Добірка наукової літератури з теми "Квантова точка"

Оформте джерело за APA, MLA, Chicago, Harvard та іншими стилями

Оберіть тип джерела:

Ознайомтеся зі списками актуальних статей, книг, дисертацій, тез та інших наукових джерел на тему "Квантова точка".

Біля кожної праці в переліку літератури доступна кнопка «Додати до бібліографії». Скористайтеся нею – і ми автоматично оформимо бібліографічне посилання на обрану працю в потрібному вам стилі цитування: APA, MLA, «Гарвард», «Чикаго», «Ванкувер» тощо.

Також ви можете завантажити повний текст наукової публікації у форматі «.pdf» та прочитати онлайн анотацію до роботи, якщо відповідні параметри наявні в метаданих.

Статті в журналах з теми "Квантова точка"

1

Платонов, А. В., В. П. Кочерешко, В. Н. Кац, Г. Э. Цырлин, А. Д. Буравлев, Д. В. Авдошина, A. Delga, L. Besombes та H. Mariette. "Поляризация фотолюминесценции квантовых точек, внедренных в квантовые нити". Физика и техника полупроводников 50, № 12 (2016): 1675. http://dx.doi.org/10.21883/ftp.2016.12.43898.44.

Повний текст джерела
Анотація:
-1 Исследовались спектры фотолюминесценции одиночных квантовых точек, заключенных в квантовую нить. Из поведения спектров в магнитном поле удалось оценить энергию связи экситона в квантовой точке, заключенной в квантовую нить. Обнаружено, что сигнал экситонной фотолюминесценции из квантовой точки, излучаемый в направлении оси нанонити, поляризован линейно. В то же время сигнал фотолюминесценции, распространяющийся в направлении, перпендикулярном оси нанонити, практически не был поляризован. Наблюдаемый эффект объяснен неаксиальным расположением точки относительно оси нити в условиях гигантского увеличения энергии связи экситона, связанного с влиянием на экситон потенциала изображения.
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
2

Kryuchenko, Yu V., and D. V. Korbutyak. "Excitonic Emission of Hybrid Nanosystem “Spherical Semiconductor Quantum Dot + Spherical Metal Nanoparticle”." Ukrainian Journal of Physics 60, no. 7 (July 2015): 634–47. http://dx.doi.org/10.15407/ujpe60.07.0634.

Повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
3

Горшков, А. П., Н. С. Волкова, П. Г. Воронин, А. В. Здоровейщев, Л. А. Истомин, Д. А. Павлов, Ю. В. Усов та С. Б. Левичев. "Влияние состава покровного слоя на электронные характеристики квантовых точек InAs/GaAs". Физика и техника полупроводников 51, № 11 (2017): 1447. http://dx.doi.org/10.21883/ftp.2017.11.45088.02.

Повний текст джерела
Анотація:
Заращивание массива самоорганизованных квантовых точек InAs/GaAs слоем квантовой ямы InGaAs приводит к увеличению их размера за счет обогащения области вблизи вершины квантовых точек индием, что уменьшает энергию основного оптического перехода в квантовых точках на 50 мэВ и смещает волновую функцию дырки по направлению к вершине квантовой точки. DOI: 10.21883/FTP.2017.11.45088.02
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
4

Samarin, Alexey Yur'evich. "Quantum evolution in terms of mechanical motion." Вестник Самарского государственного технического университета. Серия «Физико-математические науки» 25, no. 2 (2021): 393–401. http://dx.doi.org/10.14498/vsgtu1851.

Повний текст джерела
Анотація:
Туннельный эффект рассматривается с точки зрения локального реализма. Сделан вывод о том, что квантовый объект, туннелирующий через потенциальный барьер, нельзя интерпретировать как материальную точку, потому что такая интерпретация противоречит невозможности движения быстрее скорости света в вакууме. Такого противоречия не возникает, если квантовый объект рассматривать как сплошную среду, образованную материальными полями. Показано, что закон динамики механического движения этих полей материи может быть выведен из закона квантовой эволюции в форме интеграла по траекториям. Анализ процесса туннелирования показывает, что этот закон динамики имеет форму принципа наименьшего действия с комплексной временной переменной. Используемый здесь подход позволяет не только придать физическую интерпретацию туннельному эффекту, согласующуюся со специальной теорией относительности, но также описать широкий круг квантовых явлений, для которых традиционные методы исследования неосуществимы.
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
5

Салий, Р. А., С. А. Минтаиров, А. М. Надточий, В. Н. Неведомский, М. З. Шварц та Н. А. Калюжный. "Сравнительный анализ оптических и физических свойств квантовых точек InAs, In-=SUB=-0.8-=/SUB=-Ga-=SUB=-0.2-=/SUB=-As и фотоэлектрических преобразователей на их основе". Физика и техника полупроводников 54, № 10 (2020): 1079. http://dx.doi.org/10.21883/ftp.2020.10.49946.9418.

Повний текст джерела
Анотація:
Методом металлоорганической газофазной эпитаксии получены квантовые точки InAs и In0.8Ga0.2As в матрице GaAs, а также GaAs-фотопреобразователи с квантовыми точками обоих типов в i-области. В результате исследования методами фотолюминесценции и просвечивающей электронной микроскопии установлено, что ансамбль квантовых точек In0.8Ga0.2As имеет высокую однородность, содержит меньшее число дефектных квантовых точек большого размера, а также обеспечивает снижение механических напряжений в структуре. Анализ спектральных зависимостей внутреннего квантового выхода показал сохранение качества матрицы фотоэлектрического преобразователя с квантовыми точками In0.8Ga0.2As на уровне, близком к качеству реперного GaAs-фотопреобразователя при встраивании до 20 рядов квантовых точек. При этом обеспечивается линейный прирост добавочного фототока, генерированного за счет поглощения подзонных фотонов в квантовых точках In0.8Ga0.2As, с увеличением количества рядов квантовых точек, так как сохраняется величина прироста фототока в пересчете на один ряд. Ключевые слова: фототок, квантовые точки, фотоэлектрические преобразователи.
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
6

Жуков, Н. Д., Т. Д. Смирнова, А. А. Хазанов, О. Ю. Цветкова та С. Н. Штыков. "Свойства полупроводниковых коллоидных квантовых точек, полученных в условиях управляемого синтеза". Физика и техника полупроводников 55, № 12 (2021): 1203. http://dx.doi.org/10.21883/ftp.2021.12.51706.9704.

Повний текст джерела
Анотація:
Исследовано влияние технологических параметров синтеза на структурно-физические свойства коллоидных квантовых точек на основе сульфида свинца, антимонида индия и селенида кадмия. Использование несольватирующего для прекурсора неметалла растворителя позволяет получить медленный, управляемый процесс и детально проследить все стадии кристаллизации наночастиц --- нуклеацию и рост, оствальдовское созревание, неконтролируемое разрастание. Удается получать кристаллиты совершенной структуры и размеров с минимальными разбросами --- не более ±10%. Установлено при этом, что максимальные размеры наночастиц ограничены термодинамическими условиями роста и имеют величину ~ 5 нм. Кроме того, квантовые точки проявляют ряд специфических свойств --- аномальную температурную зависимость фотолюминесценции и нестабильность вольт-амперной характеристики, которым дано объяснение в модели размерного квантования энергии и импульса неравновесных электронов. Для разных вариантов полупроводников особенности проявляются значительней с увеличением параметров размерного квантования. Ключевые слова: коллоидный синтез, коллоидная квантовая точка, кинетическая и термодинамическая модели, сольватирующий растворитель, быстрая и медленная кристаллизация, кристаллическая и зонная структура, параметры размерного квантования, фотолюминесцентные и вольт-амперные характеристики.
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
7

Сидоров, А. И., А. А. Ефимов та В. П. Цепич. "Формирование наночастиц серебра и углеродных квантовых точек при лазерном фотолизе нитрата серебра в поливиниловом спирте". Журнал технической физики 91, № 8 (2021): 1258. http://dx.doi.org/10.21883/jtf.2021.08.51101.40-21.

Повний текст джерела
Анотація:
Представлены результаты исследования фотолиза нитрата серебра в растворе поливинилового спирта под действием непрерывного лазерного излучения с длиной волны 405 nm. Показано, что при лазерном воздействии на поверхности подложки формируются наночастицы серебра, обладающие плазмонным резонансом, и углеродные квантовые точки, обладающие люминесценцией. Средний размер наночастиц серебра составлял 10-50 nm. При высокой дозе облучения они образуют трехмерные фрактальные кластеры. Ключевые слова: фотолиз, лазерное облучение, наночастица, квантовая точка, серебро, углерод.
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
8

Сокура, Л. А., Я. А. Пархоменко, К. Д. Моисеев, В. Н. Неведомский та Н. А. Берт. "Квантовые точки InSb, полученные методом жидкофазной эпитаксии на подложке InGaAsSb/GaSb". Физика и техника полупроводников 51, № 8 (2017): 1146. http://dx.doi.org/10.21883/ftp.2017.08.44804.8533.

Повний текст джерела
Анотація:
Методом жидкофазной эпитаксии на поверхности эпитаксиального слоя In0.25GaAsSb, изопериодного с подложкой GaSb(001), впервые сформированы квантовые точки InSb в интервале температур T=450-467oC. Просвечивающая электронная микроскопия показала, что форма квантовой точки близка к усеченному конусу, а распределение их в ансамбле по высоте и размеру основания является монодисперсным. Крупные квантовые точки (размер основания ~30-50 нм, высота 3 нм) имели специфический контраст на изображении в планарной геометрии с дифракционным контрастом, что указывало на присутствие дефектов несоответствия. Модификация химического состава рабочей поверхности подложки за счет нанесения эпитаксиального слоя In0.25GaAsSb позволила в 3 раза увеличить плотность ансамбля (1·1010 см-2) квантовых точек InSb по сравнению с осаждением непосредственно на бинарное соединение GaSb. DOI: 10.21883/FTP.2017.08.44804.8533
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
9

Горбацевич, А. А., та Н. М. Шубин. "КВАНТОВЫЕ СЕНСОРЫ НА ОСОБЫХ ТОЧКАХ". Nanoindustry Russia 14, № 7s (3 жовтня 2021): 731–32. http://dx.doi.org/10.22184/1993-8578.2021.14.7s.731.732.

Повний текст джерела
Анотація:
Рассмотрено современное состояние исследований сенсоров на особых точках открытых квантовых систем. Детектируемое внешнее воздействие приводит к корневому изменению параметров системы в отличие от линейного в обычных сенсорах. В качестве возможной реализации предложены молекулярные квантовые сенсоры.
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
10

Клюев, Виктор Григорьевич, Юлия Сергеевна Бездетко та Анастасия Алексеевна Седых. "ОПТИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА СИСТЕМЫ КВАНТОВЫХ ТОЧЕК CdS–Ag2S". Конденсированные среды и межфазные границы 19, № 2 (6 листопада 2017): 173. http://dx.doi.org/10.17308/kcmf.2017.19/189.

Повний текст джерела
Анотація:
В работе приведены результаты исследования систем, состоящих из двух типов квантовых точек: CdS и Ag2S, имеющих разный тип кристаллических решеток. Синтезированы квантовые точки сульфида кадмия в желатиновой матрице с помощью золь-гель технологии. Средний размер квантовых точек CdS с кристаллической решеткой кубической модификации составил 2-4 нм. В процессе синтеза квантовых точек CdS в реактор добавлялись ионы серебра в концентрациях с соотношением мольных долей относительно ионов кадмия равных СAg = 10-2, 2.2 ∙ 10-2, 4.6 ∙ 10-2, 10-1, 2.2 ∙ 10-1, 4.6 ∙ 10-1, 1 : 1. Начиная с концентрации СAg = 10-2, образуются квантовые точки Ag2S, имеющие моноклинную кристаллическую решетку и люминесценцию в области спектра 1100-1300 нм, интенсивность которой увеличивается при увеличении СAg. В диапазоне СAg = 10-2 - 2.2 ∙ 10-1 часть ионов серебра входит легирующей добавкой в квантовые точки CdS, образует центры люминесценции, увеличивая интенсивность общей полосы люминесценции в области спектра 550-650 нм. Сделан вывод о том, что в результате присутствия в реакторе во время синтеза ионов серы, кадмия и серебра образуются квантовые точки двух типов: CdS и Ag2S. Данная система имеет две полосы люминесценции в видимой и ближней инфракрасной областях спектра. Такие материалы могут найти применение в качестве излучающих приборов, имеющих полосы люминесценции в двух разных областях спектра. Спектры поглощения, изображения квантовых точек, полученные с помощью ПЭМ, и рентгеновские дифрактограммы измерены на оборудовании ЦКП НО ВГУ.
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

Дисертації з теми "Квантова точка"

1

Євтушенко, Ігор Олександрович. "Датчик інфрачервоного випромінювання". Master's thesis, КПІ ім. Ігоря Сікорського, 2019. https://ela.kpi.ua/handle/123456789/30579.

Повний текст джерела
Анотація:
В магістерській дисертації проведено огляд науково-технічної літератури по призначенню та конструкції датчиків інфрачервоного випромінювання. Показано перспективами використання нітриду галію в електронній техніці для виробництва побутових та промислових датчиків інфрачервоного випромінювання. Проведено аналіз впливу конструктивних особливостей на перспективу розвитку датчиків ІЧ випромінювання. Розглянуті перспективні технології для створення ефективних датчиків. Розроблене експериментальне устаткування для дослідження росту епітаксіальних плівок GаN і AlxGa1-xN та виміру параметрів плівок. Запропонована методика розрахунку параметрів епітаксіальних плівок.
In the master's thesis the review of scientific and technical literature on the purpose and design of infrared radiation sensors was carried out. Prospects for the use of gallium nitride in electronic technology for the production of household and industrial infrared radiation sensors are shown. The influence of design features on the perspective of the development of IR radiation sensors is analyzed. Advanced technologies for creating effective sensors are considered. Experimental equipment for the growth of epitaxial GaN and AlxGa1-xN films and measurement of film parameters has been developed. The method of calculation of parameters of epitaxial films is offered.
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
2

Шляхетський, А. А. "Квантові точки". Thesis, Сумський державний університет, 2014. http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/38881.

Повний текст джерела
Анотація:
У 1981 році Олексієм Єкімовим у скляній матриці були вперше виявлені квантові точки, але цьому відкриттю не надали належного значення. У 1985 році Луїс E. Брьюс описав це явище в колоїдних розчинах [1], а далі все більше вчених почали досліджувати квантові ефекти, і сам термін «квантові точки» з’явився у 1988 році [2]. Лише у 2006 році Олексій Єкімов за своє відкриття був відзначений премією Американскою оптичною спілкою.
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
3

Shliahetskiy, A. A. "Quantum dots." Thesis, Sumy State University, 2015. http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/40495.

Повний текст джерела
Анотація:
The investigation of semiconductors quantum dot began in 1981 by Alexei Ekimov. Scientists started interested in quantum dot after the quantum effects were discovered in spectrum of many nanocrystals. The term ―Quantum dot‖ appeared in 1988.
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
4

Pavlycheva, N. K., and M. A. Hassan. "Spectrographs for analyzing nanomaterials." Thesis, Sumy State University, 2011. http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/20724.

Повний текст джерела
Анотація:
The optical schemes of high numerical aperture spectrographs based on concave holographic diffraction gratings are described. A calculations of an optical schemes using flat field spectrograph method for analyzing the fluorescence of all kinds of Quantum dots in a wide range of wavelengths with spectral resolution of 6,3 nm are submitted. A special calculation of spectrographs for investigating CdSe/ZnS, InP Quantum dots with high resolution of 1 nm are given because of their wide uses. An experimental mounting for analyzing Raman scattering in carbon nanotubes is described. Experimental results are given. On the basis of these results the requirements for optical characteristics of a compact specialized spectrograph for analyzing Raman scattering in carbon nanotubes are developed. The calculation of an optical scheme using flat field spectrograph method with spectral resolution of 3.5 cm-1 is submitted. When you are citing the document, use the following link http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/20724
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
5

Макаренко, К. В. "Оптичні властивості колоїдних квантових точок". Thesis, Сумський державний університет, 2018. http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/66873.

Повний текст джерела
Анотація:
Колоїдні квантові точки представляють інтерес, як для фізиків- теоретиків, так і для експериментаторів. Це зумовлено унікальними властивостями та можливостями широкого застосування квантових точок в галузі електроніки. Вони можуть бути активним середовищем рідинних лазерів, а також застосовуватися в сонячних батареях з селективним поглинанням; в медицині для діагностики різних захворювань; в гнучких дисплеях; для прихованого маркування цінних паперів або захисту грошей.
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
6

Березовская, И. В., та Н. Н. Рожицкий. "Полупроводниковые квантовые точки как эффективный элемент ФДТ". Thesis, Изд-во СумГУ, 2011. http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/10410.

Повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
7

Сушко, О. А., Ю. Т. Жолудов та Д. В. Снежко. "Применение нанофотонных сенсоров для определения органических канцерогенов в жидких средах". Thesis, ХНУ ім. В. Н. Каразіна, 2016. http://openarchive.nure.ua/handle/document/8994.

Повний текст джерела
Анотація:
Одним из актуальных направлений практического использования полупроводниковых квантовых точек (КТ) в аналитике является создание на их основе нанофотонных сенсоров для определения канцерогенных органических веществ. Это позволяет существенно повысить качество проведения лабораторного анализа, диагностики и предупреждения заболеваний за счет предоставления дополнительной, расширенной информации о наличии в образце определенных компонентов (аналитов), которые подлежат исследованию.
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
8

Мукановська, І. В., та О. А. Сушко. "Можливість використання квантових точок як детекторних елементів для визначення поліаценів". Thesis, ХНУРЕ, 2014. http://openarchive.nure.ua/handle/document/8875.

Повний текст джерела
Анотація:
This work considers a possibility of use of spherical semiconductor quantum dots for polycyclic aromatic hydrocarbons detection in water objects. The quantum-chemical calculation of 3,4-benzopyrene molecular structure and quantum dot bandgap dependence on its radius was carried out.
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
9

Сушко, О. А. "Применение полупроводниковых наноматериалов для экологии". Thesis, РГРУ, 2009. http://openarchive.nure.ua/handle/document/8828.

Повний текст джерела
Анотація:
Одной из наиболее важных проблем в современном мире является загрязнение окружающей среды - земли, воды, воздуха - и, как результат, продуктов питания человека и животных. Разработка экспрессных, надежных и точных методов выявления загрязняющих веществ является на сегодня актуальным направлением.
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
10

Ермаков, Д. "Десять измерений теории струн". Thesis, НТУ "ХПИ", 2014. http://repository.kpi.kharkov.ua/handle/KhPI-Press/5683.

Повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

Книги з теми "Квантова точка"

1

Коллектив, авторов. Труды Физико-технологического института. T. 28: Квантовые компьютеры, микро- и наноэлектроника : физика, технология, диагностика и моделирование. ФГУП «Издательство «Наука», 2019. http://dx.doi.org/10.7868/s0868712919280012.

Повний текст джерела
Анотація:
Том 28 Трудов ФТИАН посвящен актуальным проблемам технологии микро- и наноэлектроники. Сборник включает в себя статьи, в которых представлены последние результаты сотрудников института по физике и моделированию процессов функционирования и технологии изготовления перспективных элементов современной микро- и наноэлектроники. Рассмотренные проблемы относятся, в частности, к разработке физических и математических моделей для эффективного исследования прочностной надежности многослойной наноэлектронной металлизации при больших плотностях тока, приводящих к сильной ионной электромиграции, анализа особенностей процессов, протекающих в нанотранзисторных структурах, а также возможностей совершенствования и оптимизации технологических процессов формирования наноструктурных элементов, в том числе и перспективных для создания полномасштабных твердотельных квантовых компьютеров. Для специалистов в области микро- и наноэлектроники, аспирантов и студентов старших курсов соответствующих специальностей. The next volume 28 of Proceedings of Valiev IPT of RAS (FTIAN) is devoted to urgent problems of micro- and nanoelectronics technology. The topics covered include the articles which present the last results ot the institute scientists on physics and modeling of the processes of operation and fabrication technology of element base for up-to-date or promising micro- and nanoelectronics are presented. In particular, the problems considered refer to development of physical and mathematical models necessary for effective research of the strength reliability of manylayer nanoelectronic interconnections at high current densities leading to the strong ion electromigration, for analyzing the peculiarities of the processes taking place in nanotransistor structures, as well as possibilities for development and optimization of the technological processes of fabrication of nanostructural elements, including ones that are promising for creation of a fullscale solid-state quantum computer. For specialists in the field of micro- and nanoelectronics and undergraduate and postgraduate students of the appropriate disciplines.
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

Тези доповідей конференцій з теми "Квантова точка"

1

Буравлев, А. Д. "(In,Mn)As квантовые точки: синтез и оптические свойства". У Российский семинар по волоконным лазерам. ИАиЭ СО РАН, 2018. http://dx.doi.org/10.31868/rfl2018.25.

Повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
2

Ишанкулов, А., Ю. Галяметдинов та Н. Мухамадиев. "МОДИФИЦИРОВАННЫЕ ГИБРИДНЫЕ КВАНТОВЫЕ ТОЧКИ CdSe/ZnS И ИХ РАЗМЕРНО–ОПТИЧЕСКИЕ ОСОБЕННОСТИ". У Современные тенденции развития физики полупроводников: достижения, проблемы и перспективы. Research Support Center LLC, 2020. http://dx.doi.org/10.47100/conference_physics/s3_28.

Повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
Ми пропонуємо знижки на всі преміум-плани для авторів, чиї праці увійшли до тематичних добірок літератури. Зв'яжіться з нами, щоб отримати унікальний промокод!

До бібліографії