБ на GaN. Показаны производственные возможности АО «ЗНТЦ».
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
11

Щербина, А., та Л. Федорович. "ИЗДЕЛИЯ ИЗ КЕРАМИКИ НА ОСНОВЕ ОКСИДА АЛЮМИНИЯ, НИТРИДА АЛЮМИНИЯ И ОКСИДА БЕРИЛЛИЯ ОТ АО «ТЕСТПРИБОР»". ELECTRONICS: SCIENCE, TECHNOLOGY, BUSINESS 188, № 7 (29 серпня 2019): 106–8. http://dx.doi.org/10.22184/1992-4178.2019.188.7.106.108.

Повний текст джерела
Анотація:
В статье рассмотрены однослойные и многослойные керамические печатные платы и подложки на основе оксида алюминия, нитрида алюминия и оксида бериллия от АО «ТЕСТПРИБОР». Они обеспечивают высокую надежность различных изделий, в частности мощных РЧ- и СВЧ передатчиков, силовых транзисторов и преобразователей, в условиях больших токов и высоких температур.
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
12

Цацульников, А. Ф., В. В. Лундин, Е. Е. Заварин, А. В. Сахаров та А. Е. Николаев. "III-N-ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ ДЛЯ СВЧ- И СИЛОВОЙ ЭЛЕКТРОНИКИ, ВЫРАЩЕННЫЕ НА ОТЕЧЕСТВЕННОЙ УСТАНОВКЕ МОС-ГИДРИДНОЙ ЭПИТАКСИИ DRAGON-125". Nanoindustry Russia 14, № 7s (4 вересня 2021): 195–96. http://dx.doi.org/10.22184/1993-8578.2021.14.7s.195.196.

Повний текст джерела
Анотація:
С использованием отечественной установки МОС-гидридной эпитаксии Dragon-125 разработана технология выращивания НЕМТ-структур на основе AlGaN и InAlN с намеренно легированными изолирующими буферными слоями и in-situ Si3N4-покрытиями. Изготовлены НЕМТ-транзисторы и измерены их параметры.
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
13

Мошкунов, С. И., И. Е. Ребров, В. Ю. Хомич та Е. А. Шершунова. "ИССЛЕДОВАНИЕ ПАРАМЕТРОВ СИЛОВЫХ ТРАНЗИСТОРОВ ДЛЯ СОЗДАНИЯ ВЫСОКОЧАСТОТНЫХ ВЫСОКОВОЛЬТНЫХ НАНОСЕКУНДНЫХ КОММУТАТОРОВ". Приборы и техника эксперимента, № 6 (2018): 62–67. http://dx.doi.org/10.1134/s0032816218050257.

Повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
14

Федотов, С. Д., В. В. Лундин, Е. Е. Заварин, А. Ф. Цацульников, Е. М. Соколов та В. Н. Стаценко. "ГЕТЕРОЭПИТАКСИЯ GA(AL)N ДЛЯ СИЛОВЫХ HEMT НА СВЕРХВЫСОКООМНЫХ СТРУКТУРАХ КРЕМНИЯ". NANOINDUSTRY Russia 13, № 4s (11 вересня 2020): 176–78. http://dx.doi.org/10.22184/1993-8578.2020.13.4s.176.178.

Повний текст джерела
Анотація:
В докладе продемонстрированы новые результаты разработки отечественной технологии Ga(Al)N-on-Si. Разработка ведется АО «Эпиэл» в тесном сотрудничестве c НТЦ микроэлектроники РАН. Получены первые отечественные гетероэпитаксиальные структуры Ga(Al)N/Si диаметром 100 мм для HEMT-транзисторов с подвижностью электронов в канале 2DEG выше 1500 см2В-1с-1, выращенные на сверхвысокоомных эпитаксиальных структурах Si в МОГФЭ-установке Dragon 125.
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
15

Федотов, С. Д., В. В. Лундин, Е. Е. Заварин, А. Ф. Цацульников, Е. М. Соколов та В. Н. Стаценко. "ГЕТЕРОЭПИТАКСИЯ GA(AL)N ДЛЯ СИЛОВЫХ HEMT НА СВЕРХВЫСОКООМНЫХ СТРУКТУРАХ КРЕМНИЯ". Nanoindustry Russia 13, № 5s (28 грудня 2020): 209–12. http://dx.doi.org/10.22184/1993-8578.2020.13.5s.209.212.

Повний текст джерела
Анотація:
Продемонстрированы новые результаты разработки отечественной технологии Ga(Al)N-on-Si. Разработка ведется АО «Эпиэл» в тесном сотрудничестве с НТЦ микроэлектроники РАН. Получены первые отечественные гетероэпитаксиальные структуры Ga(Al)N/Si диаметром 100 мм для HEMT-транзисторов с подвижностью электронов в канале 2DEG выше 1500 см2В-1с-1, выращенные на сверхвысокоомных эпитаксиальных структурах Si на МОГФЭ-системе Dragon-125, разработанной в НТЦ микроэлектроники РАН.
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
16

Бабенко, В. П., та В. К. Битюков. "Имитационное моделирование процессов переключения силовых полевых транзисторов в программе Electronics Workbench". Радиотехника и электроника 64, № 2 (2019): 199–205. http://dx.doi.org/10.1134/s0033849419020025.

Повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
17

Ivanov, E. A., and A. N. Yakunin. "Alternative Switching Algorithms for Power Transistors with a Quasi-Resonant Component." Nano- i Mikrosistemnaya Tehnika 21, no. 7 (July 22, 2019): 429–36. http://dx.doi.org/10.17587/nmst.21.429-436.

Повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
18

Ulyanov, A. V., and R. V. Shibeko. "APPLICATION OF SIC-TRANSISTORS FOR CONSTRUCTION POWER CONVERTER BLOCKS." Современные наукоемкие технологии (Modern High Technologies), no. 8 2021 (2021): 124–31. http://dx.doi.org/10.17513/snt.38790.

Повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
19

Bothwell, B., D. Drummond, M. Pilla, H. G. Xing, D. Jena, and G. Cohn. "VERTICAL GAN TRANSISTORS: THE EFFECTIVE SOLUTIONS FOR POWER ELECTRONICS." ELECTRONICS: Science, Technology, Business 2 (2017): 92–96. http://dx.doi.org/10.22184/1992-4178.2017.162.2.92.96.

Повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
20

Егоркин, В. И., С. В. Оболенский, В. Е. Земляков, А. А. Зайцев та В. И. Гармаш. "Исследование ионной имплантации азота через слой нитрида кремния для межприборной изоляции силовых GaN/Si-транзисторов". Письма в журнал технической физики 47, № 18 (2021): 15. http://dx.doi.org/10.21883/pjtf.2021.18.51465.18805.

Повний текст джерела
Анотація:
This letter reports a nitrogen ion implantation through silicon nitride passivation layer deposited on AlGaN/GaN on Si heterojunction structure. Employment of Si3N4 layer simplify HEMT fabrication process and helps to obtain high resistivity isolation due to the shift of implanted ions distribution towards the surface of semiconductor. This isolation process in combination with C-doped heterostructure buffer layer results in increased up to 650 V breakdown voltage.
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
21

Afanasiev, А., V. Iljin, V. Luchinin, and А. Mikhailov. "Vapour Phase Epitaxy as the Key Technology for Power MIS -transistors Based on Silicon Carbide." Nanoindustry Russia 11, no. 7-8 (2018): 488–97. http://dx.doi.org/10.22184/1993-8578.2018.11.7-8.488.497.

Повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
22

Melnykov, V. "DESIGN OF THE POWER TRANSISTOR ENERGY CONVERTERS FOR AUTOMATED DC-DRIVE SYSTEMS." Electromechanical and energy saving systems 2, no. 53 (2021): 31–39. http://dx.doi.org/10.30929/2072-2052.2021.2.54.31-39.

Повний текст джерела
Анотація:
Purpose. One of the integral parts of modern mechatronic motion modules, where electric motors provide the conversion of electrical energy into useful mechanical action, are power semiconductor converters. At the current stage of industrial development, the use of energy converters as a part of a fully controlled semiconductor switches opens wide opportunities for the development and implementation of highly efficient resource- and energy-saving devices. Methodology. Two types of converters are widely used in automated DC electric drive systems: controlled thyristor rectifiers and pulse-width DC converters, the principle of operation of which is based on the key mode of operation of the regulating semiconductor, which periodically connects the source voltage to the output circuit. The paper presents a laboratory sample of a power semiconductor DC energy converter, which can ensure reliable motor operation in both motor and braking modes. Results. The presented transistor energy converter consists of two main parts: the first part performs the main role – control, and it includes a control unit, a microcontroller, and a device for displaying current information. The second part is a power module, which includes the necessary power supply modules, control drivers and power transistor switches of the converter. To obtain high quality transients of the electric drive system, the circuit is equipped with additional sensors of current, voltage and speed, which takes part in the formation of the control signal and in the protection systems against overvoltage and current jumps. Practical value. The paper substantiates the parameters of the components and proposes developed technical solutions for the construction of a microprocessor control system for a transistor DC energy converter. It is shown that in order to ensure a constant generator mode in automated electric drive systems, where the primary energy converter is an uncontrolled rectifier, it is expedient to install an energy discharge circuit in the DC link. References 18, figures 14.
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
23

Гармаш, В. И., В. Е. Земляков, В. И. Егоркин, А. В. Ковальчук та С. Ю. Шаповал. "Исследование влияния атомарного состава на скорость плазмохимического травления нитрида кремния в силовых транзисторах на основе AlGaN/GaN-гетероперехода". Физика и техника полупроводников 54, № 8 (2020): 748. http://dx.doi.org/10.21883/ftp.2020.08.49646.9398.

Повний текст джерела
Анотація:
The effect of atomic composition on the rate of plasma chemical etching of silicon nitride in power transistors based on an AlGaN / GaN heterojunction is studied. It is shown how the subsequent process of its plasma-chemical etching depends on the configuration of the incorporation of hydrogen impurity atoms into the molecular structure of the silicon nitride deposited in the plasma. The dependence of the etching rate on the parameters of the process (the working pressure in the chamber, the power of the plasma generator, the flow of working gases, the deposition temperature) is investigated. It was shown that the etching rate of the HxSirNzHy film does not depend directly on the hydrogen content, but significantly depends on the ratio of [Si-H] / [N-H] bonds. The etching rate of HxSirNzHy in a high-density plasma at low powers is much less dependent on the configuration of hydrogen bonds than the etching rate of this dielectric in a buffer etchant.
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
24

Айрапетян, А. С., А. Х. Гёзалян, Д. С. Мартиросян та В. А. Саакян. "НЕСИММЕТРИЧНЫЕ ВЫПРЯМИТЕЛИ С СИСТЕМОЙ УПРАВЛЕНИЯ НА ОДНОПЕРЕХОДНОМ ТРАНЗИСТОРЕ". ELECTRICAL ENGINEERING, ENERGETICS, 2021, 9–21. http://dx.doi.org/10.53297/18293328-2021.1-9.

Повний текст джерела
Анотація:
Существует большое число схемотехнических решений однофазных и многофазных выпрямителей на основе полупроводниковых вентилей (диодов и тиристоров). Широкое распространение находят мостовые схемы выпрямителей, обеспечивающие, в частности, лучшие массогабаритные показатели входных трансформаторов. Рассмотрены однофазные и трехфазные симметричные и несимметричные мостовые выпрямители с импульсно-фазовым управлением. Несимметричные мостовые управляемые схемы выпрямителей выгодно отличаются от симметричных с точки зрения стоимости, простоты силовой части, а также упрощения системы управления. Кроме того, коэффициент мощности таких выпрямителей в определенных случаях выше, чем симметричных, а потребляемая реактивная мощность из питающей сети меньше. Проведен анализ схем однофазных и трехфазных несимметричных мостовых выпрямителей, в которых диоды включены в анодную группу, а тиристоры – в катодную группу, и наоборот. Показано, что в первом случае при таком схемном решении силовой части выпрямителя становится возможным разработать простые схемы систем управления однофазными и трехфазными несимметричными мостовыми выпрямителями на основе однопереходного транзистора. Описаны структура, характеристики и особенности однопереходного транзистора для применения в системе управления несимметричными мостовыми выпрямителями. Представлена простая схема релаксационного генератора импульсов на однопереходном транзисторе, рассмотрен принцип его работы. Приведены и рассмотрены схемы импульсно-фазовой вертикальной одноканальной системы управления однофазными и трехфазными несимметричными мостовыми выпрямителями с релаксационным генератором импульсов на базе однопереходного транзистора. Показано, что при неизменной нагрузке такие системы управления на однопереходном транзисторе позволяют простым способом стабилизировать выходное напряжение однофазных и трехфазных несимметричных мостовых выпрямителей при изменении входного напряжения и обеспечить симметричные выходные импульсы управления тиристорами во всех фазах трехфазных несимметричных мостовых выпрямителей. Кроме того, при трехфазном исполнении схемы нечувствительны к перемене порядка следования фаз сети.
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
25

Акопян, М. З. "СХЕМА УПРАВЛЕНИЯ НАГРУЗКОЙ С ПЕРЕМЕННЫМ ТОКОМ". ELECTRICAL ENGINEERING, ENERGETICS, 2021, 70–78. http://dx.doi.org/10.53297/18293328-2021.1-70.

Повний текст джерела
Анотація:
Рассматриваются варианты схем управления нагрузкой переменного тока, которые широко используются в системах автоматического управления. В указанных схемах в случае, когда нагрузка подключена к цепи переменного тока, часто возникает проблема переключения. Учитывая актуальность проблемы управления нагрузкой, подключенной к сети переменного тока, целесообразно использовать схемы переключения, в которых для коммутации используются высоковольтные диоды, транзисторы, тиристоры, симисторы, оптотиристоры и оптосимисторы. Показаны примущества и недостатки каждой из этих схем. Выявлено, что одним из элементов системы автоматического управления является схема с использованием так называемого реле с “герметичным корпусом”, которое представляет собой специализированный оптрон, т.е. светодиод, который открывается двунаправленным ключом, собранным на полевых транзисторах. Реле с “герметичным корпусом” рассчитаны на небольшие токи и иногда могут использоваться для коммутации диагоналей мостовых диодов, вследствие чего в несколько раз уменьшаются их размеры. Часто в промышленных устройствах встречаются схемы, в которых используются оптотиристоры и оптосимисторы. В некоторых случаях в коммутационных схемах используют обычные симисторы, управляемые динисторами или другими оптронами. Учитывая актуальность проблемы управления нагрузкой, которая подключена к сети переменного тока, а также недостатки вышеуказанных методов, некоторые производители выпускают симисторы и тиристоры меньшего размера и меньшей стоимости в виде двух типов микросхем. Хорошие динамические характеристики этих схем, низкий ток управления и небольшие размеры позволяют считать их наиболее целесообразными для применения в схемах управления нагрузкой с переменным током, кроме того, механизм коммутационных функций позволяет аналитически связать алгоритм системы управления с электромагнитными процессами силовой схемы.
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
26

"Вклад дефектов и примесей в характеристики мощных МОП транзисторов в кремнии и КНИ: расчеты и эксперимент / Ильницкий М.А., Антонов В.А., Вдовин В.И., Тысченко И.Е., Попов В.П.,Eгоркин А.В., Зарубанов А.А., Глухов А.В". Тезисы докладов XIV РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ ПО ФИЗИКЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВ «ПОЛУПРОВОДНИКИ-2019», 20 серпня 2019, 456. http://dx.doi.org/10.34077/semicond2019-456.

Повний текст джерела
Анотація:
Ионная имплантация является одной из основных технологических операций в формировании современных ИС. Электрическая изоляция двойными p-n переходами для полевых транзисторов (МОПТ) источников питания DC-DC с напряжением свыше 20 V требует энергии ионов B+ для объемного кремния более 400 кэВ, тогда как энергия 40 кэВ достаточна на подложке КНИ с толстым слоем кремния ~1.5 мкм. TCAD-моделирование технологических процессов для таких ИС проводилось на кремнии и на КНИ-структурах ИФП СО РАН n-типа, полученных переносом водородом слоя кремния путем имплантации протонов с энергией 200 кэВ (Rp=1,8 мкм) на подложку Si n-типа с 0,3 мкм SiO2. Экспериментальные характеристики выходных МОП-транзисторов (L= 2 или 3 мкм и W = 40 мкм) на этих материалах сравнивались с модельными расчетами в TCAD. Экспериментальные сток-затворные характеристики Ids-Vg FET были практически идентичны моделируемым в диапазоне 7 порядков для тока стока Ids за исключением интервала напряжения затвора Vg =-0,7+0,5 для объемного и -1,0+1,5 для КНИ структур, где измеренный ток Ids больше расчетного на 3-4 порядка для кремния и на 2-3 порядка для КНИ, при этом результаты расчетов в моделях TCAD полностью совпадают. Согласно данным поперечного сечения просвечивающей электронной микроскопии (XTEM), дислокации и дислокационные петли расположены только в тонких (<100 Нм) сильно легированных зонах исток-сток. Дислокационные петли с генерационнорекомбинационной активностью, должны формироваться при имплантации и отжиге в области пространственного заряда только за имплантируемым слоем ~600 yм. Отсутствие дефектов за этими активными областями подтверждается данными СПЭM. Предположение об их доминирующем вкладе в токи Ids на объемном кремнии подтверждается также зависимостью последнего от напряжения стока Vds, рост которого уменьшает разницу Ids между экспериментом и расчетом из-за падения времени жизни носителей заряда. Наблюдаемое снижение соответствует полевой зависимости токов генерации-рекомбинации от напряжения стока Vds, так как плотность тока генерации Jgen = qWgen(Vd)Ni[exp (qVd/2kT)-1]/2 экспоненциально зависит от Vds и только линейно от концентрации дефектов ND ~ 1/ [2]. Слабая зависимость токов утечки от Vds для КНИ МОПТ объясняется локализацией остаточных дефектов только в областях пространственного заряда исток-стока. Таким образом, использование КНИ-структур для силовых транзисторов повышает их энергоэффективность и рабочее напряжение за счет снижения утечек в p-n переходах после имплантационного легирования и отжига.
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
Ми пропонуємо знижки на всі преміум-плани для авторів, чиї праці увійшли до тематичних добірок літератури. Зв'яжіться з нами, щоб отримати унікальний промокод!

До бібліографії