Щоб переглянути інші типи публікацій з цієї теми, перейдіть за посиланням: Мультиплексори.
Статті в журналах з теми "Мультиплексори"
Оформте джерело за APA, MLA, Chicago, Harvard та іншими стилями
Ознайомтеся з топ-19 статей у журналах для дослідження на тему "Мультиплексори".
Біля кожної праці в переліку літератури доступна кнопка «Додати до бібліографії». Скористайтеся нею – і ми автоматично оформимо бібліографічне посилання на обрану працю в потрібному вам стилі цитування: APA, MLA, «Гарвард», «Чикаго», «Ванкувер» тощо.
Також ви можете завантажити повний текст наукової публікації у форматі «.pdf» та прочитати онлайн анотацію до роботи, якщо відповідні параметри наявні в метаданих.
Переглядайте статті в журналах для різних дисциплін та оформлюйте правильно вашу бібліографію.
1
Белоусов, В. И., В. А. Вершков, Г. Г. Денисов, М. А. Хозин та Д. А. Шелухин. "Квазиоптический пятиканальный мультиплексор частотного диапазона 12-90 GHz". Письма в журнал технической физики 43, № 22 (2017): 83. http://dx.doi.org/10.21883/pjtf.2017.22.45265.16941.
Повний текст джерелаАнотація:
Впервые разработан эффективный квазиоптический пятиканальный мультиплексор, распределяющий СВЧ-сигналы частотного диапазона 12-90 GHz по пяти частотным каналам: Ku, K, Ka, U, E (частотные диапазоны стандартных одномодовых волноводов) --- или объединяющий эти каналы в один волновой поток. При этом в 90% полосы каждого диапазона достигается сравнительно однородная характеристика с общим уровнем потерь около 1.5 dB. Проведен детальный анализ дифракционных и омических потерь в частотных каналах мультиплексора. DOI: 10.21883/PJTF.2017.22.45265.16941
2
Воробьев, А. В., Б. М. Кац, В. В. Комаров та В. П. Мещанов. "Синтез трехканального волноводного сверхвысокочастотного мультиплексора с модифицированной структурой". Радиотехника и электроника 64, № 5 (2019): 462–69. http://dx.doi.org/10.1134/s0033849419050139.
Повний текст джерела
3
Корепин, И. Н. "ПРИМЕНЕНИЕ АНАЛОГОВЫХ КОММУТАТОРОВ НАПРЯЖЕНИЯ В ИНЕРЦИАЛЬНЫХ СИСТЕМАХ НАВИГАЦИИ". NANOINDUSTRY Russia 13, № 4s (11 вересня 2020): 56–58. http://dx.doi.org/10.22184/1993-8578.2020.13.4s.56.58.
Повний текст джерелаАнотація:
Обсуждаются вопросы применения аналоговых коммутаторов и мультиплексоров для построения комплексных систем инерциальной навигации. Рассматриваются требования, предъявляемые к коммутаторам напряжения, и характеристики перспективных отечественных разработок по этому направлению.
4
Джеин, Пратик, та А. М. Джоши. "Анализ влияния расширенной конфигурации n-МОП транзистора на параметры 4x1 мультиплексора". Известия высших учебных заведений. Радиоэлектроника 61, № 3 (30 березня 2018): 163–72. http://dx.doi.org/10.20535/s0021347018030044.
Повний текст джерела
5
Патак, Н., Н. К. Мисра, Б. К. Бхои та С. Кумар. "Оптимизация параметров сумматоров и устройства быстрого сдвига на основе технологии QCA". Известия высших учебных заведений. Радиоэлектроника 64, № 10 (26 грудня 2021): 612–27. http://dx.doi.org/10.20535/s0021347021100022.
Повний текст джерелаАнотація:
По сравнению с полевыми транзисторами, имеющими структуру «металл–оксид–полупроводник» (МОП-структура), клеточные автоматы на квантовых точках, или квантовые клеточные автоматы QCA (quantum-dot cellular automata) обеспечивают большие преимущества. В статье рассмотрена реализация с помощью технологии QCA цифровых схем, таких как полный сумматор, мультиплексор, сумматор с запоминанием переноса, сумматор с переключением переноса, сумматор с пропуском переноса, и устройство быстрого сдвига для получения надежной архитектуры устройств в области наноэлектроники. Цель состоит в том, чтобы получить концептуальную схему для оптимизации QCA конструкций с использованием копланарных ячеек, что является достаточно гибким решением для использования при конструировании сложных систем. В результате этого синтеза получены новые конструкции, которые пригодны для создания наноэлектронных схем. Для проверки цифровых схем в синтезированных конструкциях, представленных в этой статье, использовался пакет разработки и моделирования QCADesigner. Среда моделирования QCA использована для верификации конструкций, определения параметров, и выполнения цифровых вычислений. Главная цель этой работы состоит в разработке конструкции робастного сумматора в терминах ограниченной площади ячейки, и других стоимостных элементов. Использован копланарный метод для построения QCA топологии различных сумматоров, который является более эффективным и компактным. Результаты сравнения показали, что использование новых цифровых конструкций обеспечивает лучшие результаты, и обеспечивает более надежную архитектуру, по сравнению с существующими конструкциями.
6
Ushakov, P. A., K. O. Maksimov, and A. A. Dedyukhin. "Research of ADG4XX Series Integrated Microcircuits Radiation Hardness Regarding Total Ionizing Dose Ef-fects." Bulletin of Kalashnikov ISTU 22, no. 4 (December 30, 2019): 73. http://dx.doi.org/10.22213/2413-1172-2019-4-73-82.
Повний текст джерелаАнотація:
Современные требования к бортовой радиоэлектронной аппаратуре авиакосмического назначения в значительной степени актуализировали задачу оценки и прогнозирования уровней стойкости электронных компонентов и узлов к радиационным воздействиям. Особый интерес направлен на исследование воздействий полей ионизирующих излучений естественного и искусственного происхождений на интегральные КМОП-микросхемы (комплиментарные микросхемы на транзисторах металл – диэлектрик – полупроводник).Представлена последовательность подготовки и проведения радиационного эксперимента на аппарате «АГАТ-С» с закрытым радионуклидным источником гамма-излучения Со60, а также проанализированы результаты испытаний интегральных микросхем серии ADG4XX (компания Analog Devices) к воздействию ионизирующего излучения в части дозовых эффектов. Исследовано влияние гамма-излучения на функционирование и электрические параметры многоканальных аналоговых коммутаторов/мультиплексоров с учетом топологии кристаллов. В частности получены зависимости наиболее чувствительных параметров объектов исследования относительно фактического уровня накопленной дозы, а также проанализированы причины деградации контролируемых параметров: токов потреблений, токов утечек, пороговых логических напряжений и др.Кроме того, проведен разрушающий физический анализ образцов микросхем с целью установления наиболее чувствительных областей и локализации радиационных эффектов по топологии полупроводниковых кристаллов.Даны результаты расчетной оценки стойкости интегральных микросхем серии ADG4XX: по критериям параметрического отказа минимальный уровень стойкости к дозовым эффектам варьируется от 721 до 1057 рад, а по критериям функционального отказа – от 1088 до 7212 рад для различных микросхем. Полученные данные имеют прикладное значение в случае применения исследуемых изделий в радиационно-стойкой аппаратуре военного, космического и специального назначения.
7
Сандлер, А. К., та А. І. Батинський. "Волоконно-оптичний пристрій контролю рівня для високотемпературних систем паливопідготовки". Automation of technological and business processes 12, № 2 (30 червня 2020): 9–13. http://dx.doi.org/10.15673/atbp.v12i2.1802.
Повний текст джерелаАнотація:
Для збереження своєї присутності на ринку судновласники змушені шукати шляхи істотного скорочення власних витрат з тим, щоб не тільки конкурувати з іншими судновласниками, а й забезпечити рівень доходів, який би створював умови для розширеного відтворення. Судноплавні компанії реалізують скорочення власних фінансових витрат різними шляхами, наприклад зниженням заробітних плат екіпажу, скороченням кількості екіпажу на судні, зниження основних експлуатаційні витрат за рахунок переходу на дешеві сорти високов'язких палив в'язкістю понад 380 мм кв./с. Один з перспективних методів зниження фінансових витрат є перехід на шлях оптимизирования енергоспоживання і підвищення енергоефективності судів. Удосконалення енергетичної ефективності судна передбачає виконання регулювання параметрів основних елементів паливної системи і мінімізацію енергетичних витрат на підготовку важкого палива. Аналіз застосування існуючих рівнемірів показав, що їх застосування в спеціальних експлуатаційних умовах характеризується недостатньою достовірністю результатів вимірювання, високою похибкою, низькою оперативністю, припускають контакт з паливом, не забезпечують умов безпеки при роботі з вуглеводнями. Для пошуку шляхів поліпшення метрологічних характеристик пристроїв контролю рівня були проаналізовані конструкції поширених вимірювальних приладів. Розроблено новий схемотехнічне рішення рівнеміра для контролю високотемпературних середовищ. У пристрої немає необхідності застосування додаткових заходів по захисту чутливого елемента в умовах впливу експлуатаційних факторів, є можливість обліку і компенсації коливань температури контрольованого середовища і одночасно збережені надійність, чутливість і простота схемотехнік пристроїв відомих типів. Основною відмінністю пропонованого пристрою є те, що генератор коливання винесено із зони підвищених температур, стрижень з инвара розташований коаксіально до комбінованого световоду з єдиною оболонкою і багатьма серцевинами. Комбінований світловод захищений оболонкою з инвара. Випромінювання до световоду надходить від джерела випромінювання через первинний розгалужувач, мультиплексор / демультиплексор, вторинний розгалужувач. Після проходу світловода випромінювання, відбившись від дзеркальних шарів на кінцях серцевин, повертається в зворотному порядку до фотоприймача. Використання розробленого пристрою дозволить не тільки адекватно і достовірно оцінювати кількісний показник рівня в суднових системах паливопідготовки на належному рівні, а й контролювати витрату палива енергетичною установкою.
8
Вишняков, Володимир Михайлович, та Мхамад Ібрагім Ахмад Альомар. "Збільшення корисного завантаження вузлового обладнання комп’ютерних мереж". New computer technology 11 (22 листопада 2013): 159–60. http://dx.doi.org/10.55056/nocote.v11i1.164.
Повний текст джерелаАнотація:
Однією з важливих умов під час експлуатації вузлового обладнання комп’ютерних мереж є забезпечення високого значення коефіцієнту корисного завантаження обладнання [1]. Цей коефіцієнт визначають як відношення середньої швидкості передачі даних крізь вузлове обладнання до пропускної здатності даного обладнання. Проблема збільшення коефіцієнту корисного завантаження вузлового обладнання полягає в тому, що магістральний трафік має пульсуючий характер, який відносять до самоподібних (фрактальних) випадкових процесів [2]. Таким процесам притаманні непередбачувані зміни та неможливість прогнозування. Через це існуючі технології обробки протокольних блоків даних в умовах пульсуючого трафіку не в змозі забезпечити високий рівень завантаження вузлового обладнання (ВО), зокрема магістральних мультиплексорів, комутаторів, маршрутизаторів, шлюзів, серверів тощо.Ступінь завантаження ВО поточним трафіком на проміжку часу τ визначається коефіцієнтом завантаження КВО – відношенням досягнутої на цьому проміжку швидкості (інтенсивності) обробки пакетів ІВО до пропускної спроможності цього обладнання СВО,тобтоКВО=ІВО/СВО. По мірі підвищення завантаження ВО на часових ділянках сплесків трафіку ймовірність перенавантаження зростає, що може призвести до лавиноподібного збільшення втрат пакетів і, отже, до перевищення нормативного значення коефіцієнту втрат пакетів, що неприпустимо [3]. Тому доводиться суттєво обмежувати середню швидкість обробки пакетів на портах ВО у порівнянні із його пропускною здатністю з тим, щоб уникнути втрат пакетів під час пульсацій трафіку. Робота пакетної мережі може вважатися лише тоді ефективною, коли кожен її ресурс є суттєво завантаженим, але не перенавантаженим. Оскільки обладнання сучасних пакетних мереж є високо вартісним, то міркування економічної доцільності змушують прагнути до найбільш повного використання ресурсів такого обладнання, щоб обробляти якомога більші обсяги даних у перерахунку на одиницю вартості задіяного обладнання, і при цьому в умовах пульсацій трафіка намагатися не втратити якість обробки інформації. Тобто, необхідно намагатися забезпечити оптимальний компроміс між рівнем завантаження ресурсів мережі і якістю надання послуг.З метою підвищення завантаженості вузлового обладнання (ВО) визначено можливі шляхи удосконалення технології адаптивного управління розподілом ресурсів пакетних мереж [4; 5]. У роботі [5]пропонується ефективний спосіб збільшення корисного завантаження ВО за рахунок використання механізму адаптивного перерозподілу пропускної спроможності пакетного комутатора між його портами у реальному часі. Проте цей спосіб не враховує статистичні характеристики реального пакетного трафіку, що суттєво зменшує ефективність застосування вищеназваного способу на практиці. Окрім того, не враховується негативний вплив системних помилок, пов’язаних із адаптивністю та дискретністю процесу перерозподілу. З метою підвищення ефективності адаптивного управління авторами проведено дослідження статистичних характеристик реального пакетного трафіку і запропоновано способи перетворення нестаціонарних потоків трафіку у квазістаціонарні відрізки, що надає можливість зменшення системних помилок адаптивного управління. При цьому потік пакетів розподіляється на декілька черг з різним пріоритетом [5]. Для визначення пріоритету аналізуються тільки заголовки пакетів, що забезпечує мінімальну затримку під час аналізу.
9
"Концептуальная конгруэнтность фотоприемников на основе многослойных структур с квантовыми ямами и сверхрешеток / Козлов А.И." Тезисы докладов XIV РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ ПО ФИЗИКЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВ «ПОЛУПРОВОДНИКИ-2019», 20 серпня 2019, 445. http://dx.doi.org/10.34077/semicond2019-445.
Повний текст джерелаАнотація:
Аналитические значения эквивалентной шуму разности температур (NETD) инфракрасного фотоприемника (ИК ФП) оценивается как отношение напряжения шума системы, включающей ИК фоточувствительный элемент (ФЧЭ) и канал считывания мультиплексора, к температурной чувствительности ИК ФЧЭ при данной квантовой эффективности η. Полученные значения NETD для многослойных структур с квантовыми ямами (МСКЯ) на GaAs/AlGaAs (1-4) и сверхрешеток (СР) на InAs/GaInSb (5,6) 3, 4, 5]. ИК ФП на основе МСКЯ с длиной волны максимума спектральной чувствительности max ≈ 9 μm начинает обеспечивать близкое к режиму ограничения фоном, практически предельное разрешение по температуре, лучшее, чем ИК ФП на СР при параметре R0A более 500 Ом см2 и η ≥ 0.1 (Рис. 1) [3, 4, 5]. С уменьшением R0A параметра МСКЯ и СР фотодетекторов NETD ИК ФП ухудшается. По мере уменьшения линейного размера ФЧЭ (lФЧЭ) NETD ФП на основе МСКЯ монотонно увеличивается; но при η ≥ 0.1 СР ФП проигрывают МСКЯ ФП в отношении NETD[3, 4]. При η ≈ 0.05 не требуется зарядовой емкости интегратора мультиплексора QROIC более 8 пКл, а при η порядка 0.1 требуется QROIC не более 14 пКл[4]. QROIC=CintEP, где Cint - емкость накопления; EP - рабочее напряжение технологии мультиплексоров. МСКЯ ФП обеспечивает лучшие значения NETD в сравнении с СР ФП практически во всем диапазоне QROIC при η ≥ 0.1[4]. В диапазоне max ≈ 8.5-9.5 μm МСКЯ ФП предоставляет хорошее (6- 7) mK температурное разрешение, практически независимо от η, NETD определяется шумом фонового излучения [4]. NETD МСКЯ ФП при η = 0.05÷0.2 в диапазоне λmax < 10÷11 μm меньше, чем NETD СР ФП. При дальнейшем увеличении max наблюдается рост NETD с существенным преимуществом для больших значений η фотодетекторов.
10
"Особенности влияния ΔN и Δμ моделей 1/f-шумов на эквивалентную шуму разность температур инфракрасных фотоприемников / Козлов А.И." Тезисы докладов XIV РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ ПО ФИЗИКЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВ «ПОЛУПРОВОДНИКИ-2019», 20 серпня 2019, 446. http://dx.doi.org/10.34077/semicond2019-446.
Повний текст джерелаАнотація:
При создании инфракрасных фотоприемников (ИК ФП) обычно требуется обеспечить режим ограничения фоном (ОФ), при котором параметры определяются шумом фонового излучения [1-3]. В этом случае несложно получить следующее выражение (1), описывающее зависимость эквивалентной шуму разности температур (NETD) ИК ФП от параметров технологии мультиплексоров. В определенных случаях, обеспечение режима "ОФ" затруднительно, например, ИК ФП не охлаждают до требуемой рабочей температуры. В таких случаях, хотя коэффициент ввода сигнального фототока остается достаточно высоким, дифференциальное сопротивление фоточувствительных элементов уменьшается и температурное разрешение определяется 1/f-шумами входных транзисторов в ячейках мультиплексоров. В режиме ОФ эквивалентная шуму разность температур ИК ФП обратно пропорциональна квадратному корню из времени накопления: NETD~1/(tint) 1/2, поэтому, в случаях, когда температурное разрешение определяется 1/f-шумами входных транзисторов мультиплексоров, соотношение вкладов шумов в NETD должно быть проверено особенно тщательно потому, что прямая пропорциональность NETD~(tint) 1/2 следует из выражения (2) для Δμ зависимой модели 1/f-шумов. В докладе исследованы научные основы создания мультиплексоров и ИК ФП, обеспечивающих высокие предельные характеристики и работающих, в т.ч., при значительных входных токах
11
Mozhaev, R. K., V. P. Lukashin, D. S. Ukolov, and A. A. Pechenkin. "Investigation of CMOS Multiplexor SEL Sensitivity at Low Temperature." Problems of advanced micro- and nanoelectronic systems development, 2020, 212–16. http://dx.doi.org/10.31114/2078-7707-2020-4-212-216.
Повний текст джерела
12
Romashova, V. B., K. J. Park, D. S. Shaimadieva, and N. V. Burov. "Broadband mode multiplexers – Alternative solution for telecommunications and research." Photonics Russia, 2018, 750–60. http://dx.doi.org/10.22184/1993-7296.2018.12.8.750.760.
Повний текст джерела
13
"Методика ИК-интерферометрических измерений оптических параметров и толщин разнолегированных слоёв InGaAs - InAlAs в гетероструктурах на подложках из фосфида индия". Тезисы докладов Российской конференции и школы молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники «ФОТОНИКА-2019», 24 травня 2019, 127. http://dx.doi.org/10.34077/rcsp2019-127.
Повний текст джерелаАнотація:
Фосфид индия сегодня рассматривается как важный кандидат - платформа фотонных интегральных чипов из оптических элементов, подобно тому, как кремний стал базой для схем микроэлектроники. Интегрирование оптических элементов на чипе имеет те же преимущества, что и интегрирование электронных компонент в СБИС. Кроме экономии за счет уменьшения размеров увеличиваются производительность и надежность. В случае использования подложек IпР имеется возможность создания объединённых устройств, включающих в себя лазеры, модуляторы, мультиплексоры, волноводы и управляющую электронику. Математическое моделирование устройств, применительно к нуждам фотоники, полностью завязано на знании оптических констант выращиваемых InGaAs – InAlAs гетероструктур, которые (с изменением режимов роста) будет правильнее и проще измерить, чем вычислить. Поскольку рабочие длины волн лежат в ИК области, измерения должны выполняться на соответствующей длине волны света непосредственно, без вариантов. Мы предлагаем применять оптическую методику определения нужных констант исходя из угловой зависимости R-отражения и T-прохождения света через гетероструктуру, которая вполне может рассматриваться как составной многослойный интерферометр Фабри-Перо. В зависимости от состава слоёв, интерференционные пики, имеющие сами по себе сложную форму, будут смещаться и ‘уплотняться’ по-разному в разных частях угловой зависимости, см. Рис 1. Значения (комплексных) констант материалов затем извлекаются математической обработкой. Важное требование методики состоит лишь в аккуратности измерений. Таким образом, методика даёт прямые и непосредственные измерения оптических параметров на нужной длине волны света. За счёт многократных прохождений-переотражений, она обладает высокой чувствительностью, свойственной всем интерферометрическим измерениям.
14
Терещенко, О. Е., С. В. Иванов та Н. А. Половников. "Новая концепция пировидикона на основе пироэлектрического электронно−оптического преобразователя диапазона 1-12 мкм". ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ, 27 вересня 2021, 33. http://dx.doi.org/10.34077/rcsp2021-33.
Повний текст джерелаАнотація:
Основная цель работы − реализация концепции создания неохлаждаемых тепловизионных приборов с высоким пространственным разрешением, формирующих тепловое изображение в диапазоне длин волн 1-14 мкм, на основе пироэлектрических пленок Sr1-xBaxNb2O6 (SBN) с использованием внутреннего усиления. В работе представлена концепция пировидикона, представляющих собой пирикон со сплошной мишенью из пироэлектрика Sr1-xBaxNb2O6, интегрированной в вакуумный фотодиод с мультищелочным фотокатодом. В отличие от стандартного пировидикона роль катода выполняет мультищелочной катод, а сканирование электронным пучком осуществляется разверткой лазерного луча. Изменение температуры, вызванное инфракрасным изображением, создает соответствующее распределение потенциала, которое считывается сканирующим электронным лучом. К преимуществу пирикона можно отнести отсутствие мультиплексора, роль которого выполняет считывающий электронный пучок. Недостатком – отсутствие внутреннего усиления пироэлектрического сигнала. Одним из решений преодоления отмеченного недостатка является создание пироэлектрического электронно − оптического преобразователя (ПЭОП) [1]. Нами предложен ПЭОП с пиромишенью на основе пленки SBN со сквозными отверстиями для прохождения электронного потока, который модулируется в соответствии с распределением потенциала на поверхности мишени, возникающим при проецировании на мишень теплового излучения. В работе изучены пироэлектрические и оптические свойства пленок SBN:La толщиной 0.5- 2.5 мкм, выращенные методом высокочастотного вакуумного осаждения на поверхность тонких металлических фольг и кремния. Изучен состав, структура и морфология полученных пленок SBN. Полученные величины пирокоэффициента γ варьировались в диапазоне 6.1-81.5 нКл/(см2К) в зависимости от температуры роста и толщины пленок. Изучен фазовый переход. Собран первый прототип ПЭОП на основе ЭОП-2 + , в котором изучены фотоэмиссионные свойства и проведены измерения энергетического распределения фотоэлектронов, проходящих сквозь пиромишень.
15
"Технологические подходы к созданию мозаичных фотоприемников сверхвысокой размерности с предельной эффективностью преобразования изображений". Тезисы докладов Российской конференции и школы молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники «ФОТОНИКА-2019», 24 травня 2019, 152. http://dx.doi.org/10.34077/rcsp2019-152.
Повний текст джерелаАнотація:
Потребность увеличения пространственного разрешения тепловизионных систем стимулирует создание фотоприемников сверхвысокой размерности для соответствующих спектральных диапазонов. Прямое увеличение количества фоточувствительных элементов (ФЧЭ) в фотоприемнике ведет к значительному увеличению площади кристаллов кремниевых мультиплексоров (КМ) и матрицы ФЧЭ. При увеличении площади кристаллов уменьшается выход годных изделий, что непосредственно определяет высокую стоимость приборов [1]. Мозаичная технология является одним из перспективных технических решений кардинального увеличения форматов приемников. Мозаичные фотоприемники (МФП) создают посредством технологии микросборки субмодулей приемлемого для изготовления формата. Основной проблемой МФП являются "слепые зоны" - области вдоль линий стыковки смежных субмодулей, в которых отсутствуют ФЧЭ [1]. Поисковые научные исследования, направленные на создание мозаичной технологии приемников сверхвысокой размерности для инфракрасного (ИК) и терагерцового (ТГц) диапазонов, обеспечили развитие технологических подходов к изготовлению МФП с предельной эффективностью преобразования изображений. Один из перспективных способов создания МФП заключается в том, что фотоприемные субмодули (2) устанавливают на заданные места пластиныносителя (1) внутри опорной прямоугольной рамки (5.1), внутренние размеры которой соответствуют размерам МФП (рис.); фиксацию всех субмодулей осуществляют одновременно, подачей вакуума к отверстиям в пластине-носителе для самосовмещения и позиционирования кристаллов при затвердевании слоев удерживающего материала под субмодулями; формирование внутренних граней опорной прямоугольной рамки выполняют прецизионно, с обеспечением шероховатости не более 1 мкм [1]. Полученные результаты могут увеличить точность позиционирования субмодулей в составе МФП, повысить технологичность способа изготовления МФП, упростить технологию изготовления, уменьшить трудоемкость изготовления и снизить стоимость МФП.
16
"О мозаичных инфракрасных фотоприемниках сверхвысокой размерности на основе многослойных структур с квантовыми ямами". Тезисы докладов Российской конференции и школы молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники «ФОТОНИКА-2019», 24 травня 2019, 140. http://dx.doi.org/10.34077/rcsp2019-140.
Повний текст джерелаАнотація:
Одним из перспективных путей достижения сверхвысокой размерности инфракрасных фотоприемников (ИК ФП) является мозаичный принцип построения. Мозаичные фотоприемники (МФП) сверхвысокой размерности создают посредством установки стык в стык друг к другу фотоприемных субмодулей меньшего, приемлемого для изготовления формата [1-6]. Мозаичный принцип создания ИК ФП сверхвысокой размерности на основе многослойных структур с квантовыми ямами (МСКЯ): "слепая зона", области повреждения полупроводникового материала и многослойных микроструктур, зазор между кристаллами субмодулей показаны на рис. [4]. МФП сверхвысокой размерности обеспечивают предельную эффективность параллельного сбора видеоинформации при стандартной частоте считывания фотосигналов субмодулей, и практически неограниченное повышение чувствительности путем структурирования фоточувствительных элементов (ФЧЭ) с большой суммарной площадью объединенной области фоточувствительности [1]. Формат МФП набирается на основе мозаичного принципа, а размеры структурированных ФЧЭ формируются исходя из требований чувствительности [1, 2]. МФП может обеспечивать формирование комбинированной, т.е. совмещающей широкополосную и узкополосную части, спектральной характеристики фоточувствительности за счет использования разных кристаллов субмодулей на основе ФЧЭ, работающих в разных спектральных диапазонах, например, КРТфотодиодов и МСКЯ-фотодетекторов, или например, ИК и терагерцовых микроболометров [1-4]. Представлена конгруэнтность возможностей мозаичной технологии для разных определяющих материалов [1, 3, 6]. В работе приведен достигнутый технологический уровень прецизионной микросборки кристаллов субмодулей в МФП, размер областей повреждения полупроводниковых материалов и микроструктур на краях кристаллов составляет для кремниевых мультиплексоров и матриц ФЧЭ на базе МСКЯ ≤ 5 мкм, зазор между смежными кристаллами не более 2 мкм [1, 3, 6]. Выполнен анализ размерности "слепых зон". Рассмотрены способы уменьшения "слепых зон". Развиты конструктивнотехнологические принципы создания МФП сверхвысокой размерности с предельной эффективностью преобразования изображений [1].
17
"Инфракрасная радиометрия на основе многорядных инфракрасных фотоприемных устройств". Тезисы докладов Российской конференции и школы молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники «ФОТОНИКА-2019», 24 травня 2019, 61. http://dx.doi.org/10.34077/rcsp2019-61.
Повний текст джерелаАнотація:
В основу принципа действия инфракрасных радиометров положено преобразование ИК-излучения от объектов наблюдения в электрические сигналы, на основе которых формируется видимое изображение или задается механизм обработки параметров наблюдаемых объектов при различных фоновых потоках. Для работы в заданных диапазонах ИК области спектра радиометры включают в свой состав специальные крупноформатные, высокочувствительные фотоприемные устройства (ФПУ), использующие матрицы фоточувствительных элементов (МФЧЭ) с обработкой данных в БИС считывания. Среди различных полупроводниковых материалов, чувствительных в ИК области спектра, тройные растворы HgCdTe являются лучшим полупроводниковым соединением с точки зрения достижения максимальных фотоэлектрических параметров [1, 2] в заданных ИК диапазонах спектра, что связано с выбором архитектуры фоточувствительных элементов с уменьшенным влиянием тепловых процессов при детектировании излучения. Для включения в состав инфракрасного радиометра изготовлены по планарной технологии на основе гетероэпитаксиальных структур с поглощающим слоем HgCdTe p-типа проводимости ФПУ, чувствительные в средневолновом и длинноволновом ИК диапазонах спектра. Проведены исследования темновых токов и шумов фоточувствительных элементов (ФЧЭ) многорядных фотоприемных модулей на основе гетероэпитаксиальных (ГЭС) структур HgCdTe с шагом 28 мкм средневолнового и длинноволнового ИК диапазонов спектра при обратном напряжении смещения V = -0,1 В. На рис. 1 показана температурная зависимость темнового тока для образца средневолнового диапазона спектра (Δλ=3.5-4,1 мкм). Значение обнаружительной способности D* ≥ 1012 для ФПУ средневолнового диапазона достигается при темновых токах менее 10-11 А, что достижимо для температуры охлаждения Т = 80 К. Проведены теоретические и экспериментальные исследования величин и источников выходного шума ФПУ длинноволнового ИК диапазона спектра в зависимости от времени накопления в диапазоне Тнак = 25 – 200 мкс. Показано, что шум прибора включает шум ФЧЭ и входной ячейки считывания мультиплексора. Шум фотодиода он включает шум ячейки считывания, который должен быть существенно меньше шума фотодиода, а емкость накопления ячейки считывания для ФПУ длинноволнового диапазона должна быть менее 10 фФ.
18
"Функциональные оптические элементы и устройства терагерцовой фотоники на основе метаповерхностей". Тезисы докладов Российской конференции и школы молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники «ФОТОНИКА-2019», 24 травня 2019, 84. http://dx.doi.org/10.34077/rcsp2019-84.
Повний текст джерелаАнотація:
Освоение диапазона терагерцовых (ТГц) частот электромагнитного спектра (0,1–10 ТГц) делает актуальными задачи разработки и изготовления эффективных оптических элементов для управления характеристиками пучков ТГц-излучения. С инструментальной точки зрения данный спектральный диапазон, соответствующий интервалу длин волн 30÷3000 мкм, удобно позиционирован между примыкающими к нему СВЧ и ИК областями, поскольку позволяет сочетать в терагерцовой аппаратуре инструментальные решения как оптической, так и микроволновой техники. Примером таких решений служат тонкие планарные метало-диэлектрические структуры субволновой топологии, известные в технологии метаматериалов как «метаповерхности» (МП). МП являются, как правило, резонансными электродинамическими структурами, которые эксплуатируются в режиме, когда их характерные резонансные частоты лежат значительно ниже точки возбуждения высших дифракционных гармоник, что отличает такие структуры от дифракционных решеток. Последнее достигается малостью периода расположения элементарных ячеек МП в ее латеральной плоскости в сравнении с рабочей длиной волны. Существенно, что амплитудные, фазовые и поляризационные характеристики МП в заданной полосе частот определяются дизайном ее ячеек, соответствующий выбор которого обеспечивает требуемые функциональные свойства МП-устройств. Последние выгодно сочетают малость толщины/веса и высокую эффективность, которая зачастую не может быть достигнута в рамках решений классической оптики. При этом в ТГц-диапазоне характерный размер элементов топологического рисунка МП в большинстве случаев составляет от нескольких единиц до сотен мкм, что позволяет применять для его производства сравнительно недорогие и хорошо отработанные литографические технологии. В настоящем докладе представлен обзор экспериментальных результатов по разработке оптических элементов и устройств на основе метаповерхностей традиционных и новых конфигураций, которые предназначены как для автономного применения, так и для интеграции с различными метрологическими системами, работающими в области частот от сотни ГГц до нескольких ТГц. Составляя неотъемлемую часть российской элементной базы радиофотоники, разработанные элементы в ряде случаев опережают по функциональным характеристикам отечественные и зарубежные аналоги. Обсуждаются вопросы электродинамического моделирования, технологического производства, спектральной характеризации, а также практического использования следующих типов терагерцовых МП-устройств и систем на их основе: 1) частотные фильтры различных видов: band-pass, low-pass, high-pass; дихроичные мультиплексоры пучков излучения; спектрорадиометрические системы на базе полосовых фильтров; 2) поляризаторы; преобразователи фазы и поляризации; 3) плоские фокусирующие элементы, включая голографические структуры; 4) ультратонкие резонансные поглотители и тепловые детекторы на их основе, включая многоканальные пироэлектрические линейки для спектральных и поляризационных измерений с пространственным разрешением; 5) перестраиваемые ЖК-устройства на основе высокоимпедансных поверхностей; 6) сенсоры тонкопленочных аналитов, включая SEIRA-структуры.
19
"Матричные ИК фотоприемники на основе гетероструктур узкозонных полупроводников". Тезисы докладов Российской конференции и школы молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники «ФОТОНИКА-2019», 24 травня 2019, 19. http://dx.doi.org/10.34077/rcsp2019-19.
Повний текст джерелаАнотація:
В настоящее время твердые растворы Hg1-xCdxTe (кадмий-ртуть-теллур, КРТ) занимают лидирующее положение среди материалов, на основе которых разрабатываются инфракрасные фотоэлектрические детекторы излучения. Благодаря тому, что HgTe обладает инвертированной зонной структурой или, иначе, «отрицательной» шириной запрещенной зоны, в твердом растворе Hg1-xCdxTe можно получить произвольную ширину запрещенной зоны от 0 до 1.6 эВ и настроить детектор на выбранное окно прозрачности атмосферы. Использование подложек из CdZnTe позволяет выращивать эпитаксиальные структуры CdHgTe с низкой плотностью прорастающих дислокаций. Однако, несмотря на затраченные гигантские усилия и средства, подложки большой площади из CdZnTe остаются дорогим и эксклюзивным изделием с невоспроизводимыми характеристиками. В связи с этим повсеместно разрабатываются технологии создания гетероструктур CdHgTe на альтернативных подложках, таких как Si, GaAs, Ge. Использование подложек из кремния позволяет получать матричные фоточувствительные элементы, согласованные по коэффициенту термического расширения с кремниевой интегральной микросхемой считывания сигнала (мультиплексором). Большое различие параметров кристаллических решеток, химическая и структурная несогласованность КРТ на Si делает задачу разработки и изготовления ИК ФП на основе гетероструктур КРТ/Si, с параметрами, не уступающими параметрам ИК ФП на основе структур КРТ на согласованных подложках CdZnTe, чрезвычайно сложной. В ИФП СО РАН разработано и изготовлено уникальное российское оборудование для выращивания КРТ методом МЛЭ. Проведены комплексные исследования всех этапов выращивания гетероэпитаксиальных структур CdTe и CdHgTe на подложках из арсенида галлия и кремния ориентацией (013) диаметром до 100 мм. Подложки, ориентированные по плоскости (013) выбраны нами, так как они позволяют выращивать слои КРТ с высокими параметрами в более широком диапазоне условий роста по сравнению с наиболее часто используемыми подложками (211). Исследованы механизмы формирования гетеропереходов АIIВ VI/GaAs и АIIВ VI/Si и кинетика роста слоев CdZnTe и CdHgTe на высокоиндексных поверхностях. В результате разработана технология, позволяющая создавать на альтернативных подложках нелегированные и легированные In пленки CdHgTe с низкой плотностью морфологических и структурных дефектов. Установлено, что в пленках МЛЭ КРТ/Si вне зависимости от состава наблюдаются магнетополевые зависимости проводимости и коэффициента Холла в диапазоне магнитных полей 0,05÷1Тл при 77K. Эти зависимости хорошо описываются с привлечением двух типов электронов: с высокой и с низкой подвижностью, различающимися на порядок величины. Установлено, что в гетероструктурах КРТ/Si(013) доминирующим генерационнорекомбинационными уровнями являются уровни, связанные с вакансиями в подрешетке металла. Заполнение вакансий приводит к снижению вклада рекомбинации Шокли-Рида и к возрастанию времени жизни неосновных носителей заряда в несколько раз до величин ограниченных фундаментальными межзонными механизмами рекомбинации. На полученных структурах изготовлены матричные фотоприемники различного формата на диапазоны длин волн 1-3, 3-5 и 8-14 мкм, работающие как при 77K, так и повышенных температурах, с параметрами не уступающими зарубежным аналогам. Впервые изготовлен фотоприемник формата 2000×2000 элементов для средневолнового спектрального диапазона.