Статті в журналах: "Гетероструктурні транзистори"

1

Ерофеев, Е. В., И. В. Федин, В. В. Федина, М. В. Степаненко та А. В. Юрьева. "Мощные GaN-транзисторы с подзатворной областью на основе МДП-структур". Физика и техника полупроводников 51, № 9 (2017): 1278. http://dx.doi.org/10.21883/ftp.2017.09.44895.8569.

Повний текст джерела

Анотація:

Транзисторы с высокой подвижностью электронов на основе эпитаксиальных гетероструктур AlGaN/GaN являются перспективной элементной базой для создания устройств силовой электроники следующего поколения. Это обусловлено как высокой подвижностью носителей заряда в канале транзистора, так и высокой электрической прочностью материала, позволяющей достичь высоких напряжений пробоя. Для применения в силовых коммутационных устройствах требуются нормально закрытые GaN-транзисторы, работающие в режиме обогащения. Для создания нормально закрытых GaN-транзисторов чаще всего используют подзатворную область на основе GaN p-типа, легированного магнием (p-GaN). Однако оптимизация толщины эпитаксиального слоя p-GaN и уровня легирования позволяет добиться порогового напряжения отпирания GaN-транзисторов, близкого к Vth=+2 В. В настоящей работе показано, что использование подзатворной МДП-структуры в составе p-GaN-транзистора приводит к увеличению порогового напряжения отпирания до Vth=+6.8 В, которое в широком диапазоне будет определяться толщиной подзатворного диэлектрика. Кроме того, установлено, что использование МДП-структуры приводит к уменьшению начального тока транзистора, а также затворного тока в открытом состоянии, что позволит уменьшить потери энергии при управлении мощными GaN-транзисторами. DOI: 10.21883/FTP.2017.09.44895.8569

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

2

Журавлев, К. С., Т. В. Малин, В. Г. Мансуров, О. Е. Терещенко, К. К. Абгарян, Д. Л. Ревизников, В. Е. Земляков та ін. "AlN/GaN-гетероструктуры для нормально закрытых транзисторов". Физика и техника полупроводников 51, № 3 (2017): 395. http://dx.doi.org/10.21883/ftp.2017.03.44215.8287.

Повний текст джерела

Анотація:

Рассчитана конструкция AlN/GaN гетероструктур со сверхтонким AlN-барьером для нормально закрытых транзисторов. Развита технология молекулярно-лучевой эпитаксии in situ пассивированных гетероструктур SiN/AlN/GaN с двумерным электронным газом. Продемонстрированы нормально закрытые транзисторы с максимальной плотностью тока около 1 А/мм, напряжением насыщения 1 В, крутизной до 350 мС/мм, пробивным напряжением более 60 В. В транзисторах практически отсутствуют эффекты затворного и стокового коллапса тока. DOI: 10.21883/FTP.2017.03.44215.8287

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

3

Ерофеев, Е. В., И. В. Федин, И. В. Кутков та Ю. Н. Юрьев. "Увеличение порогового напряжения отпирания силовых GaN-транзисторов при использовании низкотемпературной обработки в потоке атомарного водорода". Физика и техника полупроводников 51, № 2 (2017): 253. http://dx.doi.org/10.21883/ftp.2017.02.44114.8298.

Повний текст джерела

Анотація:

Транзисторы с высокой подвижностью электронов на основе эпитаксиальных гетероструктур AlGaN/GaN являются перспективной элементной базой для создания устройств силовой электроники следующего поколения. Это обусловлено как высокой подвижностью носителей заряда в канале транзистора, так и высокой электрической прочностью материала, позволяющей достичь высоких напряжений пробоя. Для применения в силовых коммутационных устройствах требуются нормально-закрытые GaN-транзисторы, работающие в режиме обогащения. Для создания нормально-закрытых GaN-транзисторов чаще всего используют подзатворную область на основе GaN p-типа проводимости, легированного магнием (p-GaN). Однако оптимизация толщины эпитаксиального слоя p-GaN и уровня легирования позволяет добиться порогового напряжения отпирания GaN-транзисторов, близкого к Vth=+2 В. В настоящей работе показано, что применение низкотемпературной обработки в потоке атомарного водорода подзатворной области на основе p-GaN перед осаждением слоев затворной металлизации позволяет увеличить пороговое напряжение транзистора до Vth=+3.5 В. Наблюдаемые эффекты могут быть обусловлены формированием дипольного слоя на поверхности p-GaN, индуцированного воздействием атомарного водорода. Термическая обработка GaN-транзисторов, подвергшихся водородной обработке, в среде азота при температуре T=250oC в течение 12 ч не выявила деградации электрических параметров транзистора, что может быть обусловено формированием термически стабильного дипольного слоя на границе раздела металл/p-GaN в результате гидрогенезации. DOI: 10.21883/FTP.2017.02.44114.8298

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

4

Егоркин, В. И., А. А. Зайцев, В. Е. Земляков, В. В. Капаев та О. Б. Кухтяева. "GAN/ALGAN ГЕТЕРОСТРУКТУРНЫЙ ТРАНЗИСТОР НОРМАЛЬНОЗАКРЫТОГО ТИПА С P-ЗАТВОРОМ ДЛЯ ВЫСОКОВОЛЬТНЫХ ПРИБОРОВ". NANOINDUSTRY Russia 96, № 3s (15 червня 2020): 133–36. http://dx.doi.org/10.22184/1993-8578.2020.13.3s.133.136.

Повний текст джерела

Анотація:

Представлено моделирование нормально-закрытого транзистора на основе гетероструктуры p-GaN/AlN/AlGaN/ AlN/GaN, рассматриваются зонные диаграммы и зависимости концентрации носителей заряда в канале от конструкции гетероструктуры. Основной целью является создание нормально-закрытых транзисторов для применения в силовой электронике. Продемонстрирована возможность получения таких транзисторов. The article demonstrates simulation of normally-off transistor based on heterostructure p-GaN/AlN/AlGaN/AlN/GaN. The band diagrams and dependences of channel carrier density on heterostructure parameters have been considered. The key aim is fabrication of a high-voltage normally-off transistor. A possibility of the transistor fabrication has been presented in this paper.

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

5

Езубченко, И. С., М. Я. Черных, А. А. Андреев, Ю. В. Грищенко, И. А. Черных та М. Л. Занавескин. "Гетероструктуры на основе нитрида галлия на подложках кремния для мощных СВЧ-транзисторов". Российские нанотехнологии 14, № 7-8 (18 січня 2020): 77–80. http://dx.doi.org/10.21517/1992-7223-2019-7-8-77-80.

Повний текст джерела

Анотація:

Предложен и реализован уникальный метод формирования гетероструктур на основе нитрида галлия на подложках кремния при пониженных температурах роста (менее 950°С). Сформированная гетероструктура обладает атомарно-гладкой поверхностью со средней квадратичной шероховатостью 0.45 нм и высоким кристаллическим качеством. Среднее слоевое сопротивление канала двумерного электронного газа составило 415 Ом/квадрат при концентрации электронов 1.65 · 1013 см–2 и подвижности 920 см2 /В · с. Максимальная величина тока насыщения стока для транзисторов с шириной затвора 1.2 мм составила 930 мА/мм, что соответствует лучшим мировым результатам для нитрид-галлиевых транзисторов на подложках кремния.

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

6

Федотов, С. Д., В. В. Лундин, Е. Е. Заварин, А. В. Сахаров, А. Ф. Цацульников, Е. М. Соколов, В. Н. Стаценко та ін. "ИСПОЛЬЗОВАНИЕ СВЕРХВЫСОКООМНЫХ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СТРУКТУР КРЕМНИЯ ДИАМЕТРОМ ДО 150 ММ ДЛЯ РОСТА GA(AL)N-СОЕДИНЕНИЙ МЕТОДОМ МОГФЭ". Nanoindustry Russia 14, № 7s (3 жовтня 2021): 197–200. http://dx.doi.org/10.22184/1993-8578.2021.14.7s.197.200.

Повний текст джерела

Анотація:

В докладе показаны актуальные результаты разработки отечественной технологии выращивания гетероструктур на основе нитрида галлия (GaN) на сверхвысокоомных эпитаксиальных структурах кремния диаметром 150 мм. Получены структуры Ga(Al)N/Si диаметром до 150 мм с подвижностью электронов в 2DEG более 1500 см2В-1с-1, изготовлены тестовые транзисторы GaN HEMT с напряжением отсечки порядка -6,5 В, максимальным током стока насыщения 570 мА/мм, крутизной транзисторов не менее 100 мСм/мм и пробивным напряжением более 200 В.

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

7

Суханов, М. А., А. К. Бакаров та К. С. Журавлёв. "AlSb/InAs-гетероструктуры для СВЧ-транзисторов". Письма в журнал технической физики 47, № 3 (2021): 37. http://dx.doi.org/10.21883/pjtf.2021.03.50574.18588.

Повний текст джерела

Анотація:

The paper describes the features of the MBE growth process of AlSb / InAs heterostructures with a high-mobility two-dimensional electron gas for UHF transistors with ultra-low power consumption. The main stages of manufacturing transistors based on AlSb / InAs heterostructures are outlined. The drain and transfer characteristics of transistors are presented and discussed.

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

8

Москалюк, Владимир, Владимир Тимофеев та Константин Куликов. "ЭЛЕКТРОННЫЙ ТРАНСПОРТ В ГЕТЕРОТРАНЗИСТОРАХ КВАНТОВОЙ ЯМОЙ". SWorldJournal, № 06-06 (30 грудня 2018): 16–25. http://dx.doi.org/10.30888/2663-5712.2020-06-06-137.

Повний текст джерела

Анотація:

У роботі наведено аналіз процесів електронного транспорту у квантових ямах субмікронних гетероструктурних транзисторів. Розроблено методики моделювання процесів у наногетероструктурах з урахуванням деяких квантових ефектів та специфічних для потрійних сп

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

9

Москалюк, Владимир, Владимир Тимофеев та Константин Куликов. "ЭЛЕКТРОННЫЙ ТРАНСПОРТ В ГЕТЕРОТРАНЗИСТОРАХ КВАНТОВОЙ ЯМОЙ". SWorldJournal, № 06-06 (30 грудня 2018): 16–25. http://dx.doi.org/10.30888/2410-6615.2020-06-06-137.

Повний текст джерела

Анотація:

У роботі наведено аналіз процесів електронного транспорту у квантових ямах субмікронних гетероструктурних транзисторів. Розроблено методики моделювання процесів у наногетероструктурах з урахуванням деяких квантових ефектів та специфічних для потрійних сп

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

10

Миннебаев, С. М., А. В. Черных, В. М. Миннебаев та А. В. Редька. "МЕТОДЫ ПРОВЕДЕНИЯ ТЕХНОЛОГИЧЕСКОЙ ОПЕРАЦИИ СОВМЕЩЕНИЯ СЛОЕВ ПРИ ИЗГОТОВЛЕНИИ СВЧ-ТРАНЗИСТОРОВ НА ОСНОВЕ ГЕТЕРОСТРУКТУР ALGAN/GAN ПРИ КОНТАКТНОЙ ФОТОЛИТОГРАФИИ". NANOINDUSTRY Russia 13, № 4s (11 серпня 2020): 462–64. http://dx.doi.org/10.22184/1993-8578.2020.13.4s.462.464.

Повний текст джерела

Анотація:

Развитие микроэлектроники стало возможным благодаря совершенствованию техники и разработанной для этой техники технологии. В работе в ходе подготовки комплекта фотошаблонов для изготовления СВЧ-транзисторов на основе гетероструктур AlGaN/GaN разработана метка совмещения с точностью ±0,2 мкм.

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

11

Ерофеев, Е. В., И. В. Федин та Ю. Н. Юрьев. "Силовые коммутационные транзисторы на основе эпитаксиальных гетероструктур нитрида галлия, "Микроэлектроника"". Микроэлектроника, № 3 (2017): 224–30. http://dx.doi.org/10.7868/s0544126917020028.

Повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

12

Никитина, Е. В., А. А. Лазаренко, Е. В. Пирогов, М. С. Соболев та Т. Н. Березовская. "Влияние конструкции метаморфного буферного слоя на сохраняемость параметров метаморфного транзистора InGaAs/GaAs с высокой подвижностью электронов". Письма в журнал технической физики 43, № 18 (2017): 97. http://dx.doi.org/10.21883/pjtf.2017.18.45039.16643.

Повний текст джерела

Анотація:

Исследуется влияние конструкции метаморфного буферного слоя на изменения с течением времени электрофизических характеристик метаморфных транзисторов InGaAs/GaAs с высокой подвижностью электронов. С помощью Холловских измерений показано, что транзисторная гетероструктура с метаморфным буфером на основе сверхрешеток In(Al)GaAs/InAlAs обладает наибольшими значениями концентрации и подвижности электронов в канале и наименее подвержена деградации с течением времени. DOI: 10.21883/PJTF.2017.18.45039.16643

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

13

Храповицкая, Ю. В., та И. С. Езубченко. "Нормально закрытые транзисторы на основе нитрид-галлиевых гетероструктур на подложках кремния". Вестник Военного инновационного технополиса «ЭРА» 2, № 4 (24 грудня 2021): 53–56. http://dx.doi.org/10.1134/s2782375x21040079.

Повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

14

Пашковский, А. Б., И. В. Куликова, В. Г. Лапин, В. М. Лукашин, Н. К. Приступчик, Л. В. Манченко, В. Г. Калина, М. И. Лопин та А. Д. Закурдаев. "Поверхностный тепловой интерфейс для мощных арсенид-галлиевых гетероструктурных полевых транзисторов". Журнал технической физики 89, № 2 (2019): 252. http://dx.doi.org/10.21883/jtf.2019.02.47079.2493.

Повний текст джерела

Анотація:

AbstractApplication of heat-conducting coatings for cooling of high-power FETs based on heterostructures with arsenide–gallium substrate is theoretically analyzed. When the basic technology for manufacturing of transistors is employed in the absence of additional efforts aimed at a decrease in the thermal resistance of the substrate, the application of an additional thermal interface that represents a heat-conducting dielectric coating makes it possible to substantially decrease the overheating of the transistor channel. A several-fold decrease in such overheating can be reached using variations in the thickness of the coating and modification of the transistor structure and working regimes.

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

15

Цацульников, А. Ф., В. В. Лундин, Е. Е. Заварин, А. В. Сахаров та А. Е. Николаев. "III-N-ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ ДЛЯ СВЧ- И СИЛОВОЙ ЭЛЕКТРОНИКИ, ВЫРАЩЕННЫЕ НА ОТЕЧЕСТВЕННОЙ УСТАНОВКЕ МОС-ГИДРИДНОЙ ЭПИТАКСИИ DRAGON-125". Nanoindustry Russia 14, № 7s (4 вересня 2021): 195–96. http://dx.doi.org/10.22184/1993-8578.2021.14.7s.195.196.

Повний текст джерела

Анотація:

С использованием отечественной установки МОС-гидридной эпитаксии Dragon-125 разработана технология выращивания НЕМТ-структур на основе AlGaN и InAlN с намеренно легированными изолирующими буферными слоями и in-situ Si3N4-покрытиями. Изготовлены НЕМТ-транзисторы и измерены их параметры.

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

16

Minnebaev, S. V., A. L. Filatov, and V. V. Krasnov. "LOW-NOISE AlGaN/GaN COMPOSITE-CHANNEL HEMT." Electronic engineering. Series 2. Semiconductor device 247, no. 4 (2017): 21–27. http://dx.doi.org/10.36845/2073-8250-2017-247-4-21-27.

Повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

17

Черных, М. Я., И. С. Езубченко, И. О. Майборода, И. А. Черных, Е. М. Колобкова, П. А. Перминов, В. С. Седов та ін. "НИТРИДНЫЕ ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ И ТРАНЗИСТОРЫ С ВЫСОКОЙ ПОДВИЖНОСТЬЮ ЭЛЕКТРОНОВ НА СОСТАВНЫХ ПОДЛОЖКАХ КРЕМНИЙ–ПОЛИКРИСТАЛЛИЧЕСКИЙ АЛМАЗ". Российские нанотехнологии 15, № 6 (2020): 820–23. http://dx.doi.org/10.1134/s1992722320060072.

Повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

18

Богданов, С. А., А. К. Бакаров, К. С. Журавлев, В. Г. Лапин, В. М. Лукашин, А. Б. Пашковский, И. А. Рогачёв, Е. В. Терёшкин та С. В. Щербаков. "Полевой транзистор миллиметрового диапазона длин волн на основе псевдоморфной гетероструктуры с дополнительными потенциальными барьерами". Письма в журнал технической физики 47, № 7 (2021): 52. http://dx.doi.org/10.21883/pjtf.2021.07.50802.18640.

Повний текст джерела

Анотація:

The results of millimeter – wave field – effect transistors with a 0.14 µm T – gate on pseudomorphic heterostructures Al0.3Ga0.7As – In0.22Ga0.78As – Al0.3Ga0.7As with additional potential barriers based on two-way donor-acceptor channel doping study are presented. At a frequency of 40 GHz in a wide range of gate voltages, a maximum stable gain of more than 15 dB is achieved. The maximum frequency of the device generation is about 250 GHz, the specific current density at the open channel is about 0.7 A / mm, the breakdown voltage of the gate-drain, depending on the version, is 22 -31 V.

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

19

Egorkin, V. I., V. A. Bespalov, A. A. Zaitsev, V. E. Zemlyakov, V. V. Kapaev, and O. B. Kukhtyaeva. "Normally-off p-Gate Transistor Based on AlGaN/GaN Heterostructure." Proceedings of Universities. Electronics 25, no. 5 (October 2020): 391–401. http://dx.doi.org/10.24151/1561-5405-2020-25-5-391-401.

Повний текст джерела

Анотація:

The GaN based devices with respect to most parameters exceed the devices based on traditional semiconductor materials. The AlGaN-transistors are the devices, operating in the depletion mode. For most applications it is necessary to implement the operating mode E, when the current in the channel is closed at zero gate voltage. In this paper the novel method namely using the p-GaN layer under the gate has been considered. The plasma-chemical removal of p-GaN layer in the non-gated active region has been chosen as a formation method of this layer. In this case the challenges, namely the non-uniformity in the depth of etching and poor control of the etching rate, arise. To exclude these problems, the heterostructures with additional AlN barrier layer has been developed. The research results of the heterostructure parameters affecting the carrier concentration in the channel, and, respectively, the transistor output characteristics have been presented and the developed design process has been shown. According to it the normally-off transistors have been formed. The maximum drain current in the open state is 350 mA/mm at 4 V gate voltage and the breakdown voltage is about 550 V in closed state at 0 V gate voltage.

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

20

Елесин, В. В. "Расчетно-экспериментальное моделирование эффектов мощности дозы в СВЧ МИС на основе гетероструктурных полевых транзисторов". Микроэлектроника 43, № 2 (2014): 133–41. http://dx.doi.org/10.7868/s0544126914020057.

Повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

21

Павлов, А. Ю., В. Ю. Павлов, Д. Н. Слаповский, С. С. Арутюнян, Ю. В. Федоров та П. П. Мальцев. "НЕСПЛАВНЫЕ ОМИЧЕСКИЕ КОНТАКТЫ ДЛЯ ТРАНЗИСТОРОВ С ВЫСОКОЙ ПОДВИЖНОСТЬЮ ЭЛЕКТРОНОВ НА ГЕТЕРОСТРУКТУРАХ ALGAN/GAN, "Микроэлектроника"". Микроэлектроника, № 5 (2017): 340–47. http://dx.doi.org/10.7868/s0544126917050039.

Повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

22

Korolev, A. M. "PHEMTS AS CIRCUIT ELEMENTS FOR LOW-POWER-CONSUMPTION RECEIVERS/AMPLIFIERS OPERATING IN A WIDE TEMPERATURE RANGE ENVIRONMENT." Radio physics and radio astronomy 19, no. 2 (June 3, 2014): 181–85. http://dx.doi.org/10.15407/rpra19.02.181.

Повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

23

Алексеев, А. Н., В. В. Мамаев та С. И. Петров. "Исследование влияния сурфактанта Ga при высокотемпературной аммиачной молекулярно-лучевой эпитаксии слоев AlN на свойства нитридных гетероструктур". Физика и техника полупроводников 51, № 11 (2017): 1507. http://dx.doi.org/10.21883/ftp.2017.11.45100.14.

Повний текст джерела

Анотація:

Представлены результаты выращивания буферных слоев AlN для транзисторов с высокой подвижностью электронов методом высокотемпературной аммиачной молекулярно-лучевой эпитаксии с использованием Ga в качестве сурфактанта. Основными параметрами, влияющими на кинетику роста и дефектообразование, являются эффективные потоки прекурсоров и сурфактанта, а также температура подложки, которая ограничивает поток сурфактанта из-за десорбции Ga с поверхности. В частности, добавление потока Ga, равного потоку Al, при температуре подложки 1150oC не изменяет скорость роста, меняя при этом его кинетику. Такой подход позволяет повысить поверхностную подвижность адатомов и обеспечивает быстрый переход в режим 2D-роста. В гетероструктурах с двумерным электронным газом, выращенных с использованием сурфактанта, была достигнута подвижность носителей до 2000 см2/В·с. DOI: 10.21883/FTP.2017.11.45100.14

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

24

Андреев, А. А., Ю. В. Грищенко, И. C. Езубченко, М. Я. Черных, Е. М. Колобкова, И. О. Майборода, И. А. Черных та М. Л. Занавескин. "Изучение характеристик транзисторов на гетероструктурах нитрида галлия, выращенных методом аммиачной молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках сапфира и кремния". Письма в журнал технической физики 45, № 4 (2019): 52. http://dx.doi.org/10.21883/pjtf.2019.04.47340.17567.

Повний текст джерела

Анотація:

AbstractsAmmonia molecular-beam epitaxy has been used to grow gallium nitride (GaN) transistor heterostructures on sapphire and silicon substrates. GaN transistors with a 1.2-mm periphery fabricated on substrates of both types exhibited similar high static characteristics: saturation current density above 0.75 A/mm, transconductance above 300 mS/mm, and breakdown voltage above 120 V. Measurements of the small-signal parameters showed that transistors based on silicon substrates possessed high gain in a frequency range up to 5 GHz; the specific output power at 1 GHz amounted to 5 W/mm for transistors on sapphire substrate and 2 W/mm for transistors on silicon substrate.

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

25

Алексеев, А. Н., та С. И. Петров. "КОМПЛЕКС БАЗОВЫХ ТЕХНОЛОГИЧЕСКИХ ПРОЦЕССОВ ДЛЯ ПОЛУЧЕНИЯ МОЩНЫХ ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРОВ И МИС СВЧ-ДИАПАЗОНА НА ОСНОВЕ GAN И GAAS С ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ ОТЕЧЕСТВЕННОГО ОБОРУДОВАНИЯ". NANOINDUSTRY Russia 96, № 3s (15 червня 2020): 343–46. http://dx.doi.org/10.22184/1993-8578.2020.13.3s.343.346.

Повний текст джерела

Анотація:

Представлены результаты разработки базовых технологических процессов, используемых при получении мощных полевых транзисторов и МИС СВЧ-диапазона на основе GaN и GaAs, таких как: выращивание гетероструктур методом МЛЭ, металлизация и отжиг омических контактов, травление мезаизоляции, затворная металлизация, пассивация диэлектриком и др. Обсуждаются основные проблемы и пути их решения, в том числе особенности технологических процессов глубокого плазмохимического травления для формирования сквозных металлизированных отверстий в SiC и GaAs. Отдельное внимание уделено вопросам обеспечения однородности и воспроизводимости и их влиянию на выход годных структур. Продемонстрированы результаты использования ряда технологических процессов в производственном цикле АО «Светлана-Рост» и других предприятий радиоэлектронной промышленности. The paper presents the results of the development of basic technological processes used in the production of microwave high-power field-effect transistors based on GaN and GaAs such as: MBE growth, metallization and annealing of ohmic contacts, etching of mesa insulation, gate metallization, passivation by dielectric etc. The main problems and solutions including features of technological processes of deep plasma-chemical etching in SiC and GaAs have been discussed. Special attention is paid to the issues of uniformity and reproducibility and their impact on the yield of structures. The results of the use of technological processes in the production cycle of Svetlana-Rost JSC and other enterprises of the radio-electronic industry have been demonstrated.

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

26

Алексеев, А. Н., та С. И. Петров. "РЕЗУЛЬТАТЫ ПРИМЕНЕНИЯ ОТЕЧЕСТВЕННОГО ОБОРУДОВАНИЯ ДЛЯ РЕАЛИЗАЦИИ КЛЮЧЕВЫХ ТЕХНОЛОГИЧЕСКИХ ОПЕРАЦИЙ ПРИ ИЗГОТОВЛЕНИИ СВЧ ЭКБ НА ОСНОВЕ GAN И GAAS". NANOINDUSTRY Russia 96, № 3s (15 червня 2020): 494–97. http://dx.doi.org/10.22184/1993-8578.2020.13.3s.494.497.

Повний текст джерела

Анотація:

Показаны результаты применения отечественного оборудования (ЗАО «НТО») для разработки и проведения ключевых технологических операций при изготовлении мощных полевых транзисторов и МИС СВЧ-диапазона на основе GaN и GaAs. Обсуждаются особенности и результаты оптимизации технологических установок для таких операций, как выращивание гетероструктур методом МЛЭ, нанесение контактной и затворной металлизации при помощи электронно-лучевого напыления, отжиг омических контактов, травление меза-изоляции и нанесение диэлектрика при помощи плазмохимических методов. Кроме того, представлены особенности установок и технологических процессов глубокого плазмохимического травления для формирования сквозных металлизированных отверстий в SiC и GaAs, а также прецизионного травления GaN и GaAs. Продемонстрированы технологические результаты использования оборудования ЗАО «НТО» в производственном цикле АО «Светлана-Рост». The paper highlights the results of using domestic equipment (SemiTEq JSC) for the development and implementation of key technological operations for producing GaN and GaAs based power microwave transistors. Features and results of optimization of the technological equipment have also been discussed for such operations as: MBE growth of heterosructures, deposition of the contacts and gate metallization using electron beam evaporation and ohmic contacts annealing, plasma etching of mesa isolation and PECVD of the dielectric. In addition, the features of systems for deep plasma etching of SiC and GaAs as well as GaN and GaAs precision etching have been presented. The technological results of using SemiTEq equipment in the production cycle of Svetlana-Rost JSC have been demonstrated.

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

27

Мамаев, Viktor Mamaev, Новиков, Sergey Novikov, Петров, Stanislav Petrov, Зайцев, Sergey Zaycev, Прохоренков, and Dmitriy Prohorenkov. "THE INFLUENCE OF CONDITIONS OF FORMATION OF HETEROSTRUCTURES BASED ON NITRIDES OF III GROUP, ON THE STRUCTURAL PERFECTION OF THE INSTRUMENT STRUCTURES FOR MICROWAVE TRANSISTORS, AND OPTOELECTRONIC DEVICES IN THE ULTRAVIOLET RANGE." Bulletin of Belgorod State Technological University named after. V. G. Shukhov 2, no. 6 (May 24, 2017): 102–9. http://dx.doi.org/10.12737/article_5926a059824a22.24626416.

Повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

28

Егоров, Н. Н., С. А. Голубков, С. Д. Федотов, В. Н. Стаценко, А. А. Романов та В. А. Метлов. "ВЛИЯНИЕ ТВЕРДОФАЗНОЙ РЕКРИСТАЛЛИЗАЦИИ С ДВОЙНОЙ ИМПЛАНТАЦИЕЙ НА ПЛОТНОСТЬ СТРУКТУРНЫХ ДЕФЕКТОВ В УЛЬТРАТОНКИХ СЛОЯХ КРЕМНИЯ НА САПФИРЕ". NANOINDUSTRY Russia 96, № 3s (15 червня 2020): 154–59. http://dx.doi.org/10.22184/1993-8578.2020.13.3s.154.159.

Повний текст джерела

Анотація:

Высокая плотность структурных дефектов является основной проблемой при изготовлении электроники на гетероструктурах «кремний на сапфире» (КНС). Современный метод получения ультратонких структур КНС с помощью твердофазной эпитаксиальной рекристаллизации позволяет значительно снизить дефектность в гетероэпитаксиальном слое КНС. В данной работе ультратонкие (100 нм) слои КНС были получены путем рекристаллизации и утонения субмикронных (300 нм) слоев кремния на сапфире, обладающих различным структурным качеством. Плотность структурных дефектов в слоях КНС оценивалась с помощью рентгеноструктурного анализа и просвечивающей электронной микроскопии. Кривые качания от дифракционного отражения Si(400), полученные в ω-геометрии, продемонстрировали максимальную ширину на полувысоте пика не более 0,19-0,20° для ультратонких слоев КНС толщиной 100 нм. Формирование структурно совершенного субмикронного слоя КНС 300 нм на этапе газофазной эпитаксии обеспечивает существенное уменьшение плотности дислокаций в ультратонком кремнии на сапфире до значений ~1 • 104 см-1. Тестовые n-канальные МОП-транзисторы на ультратонких структурах КНС характеризовались подвижностью носителей в канале 725 см2 Вс-1. The high density of structural defects is the main problem on the way to the production of electronics on silicon-on-sapphire (SOS) heteroepitaxial wafers. The modern method of obtaining ultrathin SOS wafers is solid-phase epitaxial recrystallization which can significantly reduce the density of defects in the SOS heteroepitaxial layers. In the current work, ultrathin (100 nm) SOS layers were obtained by recrystallization and thinning of submicron (300 nm) SOS layers, which have various structural quality. The density of structural defects in the layers was estimated by using XRD and TEM. Full width at half maximum of rocking curves (ω-geometry) was no more than 0.19-0.20° for 100 nm ultra-thin SOS layers. The structural quality of 300 nm submicron SOS layers, which were obtained by CVD, depends on dislocation density in 100 nm ultrathin layers. The dislocation density in ultrathin SOS layers was reduced by ~1 • 104 cm-1 due to the utilization of the submicron SOS with good crystal quality. Test n-channel MOS transistors based on ultra-thin SOS wafers were characterized by electron mobility in the channel 725 cm2 V-1 s-1.

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

29

"Высокоомный GaN буфер для AlGaN/GaN-HEMT / Малин Т.В., Милахин Д.С., Александров И.А., Земляков В.Е., Егоркин В.И., Зайцев А.А., Протасов Д.Ю., Кожухов А.С., Бер Б.Я., Казанцев Д.Ю., Мансуров В.Г., К.С. Журавлёв." Тезисы докладов XIV РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ ПО ФИЗИКЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВ «ПОЛУПРОВОДНИКИ-2019», 20 серпня 2019, 429. http://dx.doi.org/10.34077/semicond2019-429.

Повний текст джерела

Анотація:

Одной из наиболее важных задач при росте гетероструктур для транзисторов с высокой подвижностью электронов (HEMT) на основе соединений A3-N является получение буферного слоя GaN с высокими значениями пробивного напряжения. В данной работе продемонстрирована возможность получения методом аммиачной молекулярно-лучевой эпитаксией (NH3-MBE) намеренно нелегированных высокоомных слоёв GaN для HEMT путём оптимизации ростовых условий на основании расчётов концентраций фоновых примесей для различных соотношений потоков галлия и аммиака. Для определения влияния условий роста на вероятность формирования точечных дефектов в GaN были проведены расчеты их энергий формирования и концентраций в зависимости от условий роста слоев. Расчеты проводились методами теории функционала плотности в приближении обобщенного градиента с использованием функционала PBE [1] в пакете программ Quantum Espresso 6.3 [2]. Согласно полученным в ходе расчётов данным существуют ростовые условия, при которых выращиваемые слои GaN могут обладать высоким сопротивлением и при этом достаточно низкой концентрацией дефектов. Сопоставление результатов расчётов концентраций углерода и кислорода в слое GaN с результатами профилей ВИМС позволяет оценить концентрацию свободных электронов в слое GaN 8.0×109 cm-3, что соответствует сопротивлению 2.1×1011 Omh/□. Эпитаксиальные слои GaN и AlGaN/GaN гетероструктуры (ГЭС) с двумерным электронным газом (2DEG) выращивались на подложке сапфира методом NH3- MBE на установке CBE Riber 32. Концентрация n=1,0*1013 cm-2 и подвижность µ=1650 cm2 /V·s электронов в ГЭС была измерена с помощью эффекта Холла. Полевые транзисторы формировались методом оптической литографии с затвором Шоттки длиной 0.25 μm и омическими контактами на основе металлизации Ti/Al/Ni/Au. ВАХ транзисторов с шириной затвора 90 μm приведены на рис. 5а. Удельная крутизна транзистора с составила 250 mS/mm. Измеренный ток утечки закрытого транзистора при подаче запирающего напряжения -5 V и напряжении сток-исток UСИ = 135 V составил ~ 220 μА, что с одной стороны открывает возможность работы транзистора при напряжении на стоке до 70 V с другой стороны резко повышает надежность при работе на стандартном для СВЧ-применений напряжении 28 V.

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

30

"Микроволновой фотоотклик в емкости полевых транзисторов на основе гетероструктур GaAs/AlGaAs / Капустин А.А., Дорожкин С.И., Umansky V., Smet J.H." Тезисы докладов XIV РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ ПО ФИЗИКЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВ «ПОЛУПРОВОДНИКИ-2019», 20 серпня 2019, 360. http://dx.doi.org/10.34077/semicond2019-360.

Повний текст джерела

Анотація:

Исследовано влияние микроволнового облучения миллиметрового диапазона на ёмкость полевых транзисторов на основе гетероструктур GaAs/AlGaAs с высокоподвижным двумерным электронным газом (2ДЭГ). Для образцов трех различных архитектур обнаружены разные типы фотоотклика. (1) В полевом транзисторе с затвором, перекрывающим весь 2ДЭГ, при заполнении двух подзон размерного квантования облучение приводит к возникновению магнетоосцилляций с периодами по обратному полю )(/ 1  nnhce ss 21 и cfme * 2  2/  , интерферирующих между собой [1]. Здесь 21,nn ss - плотности электронов в первой и второй подзонах, * m - эффективная масса электронов и f - частота излучения. (2) В тех же образцах при заполнении одной подзоны размерного квантования влияние излучения сводится к подавлению амплитуды квантовых осцилляций емкости. (3) В полевых транзисторах с затвором, покрывающим только часть 2ДЭГ, излучение приводит к интерференции квантовых осцилляций емкости и осцилляций с периодом 2 , соответствующим индуцированным излучением магнетоосцилляциям сопротивления. В результате интерференции наблюдается усиление амплитуды квантовых осцилляций под облучением, см. рис.1(a). Наблюденные эффекты удается описать в рамках единой модели, учитывающей перераспределение электронов по энергии под облучением. В результате, при заполнении двух подзон размерного квантования облучение приводит к перераспределению электронов между подзонами. В образцах с затвором, перекрывающим только часть 2ДЭГ, изменение длины экранирования под облучением приводит к изменению загиба зон около края затвора, осциллирующему с периодом 2 и влияющему на величину квантовой емкости.

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

31

"Исследование AlGaN/AlN/GaN HEMT с дорощенными омическими контактами / Павлов В.Ю., Павлов А.Ю., Слаповский Д.Н., Майтама М.В." Тезисы докладов XIV РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ ПО ФИЗИКЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВ «ПОЛУПРОВОДНИКИ-2019», 20 серпня 2019, 454. http://dx.doi.org/10.34077/semicond2019-454.

Повний текст джерела

Анотація:

Рабочие частот приборов на нитридных гетероструктурах, определяются дрейфовой скоростью электронов и длиной затвора HEMT, поэтому предъявляются жесткие требования к технологии роста гетероструктур на основе GaN и к технологии постростового изготовления транзистора. Рост частот современного HEMT обеспеичвается уменьшением длины затвора и уменьшением расстояния сток-исток [1]. Несплавные омические контакты за счет отсутствия высокотемпературной обработки после нанесения состава металлизации контакта, позволяют сохранить гладкий рельеф и ровную границу омических контактов HEMT. Это позволяет формировать метки для электронно-лучевой литографии в одном слое с металлизацией контактов, что обеспечивает лучшее вписывание между омическими контактами транзистора, расстояние между которыми может составлять от сотен нанометров до несколько микрон. При этом удельное контактное сопротивления несплавных омических контактов в несколько раз меньше удельного контактного сопротивления сплавных омических, что является дополнительным плюсом их внедрения [2]. Несплавные омические контакты были изготовлены по технологии повторного эпитаксиального доращивания сильнолегированного GaN в месте омического контакта. Схематически структура AlGaN/AlN/GaN HEMT с несплавнами омическими контактами. При изготовлении AlGaN/AlN/GaN HEMT использовалась структура без защитного слоя, с толщиной составаного барьерного слоя AlGaN 13 нм и AlN 0,7 нм. Более подробно технология формирования несплавных омических контактов описана в работах [3 и 4]. Контакт металл-полупроводник формировался после роста сильнолегированного GaN за счет нанесения в вакууме резистивным методом системы металлизации Gr/Pd/Au, которая требуют сплавления, обеспечивающая термическую стабильность контактов до 400 ºС [3]. После нанесения омических контактов формировался Т-образный затвор Шоттки Ni/Au с длиной затвора 0,18 мкм. Удельное контактное сопротивление омических контактов составило 0,16 Ом·мм. Открытая активная поверхность после изготовления затвора Шоттки пассивировалась токим диэлектриком Al2O3 (20 нм). После изготовления AlGaN/AlN/GaN HEMT с несплавнами омическими контактами были измерены их статические и динамические характеристики. Максимальный ток стока (Is) при 0 В на затворе составил 1.4 А/мм, максимальная крутизна (Gm) 360 мСм/мм, напряжение отсечки – 5 В. Граничная частота усиления по току для измеренных транзисторов 66 ГГц, граничная частота усиления по мощности 118 ГГц.

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

32

"Двойной полупроводниковый лазер, интегрированный с электронным ключом / Багаев Т.А., Ладугин М.А., Падалица А.А., Мармалюк А.А., Курнявко Ю.В., Лобинцов А.В., Данилов А.И., Сапожников С.М., Кричевский В.В., Коняев В.П., Симаков В.А., Слипченко С.О., Подоскин А.А., Пихтин Н.А." Тезисы докладов XIV РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ ПО ФИЗИКЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВ «ПОЛУПРОВОДНИКИ-2019», 20 серпня 2019, 436. http://dx.doi.org/10.34077/semicond2019-436.

Повний текст джерела

Анотація:

Для многих практических применений требуются полупроводниковые лазеры с выходными характеристиками, превосходящими возможности отдельных излучателей. Очевидным путем решения данной задачи является создание многоэлементных лазерных излучателей. Традиционно при помощи такого подхода удается повышать выходную мощность. Так, линейки и решетки лазерных диодов позволяют в десятки и сотни раз увеличить этот параметр. Вместе с тем показано, что для повышения яркости лазерного излучения и уменьшения массогабаритных параметров приборов перспективным представляется создание лазеров на основе эпитаксиально-интегрированных гетероструктур – альтернативного подхода получения многоэлементных излучателей. Продемонстрировано увеличение квантовой эффективности лазеров с двумя активными областями в 1.7-2.0 раза, с тремя – в 2.5-3.0 раза, с четырьмя – в 3.4-4.0 раз. Решетки лазерных диодов, изготовленные из указанных гетероструктур, позволяют достигать более 1 кВт выходной мощности в импульсном режиме. Эпитаксиальная интеграция также открывает путь к созданию нескольких функционально различных компонентов в рамках одного кристалла. Например, для работы в импульсном режиме в состав излучателя необходимо ввести электронный ключ (динистор, тиристор, транзистор). Показано, что для миниатюризации и повышения надежности работы перспективно осуществлять интеграцию в едином процессе роста двух последовательно формируемых структур: тиристора и лазера. Такие интегральные приборы, лазер-тиристоры, при напряжении включения 15-25 В демонстрировали выходную мощность 50-60 Вт в импульсном режиме. Данная работа посвящена дальнейшему развитию указанного подхода и направлена на исследование возможности монолитной интеграции нескольких лазерных излучающих областей с электронным ключом, обеспечивающим работу в импульсном режиме генерации. Впервые в мире получены лазер-тиристоры с двумя излучающими лазерными секциями. Эпитаксиальные гетероструктуры InGaAs/AlGaAs выращивались методом МОС-гидридной эпитаксии. Первоначально на подложке GaAs (001) формировались отдельные слои тиристорной структуры. Затем последовательно осаждались две лазерные секции, контакт между которыми обеспечивался посредством туннельного перехода. На основе полученных структур изготавливались лазерные излучатели с управляющим электродом и исследовались их характеристики. Двойной лазер-тиристор характеризовался S-образной ВАХ с напряжением включения 15-20 В и квантовой эффективностью в 1,6-1,7 раза превышавшей значения для лазер-тиристора с одной излучающей секцией.

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

33

Колосовский, Д. А., Д. В. Дмитриев та С. А. Пономарев. "Формирования InAs островков на поверхности InP(001) при высокотемпературном отжиге в потоке мышьяка". ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ, 27 вересня 2021, 98. http://dx.doi.org/10.34077/rcsp2021-98.

Повний текст джерела

Анотація:

Подложки InP(001) используют для создания гетероэпитаксиальных структур (ГЭС), на основе которых изготавливают транзисторы с высокой подвижностью электронов, лазеры, электрооптические модуляторы и фотодиоды [1]. Рост гетероструктуры начинается с удаления аморфного окисного слоя подложки. Обычно окисный слой на подложке InP удаляют высокотемпературным отжигом в потоке As. Однако в процессе отжига происходит изменение элементного состава поверхности подложки с образование твердого раствора InPAs и островков InAs [2, 3]. Решеточное рассогласование между InP и InAs приводит к возникновению напряжений и центрам зарождения дефектов в ГЭС [4], что влечет изменения в начальных этапах зародышеобразования и последующих процессах эпитаксиального роста. Поэтому целью работы является исследование процесса формирования InAs островков на поверхности InP(001) в процессе высокотемпературного отжига в потоке мышьяка.

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

34

"Терагерцовое излучение неравновесных 2D плазмонов из наногетероструктуры AlGaN/GaN / Молдавская М.Д., Шалыгин В.А., Винниченко М.Я., Паневин В.Ю., Маремьянин К.В., Воробьев Л.Е., Фирсов Д.А., Korotyeyev V.V., Suihkonen S., Kauppinen C., Сахаров А.В., Заварин Е.Е., Артеев Д.С., Лундин В.В." Тезисы докладов XIV РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ ПО ФИЗИКЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВ «ПОЛУПРОВОДНИКИ-2019», 20 серпня 2019, 207. http://dx.doi.org/10.34077/semicond2019-207.

Повний текст джерела

Анотація:

Плазмоника является быстро развивающейся областью науки и техники. В частности, интерес представляет возможность получения эмиссии терагерцового (ТГц) излучения при возбуждении 2D плазмонов. С одной стороны, уже создан ряд эмиттеров, основанных на возбуждении когерентных 2D плазмонов и обеспечивающих довольно широкую полосу ТГц излучения [1]. С другой стороны, могут быть созданы узкополосные источники ТГц излучения, принцип действия которых базируется на возбуждении некогерентных 2D плазмонов. Подобные эксперименты ранее проводились с неравновесными 2D плазмонами в кремниевых МОП-транзисторах и в гетероструктурах AlGaAs/GaAs [2]. Недавно была предпринята попытка получить селективное ТГц излучение при возбуждении электрическим полем некогерентных 2D плазмонов в гетероструктуре AlGaN/GaN [3]. В этой работе был зарегистрирован лишь слабый пик излучения, соответствующий рассеянию 2D плазмонов, амплитуда которого не превышала 20% от широкополосного фонового сигнала, обусловленного джоулевым разогревом образца. В настоящей работе исследована эмиссия ТГц излучения из наногетероструктуры AlGaN/GaN/Al2O3 с периодической металлической решеткой на поверхности в условиях разогрева 2D электронов латеральным электрическим полем. Основной акцент сделан на создании существенно неравновесных условий, когда эффективные температуры 2D электронов и 2D плазмонов в несколько раз превышают температуру кристаллической решетки. Это позволило наблюдать и исследовать высокодобротные пики интенсивного ТГц излучения, соответствующие 2D-плазмонному резонансу. Предварительно теоретически моделировались спектры ТГц пропускания, отражения и поглощения структур. С точки зрения исследования 2D плазмонов интерес представляют спектры для излучения, линейно поляризованного перпендикулярно металлическим полоскам решетки. Главная особенность – это провалы в спектре пропускания и пики в спектре поглощательной (излучательной) способности при частотах, соответствующих модам 2D-плазмонного резонанса. Дизайн структур оптимизировался с целью обеспечить максимальную амплитуду основной моды 2D плазмонов при условии её попадания в полосу чувствительности детектора Ge:Ga. Эксперименты проводились на образцах с различными периодами решетки, а также на реперных образцах без решетки. Исследование спектров пропускания при разных температурах, а также спектров ТГц электролюминесценции (ЭЛ) при варьировании поля позволило однозначно идентифицировать моды 2D плазмонов. Исследование интегральной интенсивности ЭЛ при разных уровнях возбуждения, а также вольт-амперных характеристик позволило определить эффективные температуры 2D электронов и плазмонов в зависимости от поля.

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

35

"Динамика спонтанного электрического поля в индуцированном микроволновым излучением “zero-resistance state” / Дорожкин С.И., Капустин А.А., Дмитриев И.А., Umansky V., Smet J.H." Тезисы докладов XIV РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ ПО ФИЗИКЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВ «ПОЛУПРОВОДНИКИ-2019», 20 серпня 2019, 355. http://dx.doi.org/10.34077/semicond2019-355.

Повний текст джерела

Анотація:

Установлен механизм, приводящий к квазипериодическим переворотам спонтанного электрического поля [1] в доменной структуре, реализующей индуцированное микроволновым излучением состояние с малой диссипацией на постоянном токе, широко известное как “zeroresistance state”. Механизм состоит [2] в динамическом экранировании спонтанного электрического поля доменов подвижными зарядами слоя селективного легирования, обеспечивающего возникновение высокоподвижной электронной системы в квантовой яме GaAs. Процесс состоит из следующих стадий. (1) Быстрое возникновение доменной структуры спонтанного электрического поля, геометрия которой определяется геометрией образца и, вероятно, распределением высокочастотного электрического поля в образце. При наличии центра инверсии в этих конфигурациях первоначальное спонтанное поле может иметь одно из двух противоположных направлений. (2) Более медленное смещение зарядов слоя легирования в спонтанном поле приводит к возникновению экранирующего поля, направленного противоположно спонтанному. (3) При некотором значении экранирующего поля более устойчивой становится ориентация спонтанного поля, противоположная первоначальной, и в двумерной электронной системе происходит перераспределение заряда, сопровождающееся изменением направления спонтанного электрического поля. В дальнейшем процессы (2) и (3) повторяются, приводя к автоколебаниям спонтанного электрического поля. Сигнал микроволновой фото-ЭДС при этом представляет собой серию почти прямоугольных импульсов, короткие фронты которых соответствуют смещению зарядов в высокоподвижной двумерной системе, а вершины – медленному динамическому экранированию возникшей конфигурации спонтанного электрического поля. В результате частота переключений оказывается пропорциональной проводимости слоя легирования. В данной работе установлено, что (1) динамическая доменная структура возникает только в образцах с проводящим слоем легирования и (2) температурные зависимости проводимости слоя легирования и частоты переключений спонтанного электрического поля описываются термоактивационными законами с близкими значениями энергий активации (см. рис.), что согласуется с теоретическим ожиданием. Измерения средней частоты переключений осуществлялись из анализа сигналов микроволновой фото-ЭДС, записанных на многоканальный цифровой осциллограф. Величина проводимости слоя легирования определялась из частотной зависимости импеданса трехэлектродного полевого транзистора, включающего в себя двумерную электронную систему, проводящий слой легирования и металлический затвор на поверхности гетероструктуры.

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

36

"Квантовый магнетотранспорт HEMT/InP гетероструктур с наноразмерной вставкой InAs в КЯ InGaAs/InAlAs / Виниченко А.Н., Васильевский И.С., Сафонов Д.А., Павленко И.А., Каргин Н.И." Тезисы докладов XIV РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ ПО ФИЗИКЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВ «ПОЛУПРОВОДНИКИ-2019», 20 серпня 2019, 157. http://dx.doi.org/10.34077/semicond2019-157.

Повний текст джерела

Анотація:

Гетеросистема InyGa1-yAs/In0,52Al0,48As на подложках InP позволяет получить глубокую квантовую яму (КЯ) >0,5 эВ, однако, увеличение содержания InAs в однородном слое InyGa1-yAs, влечет структурные ограничения на его толщину. Такие структуры интересны для исследований спиновых эффектов и используются на практике для изготовления СВЧ малошумящих транзисторов и интегральных схем. В составных КЯ (СКЯ), за счет наноразмерных вставок узкозонного InAs, увеличивается как электронная подвижность: μ ~ (1÷1,3)·104 см2 /В·с, так и концентрация квазидвумерного электронного газа (ДЭГ): n ~ (2÷4)·1012 см-2. Однако, из-за значительной относительной деформации слоев такая гетеросистема является релаксационно-нестабильной и при толщинах InAs близких к критическим ее свойства зависят от условий формирования. На изготовленных в НИЯУ МИФИ HEMT/InP СКЯ In0,53Ga0,47As/InAs/In0,53Ga0,47As c нановставкой InAs толщиной 4 нм были проведены исследования эффектов Холла в диапазоне температур 77÷300 К и Шубникова-де Гааза (ШдГ) при Т=2,1÷8,4 К (табл. 1), рассчитаны транспортные времена релаксации импульса и эффективные массы m*e при различном магнитном поле. Благодаря высокой концентрации электронов, в диапазоне магнитного поля до 6 Тл наблюдалось 10÷15 осцилляций, что позволило определить квантовые времена релаксации импульса методом Дингла. Отношение τ t / τ q для всех образцов составляет порядка десяти, что свидетельствует о преобладании малоуглового рассеяния электронов, характерного для рассеяния на удаленных донорах. Оценена непараболичность энергетического спектра в СКЯ структурах при условии заполнения только нижней подзоны размерного квантования. Увеличение температуры формирования СКЯ выше 400° С при росте слоя InAs приводит к одновременному снижению как концентрации, так и подвижности электронов, и снижению отношения τ t / τ q что указывает на увеличение рассеяния электронов на дефектах структуры. Во всех образцах наблюдался квантовый эффект Холла, однако, ширина плато на зависимости Rxy(1/В) коррелировала с τ q. В образце №364 достигнуты рекордные значения электронной подвижности при комнатной температуре для решеточно-согласовынных InyGa1-yAs/In0,52Al0,48As/InP гетероструктур: μ = 13400 см2 /В·с, при слоевой концентрации электронов: n = 3,51·1012 см-2.

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

37

"Влияние параметров структур Al2O3/AlxGa1-xN/GaN на эффективность теплопереноса / Чернодубов Д.А., Инюшкин А.В." Тезисы докладов XIV РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ ПО ФИЗИКЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВ «ПОЛУПРОВОДНИКИ-2019», 20 серпня 2019, 188. http://dx.doi.org/10.34077/semicond2019-188.

Повний текст джерела

Анотація:

Один из главных факторов, ограничивающих рабочую мощность полевых транзисторов с высокой подвижностью электронов, в частности изготовленных на основе гетеропереходов AlxGa1- xN/GaN, это их значительный разогрев, возникающий при высокой плотности мощности. В настоящей работе представлены результаты измерений теплопроводности слоев, составляющих гетероструктуру Al2O3/AlxGa1-xN/GaN, и моделирования теплопереноса в такой структуре. При моделировании с использованием численных методов учитывали анизотропию теплопроводности и её зависимость от температуры при разных толщинах слоёв структуры, граничных тепловых сопротивлениях между слоями и размерах области нагрева. Известно, что при относительно высокой теплопроводности как AlN, так и GaN, теплопроводность объемного разупорядоченного AlxGa1-xN может быть значительно меньше. А для тонких пленок субмикронной толщиной даже при комнатной температуре на величину теплопроводности существенное влияние оказывает рассеяние фононов на границе пленки, что делает интересным измерение теплопроводности слоёв, составляющих структуру. Значительное влияние на теплоперенос оказывают также величины толщины слоёв, размеры области нагрева и величина граничного теплового сопротивления между слоями структуры. В случае, когда область нагрева мала (единицы микрон и меньше), появляется возможность подобрать оптимальную толщину слоя GaN с точки зрения теплового сопротивления [1]. Если толщина слоя нитрида галлия слишком мала, то тепловой поток в ней распространяется в области с латеральными размерами сравнимыми с областью нагрева. Таким образом, тепловой поток, практически не уширяясь, попадает на тонкий буферный слой со значительным тепловым сопротивлением, что приводит к его перегреву в области потока. С другой стороны, в случае слишком большой толщины слоя GaN тепловое сопротивление структуры определяется тепловым сопротивлением этого слоя. Таким образом, существуют оптимальные параметры структуры, которые обеспечивают ее максимальную тепловую эффективность. Измерение теплопроводности структур Al2O3/AlxGa1-xN и Al2O3/AlxGa1-xN/GaN проведено методом 3-омега, детали которого приведены в работе [2]. Теплопроводность сапфировой подложки толщиной 0.4 мм в базальной плоскости определена методом продольного теплового потока, а в направлении оси c методом 3-омега. Структуры на сапфировой подложке создавались методом молекулярно-лучевой эпитаксии. Общая толщина буферных слоев смешанного состава AlxGa1-xN составляла 580 нм, а толщина плёнки нитрида галлия – 1.5 мкм. Теплопроводность тонких пленок AlxGa1-xN и GaN измерена вдоль кристаллографической оси c. Измеренные величины теплопроводности сапфира хорошо согласуются с литературными данными для чистого монокристаллического сапфира. Теплопроводность буферных слоев структур оказалась почти на порядок величины меньше теплопроводности кристаллов AlN и GaN.

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

38

"Формирование светоизлучающих и фотодетектирующих в ИК-области тонкослойных структур Ge:Sb/Ge методами ионной имплантации, вакуумного осаждения и импульсного отжига". Тезисы докладов Российской конференции и школы молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники «ФОТОНИКА-2019», 24 травня 2019, 163. http://dx.doi.org/10.34077/rcsp2019-163.

Повний текст джерела

Анотація:

Слои германия (Ge), легированные донорной примесью (P, As, Sb) с концентрацией N = 1019 -1020 см-3 , являются перспективным материалом для микроэлектроники, фотоники и сенсорной техники при создании быстродействующих полевых транзисторов, инфракрасных светодиодов, лазеров и фотоприемников, а также сенсоров различных химических веществ. Актуальной проблемой при формировании тонкопленочных гетероструктур на основе таких слоев, напр. Ge:Sb, является низкий уровень растворимости донорной примеси в Ge (или степень электрической активации), который в равновесных условиях роста, как правило, не превышает 1019 см-3 . Использование неравновесных методов получения сильно легированных слоев, таких как ионное со-распыление, ионная имплантация и импульсный наносекундный отжиг, может позволить преодолеть данную проблему. В данной работе сильно легированные слои Ge:Sb толщиной 0.1-0.3 мкм были получены двумя методами: (1) ионным распылением в вакууме композитной мишени <Sb/Ge> с осаждением пленки на подложку p-Ge, (2) имплантацией ионов Sb+ в монокристалл p-Ge. Получаемые слои имели аморфную структуру, и для их кристаллизации и электрической активации донорной примеси Sb применялась импульсная (наносекундная) ионная обработка (ИИО) пучком ионов углерода и водорода (C + , H + ), а также импульсный лазерный отжиг (ИЛО) на длине волны 1.06 мкм импульсами микросекундной или наносекундной длительности. Во всех случаях отжиг проходил в жидкофазном режиме. Проводилось компьютерное моделирование импульсного нагрева аморфных слоев Ge и его данные сопоставлялись с экспериментом. С использованием широкого набора экспериментальных методов изучались структурные, оптические и электрические свойства облученных слоев Ge:Sb. Проведенное моделирование позволило оценить глубину, длительность расплава и температуру на поверхности Ge в процессе ИИО и ИЛО при различных режимах воздействий. Методом ВИМС установлена значительно более глубокая диффузия Sb в Ge при ИИО (до 1.5 мкм), чем при ИЛО, что связано с большей глубиной расплава. Определены режимы импульсного отжига, при которых на подложке p-Ge формировались эпитаксиальные слои n-Ge:Sb. Из измерений по Холлу, плазменному отражению и рентгеновской дифракции на вакуумно-осажденных и имплантированных слоях Ge:Sb получены высокие значения концентрации электронов проводимости вплоть до 5×1020 см-3 . Измерения фотолюминесценции при 300 К показали возрастание вклада от прямого перехода при 0.77 эВ (1610 нм) в слоях Ge:Sb после ИИО. Измерения фотопроводимости на диодной структуре nGe:Sb/p-Ge показали более интенсивный и расширенный до 2 мкм фотоотклик в сравнении с типовым Ge фотодиодом.

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

Статті в журналах з теми "Гетероструктурні транзистори"

Оформте джерело за APA, MLA, Chicago, Harvard та іншими стилями