Статті в журналах з теми "Α-MgAgSb"

Щоб переглянути інші типи публікацій з цієї теми, перейдіть за посиланням: Α-MgAgSb.

Оформте джерело за APA, MLA, Chicago, Harvard та іншими стилями

Оберіть тип джерела:

Ознайомтеся з топ-26 статей у журналах для дослідження на тему "Α-MgAgSb".

Біля кожної праці в переліку літератури доступна кнопка «Додати до бібліографії». Скористайтеся нею – і ми автоматично оформимо бібліографічне посилання на обрану працю в потрібному вам стилі цитування: APA, MLA, «Гарвард», «Чикаго», «Ванкувер» тощо.

Також ви можете завантажити повний текст наукової публікації у форматі «.pdf» та прочитати онлайн анотацію до роботи, якщо відповідні параметри наявні в метаданих.

Переглядайте статті в журналах для різних дисциплін та оформлюйте правильно вашу бібліографію.

1

Camut, Julia, Ignacio Barber Rodriguez, Hasbuna Kamila, Aidan Cowley, Reinhard Sottong, Eckhard Mueller та Johannes de Boor. "Insight on the Interplay between Synthesis Conditions and Thermoelectric Properties of α-MgAgSb". Materials 12, № 11 (7 червня 2019): 1857. http://dx.doi.org/10.3390/ma12111857.

Повний текст джерела
Анотація:
α-MgAgSb is a very promising thermoelectric material with excellent thermoelectric properties between room temperature and 300 °C, a range where few other thermoelectric materials show good performance. Previous reports rely on a two-step ball-milling process and/or time-consuming annealing. Aiming for a faster and scalable fabrication route, herein, we investigated other potential synthesis routes and their impact on the thermoelectric properties of α-MgAgSb. We started from a gas-atomized MgAg precursor and employed ball-milling only in the final mixing step. Direct comparison of high energy ball-milling and planetary ball-milling revealed that high energy ball milling already induced formation of MgAgSb, while planetary ball milling did not. This had a strong impact on the microstructure and secondary phase fraction, resulting in superior performance of the high energy ball milling route with an attractive average thermoelectric figure of merit of z T avg = 0.9. We also show that the formation of undesired secondary phases cannot be avoided by a modification of the sintering temperature after planetary ball milling, and discuss the influence of commonly observed secondary phases on the carrier mobility and on the thermoelectric properties of α-MgAgSb.
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
2

Liu, Zihang, Jun Mao, Jiehe Sui та Zhifeng Ren. "High thermoelectric performance of α-MgAgSb for power generation". Energy & Environmental Science 11, № 1 (2018): 23–44. http://dx.doi.org/10.1039/c7ee02504a.

Повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
3

Lei, Jingdan, De Zhang, Weibao Guan, Zhenxiang Cheng, Chao Wang та Yuanxu Wang. "Engineering electrical transport in α-MgAgSb to realize high performances near room temperature". Physical Chemistry Chemical Physics 20, № 24 (2018): 16729–35. http://dx.doi.org/10.1039/c8cp02186d.

Повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
4

Liao, Yuntiao, Jun-Liang Chen, Chengyan Liu, Jisheng Liang, Qi Zhou, Ping Wang, and Lei Miao. "Sintering pressure as a “scalpel” to enhance the thermoelectric performance of MgAgSb." Journal of Materials Chemistry C 10, no. 9 (2022): 3360–67. http://dx.doi.org/10.1039/d1tc05617d.

Повний текст джерела
Анотація:
P-type nanostructured α-MgAgSb by virtue of its intrinsically low thermal conductivity and environment friendly characteristics has drawn a great deal of attention for low temperature power generation.
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
5

Liu, Zihang, Weihong Gao, Xianfu Meng, Xiaobo Li, Jun Mao, Yumei Wang, Jing Shuai, Wei Cai, Zhifeng Ren та Jiehe Sui. "Mechanical properties of nanostructured thermoelectric materials α-MgAgSb". Scripta Materialia 127 (січень 2017): 72–75. http://dx.doi.org/10.1016/j.scriptamat.2016.08.037.

Повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
6

Liu, Zihang, Huiyuan Geng, Jun Mao, Jing Shuai, Ran He, Chao Wang, Wei Cai, Jiehe Sui та Zhifeng Ren. "Understanding and manipulating the intrinsic point defect in α-MgAgSb for higher thermoelectric performance". Journal of Materials Chemistry A 4, № 43 (2016): 16834–40. http://dx.doi.org/10.1039/c6ta06832d.

Повний текст джерела
Анотація:
Thorough first-principles calculations reveal that an Ag vacancy is the dominant intrinsic point defect in α-MgAgSb. Point-defect engineering can be realized via rationally controlling the hot press temperature due to the recovery effect.
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
7

Gao, Weihong, Xiaoyang Yi, Bo Cui, Zhenyou Wang, Jin Huang, Jiehe Sui та Zihang Liu. "The critical role of boron doping in the thermoelectric and mechanical properties of nanostructured α-MgAgSb". Journal of Materials Chemistry C 6, № 36 (2018): 9821–27. http://dx.doi.org/10.1039/c8tc03646b.

Повний текст джерела
Анотація:
The ineffectiveness of boron doping to enhance thermoelectric performance lied in the introduced perturbation to the valence band. Due to the significant solution strengthening by boron doping, the micro-hardness values of α-MgAgSb have been largely increased.
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
8

Zhou, Gang, Ji-wen Xu та Guang-hui Rao. "Hole doped α-MgAgSb as potential low temperature thermoelectric materials". Physics Letters A 383, № 26 (вересень 2019): 125833. http://dx.doi.org/10.1016/j.physleta.2019.07.021.

Повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
9

Xin, Jiwu, Junyou Yang, Sihui Li, Abdul Basit, Bingyang Sun, Suwei Li, Qiang Long, Xin Li, Ying Chen та Qinghui Jiang. "Thermoelectric Performance of Rapidly Microwave-Synthesized α-MgAgSb with SnTe Nanoinclusions". Chemistry of Materials 31, № 7 (4 лютого 2019): 2421–30. http://dx.doi.org/10.1021/acs.chemmater.8b05014.

Повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
10

Ying, Pingjun, Xiaohua Liu, Chenguang Fu, Xianqiang Yue, Hanhui Xie, Xinbing Zhao, Wenqing Zhang та Tiejun Zhu. "High Performance α-MgAgSb Thermoelectric Materials for Low Temperature Power Generation". Chemistry of Materials 27, № 3 (26 січня 2015): 909–13. http://dx.doi.org/10.1021/cm5041826.

Повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
11

Tan, Xiaojian, Ling Wang, Hezhu Shao, Song Yue, Jingtao Xu, Guoqiang Liu, Haochuan Jiang та Jun Jiang. "Improving Thermoelectric Performance of α-MgAgSb by Theoretical Band Engineering Design". Advanced Energy Materials 7, № 18 (23 травня 2017): 1700076. http://dx.doi.org/10.1002/aenm.201700076.

Повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
12

Li, Jingyu, Yuanxu Wang, Yuli Yan, Chao Wang та Lili Li. "Pressure effect on the electronic structure and thermoelectric properties of α-MgAgSb". Computational Materials Science 155 (грудень 2018): 450–56. http://dx.doi.org/10.1016/j.commatsci.2018.08.003.

Повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
13

Zhang, Ting, Baokun Dong та Xuan Wang. "Optimization of the thermoelectric performance of α-MgAgSb-based materials by Zn-doping". Journal of Materials Science 56, № 24 (19 травня 2021): 13715–22. http://dx.doi.org/10.1007/s10853-021-06171-y.

Повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
14

Miao, Naihua, Jian Zhou, Baisheng Sa, Bin Xu та Zhimei Sun. "Pressure-induced semimetal-semiconductor transition and enhancement of thermoelectric performance in α-MgAgSb". Applied Physics Letters 108, № 21 (23 травня 2016): 213902. http://dx.doi.org/10.1063/1.4952598.

Повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
15

Li, Xiyang, Zhigang Zhang, Lunhua He, Maxim Avdeev, Yang Ren, Huaizhou Zhao та Fangwei Wang. "Grain size and structure distortion characterization of α-MgAgSb thermoelectric material by powder diffraction". Chinese Physics B 29, № 10 (жовтень 2020): 106101. http://dx.doi.org/10.1088/1674-1056/aba09c.

Повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
16

Yang, Jia-Yue, Wenjie Zhang та Ming Hu. "Decoupling thermal and electrical transport in α-MgAgSb with synergic pressure and doping strategy". Journal of Applied Physics 125, № 20 (28 травня 2019): 205105. http://dx.doi.org/10.1063/1.5090456.

Повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
17

Liu, Zihang, Yumei Wang, Weihong Gao, Jun Mao, Huiyuan Geng, Jing Shuai, Wei Cai, Jiehe Sui та Zhifeng Ren. "The influence of doping sites on achieving higher thermoelectric performance for nanostructured α-MgAgSb". Nano Energy 31 (січень 2017): 194–200. http://dx.doi.org/10.1016/j.nanoen.2016.11.010.

Повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
18

Ying, Pingjun, Xin Li, Yancheng Wang, Jiong Yang, Chenguang Fu, Wenqing Zhang, Xinbing Zhao та Tiejun Zhu. "Hierarchical Chemical Bonds Contributing to the Intrinsically Low Thermal Conductivity in α-MgAgSb Thermoelectric Materials". Advanced Functional Materials 27, № 1 (28 жовтня 2016): 1604145. http://dx.doi.org/10.1002/adfm.201604145.

Повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
19

Lei, Jingdan, De Zhang, Weibao Guan, Zheng Ma, Zhenxiang Cheng, Chao Wang та Yuanxu Wang. "Enhancement of thermoelectric figure of merit by the insertion of multi-walled carbon nanotubes in α-MgAgSb". Applied Physics Letters 113, № 8 (20 серпня 2018): 083901. http://dx.doi.org/10.1063/1.5042265.

Повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
20

Pang, Zhuoyi, Xiwen Zhang та Chao Wang. "Investigation on native defects of α -MgAgSb and its effects on thermoelectric properties using first principles calculations". Current Applied Physics 17, № 10 (жовтень 2017): 1279–87. http://dx.doi.org/10.1016/j.cap.2017.06.010.

Повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
21

Li, Dandan, Huaizhou Zhao, Shanming Li, Beipei Wei, Jing Shuai, Chenglong Shi, Xuekui Xi та ін. "Atomic Disorders Induced by Silver and Magnesium Ion Migrations Favor High Thermoelectric Performance in α-MgAgSb-Based Materials". Advanced Functional Materials 25, № 41 (28 вересня 2015): 6478–88. http://dx.doi.org/10.1002/adfm.201503022.

Повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
22

Toh, Keita, Koichiro Suekuni, Katsuaki Hashikuni, Hirotaka Nishiate, Ushin Anazawa, Chul-Ho Lee та Michitaka Ohtaki. "An effective synthesis route for high-performance α-MgAgSb thermoelectric material". Journal of Materials Science, 26 травня 2022. http://dx.doi.org/10.1007/s10853-022-07306-5.

Повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
23

Feng, Zhenzhen, Jihua Zhang, Yuli Yan, Guangbiao Zhang, Chao Wang, Chengxiao Peng, Fengzhu Ren, Yuanxu Wang та Zhenxiang Cheng. "Ag-Mg antisite defect induced high thermoelectric performance of α-MgAgSb". Scientific Reports 7, № 1 (31 травня 2017). http://dx.doi.org/10.1038/s41598-017-02808-8.

Повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
24

Oueldna, Nouredine, Alain Portavoce, Maxime Bertoglio, Marion Descoins, Abdelkhalek Kammouni та Khalid Hoummada. "Seebeck coefficient variations of α-MgAgSb in crystalline Mg-Ag-Sb thin films". Journal of Alloys and Compounds, жовтень 2022, 167692. http://dx.doi.org/10.1016/j.jallcom.2022.167692.

Повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
25

Li, Xiyang, Peng-Fei Liu, Enyue Zhao, Zhigang Zhang, Tatiana Guidi, Manh Duc Le, Maxim Avdeev та ін. "Ultralow thermal conductivity from transverse acoustic phonon suppression in distorted crystalline α-MgAgSb". Nature Communications 11, № 1 (18 лютого 2020). http://dx.doi.org/10.1038/s41467-020-14772-5.

Повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
26

Liu, Zihang, Weihong Gao, Hironori Oshima, Kazuo Nagase, Chul-Ho Lee, and Takao Mori. "Maximizing the performance of n-type Mg3Bi2 based materials for room-temperature power generation and thermoelectric cooling." Nature Communications 13, no. 1 (March 2, 2022). http://dx.doi.org/10.1038/s41467-022-28798-4.

Повний текст джерела
Анотація:
AbstractAlthough the thermoelectric effect was discovered around 200 years ago, the main application in practice is thermoelectric cooling using the traditional Bi2Te3. The related studies of new and efficient room-temperature thermoelectric materials and modules have, however, not come to fruition yet. In this work, the electronic properties of n-type Mg3.2Bi1.5Sb0.5 material are maximized via delicate microstructural design with the aim of eliminating the thermal grain boundary resistance, eventually leading to a high zT above 1 over a broad temperature range from 323 K to 423 K. Importantly, we further demonstrated a great breakthrough in the non-Bi2Te3 thermoelectric module, coupled with the high-performance p-type α-MgAgSb, for room-temperature power generation and thermoelectric cooling. A high conversion efficiency of ~2.8% at the temperature difference of 95 K and a maximum temperature difference of 56.5 K are experimentally achieved. If the interfacial contact resistance is further reduced, our non-Bi2Te3 module may rival the long-standing champion commercial Bi2Te3 system. Overall, this work represents a substantial step towards the real thermoelectric application using non-Bi2Te3 materials and devices.
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
Ми пропонуємо знижки на всі преміум-плани для авторів, чиї праці увійшли до тематичних добірок літератури. Зв'яжіться з нами, щоб отримати унікальний промокод!

До бібліографії