Готові списки джерел за темами / Гетероструктурні транзистори

Добірка наукової літератури з теми "Гетероструктурні транзистори"

Автор: Grafiati
Опубліковано: 30 травня 2022
Оновлено: 31 травня 2022

Оформте джерело за APA, MLA, Chicago, Harvard та іншими стилями

Оберіть тип джерела:

Зміст

Ознайомтеся зі списками актуальних статей, книг, дисертацій, тез та інших наукових джерел на тему "Гетероструктурні транзистори".

Біля кожної праці в переліку літератури доступна кнопка «Додати до бібліографії». Скористайтеся нею – і ми автоматично оформимо бібліографічне посилання на обрану працю в потрібному вам стилі цитування: APA, MLA, «Гарвард», «Чикаго», «Ванкувер» тощо.

Також ви можете завантажити повний текст наукової публікації у форматі «.pdf» та прочитати онлайн анотацію до роботи, якщо відповідні параметри наявні в метаданих.

Статті в журналах з теми "Гетероструктурні транзистори"

1

Ерофеев, Е. В., И. В. Федин, В. В. Федина, М. В. Степаненко та А. В. Юрьева. "Мощные GaN-транзисторы с подзатворной областью на основе МДП-структур". Физика и техника полупроводников 51, № 9 (2017): 1278. http://dx.doi.org/10.21883/ftp.2017.09.44895.8569.

Повний текст джерела
Анотація:
Транзисторы с высокой подвижностью электронов на основе эпитаксиальных гетероструктур AlGaN/GaN являются перспективной элементной базой для создания устройств силовой электроники следующего поколения. Это обусловлено как высокой подвижностью носителей заряда в канале транзистора, так и высокой электрической прочностью материала, позволяющей достичь высоких напряжений пробоя. Для применения в силовых коммутационных устройствах требуются нормально закрытые GaN-транзисторы, работающие в режиме обогащения. Для создания нормально закрытых GaN-транзисторов чаще всего используют подзатворную область на основе GaN p-типа, легированного магнием (p-GaN). Однако оптимизация толщины эпитаксиального слоя p-GaN и уровня легирования позволяет добиться порогового напряжения отпирания GaN-транзисторов, близкого к Vth=+2 В. В настоящей работе показано, что использование подзатворной МДП-структуры в составе p-GaN-транзистора приводит к увеличению порогового напряжения отпирания до Vth=+6.8 В, которое в широком диапазоне будет определяться толщиной подзатворного диэлектрика. Кроме того, установлено, что использование МДП-структуры приводит к уменьшению начального тока транзистора, а также затворного тока в открытом состоянии, что позволит уменьшить потери энергии при управлении мощными GaN-транзисторами. DOI: 10.21883/FTP.2017.09.44895.8569
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
2

Журавлев, К. С., Т. В. Малин, В. Г. Мансуров, О. Е. Терещенко, К. К. Абгарян, Д. Л. Ревизников, В. Е. Земляков та ін. "AlN/GaN-гетероструктуры для нормально закрытых транзисторов". Физика и техника полупроводников 51, № 3 (2017): 395. http://dx.doi.org/10.21883/ftp.2017.03.44215.8287.

Повний текст джерела
Анотація:
Рассчитана конструкция AlN/GaN гетероструктур со сверхтонким AlN-барьером для нормально закрытых транзисторов. Развита технология молекулярно-лучевой эпитаксии in situ пассивированных гетероструктур SiN/AlN/GaN с двумерным электронным газом. Продемонстрированы нормально закрытые транзисторы с максимальной плотностью тока около 1 А/мм, напряжением насыщения 1 В, крутизной до 350 мС/мм, пробивным напряжением более 60 В. В транзисторах практически отсутствуют эффекты затворного и стокового коллапса тока. DOI: 10.21883/FTP.2017.03.44215.8287
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
3

Ерофеев, Е. В., И. В. Федин, И. В. Кутков та Ю. Н. Юрьев. "Увеличение порогового напряжения отпирания силовых GaN-транзисторов при использовании низкотемпературной обработки в потоке атомарного водорода". Физика и техника полупроводников 51, № 2 (2017): 253. http://dx.doi.org/10.21883/ftp.2017.02.44114.8298.

Повний текст джерела
Анотація:
Транзисторы с высокой подвижностью электронов на основе эпитаксиальных гетероструктур AlGaN/GaN являются перспективной элементной базой для создания устройств силовой электроники следующего поколения. Это обусловлено как высокой подвижностью носителей заряда в канале транзистора, так и высокой электрической прочностью материала, позволяющей достичь высоких напряжений пробоя. Для применения в силовых коммутационных устройствах требуются нормально-закрытые GaN-транзисторы, работающие в режиме обогащения. Для создания нормально-закрытых GaN-транзисторов чаще всего используют подзатворную область на основе GaN p-типа проводимости, легированного магнием (p-GaN). Однако оптимизация толщины эпитаксиального слоя p-GaN и уровня легирования позволяет добиться порогового напряжения отпирания GaN-транзисторов, близкого к Vth=+2 В. В настоящей работе показано, что применение низкотемпературной обработки в потоке атомарного водорода подзатворной области на основе p-GaN перед осаждением слоев затворной металлизации позволяет увеличить пороговое напряжение транзистора до Vth=+3.5 В. Наблюдаемые эффекты могут быть обусловлены формированием дипольного слоя на поверхности p-GaN, индуцированного воздействием атомарного водорода. Термическая обработка GaN-транзисторов, подвергшихся водородной обработке, в среде азота при температуре T=250oC в течение 12 ч не выявила деградации электрических параметров транзистора, что может быть обусловено формированием термически стабильного дипольного слоя на границе раздела металл/p-GaN в результате гидрогенезации. DOI: 10.21883/FTP.2017.02.44114.8298
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
4

Егоркин, В. И., А. А. Зайцев, В. Е. Земляков, В. В. Капаев та О. Б. Кухтяева. "GAN/ALGAN ГЕТЕРОСТРУКТУРНЫЙ ТРАНЗИСТОР НОРМАЛЬНОЗАКРЫТОГО ТИПА С P-ЗАТВОРОМ ДЛЯ ВЫСОКОВОЛЬТНЫХ ПРИБОРОВ". NANOINDUSTRY Russia 96, № 3s (15 червня 2020): 133–36. http://dx.doi.org/10.22184/1993-8578.2020.13.3s.133.136.

Повний текст джерела
Анотація:
Представлено моделирование нормально-закрытого транзистора на основе гетероструктуры p-GaN/AlN/AlGaN/ AlN/GaN, рассматриваются зонные диаграммы и зависимости концентрации носителей заряда в канале от конструкции гетероструктуры. Основной целью является создание нормально-закрытых транзисторов для применения в силовой электронике. Продемонстрирована возможность получения таких транзисторов. The article demonstrates simulation of normally-off transistor based on heterostructure p-GaN/AlN/AlGaN/AlN/GaN. The band diagrams and dependences of channel carrier density on heterostructure parameters have been considered. The key aim is fabrication of a high-voltage normally-off transistor. A possibility of the transistor fabrication has been presented in this paper.
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
5

Езубченко, И. С., М. Я. Черных, А. А. Андреев, Ю. В. Грищенко, И. А. Черных та М. Л. Занавескин. "Гетероструктуры на основе нитрида галлия на подложках кремния для мощных СВЧ-транзисторов". Российские нанотехнологии 14, № 7-8 (18 січня 2020): 77–80. http://dx.doi.org/10.21517/1992-7223-2019-7-8-77-80.

Повний текст джерела
Анотація:
Предложен и реализован уникальный метод формирования гетероструктур на основе нитрида галлия на подложках кремния при пониженных температурах роста (менее 950°С). Сформированная гетероструктура обладает атомарно-гладкой поверхностью со средней квадратичной шероховатостью 0.45 нм и высоким кристаллическим качеством. Среднее слоевое сопротивление канала двумерного электронного газа составило 415 Ом/квадрат при концентрации электронов 1.65 · 1013 см–2 и подвижности 920 см2 /В · с. Максимальная величина тока насыщения стока для транзисторов с шириной затвора 1.2 мм составила 930 мА/мм, что соответствует лучшим мировым результатам для нитрид-галлиевых транзисторов на подложках кремния.
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
6

Федотов, С. Д., В. В. Лундин, Е. Е. Заварин, А. В. Сахаров, А. Ф. Цацульников, Е. М. Соколов, В. Н. Стаценко та ін. "ИСПОЛЬЗОВАНИЕ СВЕРХВЫСОКООМНЫХ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СТРУКТУР КРЕМНИЯ ДИАМЕТРОМ ДО 150 ММ ДЛЯ РОСТА GA(AL)N-СОЕДИНЕНИЙ МЕТОДОМ МОГФЭ". Nanoindustry Russia 14, № 7s (3 жовтня 2021): 197–200. http://dx.doi.org/10.22184/1993-8578.2021.14.7s.197.200.

Повний текст джерела
Анотація:
В докладе показаны актуальные результаты разработки отечественной технологии выращивания гетероструктур на основе нитрида галлия (GaN) на сверхвысокоомных эпитаксиальных структурах кремния диаметром 150 мм. Получены структуры Ga(Al)N/Si диаметром до 150 мм с подвижностью электронов в 2DEG более 1500 см2В-1с-1, изготовлены тестовые транзисторы GaN HEMT с напряжением отсечки порядка -6,5 В, максимальным током стока насыщения 570 мА/мм, крутизной транзисторов не менее 100 мСм/мм и пробивным напряжением более 200 В.
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
7

Суханов, М. А., А. К. Бакаров та К. С. Журавлёв. "AlSb/InAs-гетероструктуры для СВЧ-транзисторов". Письма в журнал технической физики 47, № 3 (2021): 37. http://dx.doi.org/10.21883/pjtf.2021.03.50574.18588.

Повний текст джерела
Анотація:
The paper describes the features of the MBE growth process of AlSb / InAs heterostructures with a high-mobility two-dimensional electron gas for UHF transistors with ultra-low power consumption. The main stages of manufacturing transistors based on AlSb / InAs heterostructures are outlined. The drain and transfer characteristics of transistors are presented and discussed.
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
8

Москалюк, Владимир, Владимир Тимофеев та Константин Куликов. "ЭЛЕКТРОННЫЙ ТРАНСПОРТ В ГЕТЕРОТРАНЗИСТОРАХ КВАНТОВОЙ ЯМОЙ". SWorldJournal, № 06-06 (30 грудня 2018): 16–25. http://dx.doi.org/10.30888/2663-5712.2020-06-06-137.

Повний текст джерела
Анотація:
У роботі наведено аналіз процесів електронного транспорту у квантових ямах субмікронних гетероструктурних транзисторів. Розроблено методики моделювання процесів у наногетероструктурах з урахуванням деяких квантових ефектів та специфічних для потрійних сп
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
9

Москалюк, Владимир, Владимир Тимофеев та Константин Куликов. "ЭЛЕКТРОННЫЙ ТРАНСПОРТ В ГЕТЕРОТРАНЗИСТОРАХ КВАНТОВОЙ ЯМОЙ". SWorldJournal, № 06-06 (30 грудня 2018): 16–25. http://dx.doi.org/10.30888/2410-6615.2020-06-06-137.

Повний текст джерела
Анотація:
У роботі наведено аналіз процесів електронного транспорту у квантових ямах субмікронних гетероструктурних транзисторів. Розроблено методики моделювання процесів у наногетероструктурах з урахуванням деяких квантових ефектів та специфічних для потрійних сп
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
10

Миннебаев, С. М., А. В. Черных, В. М. Миннебаев та А. В. Редька. "МЕТОДЫ ПРОВЕДЕНИЯ ТЕХНОЛОГИЧЕСКОЙ ОПЕРАЦИИ СОВМЕЩЕНИЯ СЛОЕВ ПРИ ИЗГОТОВЛЕНИИ СВЧ-ТРАНЗИСТОРОВ НА ОСНОВЕ ГЕТЕРОСТРУКТУР ALGAN/GAN ПРИ КОНТАКТНОЙ ФОТОЛИТОГРАФИИ". NANOINDUSTRY Russia 13, № 4s (11 серпня 2020): 462–64. http://dx.doi.org/10.22184/1993-8578.2020.13.4s.462.464.

Повний текст джерела
Анотація:
Развитие микроэлектроники стало возможным благодаря совершенствованию техники и разработанной для этой техники технологии. В работе в ходе подготовки комплекта фотошаблонов для изготовления СВЧ-транзисторов на основе гетероструктур AlGaN/GaN разработана метка совмещения с точностью ±0,2 мкм.
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
Більше джерел

Дисертації з теми "Гетероструктурні транзистори"

1

Семеновская, Елена Владимировна. "Моделирование электротепловых процессов в субмикронных гетероструктурах". Doctoral thesis, 2011. https://ela.kpi.ua/handle/123456789/955.

Повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
Також вас можуть зацікавити розширені добірки на тему "Гетероструктурні транзистори" для конкретних типів джерел:
Статті в журналах
Ми пропонуємо знижки на всі преміум-плани для авторів, чиї праці увійшли до тематичних добірок літератури. Зв'яжіться з нами, щоб отримати унікальний промокод!

До бібліографії