Добірка наукової літератури з теми "Типові конденсатори"

С целью оценки качества крепления монтажных выводов танталовых объемно-пористых конденсаторов и для рассмотрения необходимости и целесообразности проведения своевременных корректирующих и предупреждающих мероприятий проведен комплексный контроль качества приварки выводов танталовых конденсаторов по методике системного межэтапного комплексного анализа качества танталовых конденсаторов на основе анализа претензионных изделий с учетом конструкторско-технологического, производственного и человеческого факторов. По статистическому анализу возращенных изделий выявлена необходимость рассмотрения качества приварки катодного вывода, и с использованием метода полного факторного эксперимента на операции «приварка катодного вывода к корпусу конденсатора» для двух различных типов конструкций вывода исследовано количественное влияние характеристик технологического процесса с целью выявления режимов, наиболее эффективно воздействующих на качество сварочного соединения. Проведен многофакторный эксперимент, в результате которого построена регрессионная модель качества процесса сварки катодного вывода к корпусу танталового конденсатора и выявлена зависимость от энергетических режимов сварки. Обнаружено сильное влияние на качество выполнения операции токового значения сварки и давления на свариваемые поверхности. Область подачи инертного газа также вносит свой вклад в температурное поле зоны сварки, но в меньшей степени по сравнению с параметрами режима сварки. На основании результатов апробации можно заключить, что методика системного межэтапного комплексного анализа качества танталовых конденсаторов может быть применима для оценки качества танталовых конденсаторов как на этапе производства - для совершенствования технологических процессов, на этапе доработки конструкции, так и на этапе эксплуатации - для удовлетворения требований потребителей, и может дать экономический эффект от снижения доли возвращаемых конденсаторов, подлежащих замене. Комплексный контроль по совокупности параметров на стадии производства, испытаний и эксплуатации позволяет исключить попадание потребителю некачественной продукции.

Для оценки уровня надежности танталовых конденсаторов с целью принятия своевременных корректирующих и предупреждающих мер на этапе технологического процесса по исключению и недопущению выпуска продукции с потенциальными дефектами разработана методика системного межэтапного комплексного анализа качества танталовых конденсаторов. Модель базируется на исследовании видов и последствий вероятностных дефектов, проявляющихся как на стадии производства и в процессе квалификационных, периодических или типовых испытаний на предприятии-изготовителе, так и в процессе эксплуатации, в том числе при входном контроле, производстве, испытаниях и непосредственно при работе или эксплуатации в конечном устройстве на предприятиях у потребителя. Для более объективной оценки и для принятия решения о необходимости и целесообразности совершенствования изделий и удовлетворения требований, предъявляемых потребителями к конденсаторам, в качестве объекта исследования выступают все забракованные изделия вне зависимости от того, были они признаны некачественными по вине потребителя или по вине изготовителя. Представленная модель позволяет управлять качеством танталовых конденсаторов на основе учета видов и последствий потенциальных дефектов, возникающих на этапах технологического процесса и обнаруживаемых в процессе эксплуатации. Приведена первичная апробация методики системного статистического анализа качества танталовых конденсаторов.

Перспективным, с точки зрения энергосбережения, направлением в современной технике является создание бытовых приборов, объединяющих функции холодильного хранения и тепловой обработки пищевых продуктов, полуфабрикатов и сельскохозяйственного сырья. Из всех типов современного бытового холодильного оборудования таким температурным потенциалом обладают элементы абсорбционного холодильного агрегата – ректификатор, дефлегматор и конденсатор. Собственные экспериментальные исследования показали, что введение в состав бытовых абсорбционных холодильных приборов дополнительной тепловой камеры, не приводит к росту энергопотребления и не ухудшает температурные характеристики камер охлаждения. Проведена классификация различных способов подачи бросового тепла в тепловую камеру такого комбинированного холодильного прибора и на ее основе разработаны различные схемы и конструкции.

На основе анализа рынка приведены основные сегменты производства и потребления накопителей электрической энергии (НЭЭ). Предложен вариант решения задачи проектирования модулей конденсаторов с двойным электрическим слоем (суперконденсаторов) на уровне применяемости, а именно: определены классификационные требования, варианты системотехнического построения и алгоритмизации их работы, рассмотрены способы адаптации к конструкции суперконденсаторов. Рассмотрены варианты включения в работу НЭЭ, обеспечивающие кратковременную работу нагрузки. Показан характер изменения напряжения на нагрузке и условия для расширения рабочего интервала модулей на основе суперконденсаторов, в том числе с применением DC/DC-преобразователей. Показано, что для формирования линейки источников питания на основе накопителей электрической энергии достаточно использовать типовые DC- или AC-преобразователи. При моделировании процессов зарядки и анализе режимов работы конденсаторов в составе модуля подтверждена необходимость применения схем активной и пассивной балансировки, позволяющих обеспечить устойчивую работу конденсаторов в составе модуля. Проведено моделирование переходных процессов в многоэлементных накопителях энергии, позволившее исследовать динамику выхода накопителей на стационарный режим работы и установить основные требования к компонентам суперконденсаторных НЭЭ. Экспериментальные исследования в ОАО «Элеконд» подтвердили результаты теоретических исследований. Морфологический анализ импортной и отечественных элементной базы позволил обосновать выбор управляющих, силовых и прочих электронных компонентов, позволяющих создавать НЭЭ с оптимальными эксплуатационными характеристиками.

Об’єктом дослідження є кристалічна структура сполуки K3TiOF5. З літературних даних відомо, що цей матеріал – сегнетоелектрик. Діелектрична проникність матеріалів дуже велика. Тому такий матеріал може бути використаний у конденсаторах, які значно менші за розмірами за діелектричні. Порівняно недавно було синтезовано низку матеріа- лів, що мають сегнетоелектричні властивості, до яких належить і K3TiOF5. Дифракцій- ний спектр сполуки, що знятий по методу порошку з геометрією зйомки Брег-Бертрано, представлений у базі даних PDF-2 за 2009 рік під номером 00-023-0506, індексується в тетрагональній сингонії з періодами решітки a=6,102°A, c=8,655°A. Повні відомості про кристалічну структуру такої сполуки натепер відсутні. У ході дослідження використовувалася база даних PDF-2 за 2009 рік. А також про- грама HighScorePlus 3.0 (Нідерланди), яка дозволяє уточнювати мікроструктурні параме- три структурної моделі методом Ритвельда. Дифракційний спектр для дослідження генерували за допомогою програми HighScorePlus 3.0 та приєднаної до неї бази даних PDF-2 за 2009 р. у форматі UDF. У результаті отримано, що цей дифракційний спектр досліджуваної сполуки може відповідати такій структурній моделі: дифракційний спектр сполуки K3TiOF5 індексу- ється в тетрагональній сингонії з періодами решітки a=6.086 A°; b=6.086 A°; c=8.675 A°. Можлива просторова група симетрії I41 (80): − мікроструктурні параметри K1 8b x/a=0.252(9), y/b=0.588(4), z/c=0.2(4); − коефіцієнт заповнення позицій 0.5 K2 8b x/a=0.233(5), y/b=0.233(5), z/c=0.4(4); − коефіцієнт заповнення позицій 1,0 F1 8b x/a=-0.900(8), y/b=0.393(4), z/c=0.1(4); − коефіцієнт заповнення позицій 1,0 F2 8b x/a=0.749(7), y/b=0.262(7), z/c=0.8(4); − коефіцієнт заповнення позицій 1,0 F3 8b x/a=0.47(1), y/b=0.696(9), z/c=-0.1(4); − коефіцієнт заповнення позицій 0,5; Ti1 8b x/a=0.247(5), y/b=0.803(4), z/c=0.1(4); − коефіцієнт заповнення позицій 0,5; O1 8a x/a=0.0, y/b=0.0, z/c=0.1(4); − коефіцієнт заповнення позицій 1,0; − фактор розбіжності R=7,311%. Аналізуючи отримані результати, можна припустити, що досліджувана структура з’єднання кристалізується у власному структурному типі. Вивчення кристалічної структури сполуки сприяє кращому розумінню його фізичних властивостей, зокрема смегнетоелектричних.

У зв’язку із загальною інформатизацією освіти і швидким розвитком цифрових засобів обробки інформації назріла необхідність впровадження в лабораторні практикуми вищих та середніх навчальних закладів цифрових засобів збору, обробки та оформлення експериментальних результатів, в тому числі під час виконання лабораторних робот з основ електротехнічних пристроїв та систем. При цьому надмірне захоплення віртуальними лабораторними роботами на основі комп’ютерного моделювання в порівнянні з реальним (натурним) експериментом може призводити до втрати особової орієнтації в технології освіти і відсутності надалі у випускників навчальних закладів ряду практичних навичок.У той же час світові компанії, що спеціалізуються в учбово-технічних засобах, переходять на випуск учбового устаткування, що узгоджується з комп’ютерною технікою: аналого-цифрових перетворювачів і датчиків фізико-хімічних величин, учбових приладів керованих цифро-аналоговими пристроями, автоматизованих учбово-експеримен­тальних комплексів, учбових експериментальних установок дистанційного доступу.У зв’язку із цим в області реального експерименту відбувається поступовий розвиток інформаційних джерел складної структури, до яких, у тому числі, відносяться комп’ютерні лабораторії, що останнім часом оформлюються у новий засіб реалізації учбового натурного експерименту – цифрові електронні лабораторії (ЦЕЛ).Відомі цифрові лабораторії для шкільних курсів фізики, хімії та біології (найбільш розповсюджені компаній Vernier Software & Technology, USA та Fourier Systems Inc., Israel) можуть бути використані у ВНЗ України, але вони мають обмежений набір датчиків, необхідність періодичного ручного калібрування, використовують застарілий та чутливий до електромагнітних завад аналоговий інтерфейс та спрощене програмне забезпечення, що не дозволяє проводити статистичну обробку результатів експерименту та з урахуванням низької розрядності аналого-цифрових перетворювачів не може використовуватись для проведення науково-дослідних робіт у вищих навчальних закладах, що є однією із складових підготовки висококваліфікованих спеціалістів, особливо в університетах, які мають статус дослідницьких.Із вітчизняних аналогів відомі окремі компоненти цифрових лабораторій, що випускаються ТОВ «фірма «ІТМ» м. Харків. Вони поступаються продукції компаній Vernier Software & Technology, USA та Fourier Systems Inc. та мають близькі цінові характеристики на окремі компоненти. Тому необхідність розробки вітчизняної цифрової навчальної лабораторії є нагальною, проблематика досліджень та предмет розробки актуальні.Метою проекту є створення сучасної вітчизняної цифрової електронної лабораторії та відпрацювання рекомендацій по використанню у викладанні на її основі базового переліку науково-природничих та біомедичних дисциплін у ВНЗ I-IV рівнів акредитації при значному зменшенні витрат на закупку приладів, комп’ютерної техніки та навчального-методичного забезпечення. В роботі використані попередні дослідження НДІ Прикладної електроніки НТУУ «КПІ» в галузі МЕМС-технологій (micro-electro-mechanical) при створенні датчиків фізичних величин, виконано огляд технічних та методичних рішень, на яких базуються існуючі навчальні цифрові лабораторії та датчики, розроблені схемотехнічні рішення датчиків фізичних величин, проведено конструювання МЕМС – первинних перетворювачів, та пристроїв реєстрації інформації. Розроблені прикладні програми інтерфейсу пристроїв збору інформації та вбудованих мікроконтролерів датчиків. Сформульовані вихідні дані для розробки бездротового інтерфейсу датчиків та програмного забезпечення цифрової лабораторії.Таким чином, у даній роботі пропонується нова вітчизняна цифрова електронна лабораторія, що складається з конструкторської документації та дослідних зразків обладнання, програмного забезпечення та розробленого єдиного підходу до складання навчальних методик для цифрових лабораторій, проведення лабораторних практикумів з метою економії коштів під час створення нових лабораторних робіт із реєстрацією даних, обробки результатів вимірювань та оформленням результатів експерименту за допомогою комп’ютерної техніки.Цифрова електронна лабораторія складається із таких складових частин: набірного поля (НП); комплектів модулів (М) із стандартизованим вихідним інтерфейсом, з яких складається лабораторний макет для досліджування об’єкту (це – набір електронних елементів: резисторів, ємностей, котушок індуктивності, цифро-аналогових та аналого-цифрових перетворювачів (ЦАП та АЦП відповідно)) та різноманітних датчиків фізичних величин; комп’ютерів студента (планшетного комп’ютера або спеціалізованого комп’ютера) з інтерфейсами для датчиків; багатовходових пристроїв збору даних та їх перетворення у вигляд, узгоджений з інтерфейсом комп’ютера (реєстратор інформації або Data Logger); комп’ютер викладача (або серверний комп’ютер із спеціалізованим програмним забезпеченням); пристрої зворотного зв’язку (актюатори), що керуються комп’ютером; трансивери для бездротового прийому та передачі інформації з НП.Таким чином, з’являється новий клас бездротових мереж малої дальності. Ці мережі мають ряд особливостей. Пристрої, що входять в ці мережі, мають невеликі розміри і живляться в основному від батарей. Ці мережі є Ad-Hoc мережами – високоспеціалізованими мережами з динамічною зміною кількісного складу мережі. У зв’язку з цим виникають завдання створення та функціонування даних мереж – організація додавання і видалення пристроїв, аутентифікація пристроїв, ефективна маршрутизація, безпека даних, що передаються, «живучість» мережі, продовження часу автономної роботи кінцевих пристроїв.Протокол ZigBee визначає характер роботи мережі датчиків. Пристрої утворюють ієрархічну мережу, яка може містити координатор, маршрутизатори і кінцеві пристрої. Коренем мережі являється координатор ZigBee. Маршрутизатори можуть враховувати ієрархію, можлива також оптимізація інформаційних потоків. Координатор ZigBee визначає мережу і встановлює для неї оптимальні параметри. Маршрутизатори ZigBee підключаються до мережі або через координатор ZigBee, або через інші маршрутизатори, які вже входять у мережу. Кінцеві пристрої можуть з’єднуватися з довільним маршрутизатором ZigBee або координатором ZigBee. По замовчуванню трафік повідомлень розповсюджується по вітках ієрархії. Якщо маршрутизатори мають відповідні можливості, вони можуть визначати оптимізовані маршрути до визначеної точки і зберігати їх для подальшого використання в таблицях маршрутизації.В основі будь-якого елементу для мережі ZigBee лежить трансивер. Активно розробляються різного роду трансивери та мікроконтролери, в які потім завантажується ряд керуючих програм (стек протоколів ZigBee). Так як розробки ведуться багатьма компаніями, то розглянемо та порівняємо новинки трансиверів тільки кількох виробників: СС2530 (Texas Instruments), AT86RF212 (Atmel), MRF24J40 (Microchip).Texas Instruments випускає широкий асортимент трансиверів. Основні з них: CC2480, СС2420, CC2430, CC2431, CC2520, CC2591. Всі вони відрізняються за характеристиками та якісними показниками. Новинка від TI – мікросхема СС2530, що підтримує стандарт IEEE 802.15.4, призначена для організації мереж стандарту ZigBee Pro, а також засобів дистанційного керування на базі ZigBee RF4CE і обладнання стандарту Smart Energy. ІС СС2530 об’єднує в одному кристалі РЧ-трансивер і мікроконтролер, ядро якого сумісне зі стандартним ядром 8051 і відрізняється від нього поліпшеною швидкодією. ІС випускається в чотирьох виконаннях CC2530F32/64/128/256, що розрізняються обсягом флеш-пам’яті – 32/64/128/256 Кбайт, відповідно. В усьому іншому всі ІС ідентичні: вони поставляються в мініатюрному RoHS-сумісному корпусі QFN40 розмірами 6×6 мм і мають однакові робочі характеристики. СС2530 являє собою істотно покращений варіант мікросхеми СС2430. З точки зору технічних параметрів і функціональних можливостей мікросхема СС2530 перевершує або не поступається CC2430. Однак через підвищену вихідну потужність (4,5 дБм) незначно виріс струм споживання (з 27 до 34 мА) при передачі. Крім того, ці мікросхеми мають різні корпуси і кількість виводів (рис. 1). Рис. 1. Трансивери СС2530, СС2430 та СС2520 фірми Texas Instruments AT86RF212 – малопотужний і низьковольтний РЧ-трансивер діапазону 800/900 МГц, який спеціально розроблений для недорогих IEEE 802.15.4 ZigBee-сумісних пристроїв, а також для ISM-пристроїв з підвищеними швидкостями передачі даних. Працюючи в діапазонах частот менше 1 ГГц, він підтримує передачу даних на малих швидкостях (20 і 40 Кбіт/с) за стандартом IEEE 802.15.4-2003, а також має опціональну можливість передачі на підвищених швидкостях (100 і 250 Кбіт/с) при використанні модуляції O-QPSK у відповідності зі стандартом IEEE 802.15.4-2006. Більше того, при використанні спеціальних високошвидкісних режимів, можлива передача на швидкості до 1000 Кбіт/с. AT86RF212 можна вважати функціональним блоком, який з’єднує антену з інтерфейсом SPI. Всі критичні для РЧ тракту компоненти, за винятком антени, кварцового резонатора і блокувальних конденсаторів, інтегровані в ІС. Для поліпшення загальносистемної енергоефективності та розвантаження керуючого мікроконтролера в ІС інтегровані прискорювачі мережевих протоколів (MAC) і AES- шифрування.Компанія Microchip Technology виробляє 8-, 16- і 32- розрядні мікроконтролери та цифрові сигнальні контролери, а також аналогові мікросхеми і мікросхеми Flash-пам’яті. На даний момент фірма випускає передавачі, приймачі та трансивери для реалізації рішень для IEEE 802.15.4/ZigBee, IEEE 802.11/Wi-Fi, а також субгігагерцового ISM-діапазону. Наявність у «портфелі» компанії PIC-мікроконтролерів, аналогових мікросхем і мікросхем пам’яті дозволяє їй запропонувати клієнтам комплексні рішення для бездротових рішень. MRF24J40 – однокристальний приймач, що відповідає стандарту IEEE 802.15.4 для бездротових рішень ISM-діапазону 2,405–2,48 ГГц. Цей трансивер містить фізичний (PHY) і MAC-функціонал. Разом з мікроспоживаючими PIC-мікроконтролерами і готовими стеками MiWi і ZigBee трансивер дозволяє реалізувати як прості (на базі стека MiWi), так і складніші (сертифіковані для роботи в мережах ZigBee) персональні бездротові мережі (Wireless Personal Area Network, WPAN) для портативних пристроїв з батарейним живленням. Наявність MAC-рівня допомагає зменшити навантаження на керуючий мікроконтролер і дозволяє використовувати недорогі 8-розрядні мікроконтролери для побудови радіомереж.Ряд компаній випускає завершені модулі ZigBee (рис. 2). Це невеликі плати (2÷5 кв.см.), на яких встановлено чіп трансивера, керуючий мікроконтролер і необхідні дискретні елементи. У керуючий мікроконтролер, у залежності від бажання і можливості виробника закладається або повний стек протоколів ZigBee, або інша програма, що реалізує можливість простого зв’язку між однотипними модулями. В останньому випадку модулі іменуються ZigBee-готовими (ZigBee-ready) або ZigBee-сумісними (ZigBee compliant).Всі модулі дуже прості в застосуванні – вони містять широко поширені інтерфейси (UART, SPI) і управляються за допомогою невеликого набору нескладних команд. Застосовуючи такі модулі, розробник позбавлений від роботи з високочастотними компонентами, так як на платі присутній ВЧ трансивер, вся необхідна «обв’язка» і антена. Модулі містять цифрові й аналогові входи, інтерфейс RS-232 і, в деяких випадках, вільну пам’ять для прикладного програмного забезпечення. Рис. 2. Модуль ZigBee із трансивером MRF24J40 компанії Microchip Для прикладу, компанія Jennic випускає лінійку ZigBee-сумісних радіомодулів, побудованих на низькоспоживаючому бездротовому мікроконтролері JN5121. Застосування радіомодуля значно полегшує процес розробки ZigBee-мережі, звільняючи розробника від необхідності конструювання високочастотної частини виробу. Використовуючи готовий радіомодуль, розробник отримує доступ до всіх аналогових і цифрових портів вводу-виводу чіпу JN5121, таймерам, послідовного порту і інших послідовних інтерфейсів. У серію входять модулі з керамічної антеною або SMA-коннектором з дальністю зв’язку до 200 метрів. Розмір модуля 18×30 мм. Версія модуля з підсилювачем потужності і підсилювачем вхідного сигналу має розмір 18×40 мм і забезпечує дальність зв’язку більше 1 км. Кожен модуль поставляється з вбудованим стеком протоколу рівня 802.15.4 MAC або ZigBee-стеком.За висновками експертів з аналізу ринку сьогодні одним з найперспективніших є ринок мікросистемних технологій, що сягнув 40 млрд. доларів станом на 2006 рік зі значними показниками росту. Самі мікросистемні технології (МСТ) почали розвиватися ще з середини ХХ ст. і, отримуючи щоразу нові поштовхи з боку нових винаходів, чергових удосконалень технологій, нових галузей науки та техніки, динамічно розвиваються і дедалі ширше застосовуються у широкому спектрі промислової продукції у всьому світі.Прилад МЕМС є об’єднанням електричних та механічних елементів в одну систему дуже мініатюрних розмірів (значення розмірів механічних елементів найчастіше лежать у мікронному діапазоні), і достатньо часто такий прилад містить мікрокомп’ютерну схему керування для здійснення запрограмованих дій у системі та обміну інформацією з іншими приладами та системами.Навіть з побіжного аналізу структури МЕМС зрозуміло, що сумарний технологічний процес є дуже складним і тривалим. Так, залежно від складності пристрою технологічний процес його виготовлення, навіть із застосуванням сучасних технологій, може тривати від кількох днів до кількох десятків днів. Попри саме виготовлення, доволі тривалими є перевірка та відбраковування. Часто виготовляється відразу партія однотипних пристроїв, причому вихід якісної продукції часто не перевищує 2 %.Для виготовлення сучасних МЕМС використовується широка гама матеріалів: різноманітні метали у чистому вигляді та у сплавах, неметали, мінеральні сполуки та органічні матеріали. Звичайно, намагаються використовувати якомога меншу кількість різнорідних матеріалів, щоби покращити технологічність МЕМС та знизити собівартість продукції. Тому розширення спектра матеріалів прийнятне лише за наявності специфічних вимог до елементів пристрою.Спектр наявних типів сенсорів в арсеналі конструктора значно ширший та різноманітніший, що зумовлено багатоплановим застосуванням МЕМС. Переважно використовуються ємнісні, п’єзоелектричні, тензорезистивні, терморезистивні, фотоелектричні сенсори, сенсори на ефекті Холла тощо. Розроблені авторами в НДІ Прикладної електроніки МЕМС-датчики, їх характеристики, маса та розміри наведені у табл. 1.Таблиця 1 №з/пМЕМС-датчикиТипи датчиківДіапазони вимірюваньГабарити, маса1.Відносного тиску, тензорезистивніДВТ-060ДВТ-1160,01–300 МПа∅3,5–36 мм,5–130 г2.Абсолютного тиску,тензорезистивніДАТ-0220,01–60 МПа∅16 мм,20–50 г3.Абсолютного тиску, ємнісніДАТЄ-0090,05–1 МПа5×5 мм4.Лінійного прискорення,тензорезистивніДЛП-077±(500–100 000) м/с224×24×8 мм,100 г5.Лінійного прискорення,ємнісніАЛЄ-049АЛЄ-050±(5,6–1200) м/с235×35×22 мм, 75 г6.Кутової швидкості,ємнісніДКШ-011100–1000 °/с

Существует большое число схемотехнических решений однофазных и трехфазных автономных инверторов тока на основе тиристоров. При использовании тиристоров схему инвертора тока дополняют группами конденсаторов, предназначенными для их устойчивой коммутации. Эти группы конденсаторов включаются в цепь переменного тока разными способами: в параллельном инверторе тока - параллельно нагрузке; в последовательном инверторе тока - последовательно с нагрузкой; в последовательно-параллельном инверторе тока - одна группа конденсаторов включается последовательно в фазные цепи тиристорного коммутатора, а вторая - параллельно нагрузке. В отличие от первых двух типов инверторов, в последовательно-параллельном инверторе тока обеспечивается абсолютная устойчивость во всем диапазоне изменения нагрузки. Рассмотрена схема трехфазного параллельно-последовательного инвертора тока, в которой одна группа конденсаторов включается параллельно на выходе тиристорного коммутатора, а вторая группа – последовательно с нагрузкой. Отмечено, что конденсаторы, предназначенные в основном для компенсации индуктивной составляющей нагрузки и надежной коммутации тиристоров, одновременно осуществляют фильтрацию высших гармоник в цепи переменного тока и обеспечивают форму кривой выходного напряжения инвертора тока, близкую к синусоиде. В данной работе использован метод основной гармоники, учитывающий только первую гармонику напряжений и токов в цепи переменного тока инвертора тока. При этом получены достаточно простые соотношения в общем виде и проанализирована работа схемы, построены ее рабочие характеристики. Показано, что в параллельнопоследовательном инверторе тока, как и в последовательно-параллельном, обеспечивается абсолютная устойчивость во всем диапазоне изменения нагрузки. В обоих типах инверторов имеет место сравнительно малая зависимость выходного напряжения от параметров нагрузки в ограниченном, но широком диапазоне изменения нагрузки (без режимов холостого хода и короткого замыкания), при отсутствии регулятора реактивной мощности (регулятора выходного напряжения), что позволяет исключить последний со своей системой управления и значительно упростить схему инвертора. При этом в некоторых диапазонах изменения нагрузки в параллельно-последовательном инверторе тока значения отклонения выходного напряжения меньше, чем в последовательно-параллельном инверторе тока.

Для разработки наноприборов на основе одностенных углеродных нанотрубок требутся материал полупроводникового типа (п-ОУНТ) очень высокой чистоты. Обычно, исходная смесь нанотрубок содержит, кроме п-ОУНТ, нанотрубки с металлическим типом проводимости (м-ОУНТ), которые значительно ухудшают электрофизические параметры наноприборов [1] Например, в УНТ-транзисторах на порядки уменьшается соотношение токов в открытом и закрытом состоянии, в УНТ-сенсорах деградирует чувствительность элементов. При этом, особенно критичным является появление появление м-ОУНТ закороток, соединяющих рабочие электроды наноприбора. В отдельных случаях избавиться от таких закороток можно пропуская через слой нанотрубок электрический ток достаточно большой величины, при котором происходит выгорание закороток [2]. Для того, чтобы, при этом, сохранялись полупроводниковые нанотрубки на подложку прикладывается обедняющие п-ОУНТ потенциал. Однако такой способ не всегда применим (например, для изолирующих подложек). В данной работе предлагается новый способ модификации пленок УНТ выжиганием металлических закороток разрядом конденсатора через слой нанотрубок предварительно засвеченный фиолетовым излучением. Для засветки нами использовался лазер с длиной волны 405 нм и мощностью 10 мВт. Ранее было показано, что при засветке УФ-излучением проводимость УНТ слоев резко уменьшается, что свидетельствует об обеднении полупроводниковых нанотрубок (напр. [3]). С применением описанной методики нами проводилась модификация пленок одностенных углеродных нанотрубок фирмы OCSiAl (Новосибирск). УНТ-пленки формировались капельным способом нанесением раствора нанотрубок в N-метил-2-пирролидоне. Исследовалась проводимость пленок на постоянном сигнале до и после модификации на структурах, изготовленных на кремниевой подложке стандартными методами напыления и фотолитографии. Расстояние между золотыми электродами в тестовых структурах составляло 30 мкм. В экспериментах мы наблюдали уменьшение проводимости пленок, после модификации, на значительную величину (до трех порядков), что свидетельствует о ликвидации металлических закороток в структуре. Таким образом предлагаемым способом можно получать УНТ-пленки с рабочим полупроводниковым слоем, что обеспечивает высокие электрофизические параметры нанотриборов.