Статті в журналах з теми "Β-FeSi2"
Оформте джерело за APA, MLA, Chicago, Harvard та іншими стилями
Ознайомтеся з топ-50 статей у журналах для дослідження на тему "Β-FeSi2".
Біля кожної праці в переліку літератури доступна кнопка «Додати до бібліографії». Скористайтеся нею – і ми автоматично оформимо бібліографічне посилання на обрану працю в потрібному вам стилі цитування: APA, MLA, «Гарвард», «Чикаго», «Ванкувер» тощо.
Також ви можете завантажити повний текст наукової публікації у форматі «.pdf» та прочитати онлайн анотацію до роботи, якщо відповідні параметри наявні в метаданих.
Переглядайте статті в журналах для різних дисциплін та оформлюйте правильно вашу бібліографію.
Tsunoda, Tatsuo, Masakazu Mukaida, Akio Watanabe, and Yoji Imai. "Composition dependence of morphology, structure, and thermoelectric properties of FeSi2 films prepared by sputtering deposition." Journal of Materials Research 11, no. 8 (August 1996): 2062–70. http://dx.doi.org/10.1557/jmr.1996.0259.
Повний текст джерелаNanko, Makoto, Se Hun Chang, Koji Matsumaru, Kozo Ishizaki та Masatoshi Takeda. "Isothermal Oxidation of Sintered β-FeSi2 in Air". Materials Science Forum 522-523 (серпень 2006): 641–48. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.522-523.641.
Повний текст джерелаHong, Soon Jik, Chang Kyu Rhee та Byong Sun Chun. "Phase Transition and Thermoelectric Property of Ultra-Fine Structured β-FeSi2 Compounds". Solid State Phenomena 118 (грудень 2006): 591–96. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/ssp.118.591.
Повний текст джерелаMeng, Qing Sen, Wen Hao Fan, L. Q. Wang та L. Z. Ding. "Effect of FAPAS Process on the Thermoelectric Properties of β-FeSi2". Materials Science Forum 650 (травень 2010): 137–41. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.650.137.
Повний текст джерелаKawabata, Naoki, та Kazuhiro Nakamura. "Transformation from ε-FeSi to β- FeSi2 in RF-sputtered FeSix films". Physics Procedia 11 (2011): 87–90. http://dx.doi.org/10.1016/j.phpro.2011.01.036.
Повний текст джерелаKloc, Ch, E. Arushanov, M. Wendl, H. Hohl, U. Malang та E. Bucher. "Preparation and properties of FeSi, α-FeSi2 and β-FeSi2 single crystals". Journal of Alloys and Compounds 219, № 1-2 (березень 1995): 93–96. http://dx.doi.org/10.1016/0925-8388(94)05055-4.
Повний текст джерелаKLOC, CH, E. ARUSHANOV, M. WENDL, H. HOHL, U. MALANG та E. BUCHER. "ChemInform Abstract: Preparation and Properties of FeSi, α-FeSi2 and β-FeSi2 Single Crystals." ChemInform 26, № 32 (17 серпня 2010): no. http://dx.doi.org/10.1002/chin.199532022.
Повний текст джерелаLaila, Assayidatul, та Makoto Nanko. "Characterization of Cast Iron Scrap Chips toward β-FeSi2 Thermoelectric Materials". Materials Science Forum 804 (жовтень 2014): 3–6. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.804.3.
Повний текст джерелаCho, Sung-Pyo, Yoshiaki Nakamura, Jun Yamasaki, Eiji Okunishi, Masakazu Ichikawa та Nobuo Tanaka. "Microstructure and interdiffusion behaviour of β-FeSi2 flat islands grown on Si(111) surfaces". Journal of Applied Crystallography 46, № 4 (4 липня 2013): 1076–80. http://dx.doi.org/10.1107/s0021889813015355.
Повний текст джерелаEguchi, Hajime, Motoki Iinuma, Hirofumi Hoshida, Naoki Murakoso та Yoshikazu Terai. "Growth of Sb-Doped β-FeSi2 Epitaxial Films and Optimization of Donor Activation Conditions". Defect and Diffusion Forum 386 (вересень 2018): 38–42. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/ddf.386.38.
Повний текст джерелаChen, Xiangdong, Lianwei Wang, Qinwo Shen, Rushan Ni та Chenglu Lin. "Characterization of FeSix film by codeposition on β‐FeSi2 template". Applied Physics Letters 68, № 20 (13 травня 1996): 2858–60. http://dx.doi.org/10.1063/1.116348.
Повний текст джерелаAkiyama, Kensuke, Hiroshi Funakubo та Masaru Itakura. "Epitaxial growth of (010)-oriented β-FeSi2 film on Si(110) substrate". MRS Proceedings 1493 (2013): 189–94. http://dx.doi.org/10.1557/opl.2013.407.
Повний текст джерелаSuvorova, Elena I., Natalya A. Arkharova, Anna G. Ivanova, Fedor Yu Solomkin, and Philippe A. Buffat. "Phases and Interfaces in the Cr–Fe–Si Ternary System: X-ray Diffraction and Electron Microscopy Study." Inorganics 11, no. 2 (February 3, 2023): 73. http://dx.doi.org/10.3390/inorganics11020073.
Повний текст джерелаAkiyama, Kensuke, Yuu Motoizumi, Tetsuya Okuda, Hiroshi Funakubo, Hiroshi Irie, and Yoshihisa Matsumoto. "Synthesis and Photocatalytic Properties of Iron Disilicide/SiC Composite Powder." MRS Advances 2, no. 8 (2017): 471–76. http://dx.doi.org/10.1557/adv.2017.221.
Повний текст джерелаGotoh, Kouhei, Hirokazu Suzuki, Haruhiko Udono, Isao Kikuma, Fumitaka Esaka, Masahito Uchikoshi та Minoru Isshiki. "Single crystalline β-FeSi2 grown using high-purity FeSi2 source". Thin Solid Films 515, № 22 (серпень 2007): 8263–67. http://dx.doi.org/10.1016/j.tsf.2007.02.066.
Повний текст джерелаLi, Xiao Na, Bing Hu, Chuang Dong, and Xin Jiang. "Structural Evolution Upon Annealing of Multi-Layer Si/Fe Thin Films Prepared by Magnetron Sputtering." Materials Science Forum 561-565 (October 2007): 1161–64. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.561-565.1161.
Повний текст джерелаArushanov, Ernest, та Konstantin G. Lisunov. "Transport properties of β-FeSi2". Japanese Journal of Applied Physics 54, № 7S2 (27 квітня 2015): 07JA02. http://dx.doi.org/10.7567/jjap.54.07ja02.
Повний текст джерелаPandey, Tribhuwan, David J. Singh, David Parker та Abhishek K. Singh. "Thermoelectric properties of β-FeSi2". Journal of Applied Physics 114, № 15 (21 жовтня 2013): 153704. http://dx.doi.org/10.1063/1.4825217.
Повний текст джерелаChristensen, N. E. "Electronic structure of β-FeSi2". Physical Review B 42, № 11 (15 жовтня 1990): 7148–53. http://dx.doi.org/10.1103/physrevb.42.7148.
Повний текст джерелаOotsuka, Teruhisa, Yasunori Fudamoto, Masato Osamura, Takashi Suemasu, Yunosuke Makita, Yasuhiro Fukuzawa та Yasuhiko Nakayama. "Photoresponse properties of Al∕n-β-FeSi2 Schottky diodes using β-FeSi2 single crystals". Applied Physics Letters 91, № 14 (жовтень 2007): 142114. http://dx.doi.org/10.1063/1.2789706.
Повний текст джерелаHeinrich, A., H. Griessmann, G. Behr, K. Ivanenko, J. Schumann та H. Vinzelberg. "Thermoelectric properties of β-FeSi2 single crystals and polycrystalline β-FeSi2+x thin films". Thin Solid Films 381, № 2 (січень 2001): 287–95. http://dx.doi.org/10.1016/s0040-6090(00)01758-2.
Повний текст джерелаCharoenyuenyao, Peerasil, Nathaporn Promros, Rawiwan Chaleawpong, Nattakorn Borwornpornmetee, Pattarapol Sittisart, Yūki Tanaka та Tsuyoshi Yoshitake. "Wettability, Surface Morphology and Structural Properties of β-FeSi2 Films Manufactured Through Usage of Radio-Frequency Magnetron Sputtering". Journal of Nanoscience and Nanotechnology 20, № 8 (1 серпня 2020): 5075–81. http://dx.doi.org/10.1166/jnn.2020.17839.
Повний текст джерелаCosta, Benilde F. O., Gerard Le Caër та M. Ramos Silva. "Ball Milling of the β-FeSi2 Phase". Materials Science Forum 587-588 (червень 2008): 410–14. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.587-588.410.
Повний текст джерелаLin, X. W., Z. Liliental-Weber, J. Washburn, J. Desimoni та H. Bernas. "Formation of β-FeSi2, by thermal annealing of Fe-implanted (001) Si". Proceedings, annual meeting, Electron Microscopy Society of America 51 (1 серпня 1993): 808–9. http://dx.doi.org/10.1017/s0424820100149878.
Повний текст джерелаBosholm, O., H. Oppermann, and S. Däbritz. "Chemischer Transport intermetallischer Phasen, II: Das System Fe-Si/Chemical Vapour Transport of Intermetallic Phases, II: The System Fe-Si." Zeitschrift für Naturforschung B 55, no. 7 (July 1, 2000): 614–26. http://dx.doi.org/10.1515/znb-2000-0709.
Повний текст джерелаMuroga, M., H. Suzuki, H. Udono, I. Kikuma, A. Zhuravlev, K. Yamaguchi, H. Yamamoto та T. Terai. "Growth of β-FeSi2 thin films on β-FeSi2 (110) substrates by molecular beam epitaxy". Thin Solid Films 515, № 22 (серпень 2007): 8197–200. http://dx.doi.org/10.1016/j.tsf.2007.02.040.
Повний текст джерелаVisotin, Maxim A., I. A. Tarasov, A. S. Fedorov, S. N. Varnakov та S. G. Ovchinnikov. "Prediction of orientation relationships and interface structures between α-, β-, γ-FeSi2 and Si phases". Acta Crystallographica Section B Structural Science, Crystal Engineering and Materials 76, № 3 (22 травня 2020): 469–82. http://dx.doi.org/10.1107/s2052520620005727.
Повний текст джерелаTheis, Jens, Robert Bywalez, Sebastian Küpper, Axel Lorke та Hartmut Wiggers. "Charge storage in β-FeSi2 nanoparticles". Journal of Applied Physics 117, № 5 (7 лютого 2015): 054303. http://dx.doi.org/10.1063/1.4906500.
Повний текст джерелаArushanov, E., Ch Kloc та E. Bucher. "Impurity band inp-type β-FeSi2". Physical Review B 50, № 4 (15 липня 1994): 2653–56. http://dx.doi.org/10.1103/physrevb.50.2653.
Повний текст джерелаHigashi, T., T. Nagase та I. Yamauchi. "Long period structure of β-FeSi2". Journal of Alloys and Compounds 339, № 1-2 (червень 2002): 96–99. http://dx.doi.org/10.1016/s0925-8388(01)01975-2.
Повний текст джерелаDaraktchieva, V., M. Baleva, E. Goranova та Ch Angelov. "Ion beam synthesis of β-FeSi2". Vacuum 58, № 2-3 (серпень 2000): 415–19. http://dx.doi.org/10.1016/s0042-207x(00)00199-8.
Повний текст джерелаHe, J. Y., X. Wang, X. L. Wu та Paul K. Chu. "Anisotropic etching of microscale β-FeSi2 particles: Formation, mechanism, and quantum confinement of β-FeSi2 nanowhiskers". RSC Advances 2, № 8 (2012): 3254. http://dx.doi.org/10.1039/c2ra00893a.
Повний текст джерелаSuzuno, Mitsushi, Keiichi Akutsu, Hideki Kawakami, Kensuke Akiyama та Takashi Suemasu. "Metalorganic chemical vapor deposition of β-FeSi2 on β-FeSi2 seed crystals formed on Si substrates". Thin Solid Films 519, № 24 (жовтень 2011): 8473–76. http://dx.doi.org/10.1016/j.tsf.2011.05.029.
Повний текст джерелаFedorov, A. S., A. A. Kuzubov, T. A. Kozhevnikova, N. S. Eliseeva, N. G. Galkin, S. G. Ovchinnikov, A. A. Saranin та A. V. Latyshev. "Features of the structure and properties of β-FeSi2 nanofilms and a β-FeSi2/Si interface". JETP Letters 95, № 1 (березень 2012): 20–24. http://dx.doi.org/10.1134/s0021364012010055.
Повний текст джерелаEsaka, F., H. Yamamoto, H. Udono, N. Matsubayashi, K. Yamaguchi, S. Shamoto, M. Magara та T. Kimura. "Spectroscopic characterization of β-FeSi2 single crystals and homoepitaxial β-FeSi2 films by XPS and XAS". Applied Surface Science 257, № 7 (січень 2011): 2950–54. http://dx.doi.org/10.1016/j.apsusc.2010.10.097.
Повний текст джерелаGrimaldi, M. G., G. Franzò, S. Ravesi, A. Terrasi, C. Spinella та A. La Mantia. "Formation of epitaxial γ-FeSi2 and β-FeSi2 layers on (111) Si". Applied Surface Science 74, № 1 (січень 1994): 19–26. http://dx.doi.org/10.1016/0169-4332(94)90095-7.
Повний текст джерелаPolyakova, E. G. "DEVICE STRUCTURES BASED ON β-FeSi2 (OVERVIEW)". Electronic engineering. Series 2. Semiconductor device 249, № 2 (2018): 4–18. http://dx.doi.org/10.36845/2073-8250-2018-249-2-4-18.
Повний текст джерелаOkajima, Keiichi, Ching-ju Wen, Manabu Ihara, Isao Sakata та Koichi Yamada. "Optical and Electrical Properties of β-FeSi2/Si, β-FeSi2/InP Heterojunction Prepared by RF-Sputtering Deposition". Japanese Journal of Applied Physics 38, Part 1, No. 2A (15 лютого 1999): 781–86. http://dx.doi.org/10.1143/jjap.38.781.
Повний текст джерелаOlk, C. H., O. P. Karpenko, S. M. Yalisove, G. L. Doll та J. F. Mansfield. "Growth of epitaxial β-FeSi2 thin films by pulsed laser deposition on silicon (111)". Journal of Materials Research 9, № 11 (листопад 1994): 2733–36. http://dx.doi.org/10.1557/jmr.1994.2733.
Повний текст джерелаKimura, Yoshisato, Hiroaki Otani, Ayaka Mori та Yaw-Wang Chai. "Evaluation of Microstructure Formation and Phase Equilibria for Thermoelectric β-FeSi2 Composite Alloys". MRS Advances 2, № 26 (2017): 1369–74. http://dx.doi.org/10.1557/adv.2017.115.
Повний текст джерелаZhang, Chi, Zhi Hao Zhang, Zhi Peng Jiang, Wei Li Wang, and Jian Xin Xie. "Effects of Melt Cyclical Superheating Conditions on the Microstructure of FeSi2 Alloy." Materials Science Forum 789 (April 2014): 320–27. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.789.320.
Повний текст джерелаGalkin, Nikolay G., Konstantin Nickolaevich Galkin, Evgeniy Y. Subbotin, Evgeniy Anatoljevich Chusovotin та Dmitrii L. Goroshko. "Multilayer Heterostructures with Embedded CrSi2 and β-FeSi2 Nanocrystals on Si(111) Substrate: From the Formation to Photoelectric Properties". Solid State Phenomena 312 (листопад 2020): 45–53. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/ssp.312.45.
Повний текст джерелаInaba, T., Y. Saito, H. Kominami, Y. Nakanishi, K. Murakami, T. Matsuyama та H. Tatsuoka. "Growth of SiOx nanofibers using FeSi and β-FeSi2 substrates with Ga droplets". Thin Solid Films 515, № 22 (серпень 2007): 8158–61. http://dx.doi.org/10.1016/j.tsf.2007.02.031.
Повний текст джерелаOhishi, T., A. Mishina, I. Yamauchi, T. Matsuyama та H. Tatsuoka. "Structural property of β-FeSi2 layers deposited on FeSi from a molten salt". Thin Solid Films 515, № 22 (серпень 2007): 8201–4. http://dx.doi.org/10.1016/j.tsf.2007.02.039.
Повний текст джерелаTani, Jun-ichi, та Hiroyasu Kido. "Electrical Properties of Cr-Doped β-FeSi2". Japanese Journal of Applied Physics 38, Part 1, No. 5A (15 травня 1999): 2717–20. http://dx.doi.org/10.1143/jjap.38.2717.
Повний текст джерелаRebien, M., W. Henrion, U. Müller та S. Gramlich. "Exciton absorption in β-FeSi2 epitaxial films". Applied Physics Letters 74, № 7 (15 лютого 1999): 970–72. http://dx.doi.org/10.1063/1.123426.
Повний текст джерелаDimitriadis, C. A. "Electrical properties of β‐FeSi2/Si heterojunctions". Journal of Applied Physics 70, № 10 (15 листопада 1991): 5423–26. http://dx.doi.org/10.1063/1.350372.
Повний текст джерелаTerrasi, A., S. Ravesi, M. G. Grimaldi та C. Spinella. "Ion beam assisted growth of β‐FeSi2*". Journal of Vacuum Science & Technology A: Vacuum, Surfaces, and Films 12, № 2 (березень 1994): 289–94. http://dx.doi.org/10.1116/1.578870.
Повний текст джерелаArushanov, E., J. H. Schön та H. Lange. "Transport properties of Cr-doped β-FeSi2". Thin Solid Films 381, № 2 (січень 2001): 282–86. http://dx.doi.org/10.1016/s0040-6090(00)01757-0.
Повний текст джерелаMaeda, Yoshihito. "Semiconducting β-FeSi2 towards optoelectronics and photonics". Thin Solid Films 515, № 22 (серпень 2007): 8118–21. http://dx.doi.org/10.1016/j.tsf.2007.02.023.
Повний текст джерела