Статті в журналах з теми "Квантова яма"
Оформте джерело за APA, MLA, Chicago, Harvard та іншими стилями
Ознайомтеся з топ-50 статей у журналах для дослідження на тему "Квантова яма".
Біля кожної праці в переліку літератури доступна кнопка «Додати до бібліографії». Скористайтеся нею – і ми автоматично оформимо бібліографічне посилання на обрану працю в потрібному вам стилі цитування: APA, MLA, «Гарвард», «Чикаго», «Ванкувер» тощо.
Також ви можете завантажити повний текст наукової публікації у форматі «.pdf» та прочитати онлайн анотацію до роботи, якщо відповідні параметри наявні в метаданих.
Переглядайте статті в журналах для різних дисциплін та оформлюйте правильно вашу бібліографію.
Алешкин, В. Я., Л. В. Гавриленко, Д. М. Гапонова, З. Ф. Красильник та Д. И. Крыжков. "Процессы переноса экситонных возбуждений и релаксация в низкоразмерных полупроводниковых гетероструктурах с квантовыми ямами". Физика и техника полупроводников 50, № 12 (2016): 1720. http://dx.doi.org/10.21883/ftp.2016.12.43906.8347.
Повний текст джерелаЯблонский, А. Н., Р. Х. Жукавин, Н. А. Бекин, А. В. Новиков, Д. В. Юрасов та М. В. Шалеев. "Излучательная рекомбинация и туннелирование носителей заряда в гетероструктурах SiGe/Si с двойными квантовыми ямами". Физика и техника полупроводников 50, № 12 (2016): 1629. http://dx.doi.org/10.21883/ftp.2016.12.43889.35.
Повний текст джерелаМихайлова, М. П., В. А. Березовец, Р. В. Парфеньев, Л. В. Данилов, М. О. Сафончик, A. Hospodkova, J. Pangrac та E. Hulicius. "Вертикальный транспорт в гетеропереходах II типа с композитными квантовыми ямами InAs/GaSb/AlSb в сильном магнитном поле". Физика и техника полупроводников 51, № 10 (2017): 1393. http://dx.doi.org/10.21883/ftp.2017.10.45019.8598.
Повний текст джерелаАлешкин, В. Я., та А. А. Дубинов. "Влияние параметров квантовой ямы на спектр двумерных плазмонов в гетероструктурах HgTe/CdHgTe". Физика и техника полупроводников 55, № 11 (2021): 973. http://dx.doi.org/10.21883/ftp.2021.11.51549.45.
Повний текст джерелаРумянцев, В. В., А. М. Кадыков, М. А. Фадеев, А. А. Дубинов, В. В. Уточкин, Н. Н. Михайлов, С. А. Дворецкий, С. В. Морозов та В. И. Гавриленко. "Исследования волноводных структур с квантовыми ямами на основе HgCdTe для получения длинноволнового стимулированного излучения". Физика и техника полупроводников 51, № 12 (2017): 1616. http://dx.doi.org/10.21883/ftp.2017.12.45174.37.
Повний текст джерелаКочман, И. В., М. П. Михайлова, А. И. Вейнгер та Р. В. Парфеньев. "Магнитофононные осцилляции магнитосопротивления в квантовой яме InAs/GaSb с инвертированным зонным спектром". Физика и техника полупроводников 55, № 4 (2021): 313. http://dx.doi.org/10.21883/ftp.2021.04.50731.9569.
Повний текст джерелаКочман, И. В., М. П. Михайлова, А. И. Вейнгер та Р. В. Парфеньев. "Магнитофононные осцилляции магнитосопротивления в квантовой яме InAs/GaSb с инвертированным зонным спектром". Физика и техника полупроводников 55, № 4 (2021): 313. http://dx.doi.org/10.21883/ftp.2021.04.50731.9569.
Повний текст джерелаДенисов, К. С., И. В. Рожанский, Н. С. Аверкиев та E. Lahderanta. "Спин-зависимое туннелирование в гетероструктурах с магнитным слоем-=SUP=- 1-=/SUP=-". Физика и техника полупроводников 50, № 12 (2016): 1725. http://dx.doi.org/10.21883/ftp.2016.12.44035.8291.
Повний текст джерелаДенисов, К. С., И. В. Рожанский, Н. С. Аверкиев та E. Lahderanta. "Спин-зависимое туннелирование в гетероструктурах с магнитным слоем". Физика и техника полупроводников 51, № 1 (2017): 45. http://dx.doi.org/10.21883/ftp.2017.01.43994.8291.
Повний текст джерелаУточкин, В. В., В. Я. Алёшкин, А. А. Дубинов, В. И. Гавриленко, Н. С. Куликов, М. А. Фадеев, В. В. Румянцев та ін. "Непрерывное стимулированное излучение в области 10-14 мкм при оптической накачке в структурах с квантовыми ямами HgCdTe/CdHgTe с квазирелятивистским законом дисперсии". Физика и техника полупроводников 54, № 10 (2020): 1169. http://dx.doi.org/10.21883/ftp.2020.10.49963.45.
Повний текст джерелаАлешкин, В. Я., А. А. Дубинов, В. И. Гавриленко, С. Г. Павлов та H. W. Hubers. "Рекомбинация в бесщелевой квантовой яме в гетероструктуре HgTe/CdHgTe". Физика твердого тела 64, № 2 (2022): 173. http://dx.doi.org/10.21883/ftt.2022.02.51947.227.
Повний текст джерелаАвакянц, Л. П., А. Э. Асланян, П. Ю. Боков, К. Ю. Положенцев та А. В. Червяков. "Спектры электроотражения множественных квантовых ям InGaN/GaN, помещенных в неоднородное электрическое поле p-n-перехода". Физика и техника полупроводников 51, № 2 (2017): 198. http://dx.doi.org/10.21883/ftp.2017.02.44104.8271.
Повний текст джерелаБольшаков, А. С., В. В. Чалдышев, Е. Е. Заварин, А. В. Сахаров, В. В. Лундин та А. Ф. Цацульников. "Оптическая спектроскопия резонансной брэгговской структуры с квантовыми ямами InGaN/GaN". Физика и техника полупроводников 50, № 11 (2016): 1451. http://dx.doi.org/10.21883/ftp.2016.11.43771.3.
Повний текст джерелаДегтярев, В. Е., C. В. Хазанова та А. А. Конаков. "Влияние электрического поля на соотношение параметров Рашба и Дрессельхауза в гетероструктурах А-=SUP=-III-=/SUP=-B-=SUP=-V-=/SUP=-". Физика и техника полупроводников 51, № 11 (2017): 1462. http://dx.doi.org/10.21883/ftp.2017.11.45091.05.
Повний текст джерелаДимитриев, Г. С., В. Ф. Сапега, Н. С. Аверкиев, И. Е. Панайотти та K. H. Ploog. "Влияние размерного квантования на спиновую поляризацию дырок в структурах с квантовыми ямами разбавленного магнитного полупроводника (Ga,Mn)As/AlAs". Физика твердого тела 59, № 11 (2017): 2240. http://dx.doi.org/10.21883/ftt.2017.11.45068.109.
Повний текст джерелаЛокоть, Л. О. "Оптична поляризаційна анізотропія, внутрішній ефект Штарка квантового конфайнменту і вплив кулонівських ефектів на лазерні характеристики [0001]-орієнтованих GaN/Al0,3Ga0,7N квантових ям". Ukrainian Journal of Physics 57, № 1 (30 січня 2012): 12. http://dx.doi.org/10.15407/ujpe57.1.12.
Повний текст джерелаГоршков, А. П., Н. С. Волкова, П. Г. Воронин, А. В. Здоровейщев, Л. А. Истомин, Д. А. Павлов, Ю. В. Усов та С. Б. Левичев. "Влияние состава покровного слоя на электронные характеристики квантовых точек InAs/GaAs". Физика и техника полупроводников 51, № 11 (2017): 1447. http://dx.doi.org/10.21883/ftp.2017.11.45088.02.
Повний текст джерелаМинтаиров, С. А., Н. А. Калюжный, А. М. Надточий, М. В. Максимов, С. С. Рувимов та А. Е. Жуков. "Оптические свойства гибридных наноструктур "квантовая яма-точки", полученных методом МОС-гидридной эпитаксии". Физика и техника полупроводников 51, № 3 (2017): 372. http://dx.doi.org/10.21883/ftp.2017.03.44210.8394.
Повний текст джерелаКлюев, А. М., Н. Г. Философов, А. Ю. Серов, В. Ф. Агекян, С. Morhain та В. П. Кочерешко. "Спектры отражения и фотоотражения структур с квантовыми ямами на основе ZnO". Физика твердого тела 62, № 11 (2020): 1795. http://dx.doi.org/10.21883/ftt.2020.11.50052.127.
Повний текст джерелаБовкун, Л. С., С. С. Криштопенко, А. В. Иконников, В. Я. Алешкин, А. М. Кадыков, S. Ruffenach, C. Consejo та ін. "Магнитоспектроскопия двойных квантовых ям HgTe/CdHgTe". Физика и техника полупроводников 50, № 11 (2016): 1554. http://dx.doi.org/10.21883/ftp.2016.11.43790.22.
Повний текст джерелаЛІСОВСЬКА, Юлія. "РАЦІОНАЛІСТИЧНІ МІФИ КВАНТОВОЇ ФІЛОСОФІЇ У НЕПИСАНИХ ПРАВИЛАХ ЗВИЧАЄВОГО ПРАВА: МЕТОДОЛОГІЧНІ АСПЕКТИ". Наукові праці Міжрегіональної Академії управління персоналом. Юридичні науки 60, № 1 (23 лютого 2022): 26–30. http://dx.doi.org/10.32689/2522-4603.2021.1.5.
Повний текст джерелаКособукин, В. А. "Плазмон-экситонные поляритоны в сверхрешетках". Физика твердого тела 59, № 5 (2017): 972. http://dx.doi.org/10.21883/ftt.2017.05.44389.365.
Повний текст джерелаАлафердов, А. В., О. В. Вихрова, Ю. А. Данилов, Б. Н. Звонков та С. А. Мошкалев. "Использование пленок из многослойного графена в качестве покрытий светоизлучающих GaAs-структур". Журнал технической физики 128, № 3 (2020): 399. http://dx.doi.org/10.21883/os.2020.03.49067.300-19.
Повний текст джерелаИконников, А. В., Л. С. Бовкун, В. В. Румянцев, С. С. Криштопенко, В. Я. Алешкин, А. М. Кадыков, M. Orlita та ін. "Зонный спектр в гетероструктурах HgTe/CdHgTe p-типа и его перестройка с изменением температуры". Физика и техника полупроводников 51, № 12 (2017): 1588. http://dx.doi.org/10.21883/ftp.2017.12.45168.30.
Повний текст джерелаГавриленко, В. И., Л. С. Бовкун, А. В. Иконников, В. Я. Алешкин, С. С. Криштопенко, А. В. Антонов, К. Е. Спирин, Н. Н. Михайлов та С. А. Дворецкий. "Активационная проводимость в квантовых ямах HgTe/CdHgTe при целочисленных факторах заполнения уровней Ландау: роль случайного потенциала". Физика и техника полупроводников 51, № 12 (2017): 1621. http://dx.doi.org/10.21883/ftp.2017.12.45175.38.
Повний текст джерелаСейсян, Р. П., А. В. Кавокин, Kh Moumanis та М. Э. Сасин. "Эффект кулоновской ямы в квантовых ямах (In, Ga)As/GaAs". Физика твердого тела 59, № 6 (2017): 1133. http://dx.doi.org/10.21883/ftt.2017.06.44486.232.
Повний текст джерелаДобрецова, А. А., З. Д. Квон, Л. С. Брагинский, М. В. Энтин та Н. Н. Михайлов. "Подвижность и квантовое время бесщелевых дираковских электронов в квантовых ямах HgTe". Журнал технической физики 52, № 11 (2018): 1357. http://dx.doi.org/10.21883/ftp.2018.11.46598.20.
Повний текст джерелаХабибуллин, Р. А., Н. В. Щаврук, А. Н. Клочков, И. А. Глинский, Н. В. Зенченко, Д. С. Пономарев, П. П. Мальцев та ін. "Энергетический спектр и тепловые свойства терагерцового квантово-каскадного лазера на основе резонансно-фононного дизайна". Физика и техника полупроводников 51, № 4 (2017): 540. http://dx.doi.org/10.21883/ftp.2017.04.44349.8414.
Повний текст джерелаМоисеев, К. Д., В. Н. Неведомский, Yu Kudriavtsev, A. Escobosa-Echavarria та M. Lopez-Lopez. "Дельта-легирование соединениями марганца гетероструктур на основе GaAs". Физика и техника полупроводников 51, № 9 (2017): 1189. http://dx.doi.org/10.21883/ftp.2017.09.44882.8534.
Повний текст джерелаГалиев, Г. Б., А. Н. Клочков, И. С. Васильевский, Е. А. Климов, С. С. Пушкарев, А. Н. Виниченко, Р. А. Хабибуллин та П. П. Мальцев. "Электронные свойства приповерхностных квантовых ям InGaAs/InAlAs с инвертированным легированием на подложках InP". Физика и техника полупроводников 51, № 6 (2017): 792. http://dx.doi.org/10.21883/ftp.2017.06.44559.8456.
Повний текст джерелаКулакова, Л. А., А. В. Лютецкий та И. С. Тарасов. "Поляризационные эффекты в гетеролазерах In-=SUB=-28-=/SUB=-Ga-=SUB=-72-=/SUB=-As/GaAs на квантовой яме". Физика твердого тела 59, № 9 (2017): 1684. http://dx.doi.org/10.21883/ftt.2017.09.44837.062x.
Повний текст джерелаКочелап, В. О., та С. М. Кухтарук. "Взаємодія ізотропної наночастинки з дрейфуючими електронами у квантовій ямі". Ukrainian Journal of Physics 57, № 3 (30 березня 2012): 367. http://dx.doi.org/10.15407/ujpe57.3.367.
Повний текст джерелаАбдулазизов, Б. Т., П. Ж. Байматов, Ш. Т. Иноятов та А. С. Махмудов. "Фактор спинового расщепления электрона в квантовой яме InAs в сильных магнитных полях". «Узбекский физический журнал» 23, № 1 (21 лютого 2021): 19–23. http://dx.doi.org/10.52304/.v23i1.218.
Повний текст джерелаХарченко, A. A., А. М. Надточий, А. А. Серин, С. А. Минтаиров, Н. А. Калюжный, А. Е. Жуков, М. В. Максимов та S. Breuer. "Бимодальность в спектрах электролюминесценции InGaAs квантовых яма-точек". Физика и техника полупроводников 56, № 1 (2022): 97. http://dx.doi.org/10.21883/ftp.2022.01.51818.9730.
Повний текст джерелаХомицкий, Д. В., Е. А. Лаврухина, А. А. Чубанов та Н. Нжийа. "Релаксация энергии в квантовой точке на крае двумерного топологического изолятора". Физика и техника полупроводников 51, № 11 (2017): 1557. http://dx.doi.org/10.21883/ftp.2017.11.45111.25.
Повний текст джерелаМинтаиров, С. А., Н. А. Калюжный, А. М. Надточий, М. В. Максимов, В. Н. Неведомский, Л. А. Сокура, С. С. Рувимов, М. З. Шварц та А. Е. Жуков. "Многослойные InGaAs-гетероструктуры "квантовая яма-точки" в фотопреобразователях на основе GaAs". Физика и техника полупроводников 52, № 10 (2018): 1131. http://dx.doi.org/10.21883/ftp.2018.10.46452.8879.
Повний текст джерелаЖуравлева, Л. М., та Н. М. Легкий. "Улучшение качества фотоприемников методами изотопической наноинженерии". Российские нанотехнологии 14, № 3-4 (5 грудня 2019): 21–25. http://dx.doi.org/10.21517/1992-7223-2019-3-4-21-25.
Повний текст джерелаОвешников, Л. Н., та Е. И. Нехаева. "Квантовые поправки к проводимости и аномальный эффект Холла в квантовых ямах InGaAs с пространственно отделенной примесью Mn". Физика и техника полупроводников 51, № 10 (2017): 1364. http://dx.doi.org/10.21883/ftp.2017.10.45014.8489.
Повний текст джерелаКочерешко, В. П., В. Н. Кац, А. В. Платонов та D. Wolverson. "Эффект магнитоиндуцированной пространственной дисперсии в квантовых ямах*". Известия Российской академии наук. Серия физическая 78, № 12 (2014): 1649–52. http://dx.doi.org/10.7868/s036767651412014x.
Повний текст джерелаБатаев, М. Н., Н. Г. Философов, А. Ю. Серов, В. Ф. Агекян, C. Mohrain та В. П. Кочерешко. "Экситоны в квантовых ямах на основе ZnO". Журнал технической физики 60, № 12 (2018): 2450. http://dx.doi.org/10.21883/ftt.2018.12.46738.143.
Повний текст джерелаБатаев, М. Н., Н. Г. Философов, А. Ю. Серов, В. Ф. Агекян, C. Mohrain та В. П. Кочерешко. "Экситоны в квантовых ямах на основе ZnO". Журнал технической физики 60, № 12 (2018): 2579. http://dx.doi.org/10.21883/ftt.2018.12.47356.143.
Повний текст джерелаКриштопенко, С. С., А. В. Иконников, К. В. Маремьянин, Л. С. Бовкун, К. Е. Спирин, А. М. Кадыков, M. Marcinkiewicz та ін. "Циклотронный резонанс дираковских фермионов в квантовых ямах InAs/GaSb/InAs". Физика и техника полупроводников 51, № 1 (2017): 40. http://dx.doi.org/10.21883/ftp.2017.01.43993.8244.
Повний текст джерелаМинтаиров, С. А., И. М. Гаджиев, Н. А. Калюжный, М. В. Максимов, А. М. Надточий, М. В. Нахимович, Р. А. Салий, М. З. Шварц та А. Е. Жуков. "Быстродействующие фотодетекторы оптического диапазона 950-1100 nm на основе In-=SUB=-0.4-=/SUB=-Ga-=SUB=-0.6-=/SUB=-As/GaAs-наноструктур квантовая яма-точки". Письма в журнал технической физики 46, № 24 (2020): 11. http://dx.doi.org/10.21883/pjtf.2020.24.50420.18485.
Повний текст джерелаШамирзаев, Т. С. "Рекомбинация и спиновая динамика экситонов в непрямозонных квантовых ямах и квантовых точках". Физика твердого тела 60, № 8 (2018): 1542. http://dx.doi.org/10.21883/ftt.2018.08.46240.08gr.
Повний текст джерелаДоронин, С. И., И. Д. Лазарев та Э. Б. Фельдман. "МНОГОСПИНОВАЯ ЗАПУТАННОСТЬ В МНОГОКВАНТОВОЙ СПЕКТРОСКОПИИ ЯМР". NANOINDUSTRY Russia 13, № 4s (11 вересня 2020): 678–79. http://dx.doi.org/10.22184/1993-8578.2020.13.4s.678.679.
Повний текст джерелаВиниченко, А. Н., Д. А. Сафонов, Н. И. Каргин та И. С. Васильевский. "Электронный квантовый транспорт в псевдоморфных и метаморфных квантовых ямах на основе In-=SUB=-0.2-=/SUB=-Ga-=SUB=-0.8-=/SUB=-As". Физика и техника полупроводников 53, № 3 (2019): 359. http://dx.doi.org/10.21883/ftp.2019.03.47288.9001.
Повний текст джерелаМикушкин, В. М. "Квантовая яма на поверхности n-GaAs, облученной ионами аргона, "Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики"". Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики, № 3-4 (2018): 248–51. http://dx.doi.org/10.7868/s0370274x18040082.
Повний текст джерелаНадточий, А. М., С. А. Минтаиров, Н. А. Калюжный, Ю. М. Шерняков, Г. О. Корнышов, А. А. Серин, А. С. Паюсов та ін. "Лазеры на основе квантовых яма-точек, излучающие в оптических диапазонах 980 и 1080 nm". Письма в журнал технической физики 45, № 4 (2019): 42. http://dx.doi.org/10.21883/pjtf.2019.04.47337.17615.
Повний текст джерелаМИНЬКОВ, Г. М., О. Э. РУТ, А. А. ШЕРСТОБИТОВ, С. А. ДВОРЕЦКИЙ та Н. Н. МИХАЙЛОВ. "ОСОБЕННОСТИ МАГНЕТО-МЕЖПОДЗОННЫХ ОСЦИЛЛЯЦИЙ В КВАНТОВЫХ ЯМАХ HGTE". ПИСЬМА В ЖУРНАЛ ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНОЙ И ТЕОРЕТИЧЕСКОЙ ФИЗИКИ 110, № 3-4(8) (2019): 274–78. http://dx.doi.org/10.1134/s0370274x19160124.
Повний текст джерелаИванов, А. М. "Низкочастотный шум в светодиодах на основе InGaN/GaN квантовых ям при электрических воздействиях, сопровождающихся возрастанием внешней квантовой эффективности". Журнал технической физики 91, № 1 (2021): 76. http://dx.doi.org/10.21883/jtf.2021.01.50276.447-18.
Повний текст джерела