Статті в журналах з теми "Квантова точка"

Щоб переглянути інші типи публікацій з цієї теми, перейдіть за посиланням: Квантова точка.

Оформте джерело за APA, MLA, Chicago, Harvard та іншими стилями

Оберіть тип джерела:

Ознайомтеся з топ-50 статей у журналах для дослідження на тему "Квантова точка".

Біля кожної праці в переліку літератури доступна кнопка «Додати до бібліографії». Скористайтеся нею – і ми автоматично оформимо бібліографічне посилання на обрану працю в потрібному вам стилі цитування: APA, MLA, «Гарвард», «Чикаго», «Ванкувер» тощо.

Також ви можете завантажити повний текст наукової публікації у форматі «.pdf» та прочитати онлайн анотацію до роботи, якщо відповідні параметри наявні в метаданих.

Переглядайте статті в журналах для різних дисциплін та оформлюйте правильно вашу бібліографію.

1

Платонов, А. В., В. П. Кочерешко, В. Н. Кац, Г. Э. Цырлин, А. Д. Буравлев, Д. В. Авдошина, A. Delga, L. Besombes та H. Mariette. "Поляризация фотолюминесценции квантовых точек, внедренных в квантовые нити". Физика и техника полупроводников 50, № 12 (2016): 1675. http://dx.doi.org/10.21883/ftp.2016.12.43898.44.

Повний текст джерела
Анотація:
-1 Исследовались спектры фотолюминесценции одиночных квантовых точек, заключенных в квантовую нить. Из поведения спектров в магнитном поле удалось оценить энергию связи экситона в квантовой точке, заключенной в квантовую нить. Обнаружено, что сигнал экситонной фотолюминесценции из квантовой точки, излучаемый в направлении оси нанонити, поляризован линейно. В то же время сигнал фотолюминесценции, распространяющийся в направлении, перпендикулярном оси нанонити, практически не был поляризован. Наблюдаемый эффект объяснен неаксиальным расположением точки относительно оси нити в условиях гигантского увеличения энергии связи экситона, связанного с влиянием на экситон потенциала изображения.
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
2

Kryuchenko, Yu V., and D. V. Korbutyak. "Excitonic Emission of Hybrid Nanosystem “Spherical Semiconductor Quantum Dot + Spherical Metal Nanoparticle”." Ukrainian Journal of Physics 60, no. 7 (July 2015): 634–47. http://dx.doi.org/10.15407/ujpe60.07.0634.

Повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
3

Горшков, А. П., Н. С. Волкова, П. Г. Воронин, А. В. Здоровейщев, Л. А. Истомин, Д. А. Павлов, Ю. В. Усов та С. Б. Левичев. "Влияние состава покровного слоя на электронные характеристики квантовых точек InAs/GaAs". Физика и техника полупроводников 51, № 11 (2017): 1447. http://dx.doi.org/10.21883/ftp.2017.11.45088.02.

Повний текст джерела
Анотація:
Заращивание массива самоорганизованных квантовых точек InAs/GaAs слоем квантовой ямы InGaAs приводит к увеличению их размера за счет обогащения области вблизи вершины квантовых точек индием, что уменьшает энергию основного оптического перехода в квантовых точках на 50 мэВ и смещает волновую функцию дырки по направлению к вершине квантовой точки. DOI: 10.21883/FTP.2017.11.45088.02
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
4

Samarin, Alexey Yur'evich. "Quantum evolution in terms of mechanical motion." Вестник Самарского государственного технического университета. Серия «Физико-математические науки» 25, no. 2 (2021): 393–401. http://dx.doi.org/10.14498/vsgtu1851.

Повний текст джерела
Анотація:
Туннельный эффект рассматривается с точки зрения локального реализма. Сделан вывод о том, что квантовый объект, туннелирующий через потенциальный барьер, нельзя интерпретировать как материальную точку, потому что такая интерпретация противоречит невозможности движения быстрее скорости света в вакууме. Такого противоречия не возникает, если квантовый объект рассматривать как сплошную среду, образованную материальными полями. Показано, что закон динамики механического движения этих полей материи может быть выведен из закона квантовой эволюции в форме интеграла по траекториям. Анализ процесса туннелирования показывает, что этот закон динамики имеет форму принципа наименьшего действия с комплексной временной переменной. Используемый здесь подход позволяет не только придать физическую интерпретацию туннельному эффекту, согласующуюся со специальной теорией относительности, но также описать широкий круг квантовых явлений, для которых традиционные методы исследования неосуществимы.
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
5

Салий, Р. А., С. А. Минтаиров, А. М. Надточий, В. Н. Неведомский, М. З. Шварц та Н. А. Калюжный. "Сравнительный анализ оптических и физических свойств квантовых точек InAs, In-=SUB=-0.8-=/SUB=-Ga-=SUB=-0.2-=/SUB=-As и фотоэлектрических преобразователей на их основе". Физика и техника полупроводников 54, № 10 (2020): 1079. http://dx.doi.org/10.21883/ftp.2020.10.49946.9418.

Повний текст джерела
Анотація:
Методом металлоорганической газофазной эпитаксии получены квантовые точки InAs и In0.8Ga0.2As в матрице GaAs, а также GaAs-фотопреобразователи с квантовыми точками обоих типов в i-области. В результате исследования методами фотолюминесценции и просвечивающей электронной микроскопии установлено, что ансамбль квантовых точек In0.8Ga0.2As имеет высокую однородность, содержит меньшее число дефектных квантовых точек большого размера, а также обеспечивает снижение механических напряжений в структуре. Анализ спектральных зависимостей внутреннего квантового выхода показал сохранение качества матрицы фотоэлектрического преобразователя с квантовыми точками In0.8Ga0.2As на уровне, близком к качеству реперного GaAs-фотопреобразователя при встраивании до 20 рядов квантовых точек. При этом обеспечивается линейный прирост добавочного фототока, генерированного за счет поглощения подзонных фотонов в квантовых точках In0.8Ga0.2As, с увеличением количества рядов квантовых точек, так как сохраняется величина прироста фототока в пересчете на один ряд. Ключевые слова: фототок, квантовые точки, фотоэлектрические преобразователи.
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
6

Жуков, Н. Д., Т. Д. Смирнова, А. А. Хазанов, О. Ю. Цветкова та С. Н. Штыков. "Свойства полупроводниковых коллоидных квантовых точек, полученных в условиях управляемого синтеза". Физика и техника полупроводников 55, № 12 (2021): 1203. http://dx.doi.org/10.21883/ftp.2021.12.51706.9704.

Повний текст джерела
Анотація:
Исследовано влияние технологических параметров синтеза на структурно-физические свойства коллоидных квантовых точек на основе сульфида свинца, антимонида индия и селенида кадмия. Использование несольватирующего для прекурсора неметалла растворителя позволяет получить медленный, управляемый процесс и детально проследить все стадии кристаллизации наночастиц --- нуклеацию и рост, оствальдовское созревание, неконтролируемое разрастание. Удается получать кристаллиты совершенной структуры и размеров с минимальными разбросами --- не более ±10%. Установлено при этом, что максимальные размеры наночастиц ограничены термодинамическими условиями роста и имеют величину ~ 5 нм. Кроме того, квантовые точки проявляют ряд специфических свойств --- аномальную температурную зависимость фотолюминесценции и нестабильность вольт-амперной характеристики, которым дано объяснение в модели размерного квантования энергии и импульса неравновесных электронов. Для разных вариантов полупроводников особенности проявляются значительней с увеличением параметров размерного квантования. Ключевые слова: коллоидный синтез, коллоидная квантовая точка, кинетическая и термодинамическая модели, сольватирующий растворитель, быстрая и медленная кристаллизация, кристаллическая и зонная структура, параметры размерного квантования, фотолюминесцентные и вольт-амперные характеристики.
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
7

Сидоров, А. И., А. А. Ефимов та В. П. Цепич. "Формирование наночастиц серебра и углеродных квантовых точек при лазерном фотолизе нитрата серебра в поливиниловом спирте". Журнал технической физики 91, № 8 (2021): 1258. http://dx.doi.org/10.21883/jtf.2021.08.51101.40-21.

Повний текст джерела
Анотація:
Представлены результаты исследования фотолиза нитрата серебра в растворе поливинилового спирта под действием непрерывного лазерного излучения с длиной волны 405 nm. Показано, что при лазерном воздействии на поверхности подложки формируются наночастицы серебра, обладающие плазмонным резонансом, и углеродные квантовые точки, обладающие люминесценцией. Средний размер наночастиц серебра составлял 10-50 nm. При высокой дозе облучения они образуют трехмерные фрактальные кластеры. Ключевые слова: фотолиз, лазерное облучение, наночастица, квантовая точка, серебро, углерод.
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
8

Сокура, Л. А., Я. А. Пархоменко, К. Д. Моисеев, В. Н. Неведомский та Н. А. Берт. "Квантовые точки InSb, полученные методом жидкофазной эпитаксии на подложке InGaAsSb/GaSb". Физика и техника полупроводников 51, № 8 (2017): 1146. http://dx.doi.org/10.21883/ftp.2017.08.44804.8533.

Повний текст джерела
Анотація:
Методом жидкофазной эпитаксии на поверхности эпитаксиального слоя In0.25GaAsSb, изопериодного с подложкой GaSb(001), впервые сформированы квантовые точки InSb в интервале температур T=450-467oC. Просвечивающая электронная микроскопия показала, что форма квантовой точки близка к усеченному конусу, а распределение их в ансамбле по высоте и размеру основания является монодисперсным. Крупные квантовые точки (размер основания ~30-50 нм, высота 3 нм) имели специфический контраст на изображении в планарной геометрии с дифракционным контрастом, что указывало на присутствие дефектов несоответствия. Модификация химического состава рабочей поверхности подложки за счет нанесения эпитаксиального слоя In0.25GaAsSb позволила в 3 раза увеличить плотность ансамбля (1·1010 см-2) квантовых точек InSb по сравнению с осаждением непосредственно на бинарное соединение GaSb. DOI: 10.21883/FTP.2017.08.44804.8533
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
9

Горбацевич, А. А., та Н. М. Шубин. "КВАНТОВЫЕ СЕНСОРЫ НА ОСОБЫХ ТОЧКАХ". Nanoindustry Russia 14, № 7s (3 жовтня 2021): 731–32. http://dx.doi.org/10.22184/1993-8578.2021.14.7s.731.732.

Повний текст джерела
Анотація:
Рассмотрено современное состояние исследований сенсоров на особых точках открытых квантовых систем. Детектируемое внешнее воздействие приводит к корневому изменению параметров системы в отличие от линейного в обычных сенсорах. В качестве возможной реализации предложены молекулярные квантовые сенсоры.
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
10

Клюев, Виктор Григорьевич, Юлия Сергеевна Бездетко та Анастасия Алексеевна Седых. "ОПТИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА СИСТЕМЫ КВАНТОВЫХ ТОЧЕК CdS–Ag2S". Конденсированные среды и межфазные границы 19, № 2 (6 листопада 2017): 173. http://dx.doi.org/10.17308/kcmf.2017.19/189.

Повний текст джерела
Анотація:
В работе приведены результаты исследования систем, состоящих из двух типов квантовых точек: CdS и Ag2S, имеющих разный тип кристаллических решеток. Синтезированы квантовые точки сульфида кадмия в желатиновой матрице с помощью золь-гель технологии. Средний размер квантовых точек CdS с кристаллической решеткой кубической модификации составил 2-4 нм. В процессе синтеза квантовых точек CdS в реактор добавлялись ионы серебра в концентрациях с соотношением мольных долей относительно ионов кадмия равных СAg = 10-2, 2.2 ∙ 10-2, 4.6 ∙ 10-2, 10-1, 2.2 ∙ 10-1, 4.6 ∙ 10-1, 1 : 1. Начиная с концентрации СAg = 10-2, образуются квантовые точки Ag2S, имеющие моноклинную кристаллическую решетку и люминесценцию в области спектра 1100-1300 нм, интенсивность которой увеличивается при увеличении СAg. В диапазоне СAg = 10-2 - 2.2 ∙ 10-1 часть ионов серебра входит легирующей добавкой в квантовые точки CdS, образует центры люминесценции, увеличивая интенсивность общей полосы люминесценции в области спектра 550-650 нм. Сделан вывод о том, что в результате присутствия в реакторе во время синтеза ионов серы, кадмия и серебра образуются квантовые точки двух типов: CdS и Ag2S. Данная система имеет две полосы люминесценции в видимой и ближней инфракрасной областях спектра. Такие материалы могут найти применение в качестве излучающих приборов, имеющих полосы люминесценции в двух разных областях спектра. Спектры поглощения, изображения квантовых точек, полученные с помощью ПЭМ, и рентгеновские дифрактограммы измерены на оборудовании ЦКП НО ВГУ.
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
11

Гайнутдинов, Р. Х., М. А. Хамадеев, М. Р. Мохебби Фар та А. А. Мутыгуллина. "Влияние окружения на квантовые флуктуации квантовой точки". Известия Российской академии наук. Серия физическая 80, № 7 (2016): 892–95. http://dx.doi.org/10.7868/s0367676516070103.

Повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
12

Королев, Станислав Анатольевич, та Дмитрий Владимирович Майков. "Квантовая модификация алгоритма пресноводных гидр для решения задачи оптимизации". Вестник ВГУ. Серия: Системный анализ и информационные технологии, № 2 (15 червня 2020): 37–48. http://dx.doi.org/10.17308/sait.2020.2/2914.

Повний текст джерела
Анотація:
Одним из этапов решения ряда задач математического моделирования является поиск точки, в которой некоторая функция нескольких переменных достигает наибольшего или наименьшего значения. Эта функция, как правило, имеет высокую размерность и множество локальных экстремумов. Подобная задача успешно решается популяционными алгоритмами оптимизации, например, алгоритмом роя частиц, алгоритмом пресноводных гидр и другими. Целью работы являлось совершенствование алгоритма пресноводных гидр (Н-алгоритма) с учетом представлений квантовой механики. Разработанные квантовые модификации данного алгоритма основаны на методе анализа иерархий (QH-AHP) и байесовском подходе (QH-B). Скорость сходимости квантовых модификаций выше, чем у исходного Н-алгоритма в связи с тем, что положение особей определяется напрямую, не оперируя их скоростями (в соответствии с представлениями квантовой механики). Вследствие этого, в течение одной итерации особи могут перемещаться на значительное расстояние, в результате чего увеличивается охват пространства поиска. Кроме того, данный подход позволяет особям успешнее преодолевать области притяжения локальных экстремумов, что препятствует преждевременной сходимости алгоритма. Найдены оптимальные значения параметров разработанных алгоритмов в результате решения задачи метаоптимизации. Сравнение скорости сходимости предложенных алгоритмов оптимизации выполнялось на примере различных многоэкстремальных тестовых функций: Розенброка, Дэвиса, Экли, Растригина. Предложенные квантовые модификации Н-алгоритма (QH-AHP и QH-B) для различных тестовых функций показали различную, но в среднем одинаковую скорость сходимости. Скорость сходимости квантовых модификаций алгоритмов для различных тестовых функций выше, чем у исходного алгоритма пресноводных гидр и алгоритма роя частиц. Разработанные алгоритмы решения задачи оптимизации могут быть использованы при обучении нейронных сетей, при математическом моделировании процессов и систем в различных предметных областях на этапе идентификации параметров модели, оптимизации характеристик и построения оптимального управления такими системами и т. д.
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
13

Цуканов, А. В. "Квантовые точки в фотонных молекулах и квантовая информатика. Часть I". Микроэлектроника 42, № 6 (2013): 403–26. http://dx.doi.org/10.7868/s0544126913050098.

Повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
14

Цуканов, А. В. "Квантовые точки в фотонных молекулах и квантовая информатика. Часть II". Микроэлектроника 43, № 3 (2014): 163–79. http://dx.doi.org/10.7868/s0544126914010086.

Повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
15

Деребезов, И. А., В. А. Гайслер, А. В. Гайслер, Д. В. Дмитриев, А. И. Торопов, S. Fischbach, A. Schlehahn та ін. "Сверхминиатюрные излучатели на основе одиночной (111) In(Ga)As квантовой точки и гибридного микрорезонатора". Физика и техника полупроводников 51, № 11 (2017): 1451. http://dx.doi.org/10.21883/ftp.2017.11.45089.03.

Повний текст джерела
Анотація:
Представлены результаты численного моделирования и исследования гибридного микрорезонатора на основе полупроводникового брэгговского отражателя и селективно позиционированной над одиночной (111) In(Ga)As-квантовой точкой микролинзы. Излучатели на основе гибридного микрорезонатора демонстрируют эффективную накачку одиночной квантовой точки и высокую эффективность вывода излучения. Дизайн микрорезонатора может быть использован для реализации излучателей фотонных пар, запутанных по поляризации, на основе одиночных полупроводниковых квантовых точек. DOI: 10.21883/FTP.2017.11.45089.03
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
16

Хабибуллин, Р. А., Н. В. Щаврук, А. Н. Клочков, И. А. Глинский, Н. В. Зенченко, Д. С. Пономарев, П. П. Мальцев та ін. "Энергетический спектр и тепловые свойства терагерцового квантово-каскадного лазера на основе резонансно-фононного дизайна". Физика и техника полупроводников 51, № 4 (2017): 540. http://dx.doi.org/10.21883/ftp.2017.04.44349.8414.

Повний текст джерела
Анотація:
Исследованы зависимости положения электронных уровней и силы осциллятора переходов от приложенного электрического поля для терагерцового квантово-каскадного лазера (ТГц ККЛ)с резонансно-фононным дизайном на основе каскада, состоящего их трех квантовых ям. Рассчитаны напряженности электрического поля для двух характерных состояний исследуемого терагерцового квантово-каскадного лазера: 1) протекание паразитного" тока по структуре, когда порог генерации еще не достигнут; 2) порог генерации достигнут. Проведено моделирование процессов теплопереноса в исследуемых терагерцовых квантово-каскадных лазерах для определения оптимальных режимов питания и охлаждения. Подобраны режимы термокомпрессионного соединения гребневого полоска лазера с проводящей подложкой n+-GaAs на основе Au-Au для создания механически более прочного контакта c большей теплопроводностью. DOI: 10.21883/FTP.2017.04.44349.8414
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
17

Цуканов, А. В., та И. Ю. Катеев. "Квантовые вычисления на квантовых точках в полупроводниковых микрорезонаторах. Часть I." Микроэлектроника 43, № 5 (2014): 323–36. http://dx.doi.org/10.7868/s0544126914050081.

Повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
18

Цуканов, А. В., та И. Ю. Катеев. "Квантовые вычисления на квантовых точках в полупроводниковых микрорезонаторах. Часть II". Микроэлектроника 43, № 6 (2014): 403–14. http://dx.doi.org/10.7868/s054412691406009x.

Повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
19

Цуканов, А. В., та И. Ю. Катеев. "Квантовые вычисления на квантовых точках в полупроводниковых микрорезонаторах. Часть III". Микроэлектроника 44, № 2 (2015): 79–97. http://dx.doi.org/10.7868/s0544126915020076.

Повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
20

Хомицкий, Д. В., Е. А. Лаврухина, А. А. Чубанов та Н. Нжийа. "Релаксация энергии в квантовой точке на крае двумерного топологического изолятора". Физика и техника полупроводников 51, № 11 (2017): 1557. http://dx.doi.org/10.21883/ftp.2017.11.45111.25.

Повний текст джерела
Анотація:
Выполнен расчeт скорости релаксации энергии для переходов с участием фононов в квантовых точках различного размера, созданных магнитными барьерами на краe двумерного топологического изолятора на базе квантовой ямы HgTe/CdTe. Рассматривается релаксация как в дискретный, так и в непрерывный спектр краевых состояний, а также в состояния непрерывного спектра объeмного образца. Полученные результаты свидетельствуют о существовании области параметров структуры, обеспечивающей сравнительно медленную релаксацию энергии, что говорит о перспективности данных объектов, в том числе для создания новых типов твердотельных кубитов. DOI: 10.21883/FTP.2017.11.45111.25
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
21

Цырлин, Г. Э., И. В. Штром, Р. Р. Резник, Ю. Б. Самсоненко, А. И. Хребтов, А. Д. Буравлев та И. П. Сошников. "XX Международный симпозиум Нанофизика и наноэлектроника", Нижний Новгород, 14-18 марта 2016 г. Гибридные нитевидные нанокристаллы AlGaAs/GaAs/ AlGaAs с квантовой точкой, полученные методом молекулярно-пучковой эпитаксии на поверхности кремния". Физика и техника полупроводников 50, № 11 (2016): 1441. http://dx.doi.org/10.21883/ftp.2016.11.43769.1.

Повний текст джерела
Анотація:
Приведены данные по росту и исследованию свойств наноструктур типа "вставка GaAs, внедренная в AlGaAs нитевидный нанокристалл", выращенных на поверхности Si(111) методом молекулярно-пучковой эпитаксии с использованием золота в качестве катализатора. Показано, что, варьируя условия эпитаксиального роста, можно получать квантово-размерные структуры типа квантовой точки, излучающие в широком интервале длин волн как для активной, так и барьерной областей. Предлагаемая технология открывает новые возможности по интеграции прямозонных соединений АIIIВV и кремния.
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
22

Гладышев, А. Г., А. В. Бабичев, В. В. Андрюшкин, Д. В. Денисов, В. Н. Неведомский, Е. С. Колодезный, И. И. Новиков, Л. Я. Карачинский та А. Ю. Егоров. "Исследование оптических и структурных свойств трехмерных островков InGaP(As), сформированных методом замещения элементов пятой группы". Журнал технической физики 90, № 12 (2020): 2139. http://dx.doi.org/10.21883/jtf.2020.12.50133.129-20.

Повний текст джерела
Анотація:
Предложен новый метод формирования трехмерных квантово-размерных островков InGaP(As), заключающийся в замещении фосфора на мышьяк в слое InGaP, осажденном на GaAs непосредственно в процессе эпитаксиального роста. Показано, что при замещении фосфора на мышьяк в тонком слое InGaP формируются трехмерные островки, излучающие в спектральном диапазоне 0.95-0.97 μm при комнатной температуре. Оценочная плотность островков составила 1.3·1010 cm-2. Ключевые слова: эпитаксия, квантовые точки, арсенид галлия, замещение фосфора, просвечивающая электронная микроскопия.
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
23

Минтаиров, С. А., Н. А. Калюжный, А. М. Надточий, М. В. Максимов, С. С. Рувимов та А. Е. Жуков. "Оптические свойства гибридных наноструктур "квантовая яма-точки", полученных методом МОС-гидридной эпитаксии". Физика и техника полупроводников 51, № 3 (2017): 372. http://dx.doi.org/10.21883/ftp.2017.03.44210.8394.

Повний текст джерела
Анотація:
Показано, что осаждение InxGa1-xAs с концентрацией индия от 0.3 до 0.5 и средней толщиной от 3 до 27 монослоев на подложку GaAs методом МОС-гидридной эпитаксии при пониженных температурах роста приводит к возникновению модуляций толщины и концентрации атомов индия в формирующихся слоях. В силу их свойств, полученные наноструктуры могут быть отнесены к промежуточному типу между идеальными квантовыми ямами и квантовыми точками. В зависимости от толщины и состава InGaAs, длина волны максимума линии фотолюминесценции гибридных наноструктур квантовая яма-точки меняется от 950 до 1100 нм. Определены оптимальные толщины и составы осажденного InxGa1-xAs, обеспечивающие максимальную длину волны излучения при сохранении высокой квантовой эффективности. DOI: 10.21883/FTP.2017.03.44210.8394
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
24

Аржанов, А. И., А. О. Савостьянов, К. А. Магарян, К. Р. Каримуллин та А. В. Наумов. "Фотоника полупроводниковых квантовых точек: прикладные аспекты". PHOTONICS Russia 16, № 2 (21 березня 2022): 96–112. http://dx.doi.org/10.22184/1993-7296.fros.2022.16.2.96.112.

Повний текст джерела
Анотація:
Полупроводниковые нанокристаллы (квантовые точки, КТ) обладают уникальными фотофизическими свой­ствами, что открывает широкие возможности их прикладного использования в методах и инструментах современной фотоники. В данной статье рассматриваются возможные приложения КТ. Обсуждаются как существующие устройства, так и перспективы разработки новых методов и приборов фотоники. Рассмотрены инновационные подходы применения КТ в различных областях современных фотонных технологий: оптоэлектронике, биофизике, квантовой оптике, сенсорике, фотовольтаике.
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
25

Овчинников, О. В., М. С. Смирнов та С. В. Асланов. "Квантовый выход люминесценции и константы рекомбинации в коллоидных core/shell квантовых точках Ag-=SUB=-2-=/SUB=-S/AnS и Ag-=SUB=-2-=/SUB=-S/SiO-=SUB=-2-=/SUB=-". Журнал технической физики 128, № 12 (2020): 1926. http://dx.doi.org/10.21883/os.2020.12.50331.206-20.

Повний текст джерела
Анотація:
Выполнен сравнительный анализ люминесцентных свойств коллоидных квантовых точек Ag2S, покрытых тиогликолевой кислотой или 2-меркаптопропионовой кислотой c оболочками из ZnS или SiO2. Продемонстрировано увеличение квантового выхода рекомбинационной ИК люминесценции коллоидных квантовых точек Ag2S до 35 раз в результате формирования оболочек ZnS, SiO2 при одновременном увеличении среднего времени жизни люминесценции. Для квантовых ядро/оболочка Ag2S/ZnS покрытых тиогликолевой кислотой показано уменьшение излучательной и безызлучательной констант рекомбинации, которое объяснено локализацией электронов в оболочке, а дырок в ядре. Для квантовых точек ядро/оболочка Ag2S/SiO2 покрытых 2-меркаптопропионовой кислотой наблюдалось увеличение констант излучательной и уменьшение безызлучательной рекомбинации. В этом случае рост константы излучательной рекомбинации обусловлен локализацией электронов и дырок в ядре. Уменьшение константы безызлучательной рекомбинации объяснено пассивацией интерфейсных дефектов квантовых точек при формировании оболочки. Ключевые слова: квантовые точки, люминесценция, константы рекомбинации, core/shell.
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
26

Некоркин, С. М., Б. Н. Звонков, Н. В. Байдусь, Н. В. Дикарева, О. В. Вихрова, А. А. Афоненко та Д. В. Ушаков. "Влияние "объема" активной среды на излучательные свойства лазерных гетероструктур с выходом излучения через подложку". Физика и техника полупроводников 51, № 1 (2017): 75. http://dx.doi.org/10.21883/ftp.2017.01.43999.8258.

Повний текст джерела
Анотація:
Исследованы излучательные свойства лазерных структур InGaAs/GaAs/InGaP с вытеканием излучения через подложку в зависимости от числа квантовых ям в активной области и лазерных диодов на их основе. Установлено, что наличие 6-8 квантовых ям в активной области является оптимальным с точки зрения наблюдаемых значений порогового тока и выходной оптической мощности лазеров. DOI: 10.21883/FTP.2017.01.8258
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
27

Bezdetko, Yu S., V. G. Klyuev та V. N. Feklin. "ОПТИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА КВАНТОВЫХ ТОЧЕК CdS, СИНТЕЗИРОВАННЫХ ПРИ РАЗНЫХ КОНЦЕНТРАЦИЯХ РЕАГЕНТОВ". Kondensirovannye sredy i mezhfaznye granitsy = Condensed Matter and Interphases 20, № 1 (6 березня 2018): 25–31. http://dx.doi.org/10.17308/kcmf.2018.20/473.

Повний текст джерела
Анотація:
В работе приведены результаты исследования квантовых точек сульфида кадмия, синтезированных по золь-гель технологии в желатиновой матрице. Образцы были получены в ходе синтеза с разным содержанием исходных реагентов, концентрация которых изменялась от 2·10-4 до 1.0 ат. % относительно воды, содержащейся в реакторе. Кристаллическая решетка полученных квантовых точек CdS имеет кубическую структуру. Методами просвечивающей электронной спектроскопии, рентгеновской дифрактометрии и оптической спектроскопии определён размер квантовых точек, величина которого изменяется от 1 нм до 3.5 нм. Определены условия синтеза, при которых пленочные образцы квантовых точек CdS в желатиновой матрице имеют максимальную интенсивность люминесценции. Размер соответствующих квантовых точек CdS равен d = 2.1±0.2 нм. При увеличении размеров квантовых точек CdS максимумы полос люминесценции смещаются в длинноволновую область спектра в соответствии с квантово-размерным эффектом. Изменение диаметра квантовых точек от 1 нм до 2.1 нм сопровождается увеличением интенсивности люминесценции до максимального значения. Сопоставлены экспериментальная средняя скорость увеличения интенсивности люминесценции и такая же средняя скорость, рассчитанная в предположении, что интенсивность люминесценции образца пропорциональна двум параметрам: количеству центров люминесценции в квантовых точках пропорциональному объёму и количеству квантовых точек в образце. Оказалось, что экспериментальная средняя скорость увеличения интенсивности люминесценции превышает рассчитанную. Выражаем благодарность ЦКП ВГУ за помощь в измерении дифрактограмм и ПЭМ изображений образцов.
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
28

Румянцев, В. В., С. А. Федоров та К. В. Гуменник. "Поляритонные возбуждения в неидеальной цепочке микрорезонаторов с квантовыми точками". Физика твердого тела 59, № 4 (2017): 741. http://dx.doi.org/10.21883/ftt.2017.04.44277.340.

Повний текст джерела
Анотація:
Исследован поляритонный спектр неидеальной одномерной решетки связанных микрорезонаторов, содержащих квантовые точки. С помощью численного моделирования в рамках приближения виртуального кристалла изучены особенности дисперсии электромагнитных возбуждений такой системы, вызванные как вариацией расстояний между ближайшими резонаторами, так и вариацией квантовых точек по составу. Получена плотность состояний исследуемых квазичастиц. Работа выполнена в рамках Европейской программы FP7-PEOPLE-2013-IRSES (грант N 612600 "LIMACONA"). DOI: 10.21883/FTT.2017.04.44277.340
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
29

Гостев, Ф. Е., И. В. Шелаев, А. В. Айбуш, А. Н. Костров, А. А. Титов, С. Ю. Кочев, Ю. А. Кабачий, П. М. Валецкий, Н. Н. Денисов та В. А. Надточенко. "Окислительно-восстановительное тушение экситона в квантовых точках CdSe метилвиологеном – квантовый выход разделения зарядов". Химия высоких энергий 52, № 6 (2018): 490–95. http://dx.doi.org/10.1134/s0023119318060049.

Повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
30

Бабичев, А. В., А. Г. Гладышев, А. В. Филимонов, В. Н. Неведомский, А. С. Курочкин, Е. С. Колодезный, Г. С. Соколовский та ін. "Гетероструктуры квантово-каскадных лазеров спектрального диапазона 7-8 mum". Письма в журнал технической физики 43, № 14 (2017): 64. http://dx.doi.org/10.21883/pjtf.2017.14.44833.16776.

Повний текст джерела
Анотація:
Методом молекулярно-пучковой эпитаксии продемонстрирована возможность изготовления гетероструктур квантово-каскадных лазеров спектрального диапазона 7-8 mum, содержащих в активной области 50 квантовых каскадов на основе гетеропары твердых растворов In0.53Ga0.47As/Al0.48In0.52As. Для получения оптического излучения использована конструкция квантового каскада, основанная на принципе двухфононного резонансного рассеяния. Методами рентгеновской дифракции и просвечивающей электронной микроскопии исследованы структурные свойства созданных гетероструктур и подтверждено их высокое структурное совершенство --- идентичность состава и толщин эпитаксиальных слоев во всех 50 каскадах. Полосковые лазеры, изготовленные из гетероструктуры, демонстрируют лазерную генерацию с пороговой плотностью тока менее 1.6 kA/cm2 при температуре 78 K. DOI: 10.21883/PJTF.2017.14.44833.16776
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
31

Плохотников, К. Э., та K. E. Plokhotnikov. "Об одном численном методе нахождения позиций ядер водорода и кислорода в кластере воды". Математическое моделирование 34, № 4 (29 березня 2022): 43–58. http://dx.doi.org/10.20948/mm-2022-04-03.

Повний текст джерела
Анотація:
Изложены итоги моделирования пространственных позиций ядер водорода и кислорода в кластере воды с точки зрения прямого вычислительного эксперимента. Привлекается ранее разработанный автором способ численного решения уравнения Шредингера, который основан на методе Монте-Карло. Указанный способ решения зарекомендовал себя в качестве весьма эффективного с точки зрения затрат машинного времени. Входными данными рассматриваемого метода выступают средние позиции частиц, входящих в квантовую систему, для расчета которых был разработан другой метод. В рамках метода построения средних позиций квантовых частиц построено несколько энергетических изомеров кластеров воды. Именно эта множественность вызывает основной теоретический интерес. Для целей проверки методики была построена модель отдельной молекулы воды с общепринятой геометрией расположения частиц, а также так называемая геометрия развернутой молекулы воды. Приведенные в работе энергетические изомеры димера, тримера и гексамера воды рассматриваются в качестве возможных геометрических конструкций кластеров воды и выступают в качестве иллюстрации использования предлагаемой методики расчета квантовых систем. Модель димера воды построена в виде трех геометрических конструкций расположения ядер водорода и кислорода, условно названных квазидвумерная, в форме октаэдра и квазиодномерная. Модель тримера воды свелась к обсуждению двух геометрий: трехмерной и квазидвумерной. Наконец, рассмотрена геометрия гексамера воды в форме октаэдра, в вершинах которого находятся ядра кислорода, а в центре размещены все двенадцать протонов. Под моделями кластеров воды понимается построение облаков рассеяния всех входящих в кластер квантовых частиц.
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
32

Цуканов, А. В., та И. Ю. Катеев. "Квантовый чип с оптимизированной туннельной структурой для измерения зарядового кубита на двойной квантовой точке". Микроэлектроника 49, № 2 (2020): 83–100. http://dx.doi.org/10.31857/s0544126920020088.

Повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
33

Журавлева, Л. М., та Н. М. Легкий. "Улучшение качества фотоприемников методами изотопической наноинженерии". Российские нанотехнологии 14, № 3-4 (5 грудня 2019): 21–25. http://dx.doi.org/10.21517/1992-7223-2019-3-4-21-25.

Повний текст джерела
Анотація:
Рассмотрена возможность изменения изотопического состава вещества для улучшения физических свойств материала и оптоэлектронных характеристик фотоприемника как наиболее распространенного устройства оптоэлектроники. Показано, что уменьшение тяжелых изотопов в полупроводниковом материале фотоприемников повышает подвижность носителей заряда, коэффициент поглощения света, квантовую эффективность и уменьшает количество подуровней в запрещенной зоне, влияющих на темновой ток. Это приводит к повышению чувствительности фотоприемника, уменьшению величины темнового тока, к улучшению отношения мощности сигнала к мощности шума на выходе фотоприемника. Проведено сравнение технологий улучшения свойств материала совершенствованием характеристик объемных полупроводниковых кристаллов, множественных квантовых ям и сверхрешеток.
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
34

Гревцева, И. Г., О. В. Овчинников, М. С. Смирнов, Т. С. Кондратенко, А. С. Перепелица та А. М. Х. Хуссейн. "Люминесценция коллоидных квантовых точек Ag-=SUB=-2-=/SUB=-S/SiO-=SUB=-2-=/SUB=-, декорированных малыми наночастицами Au". Оптика и спектроскопия 130, № 3 (2022): 455. http://dx.doi.org/10.21883/os.2022.03.52177.2850-21.

Повний текст джерела
Анотація:
Установлено десятикратное увеличение квантового выхода дефектной люминесценции в области 750 nm при одновременном росте времени ее затухания с 4 до 200 ns, обусловленные декорированием поверхности квантовых точек (КТ) Ag2S/SiO2 (5.0±1.5 nm) наночастицами (НЧ) Au (2.0±0.5 nm). На основе анализа кинетики люминесценции при температурах 77 и 300 K сделано заключение о том, что такое неспецифичное проявление плазмон-экситонного взаимодействия вызвано влиянием поляризационных эффектов от НЧ Au на свойства мелких ловушек, участвующих в формировании кинетики дефектной люминесценции КТ Ag2S/SiO2. Ключевые слова: ИК люминесценция; кинетика затухания люминесценции; квантовые точки, плазмонные наночастицы, плазмон-экситонное взаимодействие.
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
35

Резник, И. А., Д. А. Куршанов, А. Ю. Дубовик, М. А. Баранов, С. А. Мошкалев, A. O. Орлова та А. В. Баранов. "Фотостабильность и фотоиндуцированные процессы в квантовых точках CuInS-=SUB=-2-=/SUB=-/ZnS и их гибридных структурах с многослойными нанолентами графена". Журнал технической физики 128, № 11 (2020): 1767. http://dx.doi.org/10.21883/os.2020.11.50183.198-20.

Повний текст джерела
Анотація:
Исследованы фотостабильность люминесцентных свойств CuInS2/ZnS квантовых точек (CIS/ZnS КТ) в виде монослоя на диэлектрической подложке и в составе гибридной структуры с многослойными нанолентами графена (МНГ). Анализ кинетики люминесценции КТ выявил наличие трeх основных компонент затухания люминесценции, характеризующихся временами порядка 20, 100 и 300 ns. Показано, что эффективность взаимодействия CIS/ZnS КТ и МНГ имеет аналогичную CdSe КТ зависимость от количества монослоeв графена. Произведена оценка фотостабильности CIS/ZnS КТ на диэлектрической подложке и в составе структур с МНГ, позволившая оценить скорости переноса энергии/заряда от КТ к МНГ как 106-107 s-1. Ключевые слова: квантовые точки CuInS2/ZnS, многослойные графеновые наноленты, дефектная люминесценция, перенос энергии/заряда, фотоиндуцированные процессы.
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
36

Кравцова, А. Н., К. А. Ломаченко, С. А. Сучкова, И. А. Панкин, М. Б. Файн, А. Л. Бугаев та А. В. Солдатов. "Допированные квантовые точки семейства CdTe". Известия Российской академии наук. Серия физическая 79, № 11 (2015): 1612–16. http://dx.doi.org/10.7868/s0367676515110150.

Повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
37

Беляев, В. "КВАНТОВЫЕ ТОЧКИ: СВОЙ­СТВА, ТЕХНОЛОГИИ, РЫНОК". ELECTRONICS: SCIENCE, TECHNOLOGY, BUSINESS 198, № 7 (3 серпня 2020): 152–61. http://dx.doi.org/10.22184/1992-4178.2020.198.7.152.161.

Повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
38

Волгина, Д. А., Е. А. Степаниденко, Т. К. Кормилина, С. А. Черевков, А. Дубовик, М. А. Баранов, А. П. Литвин та ін. "Исследование оптических свойств комплексов квантовая точка CdZnSe/ZnS--наночастица Au". Журнал технической физики 124, № 4 (2018): 477. http://dx.doi.org/10.21883/os.2018.04.45747.272-17.

Повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
39

Кац, В. Н., А. В. Платонов, Г. Э. Цырлин, A. Д. Буравлев, A. Delga, L. Besombes, H. Mariette та В. П. Кочерешко. "Поляризационная спектроскопия одиночной квантовой точки и одиночной квантовой нити". Журнал технической физики 60, № 12 (2018): 2574. http://dx.doi.org/10.21883/ftt.2018.12.46737.136.

Повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
40

Надточий, Виктор, Ирина Воронова та Егор Сыпчук. "КВАНТОВЫЕ ТОЧКИ И КВАНТОВЫЕ НИТИ ДЛЯ СОВРЕМЕННОЙ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ЭЛЕКТРОНИКИ". Збірник наукових праць фізико-математичного факультету ДДПУ, № 10 (28 червня 2020): 59–64. http://dx.doi.org/10.31865/2413-26672415-3079102020207121.

Повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
41

Зубов, Ф. И., Е. С. Семенова, И. В. Кулькова, K. Yvind, Н. В. Крыжановская, М. В. Максимов та А. Е. Жуков. "Высокая характеристическая температура лазера на квантовых точках InAs/GaAs/InGaAsP с длиной волны излучения около 1.5 мкм, синтезированного на подложке InP". Физика и техника полупроводников 51, № 10 (2017): 1382. http://dx.doi.org/10.21883/ftp.2017.10.45017.8590.

Повний текст джерела
Анотація:
Представлены результаты исследования синтезированных на подложке InP (100) лазеров с длиной волны излучения около 1.5 мкм, характеризующихся высокой температурной стабильностью. В качестве активной области лазера были использованы самоорганизованные квантовые точки InAs, покрытые тонким слоем GaAs. Волноводным/матричным слоем являлся четверной твердый раствор InGaAsP с шириной запрещенной зоны 1.15 эВ. Высокая характеристическая температура порогового тока T0=205 K в температурном диапазоне 20-50oC была достигнута в лазерных диодах с гребешковым волноводом. Была обнаружена взаимосвязь между значениями T0 и шириной запрещенной зоны волноводных слоев. DOI: 10.21883/FTP.2017.10.45017.8590
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
42

Щипунов, Ю. А., О. Н. Хлебников та В. Е. Силантьев. "Углеродные квантовые точки, синтезируемые гидротермально из хитина". Высокомолекулярные соединения Б 57, № 1 (2015): 18–25. http://dx.doi.org/10.7868/s230811391501012x.

Повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
43

Абрамова, А. М., О. А. Горячева, Д. Д. Дрозд, А. С. Новикова, Т. С. Пономарева, П. Д. Строкин та И. Ю. Горячева. "Люминесцентные полупроводниковые квантовые точки в химическом анализе". Журнал аналитической химии 76, № 3 (2021): 195–207. http://dx.doi.org/10.31857/s0044450221030026.

Повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
44

Матушко, Мария Георгиевна, та Mariya Georgievna Matushko. "Система Калоджеро-Сазерленда в точке свободных фермионов". Teoreticheskaya i Matematicheskaya Fizika 205, № 3 (27 листопада 2020): 400–419. http://dx.doi.org/10.4213/tmf9794.

Повний текст джерела
Анотація:
Приводятся два способа получения точных выражений коммутирующих гамильтонианов интегрируемой системы, рассматриваемой как фермионный предел квантовой системы Калоджеро-Сазерленда при числе частиц, стремящемся к бесконечности, при специальных значениях константы связи $\beta$. Конструкция реализована в пространстве Фока.
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
45

Орлов, М. Л., та Л. К. Орлов. "Особенности транспорта электронов в двумерных квантовых сверхрешетках с неассоциативным законом дисперсии". Физика и техника полупроводников 55, № 3 (2021): 241. http://dx.doi.org/10.21883/ftp.2021.03.50602.9393.

Повний текст джерела
Анотація:
Для двумерной квантовой сверхрешетки с негармоническим законом дисперсии электронов изучены анизотропия проводимости и вид вольт-амперной характеристики для различных относительно осей сверхрешетки направлений тока и прикладываемого к структуре поля. Для разных режимов протекания тока обсуждаются анизотропия характеристик и условия появления многозначных вольт-амперных характеристик. Показано, что отклонение закона дисперсии электронов в двумерной квантовой сверхрешетке от гармонического в сильном постоянном электрическом поле оказывает заметное влияние на вид вольт-амперных характеристик двумерной квантовой сверхрешетки. Появление в сильном поле нескольких всплесков тока связано как с перемешиванием линий тока для ортогональных относительно прикладываемого поля направлений, так и с транспортом электронов по уровням штарковских лестниц, формируемых в разных долинах мини-зоны. Ключевые слова: двумерные сверхрешетки, неассоциативный закон дисперсии, анизотропия, постоянное электрическое поле, вольт-амперная характеристика, штарковские состояния.
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
46

Шамирзаев, Т. С. "Рекомбинация и спиновая динамика экситонов в непрямозонных квантовых ямах и квантовых точках". Физика твердого тела 60, № 8 (2018): 1542. http://dx.doi.org/10.21883/ftt.2018.08.46240.08gr.

Повний текст джерела
Анотація:
AbstractThe behavior of excitons in heterostructures with indirect-gap GaAs/AlAs quantum wells and (In, Al)As/AlAs quantum dots is discussed. The possibilities of controlled change of the exciton radiative recombination time in the range from dozens of nanoseconds to dozens of microseconds, experimental study of the spin dynamics of long-lived localized excitons, and use of the optical resonant methods for exciting the indirect-band exciton states are demonstrated.
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
47

Barachevsky, V. A. "Photochromic quantum dots." Izvestiya vysshikh uchebnykh zavedenii. Fizika, no. 11 (2021): 30–44. http://dx.doi.org/10.17223/00213411/64/11/30.

Повний текст джерела
Анотація:
The analysis of the results of fundamental and applied research in the field of creation of photochromic nanoparticles of the "core-shell" type, in which semiconductor nanocrystals - quantum dots were used as a core, and the shell included physically or chemically sorbed molecules of photochromic thermally relaxing (spiropyrans, spirooxazines , chromenes, azo compounds) or thermally irreversible (diarylethenes, fulgimides) compounds. It has been shown that such nanoparticles provide reversible modulation of the QD radiation intensity, which can be used in information and biomedical technologies.
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
48

Румянцев, В. В., С. А. Федоров, К. В. Гуменник та Ю. А. Паладян. "Поляритонные возбуждения в неидеальной двухподрешеточной цепочке микропор". Журнал технической физики 90, № 5 (2020): 850. http://dx.doi.org/10.21883/jtf.2020.05.49189.168-19.

Повний текст джерела
Анотація:
Исследована зависимость дисперсионных характеристик поляритонных возбуждений в неидеальной 1D-решетке микропор от концентрации дефектов структуры, связанных с вариацией положений микропор, содержащих в одной из подрешеток квантовые точки. Показано, что в результате наличия данных структурных дефектов в 1D-двухподрешеточном массиве микропор можно добиться необходимого изменения энергетической структуры поляритонных возбуждений и, следовательно, оптических свойств исследуемой системы, обусловленных перестройкой электромагнитного спектра. Ключевые слова: неидеальная 1D-решетка микропор-резонаторов, поляритонные возбуждения, квантовые точки, приближение виртуального кристалла.
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
49

Чернозатонский, Л. А., В. А. Демин та П. П. Гусятникова. "Магнетизм в квантовых точках на графен-графановых нанолентах". Доклады Академии наук 451, № 1 (2013): 33–36. http://dx.doi.org/10.7868/s0869565213190110.

Повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
50

Жуков, Н. Д., М. В. Гавриков та Д. В. Крыльский. "Одноэлектронный транспорт в коллоидных квантовых точках узкозонных полупроводников". Письма в журнал технической физики 46, № 17 (2020): 47. http://dx.doi.org/10.21883/pjtf.2020.17.49895.18355.

Повний текст джерела
Анотація:
Single-electron transport in the planar structure of colloidal quantum dots of InSb, PbS, CdSe semiconductors was studied using a scanning tunneling microscope. On the current – ​​voltage characteristics, sections of the current dip were observed similar to the Coulomb gap. Qualitative and numerical comparative estimates suggest that one-electron transport and a phenomenon similar to the Coulomb blockade are observed in the structure of the set of quantum dots. When measuring the current-voltage characteristics, the white-light illumination of the sample breaks the Coulomb blockade, and it can be expected that an instrument element based on such a structure will respond to individual photons. In the region of the Coulomb gap, current oscillations with frequencies in the terahertz range are possible.
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
Ми пропонуємо знижки на всі преміум-плани для авторів, чиї праці увійшли до тематичних добірок літератури. Зв'яжіться з нами, щоб отримати унікальний промокод!

До бібліографії