Готові списки джерел за темами / Планарні моделі / Статті в журналах

Статті в журналах з теми "Планарні моделі"

Щоб переглянути інші типи публікацій з цієї теми, перейдіть за посиланням: Планарні моделі.
Автор: Grafiati
Опубліковано: 30 травня 2022
Оновлено: 31 травня 2022

Оформте джерело за APA, MLA, Chicago, Harvard та іншими стилями

Оберіть тип джерела:

Ознайомтеся з топ-15 статей у журналах для дослідження на тему "Планарні моделі".

Біля кожної праці в переліку літератури доступна кнопка «Додати до бібліографії». Скористайтеся нею – і ми автоматично оформимо бібліографічне посилання на обрану працю в потрібному вам стилі цитування: APA, MLA, «Гарвард», «Чикаго», «Ванкувер» тощо.

Також ви можете завантажити повний текст наукової публікації у форматі «.pdf» та прочитати онлайн анотацію до роботи, якщо відповідні параметри наявні в метаданих.

Переглядайте статті в журналах для різних дисциплін та оформлюйте правильно вашу бібліографію.

1

Кириченко, Ю. В., Ю. Ф. Лонін, О. В. Струцінський, О. Л. Кузнєцов, О. В. Бєсова та О. В. Лукашук. "Планарні антени на основі поздовжніх неоднорідних плазмових шарів". Системи озброєння і військова техніка, № 3(67) (24 вересня 2021): 61–74. http://dx.doi.org/10.30748/soivt.2021.67.08.

Повний текст джерела
Анотація:
Ефективним засобом зниження радіолокаційної помітності антен літальних апаратів є застосування плазмових антен. Для них ефективна поверхня розсіяння електромагнітних хвиль менша на декілька порядків, ніж для металевих антен. В роботі досліджено дві моделі планерної плазмової антени. В першій моделі покритий діелектриком поздовжньо неоднорідний шар плазми знаходиться на металевій поверхні. У другій моделі такий же шар плазми знаходиться між двома діелектриками. В обох випадках плазма є електронною, холодною та ізотропною. Поздовжня неоднорідність враховується методом спектрального розкладання електромагнітного поля по набору поверхневих та просторових хвиль. Обчислено нормовані діаграми спрямованості (НДС) та коефіцієнти перетворення енергії поверхневих хвиль у енергію випромінювання. Показано, що НДС мають одну пелюстку, максимум якої знаходиться під гострим кутом до площини антени. Ширина пелюстки складає декілька градусів.
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
2

Магро, В. І., та С. В. Плаксін. "КОМП’ЮТЕРНЕ МОДЕЛЮВАННЯ ВИПРОМІНЮВАЛЬНОГО МОДУЛЯ СИСТЕМИ МОНІТОРИНГУ СОНЯЧНОЇ ЕЛЕКТРОСТАНЦІЇ". Vidnovluvana energetika, № 2(65) (28 червня 2021): 29–37. http://dx.doi.org/10.36296/1819-8058.2021.2(65).29-37.

Повний текст джерела
Анотація:
При взаємодії між системою моніторингу й диспетчеризації сонячної електростанції та центральною енергетичною системою використовуються різні телекомунікаційні канали. Це може бути супутниковий канал, канал системи рухомого зв’язку, радіоканал. Система керування сонячною електростанцією містить приймально-передавальний та випромінювальний модулі. Конструкція випромінювального модуля залежить від типу телекомунікаційного каналу. Здебільшого наземні телекомунікаційні канали мають перевагу над супутниковими каналами з погляду економічності. На доповнення до стандартних конструкцій випромінювальних пристроїв системи моніторингу запропоновано використання низькопрофільної антени, а саме планарної F-подібної антени. Антена такого типу також може бути використана в системі керування для організації взаємодії між розподіленою сонячною електростанцією і магнітолевітаційною магістраллю. Проведено розрахунок планарної F-подібної антени для системи моніторингу й диспетчеризації сонячної електростанції. Створено математичну модель планарної F-подібної антени. Проведено оптимізацію геометричних розмірів такої антени за критерієм мінімуму коефіцієнта відбиття на вході антени. Встановлено, що коефіцієнт відбиття на вході такої антени не перевищує 0,15. Розраховано оптимальне положення випромінювальної поверхні відносно екрану. Проведено вибір оптимального положення заземлювальної пластини в такій випромінювальній конструкції. Для робочої частоти 2,4 ГГц розраховані загальні характеристики випромінювання даної антени: діаграма спрямованості, робоча смуга частот. Для організації двох телекомунікаційних каналів за допомогою однієї антени запропоновано використання планарної F-подібної антени з L-подібним вирізом. Розраховані характеристики випромінювання планарної F-подібної антени з L-подібним вирізом. Така модифікація антени забезпечує дві смуги робочих частот, а саме 0,9 та 1,8 ГГц. Проведена оптимізація геометричних розмірів F-подібної антени з L-подібним вирізом. Бібл. 6, рис. 7.
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
3

Талалов, Сергей Владимирович, та Sergei Vladimirovich Talalov. "О динамике вихревой нити. Новый взгляд на проблему энергии и эффективной массы". Вестник Самарского государственного технического университета. Серия «Физико-математические науки» 23, № 1 (березень 2019): 37–48. http://dx.doi.org/10.14498/vsgtu1652.

Повний текст джерела
Анотація:
Рассматривается динамика бесконечной вихревой нити «нулевой толщины» в приближении локальной индукции. Асимптотически нить считается прямолинейной, причем предполагается существование в окружающем пространстве $E_3$ выделенного направления, задаваемого некоторым вектором ${\boldsymbol{b}}_3$, который и определяет асимптотики нити. Исследуется возможность интерпретации такого объекта как модели планарной «квазичастицы» с конфигурационным пространством (коллективных координат) в виде плоскости $E_2 \perp {\boldsymbol{b}}_3$ и внутренними степенями свободы. Построено гамильтоново описание динамики такой нити в терминах переменных, допускающих естественное разделение на две группы: «внешние» и «внутренние». Внешние гамильтоновы переменные (имеющие смысл координат и импульсов бесструктурной планарной частицы) и внутренние (соответствующие переменным модели магнетика Гейзенберга) перепутаны связями, что приводит к нетривиальности конструкции. Группа пространственной симметрии системы строится в два этапа: сжатие $ SO(3) \to E(2)$ и последующее расширение $E(2) \times T \to \tilde{\mathcal G}_2$. Здесь $E(2)$ - группа движений плоскости $E_2 \perp {\boldsymbol{b}}_3$, $T$ - группа временны́х сдвигов и $\tilde{\mathcal G}_2$ - центрально расширенная группа Галилея, действующая на указанной плоскости. Введение в модель группы Галилея позволяет ввести в рассмотрение инвариантные функции Казимира алгебры Ли данной группы и, как следствие, сформулировать новый подход к проблеме энергии бесконечной вихревой нити нулевой толщины. Получено также выражение для тензора обратной эффективной массы построенной динамической системы. Показано, что предложенную теорию можно рассматривать как математическую модель планарной вихревой частицы, обладающей бесконечным числом внутренних степеней свободы.
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
4

Белосточный, Григорий Николаевич, Мария Владимировна Вильде, and Мария Юрьевна Сурова. "Application of the refined asymptotic model for describing of the transient extensional edge wave exited by a tangential load applied to the edge." Вестник Чувашского государственного педагогического университета им. И.Я. Яковлева. Серия: Механика предельного состояния, no. 4(46) (December 30, 2020): 146–54. http://dx.doi.org/10.37972/chgpu.2020.46.4.012.

Повний текст джерела
Анотація:
Изучается возможность применения уточненной асимптотической модели планарной краевой волны в задаче о действии нестационарной касательной нагрузки, приложенной на торце. При построении уточненной модели используется асимптотическая двумерная теория растяжения пластин высшего порядка точности. Приводятся результаты сравнения с решением по трехмерной теории упругости для различных законов распределения нагрузки. Показано, что уточненная модель позволяет достаточно точно описать влияние дисперсии краевой волны, не учитываемое в первом приближении. The possibility of application of the refined explicit model for extensional edge wave in the problem of transient waves excitation by an edge tangential load is investigated. The refined model is based on the higher order theory of plate extension. The results of comparison with the 3D solution for various distributions of the load are presented. It is shown that the refined model allows correct describing of dispersion effects which are not taken into account in the leading approximation.
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
5

Асланиди, К. Б. "Память планарии как модель памяти человека". Успехи физиологических наук 50, № 2 (2019): 63–81. http://dx.doi.org/10.1134/s030117981902005x.

Повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
6

Kalinitchev, Anatoliy I. "Компьютерное моделирование кинетического массопереноса и поведение многокомпонентных концентрационных волн в би-функциональных моделях сорбентов - нано-композитов". Сорбционные и хроматографические процессы 18, № 5 (11 жовтня 2018): 631–45. http://dx.doi.org/10.17308/sorpchrom.2018.18/590.

Повний текст джерела
Анотація:
Представлены результаты теоретического численного компьютерного исследования кинетики Много(n=6)-компонентного Массо-Переноса (MMП) в современных комбинированных сорбционных материалах-НаноКомпозитах (НК). Продемонстрированы визуально примеры Много(n=6)-компонентных концентрационных {Xn(L,T)}-волн, распространяющихся в планарных НК L-матрицахселективных би-функциональных НК, где внутри ИО-матрицы расположены агломераты “НаноЧастиц(а именно НЧ0(Meталл0), образующие внутри активные нуль зарядные (“НЧ0(Me0)-наносайты”). Агломераты НЧ(Me0) обычно внедряют в изучаемую, результирующую сорбционную НК(ИО)-матрицу,образованную в результате предварительного синтеза НК.Применение разработанного здесь современного компьютерного моделирования MMП НКсорбционной кинетики основано на на принципах термодинамики неравновесных процессов, такихкак феноменологический многокомпонентный баланс масс, выраженный n-уравнениями (в частныхпроизводных), охарактеризованных термодинамическим, фундаментальным интегральным парамет-ром: newk(2)(6)-“вариантностью”, где k-параметр описывает термодинамическую “степеньсвободы”(n=k(2)=6) для рассматриваемой много(n)-компонентной ММП-кинетической сорбционнойНК-системы. Рассматривается волновая (W)-концепция термодинамики неравновесных процессов, аименно взаимодействие много-компонентных распространяющихся {Xn(L,T)} -концентрационныхволн n-компонентов в их распространении через планарную НК L-мембрану. Распространение взаимодействующих и распространяющихся {Xn(L,T)}-концентрационных волн n-компонентов демонстрируется на основе авторской визуализации после обработки результатов расчетов при моделировании с помощью создаваемых на компьютере Научных Компьютерных Анимаций, а именно многоцветных НКА видео файлов.
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
7

Колесников, А. Г., Н. В. Горбунов та Ю. А. Крюков. "Прогнозирование выработки мишени планарных МРС". Nanoindustry Russia 14, № 2 (19 травня 2021): 142–49. http://dx.doi.org/10.22184/1993-8578.2021.14.2.142.149.

Повний текст джерела
Анотація:
Предложена упрощенная модель магнетронного разряда с выводом полуэмпирических формул, позволяющих, зная или вычисляя распределение магнитного поля над поверх­ностью мишени с помощью программы ELCUT для расчета полей, прогнозировать форму эрозии мишени МРС. Разработана программа вычисления Pretarger на основе MATLAB. Необходима обкатка программы на сравнение прогнозируемой эрозии с выработанными мишенями для разнообразных магнетронов.
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
8

Заостровных, С., та Е. Сучков. "МЫ ГОТОВЫ ОБЕСПЕЧИТЬ ВСЮ ОТЕЧЕСТВЕННУЮ ПРОМЫШЛЕННОСТЬ АНАЛИЗАТОРАМИ ЦЕПЕЙ". ELECTRONICS: SCIENCE, TECHNOLOGY, BUSINESS 214, № 3 (11 квітня 2022): 20–24. http://dx.doi.org/10.22184/1992-4178.2022.214.3.20.24.

Повний текст джерела
Анотація:
ООО «ПЛАНАР» – одно из ведущих российских предприятий, специализирующихся в области телекоммуникационной и контрольно-измерительной аппаратуры. В ассортимент продукции компании входит оборудование для построения сетей кабельного телевидения (головные станции, усилители, фильтры, распределители) и измерительные приборы СВЧ-диапазона (векторные анализаторы цепей, автоматические калибровочные модули, измерители для эфирного, кабельного и спутникового телевидения). Собственные производственные мощности компании соответствуют мировым стандартам, что обеспечивает высокое качество выпускаемой продукции. Созданные на базе современных технологий приборы востребованы как в России, так и за рубежом, причем львиная доля изделий до недавнего времени поставлялась иностранным заказчикам. Сегодня компания приняла решение ориентироваться в первую очередь на внутренний рынок – знаковым событием в этой связи стало открытие в марте 2022 года в Санкт-Петербурге первого регионального офиса ООО «ПЛАНАР» в России. На мероприятии, посвященном открытию нового офиса, мы побеседовали с директором ООО «ПЛАНАР» Сергеем Александровичем Заостровных и руководителем представительства ООО «ПЛАНАР» в Санкт-Петербурге Евгением Сергеевичем Сучковым.
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
9

Опенов, Л. А., та А. И. Подливаев. "Отрицательный коэффициент Пуассона в непланарном фаграфене". Физика твердого тела 59, № 6 (2017): 1240. http://dx.doi.org/10.21883/ftt.2017.06.44499.423.

Повний текст джерела
Анотація:
Представлены результаты численного моделирования упругих свойств фаграфена --- недавно предсказанного квазидвумерного аллотропа графена. Показано, что для планарной конфигурации фаграфена коэффициент Пуассона положителен, а для непланарной отрицателен. Как коэффициент Пуассона, так и модуль Юнга планарного фаграфена изотропны, а для непланарного характеризуются сильной анизотропией в плоскости монослоя. Работа выполнена при поддержке РФФИ (грант N 15-02-02764). DOI: 10.21883/FTT.2017.06.44499.423
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
10

Киреева, И. В., Ю. И. Чумляков, З. В. Победенная, А. В. Выродова, И. В. Куксгаузен, В. В. Поклонов та Д. А. Куксгаузен. "Ориентационная зависимость критических скалывающих напряжений в монокристаллах высокоэнтропийного сплава Al-=SUB=-0.3-=/SUB=-CoCrFeNi". Письма в журнал технической физики 43, № 13 (2017): 51. http://dx.doi.org/10.21883/pjtf.2017.13.44811.16768.

Повний текст джерела
Анотація:
На монокристаллах высокоэнтропийного сплава Al0.3CoCrFeNi установлено, что при деформации растяжением критические скалывающие напряжения не зависят от ориентации кристалла. Показано, что развитие планарной дислокационной структуры при T = 296 K в монокристаллах Al0.3CoCrFeNi приводит к уменьшению отношения коэффициента деформационного упрочнения к модулю сдвига по сравнению с аналогичной величиной для монокристаллов Cu, в которой развивается ячеистая дислокационная структура при близкой величине энергии дефекта упаковки. DOI: 10.21883/PJTF.2017.13.44811.16768
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
11

Панченко, В. А., та С. П. Чирский. "Методика моделирования планарной солнечной теплофотоэлектрической кровельной панели в системе конечно-элементного анализа Ansys". ТЕНДЕНЦИИ РАЗВИТИЯ НАУКИ И ОБРАЗОВАНИЯ 78, № 2 (2021): 40–45. http://dx.doi.org/10.18411/trnio-10-2021-50.

Повний текст джерела
Анотація:
В статье предложена методика моделирования теплофотоэлектрического модуля в виде кровельной панели в системе конечно-элементного анализа Ansys. Представлен алгоритм расчѐта теплового состояния с целью последующего получения тепловых полей, скоростей теплоносителя, линий течения теплоносителя и т.п.
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
12

Свешников, Константин Алексеевич, Konstantin Alekseevich Sveshnikov, Юлия Сергеевна Воронина, Yuliya Sergeevna Voronina, Андрей Семенович Давыдов, Andrei Semenovich Davydov, Петр Анатольевич Грашин та Petr Anatol'evich Grashin. "Существенно непертурбативные эффекты поляризации вакуума в двумерной системе Дирака - Кулона при $Z>Z_{\mathrm{cr}}$. Энергия поляризации вакуума". Teoreticheskaya i Matematicheskaya Fizika 199, № 1 (квітень 2019): 69–103. http://dx.doi.org/10.4213/tmf9634.

Повний текст джерела
Анотація:
Для планарной системы Дирака - Кулона со сверхкритическим протяженным аксиально-симметричным кулоновским источником с зарядом $Z>Z_{\mathrm{cr},1}$ и радиусом $R_0$ рассмотрены существенно непертурбативные эффекты поляризации вакуума в закритической области. На основе результатов, полученных в предыдущей работе авторов для индуцированной плотности заряда $\rho_{\scriptscriptstyle\mathrm{VP}}(\vec r )$, подробно рассматривается расчет вакуумной энергии $\mathcal E_{\scriptscriptstyle\mathrm{VP}}$, основанный на перенормировке, сходимости парциального разложения для $\rho_{\scriptscriptstyle\mathrm{VP}}(\vec r )$ и поведении интегрального наведенного заряда $Q_{\scriptscriptstyle\mathrm{VP}}$ в закритической области. В частности, показано, что перенормировка через фермионную петлю с двумя внешними линиями оказывается универсальным приемом, который устраняет расходимость теории как в чисто пертурбативном, так и в существенно непертурбативном режимах как для $\rho_{\scriptscriptstyle\mathrm{VP}}(\vec r )$, так и для $\mathcal E_{\scriptscriptstyle\mathrm{VP}}$. Наиболее значимый результат состоит в том, что в такой системе при $Z\gg Z_{\mathrm{cr},1}$ вакуумная энергия становится быстро убывающей функцией заряда источника $Z$, достигающей больших отрицательных значений, поведение которой оценивается снизу (по модулю) как $\sim-|\eta_{\mathrm{eff}}Z^3|/R_0$. Исследована также зависимость эффекта убывания $\mathcal E_{\scriptscriptstyle\mathrm{VP}}$ от обрезания кулоновской асимптотики внешнего поля на различных масштабах $R_1>R_0$ и $R_1\gg R_0$.
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
13

"Условия формирования планарных нанопроволок GaAs (моделирование) / Спирина А.А., Шварц Н.Л". Тезисы докладов XIV РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ ПО ФИЗИКЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВ «ПОЛУПРОВОДНИКИ-2019», 20 серпня 2019, 133. http://dx.doi.org/10.34077/semicond2019-133.

Повний текст джерела
Анотація:
Представлены результаты моделирования самокаталитического роста планарных нитевидных нанокристаллов арсенида галлия. Ранее экспериментально было показано, что переход режима роста кристаллов с вертикального на планарный происходит либо при уменьшении, либо при сильном увеличении потока мышьяка относительно потока галлия [1]. Выбор между планарным и вертикальным направлениями роста кристалла определяется свойствами поверхности подложки (обычно подложка покрывается пленкой-маской) и соотношением поступающих в каплю потоков мышьяка: с поверхности подложки (за cчет диффузионного сбора) и непосредственно из внешнего потока. Поверхность {111}B является фронтом роста нитевидных нанокристаллов на основе полупроводников III-V [2]. В данной работе проводился поиск условий устойчивого роста планарных нанопроволок по механизму пар-жидкость-кристалл на основе решеточной Монте-Карло модели. Показано схематичное изображение бокового сечения подложки GaAs(111)A, покрытой пленкой-маской, с растущей GaAs нанопроволокой, также три возможные направления планарного роста. На начальной стадии роста под каплей формируется трехмерный кристалл GaAs по своей форме напоминающий половину усеченного октаэдра. Поверхность такого кристалла состоит из четырех плоскостей {111} соединённых тремя плоскостями {100}. Конкретная ориентация верхней плоскости 3D кристалла из семейства {111} задается поверхностью подложки. После формирования трехмерного кристалла под каплей, начинается рост планарных нанопроволок, то есть перемещение капли-затравки путем приращения кристалла нитевидной формы. Исследовалось влияние свойств пассивирующего слоя поверхности подложки на морфологию планарного нанокристалла. Найдена оптимальная величина эффективной энергии активации десорбции молекулярного мышьяка с пленки-маски, соответствующая стабильному росту планарных нанопроволок на поверхности GaAs(111)A. На рис.1г представленно изображение планарной нанопроволоки на поверхности GaAs(111)A. Нанопроволока непрерывно связана с пассивирующим слоем, на протяжении всей длины кристалла объемные дефекты в модельном кристалле не обнаружены, поверхность нанопроволоки атомарно гладкая.
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
14

"Генерация мощных лазерных импульсов полупроводниковыми гетероструктурами с использованием интегральных и гибридных подходов / Слипченко С.О., Подоскин А.А., Соболева О.С., Васильева В.В., Николаев Д.Н.,Багаев Т.А., Ладугин М.А., Мармалюк А.А., Симаков В.А., Пихтин Н.А". Тезисы докладов XIV РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ ПО ФИЗИКЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВ «ПОЛУПРОВОДНИКИ-2019», 20 серпня 2019, 461. http://dx.doi.org/10.34077/semicond2019-461.

Повний текст джерела
Анотація:
Представлены теоретические и экспериментальные результаты, достигнутые в области мощных импульсных лазерных излучателей на основе полупроводниковых гетероструктур AlGaAs/GaAs. В качестве основных направлений исследований было рассмотрено два подхода. Первый основан на эпитаксиальной интеграции функций лазерного излучателя и быстрого сильноточного ключа в рамках единой многопереходной полупроводниковой гетероструктуры. Разработанные модели и проведенные экспериментальные исследования позволили сформулировать основные требования к конструкциям разрабатываемых многопереходных гетероструктур. Продемонстрировано, что характерной особенностью разрабатываемых многопереходных структур является наличие режимов электрической бистабильности, с временами переходного процесса из состояния с высоким сопротивлением в состояние с высокой проводимостью в диапазоне от единиц до сотен нс. Показано, что основным фактором, ограничивающим максимальное значение пиковой мощности, является эффект локализации включенного состояния, выражающийся в пространственной неоднородности накачки в плоскости гетероструктуры. Проведенные исследования позволили создать как одиночные импульсные излучатели с пиковой мощностью до 50 Вт при апертуре 200 мкм, так и микролинейки с апертурой 1000 мкм и пиковой мощностью 210 Вт. Для решения задач генерации мощных лазерных импульсов нс и суб-нс длительности был разработан гибридный подход, в рамках которого кристаллы полупроводниковых лазеров монтировались непосредственно в планарной схеме, реализующей малоиндуктивный контур для генерации импульсов тока. Были исследованы особенности динамики генерации суб-нс импульсов мощными многомодовыми полупроводниковыми лазерами. В результате продемонстрированы режимы, обеспечивающие возможность генерации импульсов длительностью в диапазоне 0.1-1 нс с частотами повторения до 100 МГц. На базе разработанной концепции был разработан 8 канальный оптоволоконный модуль, излучающий в спектральном диапазоне 850-860 нм, и, демонстрирующий для лазерных импульсов длительностью 1нс значение выходной пиковой оптической мощности до 35 Вт с частотой повторения 100 МГц.
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
15

"Явления усиления сигнала фотолюминесценции наноостровков Ge(Si) в фотонных кристаллах". Тезисы докладов Российской конференции и школы молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники «ФОТОНИКА-2019», 24 травня 2019, 76. http://dx.doi.org/10.34077/rcsp2019-76.

Повний текст джерела
Анотація:
В работе исследованы люминесцентные свойства фотонных кристаллов (ФК) и фотоннокристаллических резонаторов, сформированных на кремниевых структурах с самоформирующимися наноостровками Ge(Si). Интерес к таким структурам с вызван с одной стороны - их излучательной способностью в диапазоне длин волн 1.2 – 1.6 мкм, с другой – совместимостью со стандартными КМОП технологиями, что делает их перспективными для схем кремниевой оптоэлектроники. В данной работе рассмотрены возможности управления излучательными свойствами таких структур в фотонных кристаллах и ФК резонаторах за счет эффектов взаимодействия активной среды с резонансными и радиационными модами фотонного кристалла. Фотонные кристаллы и ФК резонаторы с линейной (L3) геометрией дефекта формировались на многослойной структуре, содержащей 5 слоев наноостровков Ge(Si), выращенных на подложках SOI. Выращенная многослойная структура представляла собой планарный одномодовый волновод толщиной 250 нм. Методами электронно-лучевой литографии и плазмохимического травления в структуре формировались фотонные кристаллы с периодом решетки (a), варьируемым в интервале от 350 до 800 нм. Радиус отверстий ФК (r) определялся соотношением r/a = 0.2  0.4. Резонаторы формировались пропуском 3-х ближайших отверстий фотонного кристалла. Результаты исследований, полученные методом микро-ФЛ с высоким пространственным (до 2 мкм) и спектральным (> 0.05 см-1 ) разрешением, показывают наличие в таких структурах значительного (более чем на порядок величины) усиления сигнала ФЛ наноостровков Ge(Si) при комнатной температуре. В зависимости от параметров ФК в структурах наблюдаются как явления усиления на резонансных модах ФК резонатора, так и на радиационных модах ФК. Усиление сигнала ФЛ на оптически активных модах фотонно-кристаллического резонатора наблюдается в резонаторах с периодом решетки ФК, не превышающим 500 нм, и имеет место при условии прецизионной фокусировки лазерного луча в области резонатора. В ФК и ФК резонаторах с периодом решетки более 500 нм наблюдаемое усиление сигнала ФЛ не зависит от области возбуждения и обусловлено явлениями взаимодействия оптически активной среды с радиационными модами ФК. В условиях усиления на радиационных модах наблюдается как значительное увеличение сигнала ФЛ в максимуме интенсивности, так и значительный (вплоть до порядка величины) рост интегральной интенсивности сигнала ФЛ. Полученные экспериментальные результаты хорошо описываются в рамках теоретических моделей, позволяющих проанализировать зонную структуру исследованных ФК и особенности модового состава ФК резонаторов. Моделирование проводилось методом матрицы рассеяния и методом конечных элементов (FEM) с использованием программного пакета COMSOL Multiphysics
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
Ми пропонуємо знижки на всі преміум-плани для авторів, чиї праці увійшли до тематичних добірок літератури. Зв'яжіться з нами, щоб отримати унікальний промокод!

До бібліографії